阅读说明：本技术 有机发光二极管显示装置和发射型显示装置 (Organic light emitting diode display device and emissive display device ) 是由 李凤源 金亮希 方铉喆 李受珍 于 2020-03-19 设计创作，主要内容包括：提供了一种有机发光二极管显示装置和一种发射型显示装置。所述有机发光二极管显示装置包括下基底、子像素结构、上基底、密封剂和第一电源布线。下基底具有显示区域、外围区域和垫区域。子像素结构在下基底上设置在显示区域中。上基底设置在子像素结构上。密封剂在下基底与上基底之间设置在外围区域中。第一电源布线设置在下基底与密封剂之间,并且与下基底和密封剂叠置。第一电源布线包括在第一外围区域中沿第一方向突出的第一突出部,所述第一方向是从垫区域到显示区域的方向。(An organic light emitting diode display device and an emissive display device are provided. The organic light emitting diode display device includes a lower substrate, a sub-pixel structure, an upper substrate, a sealant, and a first power supply wiring. The lower substrate has a display area, a peripheral area, and a pad area. The sub-pixel structure is disposed in the display region on the lower substrate. The upper substrate is disposed on the sub-pixel structure. The sealant is disposed in the peripheral region between the lower substrate and the upper substrate. The first power supply wiring is disposed between the lower substrate and the sealant and overlaps the lower substrate and the sealant. The first power supply wiring includes a first protrusion portion protruding in a first direction in the first peripheral region, the first direction being a direction from the pad region to the display region.)

有机发光二极管显示装置和发射型显示装置

技术领域

本公开涉及一种有机发光二极管显示装置，更具体地，涉及一种包括电源布线的有机发光二极管(OLED)显示装置。

背景技术

因为平板显示装置比具有同等的显示区域的阴极射线管(CRT)显示装置重量轻且薄，所以平板显示装置已经迅速替代了CRT显示装置。液晶显示(LCD)装置和有机发光二极管(OLED)显示装置是平板显示装置的常用示例。

有机发光二极管(OLED)显示装置可以包括显示区域、围绕显示区域的***区域以及位于***区域的一侧处的垫区域。多个像素电路和多个有机发光二极管可以设置在显示区域中。电源布线和密封剂可以设置在***区域中。此外，多个垫电极可以设置在垫区域中。例如，可以从外部装置生成低电源电压，并且可以通过垫电极将低电源电压提供到电源布线。此外，可以将施加到电源布线的低电源电压提供到有机发光二极管的阴极电极。此外，设置在与垫区域相邻的***区域中的电源布线可以不与密封剂叠置。以该方式，电源布线在与垫区域相邻的***区域中与密封剂平行地布置。该布置会产生有机发光二极管显示装置的其中不显示图像的相对大的无效空间。

发明内容

根据本发明构思的一些示例性实施例，有机发光二极管显示装置包括下基底、子像素结构、上基底、密封剂和第一电源布线。下基底具有显示区域、至少部分地围绕显示区域的***区域以及位于***区域的一侧处的垫区域。子像素结构在下基底上设置在显示区域中。上基底设置在子像素结构上。密封剂在下基底与上基底之间设置在***区域中。密封剂包括第一密封部分和第二密封部分，第一密封部分位于***区域的与垫区域相邻定位的第一***区域中，第二密封部分位于***区域的与第一***区域不同的第二***区域中。第一电源布线设置在下基底与密封剂之间。第一电源布线与下基底和密封剂两者叠置。第一电源布线包括在第一***区域中沿第一方向从第一密封部分的第一侧突出的第一突出部。所述第一方向是从垫区域到显示区域的方向。

在本发明构思的示例性实施例中，第一电源布线还可以包括在第一***区域中沿第二方向从第一密封部分的第二侧突出的第二突出部，所述第二方向与第一方向相反。

在本发明构思的示例性实施例中，有机发光二极管显示装置还可以包括设置在垫区域中的多个垫电极。垫电极可以沿与第一方向和第二方向正交的第三方向布置。

在本发明构思的示例性实施例中，第一突出部可以与子像素结构相邻，第二突出部可以与垫电极相邻。

在本发明构思的示例性实施例中，第一电源布线可以包括位于第一***区域的一部分中的第一布线部分和位于第二***区域中的第二布线部分。第一布线部分和第二布线部分可以是单个集成单元，并且第一电源布线可以具有包含敞开的下部的环形形状。

在本发明构思的示例性实施例中，有机发光二极管显示装置还可以包括第二电源布线，所述第二电源布线在下基底上设置在第一***区域中的第一电源布线内。高电源电压可以施加到第二电源布线。

在本发明构思的示例性实施例中，第一电源布线的第一布线部分的在第一方向上测量的第一宽度可以比第一电源布线的第二布线部分的在从第二***区域到显示区域的方向上测量的第二宽度大。

在本发明构思的示例性实施例中，第一电源布线还可以包括第三突出部，第三突出部在第二***区域中沿从第二***区域到显示区域的方向从第二密封部分突出。

在本发明构思的示例性实施例中，位于第二***区域中的第一电源布线可以包括与从第二密封部分突出的第三突出部对应的第一端和与第一端相对的第二端，并且第二密封部分可以覆盖第二端。

在本发明构思的示例性实施例中，第一密封部分和第二密封部分可以是单个集成单元。

在本发明构思的示例性实施例中，子像素结构可以包括设置在下基底上的下电极、设置在下电极上的发光层以及设置在发光层上的上电极。低电源电压可以施加到第一电源布线，并且可以通过第一电源布线被提供到上电极。

在本发明构思的示例性实施例中，有机发光二极管显示装置还可以包括设置在上电极与第一电源布线之间的连接图案。上电极可以通过连接图案电连接到第一电源布线。

在本发明构思的示例性实施例中，连接图案可以与下电极使用相同的材料同时形成。

在本发明构思的示例性实施例中，有机发光二极管显示装置还可以包括设置在子像素结构与下基底之间的半导体元件以及设置在半导体元件与子像素结构之间的平坦化层。

在本发明构思的示例性实施例中，半导体元件可以包括在下基底上设置在显示区域中的有源层、设置在有源层上的栅极绝缘层、设置在栅极绝缘层上的栅电极、设置在栅电极上的层间绝缘层以及设置在层间绝缘层上的源电极和漏电极。

