Ni-Zn-Cu系铁氧体粉末、烧结体、铁氧体片

文档序号:1077933 发布日期:2020-10-16 浏览:20次 >En<

阅读说明:本技术 Ni-Zn-Cu系铁氧体粉末、烧结体、铁氧体片 (Ni-Zn-Cu ferrite powder, sintered body, and ferrite sheet ) 是由 野村吏志 西尾靖士 中务爱仁 冈野洋司 藤井泰彦 于 2019-03-12 设计创作,主要内容包括:本发明的目的在于提供一种即使在例如860℃的低温下也能够烧结的Ni-Zn-Cu系铁氧体粉末。本发明涉及的Ni-Zn-Cu系铁氧体粉末的特征在于:含有49mol%以下的Fe&lt;Sub&gt;2&lt;/Sub&gt;O&lt;Sub&gt;3&lt;/Sub&gt;、5~25mol%的NiO、15~40mol%的ZnO、5~15mol%的CuO和0~3mol%的CoO,微晶尺寸为180nm以下,并涉及使用了该Ni-Zn-Cu系铁氧体粉末的烧结体或铁氧体片。(The purpose of the present invention is to provide a Ni-Zn-Cu ferrite powder that can be sintered even at a low temperature of, for example, 860 ℃. The Ni-Zn-Cu ferrite powder according to the present invention is characterized in that: containing 49 mol% or less of Fe 2 O 3 5 to 25 mol% NiO, 15 to 40 mol% ZnO, 5 to 15 mol% CuO and 0 to 3 mol% CoO, and a sintered body having a crystallite size of 180nm or less, and a sintered body using the Ni-Zn-Cu ferrite powderOr ferrite pieces.)

Ni-Zn-Cu系铁氧体粉末、烧结体、铁氧体片

技术领域

本发明涉及Ni-Zn-Cu系铁氧体材料,并涉及能够在低温下烧结的铁氧体粉末,另外,本发明还涉及使用了上述铁氧体粉末的烧结体、铁氧体片。

背景技术

近年来,家庭用和工业用等的电子设备的小型化、轻质化正在发展,随之,上述的各种电子设备所使用的电子零部件的小型化、高效率化、高频化的需求日益增高。

例如,在电子设备的电子电路中所使用的电感器,从在磁芯或空芯线轴上卷绕具有绝缘覆膜的铜线而形成线圈的绕线型开始,铁氧体烧结型的叠层型芯片电感器已经被实用化。

该叠层型芯片电感器经由以下的制造工序而进行制造。即,将含有铁氧体粉末的糊料成膜为片状,形成生片,在该生片上,使用含有Ag、Ag-Pd等电极材料的糊料,通过印刷等形成导电图案之后,将它们叠层,在规定的温度下进行烧结,形成外部电极,利用这样的工序进行制造。

然而,如上所述,在叠层型芯片电感器的制造工序中,采用了将电极材料和铁氧体的叠层体同时烧制的方法,因此存在由于Ag、Ag-Pd等电极材料与铁氧体的界面反应(相互扩散)而使铁氧体本来的特性变差这样的问题,为了避免该问题,需要在约900℃以下的低温下进行烧制。

但是,在900℃以下的温度进行烧制时,难以得到导磁率等电磁特性优异的Ni系铁氧体烧结体来作为叠层型芯片电感器用的磁性体。

迄今为止,关于Ni-Zn-Cu系铁氧体粉末,提出了几项在低温下也能够进行烧结的技术。例如,有通过添加作为烧结助剂的硼硅酸玻璃从而在烧结时生成液相、促进铁氧体颗粒的生长的方法(专利文献1),除此以外作为添加玻璃成分的方法,还有添加由SiO2、B2O3、Na2O组成的玻璃成分、形成液相烧结、促进铁氧体颗粒生长的方法(专利文献2)。还有添加不含环境负荷大的PbO、且不含使铁氧体的导磁率减少、另外对电子设备产生坏影响的Na的玻璃成分、形成液相烧结、促进铁氧体颗粒生长的方法(专利文献3)。另外,作为用于RFID的用途,有控制Ni-Zn-Cu系铁氧体粉末的结晶相的XRD衍射峰的半值宽度、实现高导磁率化的方法(专利文献4)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1:日本特开平5-326241号公报