在本发明构思的示例性实施例中，第一电源布线可以与源电极和漏电极位于同一层上。

在本发明构思的示例性实施例中，第一密封部分可以接触第一电源布线，第二密封部分可以接触第一电源布线和层间绝缘层中的每个。

在本发明构思的示例性实施例中，第一电源布线可以与平坦化层分隔开。

在本发明构思的示例性实施例中，在平面图中，密封剂可以具有大致的矩形平面形状，所述矩形平面形状具有暴露显示区域的开口。

在本发明构思的示例性实施例中，第二***区域和垫区域沿第一方向延伸的总长度可以为2.22mm或更小。

在根据本发明的示例性实施例的有机发光二极管显示装置中，由于第一电源布线在第一***区域中与密封剂至少部分地叠置，因此可以减小第一***区域的无效空间。因此，有机发光二极管显示装置可以用作全屏显示装置，所述全屏显示装置被理解为是其中直到显示装置的边缘都有图像显示的没有任何可看到的边框的显示装置。

此外，设置在第一***区域中的第一电源布线可以具有相对大的第一宽度，使得可以减小布线电阻。因此，可以减小有机发光二极管显示装置的驱动电压和功耗。

此外，电源布线可以用作能够提供低电源电压的布线和能够吸收并反射激光的能量的金属层二者。因此，不需要附加地设置能够吸收并反射激光的能量的金属层，使得可以降低有机发光二极管显示装置的制造成本。

根据本发明构思的一些示例性实施例，发射型显示装置包括基体基底、第一电源布线、第二电源布线、顶部基底和密封剂。基体基底包括显示区域、垫区域、第一***区域和第二***区域，图像显示在显示区域中，多个连接垫设置在垫区域内，第一***区域设置在显示区域与垫区域之间，第二***区域至少部分地围绕显示区域。第一电源布线设置在基体基底的第一***区域中。第二电源布线设置在基体基底的第二***区域中。顶部基底形成在基体基底之上。密封剂设置在基体基底与顶部基底之间，并且包围基体基底的显示区域。第一电源布线设置在密封剂与基体基底之间，以与密封剂叠置。第二电源布线的一部分设置在显示区域与密封剂之间，以不与密封剂叠置。

附图说明

通过以下结合附图的描述，可以更详细地理解本发明构思的示例性实施例，在附图中：

图1是示出根据本发明的示例性实施例的有机发光二极管显示器的平面图；

图2是示出包括在图1的有机发光二极管显示器中的电源布线的平面图；

图3是示出设置在图2的电源布线上的密封剂的平面图；

图4是示出电连接到图2的有机发光二极管显示装置的外部装置的框图；

图5是示出设置在图2中的子像素电路区域中的子像素电路和有机发光二极管的电路图；

图6是沿图2中的线I-I'截取的剖视图；

图7是沿图2中的线II-II'截取的剖视图；

图8至图17是示出根据本发明的示例性实施例的有机发光二极管显示装置的制造方法的剖视图；

图18是示出根据本发明的示例性实施例的有机发光二极管显示装置的平面图；

图19是沿图18中的线III-III'截取的剖视图；以及

图20是沿图18中的线IV-IV'截取的剖视图。

具体实施方式

在下文中，将参照附图详细描述根据本发明的示例性实施例的有机发光二极管显示装置以及制造有机发光二极管显示装置的方法。在附图和说明书中，相同或相似的附图标记可以表示相同或相似的元件。相似的元件是不同但是以类似或相同的方式执行类似或相同的功能的元件。

图1是示出根据本发明的示例性实施例的有机发光二极管显示器的平面图。图2是示出包括在图1的有机发光二极管显示器中的电源布线的平面图。图3是示出设置在图2的电源布线上的密封剂的平面图。图4是示出电连接到图2的有机发光二极管显示装置的外部装置的框图。

参照图1、图2、图3和图4，有机发光二极管显示装置100可以包括第一电源布线350、第二电源布线380、密封剂390、垫(pad，或称为“焊盘”)电极470等，并且可以包括显示区域10、***区域20和垫区域60。这里，***区域20可以基本或至少部分地围绕显示区域10，垫区域60可以位于***区域20的一侧处。此外，显示区域10可以包括多个子像素电路区域30。***区域20可以包括第一***区域21和第二***区域22。例如，第一***区域21可以位于与垫区域60相邻的***区域20中，第二***区域22可以与***区域20的除了第一***区域21之外的剩余部分对应。例如，第一***区域21和第二***区域22可以彼此不同，并且可以彼此不叠置。例如，***区域20在平面图中可以具有中空矩形形状。例如，***区域20可以具有矩形平面形状，该矩形平面形状具有暴露显示区域10的开口。

子像素电路区域30可以整个地布置在显示区域10内。例如，子像素电路(SPC；例如，图6和图7中的半导体元件250)可以设置在子像素电路区域30中的每个中，并且有机发光二极管(OLED；例如，图6和图7中的子像素结构200)可以设置在子像素电路(SPC)上。可以通过子像素电路(SPC)和有机发光二极管(OLED)在显示区域10上显示图像。

例如，第一子像素电路、第二子像素电路和第三子像素电路可以设置在子像素电路区域30中。第一子像素电路可以连接到被构造为发射红光的第一有机发光二极管，第二子像素电路可以连接到被构造为发射绿光的第二有机发光二极管，第三子像素电路可以连接到被构造为发射蓝光的第三有机发光二极管。在示例性实施例中，第一有机发光二极管可以与第一子像素电路至少部分地叠置，第二有机发光二极管可以与第二子像素电路至少部分地叠置，第三有机发光二极管可以与第三子像素电路至少部分地叠置。可选地，第一有机发光二极管可以与第一子像素电路的一部分和子像素电路的不同于第一子像素电路的部分至少部分地叠置，第二有机发光二极管可以与第二子像素电路的一部分和子像素电路的不同于第二子像素电路的部分至少部分地叠置，第三有机发光二极管可以与第三子像素电路的一部分和子像素电路的不同于第三子像素电路的部分至少部分地叠置。例如，可以使用诸如RGB条型方案、S-条型方案、WRGB型方案和PenTile方案的方案来排列第一有机发光二极管至第三有机发光二极管，在RGB条型方案中，具有相同尺寸的矩形被顺序地排列，S-条型方案包括具相对大的面积的蓝色有机发光二极管，WRGB型方案还包括白色有机发光二极管，PenTile方案布置为具有RG-GB重复图案。

此外，至少一个驱动晶体管、至少一个开关晶体管、至少一个电容器等可以设置在子像素电路区域30中的每个中。在示例性实施例中，一个驱动晶体管(例如，图5中的第一晶体管TR1)、六个开关晶体管(例如，图5中的第二晶体管TR2、第三晶体管TR3、第四晶体管TR4、第五晶体管TR5、第六晶体管TR6和第七晶体管TR7)、一个存储电容器(例如，图5中的存储电容器CST)等可以设置在子像素电路区域30中的每个中。

尽管本发明的显示区域10、子像素电路区域30和垫区域60在平面图中具有矩形形状，但是形状不限于此。例如，显示区域10、子像素电路区域30和垫区域60中的每个在平面图中可以具有三角形形状、菱形形状、多边形形状、圆形形状、体育场形状(stadium shape)或椭圆形形状。

多条布线可以设置在***区域20中。例如，多条布线可以包括数据信号布线、栅极信号布线、发光控制信号布线、栅极初始化信号布线、初始化电压布线、电源电压布线等。布线可以从***区域20延伸到显示区域10，以电连接到子像素电路(SPC)和有机发光二极管(OLED)。此外，栅极驱动器、数据驱动器等可以设置在***区域20中。

在示例性实施例中，如图2和图3中所示，第一电源布线350可以设置在***区域20的一部分中。例如，第一电源布线350可以设置在第一***区域21的一部分中和第二***区域22中。第一电源布线350可以具有包含敞开的下部的钩(例如，诸如不完整的框架形状的具有敞开的下部的环)的形状。在示例性实施例中，第一电源布线350可以在第一***区域21中具有第一宽度W1，并且可以在第二***区域22中具有比第一宽度W1小的第二宽度W2。第一电源布线350可以在第一***区域21中电连接到垫电极470。例如，第一电源布线350可以电连接到垫电极470之中的最外垫电极470。低电源电压可以施加到第一电源布线350，并且低电源电压可以被提供到阴极电极(例如，图6中的上电极340)。

此外，第二电源布线380可以设置在***区域20的一部分中。例如，第二电源布线380可以设置在第一***区域21的一部分中。第二电源布线380可以在第一***区域21中设置在第一电源布线350的端部之间。可选地，第二电源布线380可以从第一***区域21延伸到显示区域10，并且在显示区域10中具有格子形状。第二电源布线380可以在第一***区域21中电连接到垫电极470。例如，第二电源布线380可以电连接到垫电极470之中的位于与第一电源布线350连接的垫电极470的内侧处的垫电极470。高电源电压可以施加到第二电源布线380，并且高电源电压可以被提供到阳极电极(例如，图6中的下电极290)。

此外，密封剂390可以设置在***区域20中。当***区域20在平面图中具有中空矩形形状时，设置在***区域20中的密封剂390在平面图中也可以具有中空矩形形状。

第一电源布线350和第二电源布线380可以在下面将描述的有机发光二极管显示装置100中包括的下基底110上设置在***区域20中，并且密封剂390可以设置在第一电源布线350和第二电源布线380上。这里，密封剂390可以包括位于第一***区域21中的第一密封部分391和位于第二***区域22中的第二密封部分392。第一密封部分391可以与第二密封部分392一体地形成。

将理解的是，在附图中，附图标记示出为指向虚线框，除了明确相反地陈述之外，附图标记旨在表示虚线框中所示的组件，而不是虚线框本身。

第一电源布线350可以叠置在下基底110与密封剂390之间。位于第一***区域21中的第一电源布线350可以包括沿从垫区域60指向显示区域10的第一方向D1从第一密封部分391的第一侧(例如，第一密封部分391的内侧)突出的第一突出部(例如，图6中的第一突出部351)。此外，位于第一***区域21中的第一电源布线350可以包括沿与第一方向D1相反的第二方向D2从与第一密封部分391的第一侧相对的第二侧(例如，第一密封部分391的外侧)突出的第二突出部(例如，图6中的第二突出部352)。例如，第一突出部可以与子像素结构相邻，第二突出部可以与垫电极470相邻。

位于第二***区域22中的第一电源布线350可以包括沿从第二***区域22到显示区域10的方向从第二密封部分392的第一侧(例如，第二密封部分392的内侧)突出的第三突出部。这里，第三突出部可以被限定为第一电源布线350的位于第二***区域22中的第一端(例如，图7中的第一端353)。例如，位于第二***区域22中的第一电源布线350可以包括第一端和与第一端相对的第二端(例如，图7中的第二端354)。例如，第一端可以与子像素结构相邻，第二端可以被第二密封部分392覆盖。

例如，第一电源布线350可以被分为位于第一***区域21中的第一布线部分361和位于第二***区域22中的第二布线部分362。第一电源布线350的第一布线部分361的沿第一方向D1延伸的第一宽度W1可以比第一电源布线350的第二布线部分362的沿从第二***区域22到显示区域10的方向延伸的第二宽度W2大。尽管第一电源布线350被分成第一布线部分361和第二布线部分362，但是第一布线部分361和第二布线部分362可以是单个集成单元。

传统的有机发光二极管显示装置可以包括下基底、上基底、第一电源布线和密封剂，并且第一电源布线和密封剂可以在下基底上设置在***区域中。这里，第一电源布线可以在与下基底上的垫区域相邻的***区域(例如，第一***区域)中不与密封剂叠置。因此，根据传统的有机发光二极管显示装置，电源布线可以在第一***区域中与显示区域相邻地设置，并且密封剂可以与垫区域相邻地设置，以与电源布线分隔开。在这种情况下，传统的有机发光二极管显示装置会在第一***区域中具有相对大的无效空间。根据有机发光二极管显示装置100，根据本发明的示例性实施例，第一电源布线350在第一***区域21中与密封剂390至少部分地叠置，使得可以减小有机发光二极管显示装置100的无效空间。例如，第一***区域21和垫区域60的沿第一方向D1(或第二方向D2)延伸的总长度可以为2.22mm或更小。

再次参照图1至图4，电连接到外部装置101的垫电极470可以设置在垫区域60中。此外，连接电极可以设置在垫电极470与第一电源布线350和第二电源布线380之间。例如，连接电极可以将垫电极470电连接到第一电源布线350和第二电源布线380。在一些示例性实施例中，包括在有机发光二极管显示装置100中的下基底110可以在显示区域10、***区域20和垫区域60中在横向方向(例如，第三方向D3)上具有相同的长度。在一些示例性实施例中，垫区域60的横向宽度可以比显示区域10和***区域20的横向宽度小。

外部装置101可以通过柔性印刷电路板或印刷电路板电连接到有机发光二极管显示装置100。例如，柔性印刷电路板的一侧可以与垫电极470直接接触，并且柔性印刷电路板的另一侧可以与外部装置101直接接触。外部装置101可以向有机发光二极管显示装置100提供数据信号、栅极信号、发光控制信号、栅极初始化信号、初始化电压、电源电压等。在示例性实施例中，可以从外部装置101生成低电源电压(例如，图5中的低电源电压ELVSS)，并且可以通过柔性印刷电路板、垫电极470和连接电极将低电源电压提供到第一电源布线350。此外，可以从外部装置101生成高电源电压(例如，图5中的高电源电压ELVDD)，并且可以通过柔性印刷电路板、垫电极470和连接电极将高电源电压提供到第二电源布线380。此外，驱动集成电路可以安装在柔性印刷电路板上。在一些示例性实施例中，驱动集成电路可以安装在有机发光二极管显示装置100上，以与垫电极470相邻。