专利文献2:日本特开2000-208316号公报

专利文献3:日本特开2007-99539号公报

专利文献4:日本特开2005-64468号公报

发明内容

发明所要解决的技术问题

在专利文献1~3中都采用了通过添加玻璃成分来形成液相烧结、促进铁氧体颗粒生长的方法。然而,这些添加剂的添加量为极少量,难以均匀分散,促进了铁氧体颗粒的不均匀生长。另外,在专利文献4中,虽然没有添加烧结助剂,但需要在1060℃以上的高温进行烧制,没有考虑低温下的烧结。

因此,本发明为了解决上述现有技术中的技术问题,其目的在于提供能够在低温下烧结的Ni-Zn-Cu系铁氧体粉末。

用于解决技术问题的技术方案

上述技术问题能够通过以下的本发明来解决。

即,本发明为一种Ni-Zn-Cu系铁氧体粉末,其特征在于:含有49mol%以下的Fe2O3、5~25mol%的NiO、15~40mol%的ZnO、5~15mol%的CuO和0~3mol%的CoO,微晶尺寸为180nm以下(本发明1)。

另外,本发明为本发明1所述的Ni-Zn-Cu系铁氧体粉末,其中,应变为0.330以下(本发明2)。

另外,本发明为本发明1或2所述的Ni-Zn-Cu系铁氧体粉末,其中,在大气中以860℃烧制后,烧结密度为5.00g/cm3以上(本发明3)。

另外,本发明为使用了本发明1~3中任一项所述的Ni-Zn-Cu系铁氧体粉末的烧结体(本发明4)。

另外,本发明为使用了本发明1~3中任一项所述的Ni-Zn-Cu系铁氧体粉末的铁氧体片(本发明5)。

发明效果

本发明涉及的Ni-Zn-Cu系铁氧体粉末因为微晶尺寸小,所以即使在低温下进行烧结也能够得到烧结密度高的铁氧体烧结体。另外,本发明涉及的Ni-Zn-Cu系铁氧体粉末能够在例如860℃的低温下进行烧结,因此在用于Ag与磁性粉同时烧制的叠层型电感器时,能够抑制熔点低的Ag的扩散,能够期待电感器性能的提高。

具体实施方式

对本发明涉及的Ni-Zn-Cu系铁氧体粉末进行说明。

本发明涉及的Ni-Zn-Cu系铁氧体粉末含有Fe、Ni、Zn和Cu、根据需要的Co作为构成金属元素。将构成金属元素分别换算成Fe2O3、NiO、ZnO、CuO和CoO时,以Fe2O3、NiO、ZnO、CuO和CoO的合计(100%)为基准,含有49mol%以下的Fe2O3、5~25mol%的NiO、15~40mol%的ZnO、5~15mol%的CuO和0~3mol%的CoO。

本发明涉及的Ni-Zn-Cu系铁氧体粉末的Fe含量以Fe2O3换算计为49mol%以下。Fe含量超过49mol%时,烧结性显著下降。Fe的含量优选为48.9mol%以下,更优选为48.8mol%以下。下限为45mol%左右。

本发明涉及的Ni-Zn-Cu系铁氧体粉末的Ni含量以NiO换算计为5~25mol%。Ni含量低于5mol%时,μ’降低,因此不优选。另外,居里温度降低,能够使用的温度范围受到限制,因此不优选。Ni含量超过25mol%时,μ’也降低,因此不优选。Ni含量优选为6~24.9mol%,更优选为7~24.8mol%。

本发明涉及的Ni-Zn-Cu系铁氧体粉末的Zn含量以ZnO换算计为15~40mol%。Zn含量低于15mol%时,μ’降低,因此不优选。另外,居里温度降低,能够使用的温度范围受到限制,因此不优选。Zn含量超过40mol%时,μ’也降低,因此不优选。Zn含量优选为18~38mol%,更优选为20~35mol%。

本发明涉及的Ni-Zn-Cu系铁氧体粉末的Cu含量以CuO换算计为5~15mol%。Cu含量低于5mol%时,烧结性下降,难以在低温下制造烧结体。Cu含量超过15mol%时,μ’降低,因此不优选。Cu的含量优选为6~14mol%,更优选为7~13mol%。

本发明涉及的Ni-Zn-Cu系铁氧体粉末可以含有Co。Co含量以CoO换算计为0~3mol%。在本发明中,通过铁氧体含有Co,蛇形的临界线向高频侧偏移,因此能够提高在高频域中的复数导磁率的实数部μ’相对于虚数部μ”之比即铁氧体磁芯的Q(μ’/μ”)。其中,Co含量以CoO换算计超过3mol%时,导磁率降低,铁氧体磁芯的Q也有降低的倾向。Co含量优选为0~2.9mol%,更优选为0~2.8mol%,特别优选为0.1~2.8mol%。