图5是示出设置在图2中的子像素电路区域中的子像素电路和有机发光二极管的电路图。

参照图5，子像素电路(SPC)和有机发光二极管OLED可以设置在有机发光二极管显示装置100的子像素电路区域30中的每个中，其中，一个子像素电路(SPC)可以包括有机发光二极管OLED(例如，图6中的子像素结构200)、第一晶体管TR1、第二晶体管TR2、第三晶体管TR3、第四晶体管TR4、第五晶体管TR5、第六晶体管TR6、第七晶体管TR7(例如，图6中的半导体元件250)、存储电容器CST、高电源电压ELVDD布线(例如，图2和图3中的第二电源布线380)、低电源电压ELVSS布线(例如，图2、图3、图6和图7中的第一电源布线350)、初始化电压VINT布线、数据信号DATA布线、栅极信号GW布线、栅极初始化信号GI布线、发射控制信号EM布线、二极管初始化信号GB布线等。如上所述，第一晶体管TR1可以对应于驱动晶体管，第二晶体管TR2、第三晶体管TR3、第四晶体管TR4、第五晶体管TR5、第六晶体管TR6和第七晶体管TR7可以均对应于开关晶体管。第一晶体管TR1、第二晶体管TR2、第三晶体管TR3、第四晶体管TR4、第五晶体管TR5、第六晶体管TR6和第七晶体管TR7中的每个可以包括第一端子、第二端子、沟道和栅极端子。在示例性实施例中，第一端子可以是源极端子，第二端子可以是漏极端子。可选地，第一端子可以是漏极端子，第二端子可以是源极端子。

有机发光二极管OLED可以基于驱动电流ID来输出光。有机发光二极管OLED可以包括第一端子和第二端子。在示例性实施例中，有机发光二极管OLED的第二端子可以被供应有低电源电压ELVSS。例如，有机发光二极管OLED的第一端子可以是阳极端子，有机发光二极管OLED的第二端子可以是阴极端子。可选地，有机发光二极管OLED的第一端子可以是阴极端子，有机发光二极管OLED的第二端子可以是阳极端子。在示例性实施例中，有机发光二极管OLED的阳极端子可以对应于图6中的下电极290，有机发光二极管OLED的阴极端子可以对应于图6中的上电极340。

第一晶体管TR1可以生成驱动电流ID。在示例性实施例中，第一晶体管TR1可以在饱和区域中操作。在这种情况下，第一晶体管TR1可以基于栅极端子与源极端子之间的电压差来生成驱动电流ID。此外，可以基于供应到有机发光二极管OLED的驱动电流ID的大小来表达色调梯尺(tone wedge)。可选地，第一晶体管TR1可以在线性区域中操作。在这种情况下，可以基于在一帧内将驱动电流ID供应到有机发光二极管OLED的总的次数来表示色调梯尺。

第二晶体管TR2的栅极端子可以被供应有栅极信号GW。第二晶体管TR2的第一端子可以被供应有数据信号DATA。第二晶体管TR2的第二端子可以连接到第一晶体管TR1的第一端子。例如，可以从栅极驱动单元提供栅极信号GW，并且可以通过栅极信号GW布线将栅极信号GW施加到第二晶体管TR2的栅极端子。第二晶体管TR2可以在栅极信号GW的激活时段期间将数据信号DATA供应到第一晶体管TR1的第一端子。在这种情况下，第二晶体管TR2可以在线性区域中操作。

第三晶体管TR3的栅极端子可以被供应有栅极信号GW。第三晶体管TR3的第一端子可以连接到第一晶体管TR1的栅极端子。第三晶体管TR3的第二端子可以连接到第一晶体管TR1的第二端子。例如，可以从栅极驱动单元提供栅极信号GW，并且可以通过栅极信号GW布线将栅极信号GW施加到第三晶体管TR3的栅极端子。第三晶体管TR3可以在栅极信号GW的激活时段期间将第一晶体管TR1的栅极端子连接到第一晶体管TR1的第二端子。在这种情况下，第三晶体管TR3可以在线性区域中操作。例如，第三晶体管TR3可以在栅极信号GW的激活时段期间二极管连接到第一晶体管TR1。由于第一晶体管TR1是二极管连接的，因此在第一晶体管TR1的第一端子与第一晶体管TR1的栅极端子之间可以发生与第一晶体管TR1的阈值电压相等的电压差。结果，可以将在栅极信号GW的激活时段期间通过将电压差(例如，阈值电压)与被供应到第一晶体管TR1的第一端子的数据信号DATA的电压相加而获得的电压供应到第一晶体管TR1的栅极端子。例如，可以针对第一晶体管TR1的阈值电压来补偿数据信号DATA，并且可以将补偿后的数据信号DATA供应到第一晶体管TR1的栅极端子。执行对阈值电压的补偿，使得可以解决另外由第一晶体管TR1的阈值电压的偏差而引起的驱动电流不均一的问题。

初始化电压VINT布线的被提供有初始化电压VINT的输入端子可以连接到第四晶体管TR4的第一端子和第七晶体管TR7的第一端子。初始化电压VINT布线的输出端子可以连接到第四晶体管TR4的第二端子和存储电容器CST的第一端子。

第四晶体管TR4的栅极端子可以被供应有栅极初始化信号GI。第四晶体管TR4的第一端子可以被供应有初始化电压VINT。第四晶体管TR4的第二端子可以连接到第一晶体管TR1的栅极端子。

第四晶体管TR4可以在栅极初始化信号GI的激活时段期间将初始化电压VINT供应到第一晶体管TR1的栅极端子。在这种情况下，第四晶体管TR4可以在线性区域中操作。例如，第四晶体管TR4可以在栅极初始化信号GI的激活时段期间将第一晶体管TR1的栅极端子初始化为初始化电压VINT。在示例性实施例中，初始化电压VINT可以具有比由存储电容器CST在前一帧中保持的数据信号DATA的电压电平足够低的电压电平，并且初始化电压VINT可以被供应到第一晶体管TR1的栅极端子。在一些示例性实施例中，初始化电压VINT可以具有比由存储电容器CST在前一帧中保持的数据信号DATA的电压电平足够高的电压电平，并且初始化电压VINT可以被供应到第一晶体管TR1的栅极端子。

在示例性实施例中，栅极初始化信号GI可以与一个水平时间之前的栅极信号GW基本相同。例如，被供应到包括在有机发光二极管显示装置100中的子像素电路(SPC)之中的第n(其中，n是2或更大的整数)行的子像素电路的栅极初始化信号GI可以是与被供应到第n-1行的子像素电路的栅极信号GW基本相同的信号。例如，激活的栅极信号GW被供应到子像素电路(SPC)之中的第n-1行的第一子像素电路，使得激活的栅极初始化信号GI可以被供应到子像素电路(SPC)之中的第n行的第一子像素电路。结果，数据信号DATA可以被供应到子像素电路(SPC)之中的第n-1行的第一子像素电路，并且同时，子像素电路(SPC)之中的第n行的第一子像素电路中包括的第一晶体管TR1的栅极端子可以被初始化为初始化电压VINT。

第五晶体管TR5的栅极端子可以被供应有发光控制信号EM。第五晶体管TR5的第一端子可以连接到高电源电压ELVDD布线。第五晶体管TR5的第二端子可以连接到第一晶体管TR1的第一端子。例如，可以从发光控制驱动单元提供发光控制信号EM，并且可以通过发光控制信号EM布线将发光控制信号EM施加到第五晶体管TR5的栅极端子。第五晶体管TR5可以在发光控制信号EM的激活时段期间将高电源电压ELVDD供应到第一晶体管TR1的第一端子。第五晶体管TR5还可以在发光控制信号EM的非激活时段期间阻止高电源电压ELVDD的供应。在这种情况下，第五晶体管TR5可以在线性区域中操作。第五晶体管TR5可以在发光控制信号EM的激活时段期间将高电源电压ELVDD供应到第一晶体管TR1的第一端子，使得第一晶体管TR1可以生成驱动电流ID。此外，第五晶体管TR5可以在发光控制信号EM的非激活时段期间阻止高电源电压ELVDD的供应，使得供应到第一晶体管TR1的第一端子的数据信号DATA可以被供应到第一晶体管TR1的栅极端子。

第六晶体管TR6的栅极端子(例如，图6中的半导体元件250)可以被供应有发光控制信号EM。第六晶体管TR6的第一端子可以连接到第一晶体管TR1的第二端子。第六晶体管TR6的第二端子可以连接到有机发光二极管OLED的第一端子。第六晶体管TR6可以在发光控制信号EM的激活时段期间将由第一晶体管TR1生成的驱动电流ID供应到有机发光二极管OLED。在这种情况下，第六晶体管TR6可以在线性区域中操作。例如，第六晶体管TR6可以在发光控制信号EM的激活时段期间将由第一晶体管TR1生成的驱动电流ID供应到有机发光二极管OLED，使得有机发光二极管OLED可以输出光。此外，第六晶体管TR6在发光控制信号EM的非激活时段期间使第一晶体管TR1与有机发光二极管OLED彼此电隔离，使得供应到第一晶体管TR1的第一端子的数据信号DATA(更精确地，补偿阈值电压的数据信号)可以被供应到第一晶体管TR1的栅极端子。

第七晶体管TR7的栅极端子可以被供应有二极管初始化信号GB。第七晶体管TR7的第一端子可以被供应有初始化电压VINT。第七晶体管TR7的第二端子可以连接到有机发光二极管OLED的第一端子。第七晶体管TR7可以在二极管初始化信号GB的激活时段期间将初始化电压VINT供应到有机发光二极管OLED的第一端子。在这种情况下，第七晶体管TR7可以在线性区域中操作。例如，第七晶体管TR7可以在二极管初始化信号GB的激活时段期间将有机发光二极管OLED的第一端子初始化为初始化电压VINT。

可选地，栅极初始化信号GI可以与二极管初始化信号GB基本相同。将第一晶体管TR1的栅极端子初始化的操作与将有机发光二极管OLED的第一端子初始化的操作可以彼此不影响。例如，将第一晶体管TR1的栅极端子初始化的操作和将有机发光二极管OLED的第一端子初始化的操作可以彼此独立。因此，不单独生成二极管初始化信号GB，从而可以使处理更有效。

存储电容器CST可以包括第一端子和第二端子。存储电容器CST可以连接在高电源电压ELVDD布线与第一晶体管TR1的栅极端子之间。例如，存储电容器CST的第一端子可以连接到第一晶体管TR1的栅极端子，存储电容器CST的第二端子可以连接到高电源电压ELVDD布线。存储电容器CST可以在栅极信号GW的非激活时段期间保持第一晶体管TR1的栅极端子的电压电平。栅极信号GW的非激活时段可以包括发光控制信号EM的激活时段，并且由第一晶体管TR1在发光控制信号EM的激活时段期间生成的驱动电流ID可以被供应到有机发光二极管OLED。因此，基于由存储电容器CST保持的电压电平，由第一晶体管TR1生成的驱动电流ID可以被供应到有机发光二极管OLED。

尽管本发明的子像素电路(SPC)已经被描述为包括七个晶体管和一个存储电容器，但是本发明的子像素电路(SPC)的构造不限于此。例如，子像素电路(SPC)可以被构造为包括至少一个晶体管和至少一个存储电容器。

图6是沿图2中的线I-I'截取的剖视图。图7是沿图2中的线II-II'截取的剖视图。

参照图2、图3、图6和图7，有机发光二极管显示装置100可以包括下基底110、半导体元件250、第一电源布线350、第二电源布线380、平坦化层270、连接图案295、像素限定层310、子像素结构200、密封剂390、上基底410等。这里，半导体元件250可以包括有源层130、栅极绝缘层150、栅电极170、层间绝缘层190、源电极210和漏电极230。子像素结构200可以包括下电极290、发光层330和上电极340。在示例性实施例中，密封剂390可以被分为第一密封部分391和第二密封部分392，第一电源布线350可以被分为与第一密封部分391至少部分地叠置的第一布线部分361和与第二密封部分392至少部分地叠置的第二布线部分362。

下基底110可以包括透明材料或不透明材料。下基底110可以包括石英基底、合成石英基底、氟化钙基底、氟掺杂(F掺杂)石英基底、钠钙玻璃基底、非碱玻璃基底等。如上所述，有机发光二极管显示装置100包括显示区域10、***区域20和垫区域60，***区域20包括第一***区域21和第二***区域22。因此，下基底110也可以被分为显示区域10、第一***区域21、第二***区域22和垫区域60。可选地，下基底110可以由具有柔性的透明树脂基底形成。可以用于下基底110的透明树脂基底的示例包括聚酰亚胺基底。

缓冲层可以设置在下基底110上。缓冲层可以整个地设置在下基底110上。缓冲层可以防止金属原子或杂质从下基底110扩散到半导体元件250和子像素结构200，并且可以能够通过在用于形成有源层130的结晶工艺期间调节传热速率来获得基本均匀的有源层130。此外，当下基底110的表面不均匀时，缓冲层可以用于使下基底110的表面平坦。根据下基底110的类型，可以在下基底110上设置至少两个缓冲层，或者可以不在下基底110上设置缓冲层。例如，缓冲层可以包括有机材料或无机材料。