本发明涉及的Ni-Zn-Cu系铁氧体粉末的微晶尺寸为180nm以下。微晶尺寸超过180nm时,在磁性粉阶段能够促进颗粒生长,因此在烧制烧结体、生片时,烧结性下降,不能进行低温下的烧结。更优选为175nm以下,进一步更优选为170nm以下。下限为100nm左右。其中,微晶尺寸能够通过后述的实施例的方法求出。特别而言,微晶尺寸能够通过调节后述的作为Fe原料的Fe2O3的BET比表面积而调节为上述范围。

关于本发明涉及的Ni-Zn-Cu系铁氧体粉末,结晶的应变优选为0.330以下。应变超过0.330时,有时μ’降低,因此不优选。更优选为0.325以下,进一步更优选为0.320以下。下限为0.100左右。其中,本发明涉及的Ni-Zn-Cu系铁氧体粉末优选为尖晶石铁氧体单相。其中,微晶的应变能够通过后述的实施例的方法求得。微晶的应变能够通过铁氧体粉末的预烧制温度和粉碎强度来调节。

本发明涉及的Ni-Zn-Cu系铁氧体粉末,在不对其特性产生影响的范围内,除了上述元素以外,还可以含有杂质水平的各种元素。通常已知:添加Bi时,具有铁氧体的烧结温度的低温化的效果。但是,在Bi的分散状态不均匀时,在烧制时,促进颗粒的不均匀的生长,因此优选不有意地添加Bi,优选不含Bi(0ppm)。

本发明涉及的Ni-Zn-Cu系铁氧体粉末,作为不可避免的杂质,将Si换算为SiO2时,作为上限可以含有500ppm。优选不含Sn等(0ppm)。

本发明涉及的Ni-Zn-Cu系铁氧体粉末能够通过通常的方法而得到,即,将构成铁氧体的各元素的氧化物、碳酸盐、氢氧化物、草酸盐等原料以规定的组成比例进行混合,得到原料混合物,或者在水溶液中使各元素沉淀,得到共沉淀物,将上述的原料混合物或共沉淀物在大气中以650~950℃的温度范围预烧制1~20小时后,进行粉碎。预烧制的温度优选为700~940℃。进一步而言,在将Ag、Ag-Pd等电极材料和铁氧体的叠层体同时烧制时,烧结温度优选为900℃以下,因此预烧制温度优选为比其低的温度(低于900℃)。

在本发明中,作为Fe原料的Fe2O3的BET比表面积优选为6.0m2/g以上。Fe2O3的BET比表面积低于6.0m2/g时,各原料的混合变得不均匀,作为铁氧体磁性粉的烧结性下降,在低温烧结时,不能得到高的烧结密度。Fe2O3的BET比表面积更优选为6.5~40.0m2/g,进一步更优选为7.0~30.0m2/g。其中,Fe2O3的BET比表面积例如能够通过在Fe2O3的合成阶段调节颗粒尺寸,或调节烧制温度,或调节粉碎强度等进行控制。

另外,在本发明中,在Ni-Zn-Cu系铁氧体粉末的制造时没有添加烧结助剂,因此能够抑制颗粒的不均匀生长。

接着,对本发明涉及的Ni-Zn-Cu系铁氧体烧结体进行说明。

铁氧体烧结体的烧结密度优选即使在低温烧结时也能够得到高的烧结密度,在例如860℃左右的低温烧制时,优选为5.00g/cm3以上。烧结密度低于5.00g/cm3时,不能得到充分的电磁特性,另外,烧结体的机械强度降低,不优选。烧结密度的上限为5.40g/cm3左右。

本发明涉及的Ni-Zn-Cu系铁氧体烧结体能够通过将以下得到的成型体或叠层体以840~1050℃烧结1~20小时、优选1~10小时而得到,上述成型体能够通过使用模具将本发明涉及的Ni-Zn-Cu系铁氧体粉末以0.3~3.0×104t/m2的压力进行加压的所谓粉末加压成型法而得到,上述叠层体能够通过将含有本发明涉及的Ni-Zn-Cu系铁氧体粉末的生片叠层的所谓生片法而得到。作为成型方法,能够使用公知的方法,优选上述粉末加压成型法或生片法。