有源层130可以在下基底110上设置在显示区域10中。例如，有源层130可以包括氧化物半导体、无机半导体(诸如非晶硅和多晶硅)、有机半导体等。有源层130可以具有源区、漏区和沟道区。

栅极绝缘层150可以设置在有源层130上。栅极绝缘层150可以在下基底110上覆盖显示区域10中的有源层130，并且可以整个地设置在下基底110上。在示例性实施例中，栅极绝缘层150可以在下基底110上充分地覆盖有源层130，并且具有基本平坦的顶表面而不在有源层130周围产生台阶。可选地，栅极绝缘层150可以在下基底110上覆盖有源层130，并且具有沿有源层130的轮廓的均匀的厚度。栅极绝缘层150可以包括硅化合物、金属氧化物等。例如，栅极绝缘层150可以包括氧化硅(SiO_x)、氮化硅(SiN_x)、氮氧化硅(SiO_xN_y)、碳氧化硅(SiO_xC_y)、氮碳化硅(SiC_xN_y)、氧化铝(AlO_x)、氮化铝(AlN_x)、氧化钽(TaO_x)、氧化铪(HfO_x)、氧化锆(ZrO_x)、氧化钛(TiO_x)等。可选地，栅极绝缘层150可以具有多层结构，该多层结构具有包括不同材料的多个绝缘层。在一些示例性实施例中，栅极绝缘层150可以唯一地设置在显示区域10中，并且可以不设置在***区域20或垫区域60中。

栅电极170可以设置在栅极绝缘层150上。例如，栅电极170可以设置在栅级绝缘层150的其下定位有有源层130的部分上。栅电极170可以包括金属、合金、金属氮化物、导电金属氧化物、透明导电材料等。这些可以单独使用或者彼此组合使用。可选地，栅电极170可以具有包括多个层的多层结构。

层间绝缘层190可以设置在栅电极170上。层间绝缘层190可以在栅极绝缘层150上的显示区域10中覆盖栅电极170，并且可以整个地设置在栅极绝缘层150上。在示例性实施例中，层间绝缘层190可以在栅极绝缘层150上充分地覆盖栅电极170，并且具有基本平坦的顶表面，而不在栅电极170周围产生台阶。可选地，层间绝缘层190可以在栅极绝缘层150上覆盖栅电极170的同时具有沿栅电极170的轮廓的均匀的厚度。层间绝缘层190可以包括硅化合物、金属氧化物等。可选地，层间绝缘层190可以具有多层结构，该多层结构具有包括不同材料的多个绝缘层。在一些示例性实施例中，层间绝缘层190可以唯一地设置在显示区域10中，并且可以不设置在***区域20和垫区域60中。

源电极210和漏电极230可以在层间绝缘层190上设置在显示区域10中。源电极210可以通过由去除栅极绝缘层150和层间绝缘层190的第一部分而形成的接触孔来连接到有源层130的源区，漏电极230可以通过由去除栅极绝缘层150和层间绝缘层190的第二部分而形成的接触孔来连接到有源层130的漏区。源电极210和漏电极230中的每个可以包括金属、合金、金属氮化物、导电金属氧化物、透明导电材料等。这些可以单独使用或者彼此组合使用。可选地，源电极210和漏电极230中的每个可以具有包括多个层的多层结构。因此，可以设置包括有源层130、栅极绝缘层150、栅电极170、层间绝缘层190、源电极210和漏电极230的半导体元件250。

尽管有机发光二极管显示装置100已经被描述为包括一个晶体管(诸如，半导体元件250)，但是本发明的构造不限于此。例如，有机发光二极管显示装置100可以被构造为包括至少两个晶体管和至少一个电容器。

此外，尽管半导体元件250已经被描述为具有上栅结构，但是本发明的构造不限于此。例如，半导体元件250可以具有底栅结构和/或双栅结构。

尽管为了便于描述，图6中的半导体元件250和图7中的半导体元件250具有相同的附图标记，但是图6中的半导体元件250和图7中的半导体元件250可以是不同的半导体元件。例如，图6中的半导体元件250可以是与第一***区域21相邻的半导体元件，图7中的半导体元件250可以是与第二***区域22相邻的半导体元件。

第一电源布线350可以在层间绝缘层190上设置在***区域20中。例如，第一电源布线350可以设置在层间绝缘层190上，以与源电极210和漏电极230分隔开。在示例性实施例中，低电源电压可以施加到第一电源布线350。例如，第一电源布线350可以电连接到垫电极470中的至少一个，并且被供应有来自外部装置101的低电源电压(例如，图5中的低电源电压ELVSS)。此外，低电源电压可以被提供到上电极340。

例如，如图6中所示，第一电源布线350(例如，第一布线部分361)可以叠置在层间绝缘层190与第一密封部分391之间。位于第一***区域21中的第一电源布线350可以包括沿第一方向D1从第一密封部分391的第一侧突出的第一突出部351和沿第二方向D2从第一密封部分391的第二侧突出的第二突出部352。例如，第一突出部351可以与子像素结构200相邻，第二突出部352可以与垫电极470(参见图2和图3)相邻。在示例性实施例中，位于第一***区域21中的第一电源布线350(例如，第一布线部分361)可以具有第一宽度W1。此外，第一突出部351可以被暴露，并且与位于相邻于第一***区域21的显示区域10中的平坦化层270分隔开。第二突出部352可以电连接到垫电极470，并且可以被与垫区域60相邻的平坦化层270覆盖。此外，连接图案295可以不在下基底110上设置在第一***区域21中，第一布线部分361可以不与连接图案295直接接触。可选地，连接图案295可以设置在第一***区域21中，并且连接图案295可以将上电极340电连接到第一布线部分361。

此外，如图7中所示，第一电源布线350(例如，第二布线部分362)可以叠置在层间绝缘层190与第二密封部分392之间。位于第二***区域22中的第一电源布线350可以包括沿第三方向D3从第二密封部分392的第一侧突出的第三突出部。这里，第三突出部可以被定义为第一电源布线350的位于第二***区域22中的第一端353。例如，位于第二***区域22中的第一电源布线350可以包括第一端353和第二端354。例如，第一端353可以与子像素结构200相邻，第二端354可以与第二密封部分392至少部分地叠置。在示例性实施例中，位于第二***区域22中的第一电源布线350(例如，第二布线部分362)可以具有比第一宽度W1小的第二宽度W2。此外，第一端353可以被位于与第二***区域22相邻的显示区域10中的平坦化层270和像素限定层310覆盖，并且第二端354可以被第二密封部分392覆盖。例如，第一端353和第二端354可以不被暴露。此外，第一端353可以与连接图案295直接接触。

第一电源布线350可以吸收和/或反射照射密封剂390的激光的能量，以使下基底110和上基底410密封并彼此结合，并且可以有助于密封剂390的材料的状态改变。例如，第一电源布线350可以用作能够提供低电源电压的布线以及能够吸收和反射激光的能量的金属层。第一电源布线350可以包括金属、合金、金属氮化物、导电金属氧化物、透明导电材料等。例如，第一电源布线350可以包括金(Au)、银(Ag)、铝(Al)、铂(Pt)、镍(Ni)、钛(Ti)、钯(Pd)、镁(Mg)、钙(Ca)、锂(Li)、铬(Cr)、钽(Ta)、钨(W)、铜(Cu)、钼(Mo)、钪(Sc)、钕(Nd)、铱(Ir)、包含铝的合金、氮化铝(AlN_x)、包含银的合金、氮化钨(WN_x)、包含铜的合金、包含钼的合金、氮化钛(TiN_x)、氮化铬(CrN_x)、氮化钽(TaN_x)、氧化锶钌(SrRu_xO_y)、氧化锌(ZnO_x)、氧化铟锡(ITO)、氧化锡(SnO_x)、氧化铟(InO_x)、氧化镓(GaO_x)、氧化铟锌(IZO)等。这些可以单独使用或者彼此组合使用。可选地，第一电源布线350可以具有包括多个层的多层结构。

第二电源布线380可以在层间绝缘层190上设置在第一***区域21中。例如，第二电源布线380可以在层间绝缘层190上设置在第一电源布线350与源电极210和漏电极230之间。在示例性实施例中，高电源电压可以被施加到第二电源布线380。例如，第二电源布线380可以电连接到垫电极470中的至少一个，并且被供应有来自外部装置101的高电源电压(例如，图5中的高电源电压ELVDD)。此外，高电源电压被提供到下电极290。

第二电源布线380可以包括金属、合金、金属氮化物、导电金属氧化物，透明导电材料等。这些可以单独使用或彼此组合使用。可选地，第二电源布线380可以具有包括多个层的多层结构。在示例性实施例中，第二电源布线380、第一电源布线350、源电极210和漏电极230可以位于同一层上。

平坦化层270可以设置在层间绝缘层190、第二电源布线380、第一电源布线350的一部分、源电极210和漏电极230上。如上所述，位于与第一***区域21相邻的显示区域10中的平坦化层270可以与第一电源布线350分隔开，并且可以覆盖第二电源布线380。位于与垫区域60相邻的第一***区域21中的平坦化层270可以覆盖第二突出部352。此外，位于与第二***区域22相邻的显示区域10中的平坦化层270可以覆盖第一端353。可选地，平坦化层270可以不设置在垫区域60中，并且第二突出部352可以被暴露。

位于显示区域10中的平坦化层270可以相对较厚，以充分地覆盖源电极210和漏电极230。在这种情况下，平坦化层270可以具有基本平坦的顶表面，并且可以针对平坦化层270添加平坦化工艺，以实现平坦化层270的上述平坦的顶表面。漏电极230的顶表面的一部分可以通过由去除平坦化层270的一部分而形成的接触孔来暴露。平坦化层270可以包括有机材料或无机材料。在示例性实施例中，平坦化层270可以包括有机材料。例如，平坦化层270可以包括光致抗蚀剂、聚丙烯酸酯类树脂、聚酰亚胺类树脂、聚酰胺类树脂、硅氧烷类树脂、丙烯酸类树脂、环氧类树脂等。

下电极290可以在平坦化层270上设置在显示区域10中。下电极290可以在穿过平坦化层270的接触孔之后连接到漏电极230。此外，下电极290可以电连接到半导体元件250。下电极290可以包括金属、合金、金属氮化物、导电金属氧化物、透明导电材料等。这些可以单独使用或者彼此组合使用。可选地，下电极290可以具有包括多个层的多层结构。

连接图案295可以在第一电源布线350的一部分和平坦化层270的一部分上设置在***区域20中。在示例性实施例中，连接图案295可以在第二***区域22中与平坦化层270的顶表面、平坦化层270的侧壁部分以及第一端353的顶表面的一部分直接接触。例如，连接图案295的一侧可以与上电极340直接接触，连接图案295的另一侧可以与第一电源布线350直接接触，并且连接图案295可以将第二布线部分362电连接到上电极340。此外，连接图案295可以不设置在第一***区域21中。可选地，连接图案295可以设置在第一***区域21中并且电连接到第一布线部分361。连接图案295可以包括金属、合金、金属氮化物、导电金属氧化物、透明导电材料等。这些可以单独使用或者彼此组合使用。可选地，连接图案295可以具有包括多个层的多层结构。在示例性实施例中，下电极290和连接图案295可以位于同一层上。

像素限定层310可以设置在下电极290的一部分、连接图案295的一部分和平坦化层270上。像素限定层310可以覆盖下电极290的两侧和连接图案295的至少单侧，并且暴露下电极290的顶表面的一部分。在示例性实施例中，像素限定层310的位于第一***区域21中的部分可以不与第一布线部分361直接接触，并且像素限定层310的位于第二***区域22中的部分可以与第二布线部分362的一部分直接接触。可选地，像素限定层310可以不设置在垫区域60中。像素限定层310可以由有机材料或无机材料形成。在示例性实施例中，像素限定层310可以包括有机材料。

发光层330可以设置在由像素限定层310暴露的下电极290上。发光层330可以通过使用被构造为根据子像素而发射不同的颜色的光(诸如，红光、绿光和蓝光)的发光材料中的至少一种来形成。可选地，发光层330可以通过层压能够产生不同颜色的光(诸如，红光、绿光和蓝光)的多种发光材料来形成，使得可以由此发射白光。在这种情况下，滤色器可以设置在发光层330上(例如，滤色器设置在上基底410的底表面或顶表面上，以与发光层330至少部分地叠置)。滤色器可以包括红色滤色器、绿色滤色器和/或蓝色滤色器。可选地，滤色器还可以包括黄色滤色器、青色滤色器和品红色滤色器。滤色器可以包括光敏树脂、彩色光致抗蚀剂等。