烧结温度低于840℃时,烧结密度降低,因此不能得到充分的电磁特性,另外,烧结体的机械强度降低。烧结温度超过1050℃时,烧结体容易变形,因此难以得到所期望的形状的烧结体。另外,例如为叠层芯片电感器时,因为将Ag、Ag-Pd等电极材料和铁氧体的叠层体同时烧制,所以由于电极与铁氧体的界面反应(相互扩散),使得电极的断线和铁氧体本来的特性变差。更优选的烧结温度为860~1040℃。进一步而言,在将上述Ag、Ag-Pd等电极材料和铁氧体的叠层体同时烧制时,烧结温度优选为900℃以下,当然在不将本发明的Ni-Zn-Cu系铁氧体粉末与Ag、Ag-Pd等电极材料同时烧制时,能够将烧结温度的上限设为1050℃。

本发明涉及的Ni-Zn-Cu系铁氧体烧结体根据用途制成规定的形状,由此能够作为叠层芯片电感器、电感元件、其它电子零部件用的磁性材料使用。

接着,对本发明的生片进行说明。

所谓生片,是指:将上述Ni-Zn-Cu系铁氧体粉末与结合材料、增塑剂和溶剂等混合,由此形成涂料,利用刮刀式涂布机将该涂料成膜为数μm至数百μm的厚度之后,进行干燥而得到的片。将该片重叠后进行加压,由此形成叠层体,根据用途,以规定的温度使该叠层体烧结,能够得到叠层芯片电感器、电感元件、其它电子零部件。

本发明的生片中,相对于本发明涉及的Ni-Zn-Cu系铁氧体粉末100重量份,含有2~20重量份的结合材料、0.5~15重量份的增塑剂。优选含有4~15重量份的结合材料、1~10重量份的增塑剂。另外,由于成膜后的干燥不充分,也可以残留溶剂。进一步而言,根据需要也可以添加粘度调整剂等公知的添加剂。

结合材料的种类为聚乙烯醇缩丁醛、聚丙烯酸酯、聚甲基丙烯酸甲酯、氯乙烯、聚甲基丙烯酸酯、乙烯纤维素、松香酸树脂等。优选的结合材料为聚乙烯醇缩丁醛。

结合材料低于2重量份时,生片变脆,另外为了维持强度,不需要超过20重量份的含量。

增塑剂的种类为邻苯二甲酸苄基正丁酯、邻苯二甲酸丁二醇丁酯、邻苯二甲酸二丁酯、邻苯二甲酸二甲酯、聚乙二醇、邻苯二甲酸酯、硬脂酸丁酯、己二酸甲酯等。

增塑剂低于0.5重量份时,生片***,容易产生裂纹。增塑剂超过15重量份时,生片***,不易处理。

在本发明的生片的制造中,相对于Ni-Zn-Cu系铁氧体粉末100重量份,使用15~150重量份的溶剂。溶剂为上述范围以外时,不能得到均匀的生片,因此将其烧结而得到的叠层芯片电感器、电感元件、其它电子零部件在特性方面容易产生偏差。

溶剂的种类为丙酮、苯、丁醇、乙醇、甲乙酮、甲苯、丙醇、异丙醇、乙酸正丁酯、3甲基-3甲氧基-1丁醇等。

叠层压力优选为0.2×104~0.6×104t/m2

接着,对本发明涉及的铁氧体片进行说明。

在本发明中,能够将Ni-Zn-Cu系铁氧体烧结体制成板状而使用,从而制成铁氧体片。

本发明的板状的铁氧体烧结体的厚度优选为0.01~1mm。更优选为0.02~1mm,进一步优选为0.03~0.5mm。

本发明涉及的铁氧体片中,能够在铁氧体烧结板的至少一个表面设置粘接层。粘接层的厚度优选为0.001~0.1mm。

在本发明涉及的铁氧体片中,能够在铁氧体烧结板的至少一个表面设置保护层。保护层的厚度优选为0.001~0.1mm。

作为本发明的粘接层,可以列举双面胶带。作为双面胶带,没有特别限定,可以使用公知的双面胶带。另外,作为粘接层,可以是在铁氧体烧结板的单面依次叠层粘接层、弯曲性且伸缩性的膜或片、粘接层和脱模片而得到的粘接层。

关于本发明的保护层,通过设置该保护层,能够提高在分割铁氧体烧结板时防止落粉的可靠性和耐久性。作为该保护层,只要是在使铁氧体片弯曲时不断裂而延伸的树脂就没有特别限定,可以例示PET膜等。

本发明涉及的铁氧体片,为了与弯曲的部分密合地粘贴并且为了防止使用时破裂,其可以如下这样构成:预先将设置于铁氧体烧结板的至少一个表面的至少1个槽作为起点,能够分割铁氧体烧结板。上述槽可以连续地形成,也可以断续地形成,另外,也可以通过形成多个微小的凹部来代替槽的使用。槽的截面希望为U字型或V字型。

本发明涉及的铁氧体片,为了与弯曲的部分密合地粘贴并且为了防止使用时破裂,优选预先将铁氧体烧结板分割为小片状。例如,可以是预先将设置于铁氧体烧结板的至少一个表面的至少1个槽作为起点来分割铁氧体烧结板、或者不形成槽而分割铁氧体烧结板形成小片状的方法中的任意方法。

铁氧体烧结板根据槽被区分为任意大小的三角形、四边形、多角形或它们的组合。例如,三角形、四边形、多角形的一边的长度通常为1~12mm,被附着物的接合面为曲面时,优选为1mm以上且为其曲率半径的1/3以下,更优选为1mm以上且为1/4以下。形成有槽时,平面当然能够与圆柱状的侧曲面和具有一些凹凸的面密合或实质密合,而不会在槽以外的位置裂成不定形。

形成在铁氧体烧结板的槽的开口部的宽度通常优选为250μm以下,更优选为1~150μm。开口部的宽度超过250μm时,铁氧体烧结板的导磁率的降低变大,不优选。另外,槽的深度为铁氧体烧结板的厚度的通常1/20~3/5。其中,厚度为0.1mm~0.2mm的薄的烧结铁氧体板的情况下,槽的深度为烧结铁氧体板的厚度的优选1/20~1/4、更优选1/20~1/6。

实施例

以下表示本发明的实施例,对本发明进行具体地说明。

[Fe2O3原料的比表面积的测定]

Fe2O3原料的比表面积,使用“Macsorb HM model-1208”(Mountech株式会社制造)、利用BET法进行测定。将实施例、比较例使用的各Fe2O3原料的比表面积记载在表1中。

[铁氧体组成的测定]

上述的铁氧体磁芯用的铁氧体预烧粉的组成,使用多元素同时荧光X射线分析装置Simultix 14(Rigaku Corporation)进行测定。

[结晶相的鉴定和定量]

构成铁氧体的结晶相,使用D8 ADVANCE进行评价。

[微晶尺寸、应变、晶格常数]

铁氧体的微晶尺寸、应变和晶格常数与上述X射线衍射同样进行,使用D8ADVANCE、利用TOPAS software Ver.4进行评价。

[铁氧体磁芯的磁特性的测定]

将上述的铁氧体磁芯用的铁氧体预烧粉15g和稀释为6.5%的PVA水溶液1.5mL混合,将得到的粉末投入外径φ20mm、内径φ10mm的模具中,利用压力机,以1ton/cm2进行压缩,在860、880、900、920℃烧制2小时,由此得到用于测定初导磁率的铁氧体的环芯。

环芯的初导磁率,使用阻抗/材料分析仪E4991A(Agilent Technologies,Inc.制造),在100kHz和1MHz的频率下进行测定。

[铁氧体磁芯的烧结密度的测定]

关于上述的磁特性测定用的铁氧体烧结体的烧结密度,测定外径尺寸、内径尺寸和重量,通过计算求得。

实施例1:

称量各氧化物原料,使得Ni-Zn-Cu铁氧体的组成成为规定的组成,进行湿式混合之后,将混合浆料过滤、干燥,得到原料混合粉末(Fe2O3原料使用了表1的氧化铁(1))。在大气中,将该原料混合粉末在750~850℃烧制2小时,得到预烧制物,将该预烧制物利用振动磨进行粉碎,得到本发明涉及的Ni-Zn-Cu铁氧体粉末。将得到的粉末的组成、微晶尺寸、应变和晶格常数记载在表2中。

将所得到的Ni-Zn-Cu铁氧体粉末利用上述的方法形成成型体。在大气中,将该成型体在烧结温度860~920℃烧结2小时,得到铁氧体烧结体,将该铁氧体烧结体的烧结密度和初导磁率(100kHz、1MHz)记载在表2中。

根据所得到的Ni-Zn-Cu铁氧体的利用XRD的评价,能够确认为尖晶石铁氧体的单相。

实施例2、3:

除了将组成范围进行各种变更以外,与实施例1同样操作,得到Ni-Zn-Cu铁氧体粉末。将所得到的Ni-Zn-Cu铁氧体粉末的组成、微晶尺寸和应变记载在表2中。另外,使用所得到的Ni-Zn-Cu铁氧体粉末,与实施例1同样操作,制作铁氧体烧结体,将该铁氧体烧结体的烧结密度和初导磁率(100kHz、1MHz)记载在表2中。

实施例4、5:

将组成范围进行各种变更,并追加Co,除此以外,与实施例1同样操作,得到Ni-Zn-Cu-Co铁氧体粉末。将所得到的Ni-Zn-Cu-Co铁氧体粉末的组成、微晶尺寸和应变记载在表2中。另外,使用所得到的Ni-Zn-Cu-Co铁氧体粉末,与实施例1同样操作,制作铁氧体烧结体,将该铁氧体烧结体的烧结密度和初导磁率(100kHz、1MHz)记载在表2中。

比较例1:

将组成范围进行各种变更,除此以外,与实施例1同样操作,得到Ni-Zn-Cu铁氧体粉末。将所得到的Ni-Zn-Cu铁氧体粉末的组成、微晶尺寸和应变记载在表2中。另外,使用所得到的Ni-Zn-Cu铁氧体粉末,与实施例1同样操作,制作铁氧体烧结体,将该铁氧体烧结体的烧结密度和初导磁率(100kHz、1MHz)记载在表2中。

比较例2:

Fe2O3原料使用表1中的氧化铁原料(2),除此以外,与实施例1同样操作,得到Ni-Zn-Cu铁氧体粉末。将所得到的Ni-Zn-Cu铁氧体粉末的组成、微晶尺寸和应变记载在表2中。另外,使用所得到的Ni-Zn-Cu铁氧体粉末,与实施例1同样操作,制作铁氧体烧结体,将该铁氧体烧结体的烧结密度和初导磁率(100kHz、1MHz)记载在表2中。

比较例3:

Fe2O3原料使用表1中的氧化铁原料(3),除此以外,与实施例1同样操作,得到Ni-Zn-Cu铁氧体粉末。将所得到的Ni-Zn-Cu铁氧体粉末的组成、微晶尺寸和应变记载在表2中。另外,使用所得到的Ni-Zn-Cu铁氧体粉末,与实施例1同样操作,制作铁氧体烧结体,将该铁氧体烧结体的烧结密度和初导磁率(100kHz、1MHz)记载在表2中。

比较例4:

Fe2O3原料使用表1中的氧化铁原料(4),除此以外,与实施例1同样操作,得到Ni-Zn-Cu铁氧体粉末。将所得到的Ni-Zn-Cu铁氧体粉末的组成、微晶尺寸和应变记载在表2中。另外,使用所得到的Ni-Zn-Cu铁氧体粉末,与实施例1同样操作,制作铁氧体烧结体,将该铁氧体烧结体的烧结密度和初导磁率(100kHz、1MHz)记载在表2中。

比较例5:

Fe2O3原料使用表1中的氧化铁原料(2),除此以外,与实施例4同样操作,得到Ni-Zn-Cu-Co铁氧体粉末。将所得到的Ni-Zn-Cu-Co铁氧体粉末的组成、微晶尺寸和应变记载在表2中。另外,使用所得到的Ni-Zn-Cu-Co铁氧体粉末,与实施例1同样,制作铁氧体烧结体,将该铁氧体烧结体的烧结密度和初导磁率(100kHz、1MHz)记载在表2中。

比较例6:

Fe2O3原料使用表1中的氧化铁原料(2),除此以外,与实施例5同样操作,得到Ni-Zn-Cu-Co铁氧体粉末。将所得到的Ni-Zn-Cu-Co铁氧体粉末的组成、微晶尺寸和应变记载在表2中。另外,使用所得到的Ni-Zn-Cu-Co铁氧体粉末,与实施例1同样操作,制作铁氧体烧结体,将该铁氧体烧结体的烧结密度和初导磁率(100kHz、1MHz)记载在表2中。

[表1]

氧化铁原料(1) 氧化铁原料(2) 氧化铁原料(3) 氧化铁原料(4)
BET(m<sup>2</sup>/g) 15.8 4.7 5.9 4.1

[表2]

本发明涉及的Ni-Zn-Cu系铁氧体粉末即使在例如860℃等低温进行烧结的情况下,烧结密度也都为5.00g/cm3以上,另外,关于100kHz和1MHz的导磁率,在相同的烧结温度下进行对比时,相比于比较例,变高。因此,适合作为铁氧体烧结体和铁氧体片的前体,另外适合作为叠层芯片电感器、电感元件、其它电子零部件用的磁性粉。

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