上电极340可以设置在连接图案295的一部分上、设置在像素限定层310上以及设置在发光层330上。在示例性实施例中，上电极340可以覆盖发光层330和像素限定层310，并且从显示区域10延伸到***区域20。在示例性实施例中，位于第二***区域22中的上电极340可以与连接图案295的顶表面的一部分直接接触，并且连接图案295可以电连接到上电极340。此外，位于第一***区域21中的上电极340可以不与第一布线部分361直接接触。上电极340可以包括金属、合金、金属氮化物、导电金属氧化物、透明导电材料等。这些可以单独使用或者彼此组合使用。可选地，上电极340可以具有包括多个层的多层结构。因此，可以设置包括下电极290、发光层330和上电极340的子像素结构200。

尽管为了便于描述已经将图6的子像素结构200和图7的子像素结构200假定为具有相同的附图标记，但是图6的子像素结构200和图7的子像素结构200可以是不同的子像素结构。例如，图6的子像素结构200可以是与第一***区域21相邻设置的子像素结构，图7的子像素结构200可以是与第二***区域22相邻设置的子像素结构。

密封剂390可以在第一电源布线350上设置在***区域20中。例如，密封剂390可以在下基底110与上基底410之间设置在***区域20中。密封剂390的顶表面可以与上基底410的底表面直接接触，并且密封剂390的底表面可以与层间绝缘层190的一部分和/或第一电源布线350的一部分直接接触。

例如，如图6中所示，第一密封部分391可以仅设置在第一电源布线350上。例如，第一密封部分391的底表面可以与第一电源布线350的顶表面直接接触。

此外，如图7中所示，第二密封部分392可以同时设置在第一电源布线350和层间绝缘层190上。例如，第二密封部分392的底表面可以同时与第一电源布线350的上表面和层间绝缘层190的顶表面直接接触。

密封剂390可以包括玻璃料等。此外，密封剂390还可以包括光固化材料。例如，密封剂390可以包括有机材料和光固化材料的混合物，并且密封剂390可以通过利用紫外线(UV)、激光、可见光等照射混合物并由此使混合物固化来获得。包括在密封剂390中的光固化材料可以包括环氧丙烯酸酯类树脂、聚酯丙烯酸酯类树脂、氨基甲酸乙酯丙烯酸酯类树脂、聚丁二烯丙烯酸酯类树脂、硅丙烯酸硅酯类树脂、烷基丙烯酸酯类树脂等。

例如，可以用激光照射有机材料和光固化材料的混合物。一经照射混合物，混合物可以从固态改变为液态，并且在预定时间之后处于液态的混合物可以被固化成固态。上基底410可以根据混合物的状态改变将上基底410密封并结合到下基底110。***区域20中的第一电源布线350可以在曝光期间吸收和/或反射激光的能量。由第一电源布线350反射和吸收的能量可以被传输到混合物，从而有助于混合物的状态改变。

尽管密封剂390具有其中顶表面的宽度小于底表面的宽度的梯形形状，但是本发明的构造不限于此。例如，密封剂390可以具有梯形形状、矩形形状、正方形形状等，梯形形状具有比底表面的宽度大的顶表面的宽度。

上基底410可以设置在密封剂390和上电极340上。上基底410可以包括与下基底110的材料基本相同的材料。例如，上基底410可以包括石英基底、合成石英基底、氟化钙基底、氟掺杂(F掺杂)石英基底、钠钙玻璃基底、非碱玻璃基底等。在一些示例性实施例中，上基底410可以通过使用透明无机材料或柔性塑料来形成。例如，上基底410可以由具有柔性的透明树脂基底形成。因此，可以提供有机发光二极管显示装置100。

在有机发光二极管显示装置100中，根据本发明的示例性实施例，第一电源布线350可以不与平坦化层270直接接触，使得由激光生成的热量可以不被传输到平坦化层270。因此，有机发光二极管显示装置100可以防止子像素结构200被损坏。

此外，第一电源布线350在第一***区域21中与密封剂390至少部分地叠置，使得可以减小有机发光二极管显示装置100的无效空间。因此，有机发光二极管显示装置100可以用作全屏显示装置。

此外，设置在第一***区域21中的第一电源布线350可以具有相对大的第一宽度W1，使得可以减小布线电阻。因此，可以减小有机发光二极管显示装置100的驱动电压和功耗。

此外，第一电源布线350可以用作能够提供低电源电压的布线以及能够同时吸收和反射激光的能量的金属层。因此，可以省略能够吸收和反射激光的能量的金属层，使得可以减小有机发光二极管显示装置100的制造成本。

图8至图17是示出根据本发明的示例性实施例的有机发光二极管显示装置的制造方法的剖视图。例如，图8、图10、图12、图14和图16是示出第一***区域21以及与第一***区域21相邻的显示区域10和垫区域60的剖视图，图9、图11、图13、图15和图17是示出第二***区域22以及与第二***区域22相邻的显示区域10的剖视图。

参照图8和图9，下基底110可以包括透明材料或不透明材料。可以通过使用石英基底、合成石英基底、氟化钙基底、氟掺杂(F掺杂)石英基底、钠钙玻璃基底、非碱玻璃基底等来形成下基底110。在示例性实施例中，下基底110可以包括显示区域10、第一***区域21和第二***区域22，并且下基底110可以包括至少部分地围绕显示区域10的***区域20以及位于***区域20的一侧上的垫区域60。

可以在下基底110上形成缓冲层。可以在下基底110上整个地形成缓冲层。根据下基底110的类型，可以在下基底110上设置至少两个缓冲层，或者可以不在下基底110上形成缓冲层。例如，可以通过使用有机材料或无机材料来形成缓冲层。

可以在下基底110上且在显示区域10中形成有源层130。例如，可以通过使用氧化物半导体、无机半导体、有机半导体等来形成有源层130中的每个。有源层130中的每个可以具有源区、漏区和沟道区。

可以在有源层130上形成栅极绝缘层150。栅极绝缘层150可以在下基底110上覆盖显示区域10中的有源层130，并且可以整个地形成在下基底110上。在示例性实施例中，栅极绝缘层150可以在下基底110上充分地覆盖有源层130，并且具有基本平坦的顶表面，而不在有源层130周围产生台阶。可选地，栅极绝缘层150可以形成为沿有源层130的轮廓具有均匀的厚度，同时在下基底110上覆盖有源层130。可以通过使用硅化合物、金属氧化物等来形成栅极绝缘层150。例如，栅极绝缘层150可以包括氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、碳氧化硅、氮碳化硅、氧化铝、氮化铝、氧化钽、氧化铪、氧化锆、氧化钛等。可选地，栅极绝缘层150可以具有多层结构，该多层结构具有包括不同材料的多个绝缘层。在一些示例性实施例中，可以仅在显示区域10中形成栅极绝缘层150，并且可以不在***区域20或垫区域60中形成栅极绝缘层150。

参照图10和图11，可以在栅极绝缘层150上形成栅电极170。例如，可以在栅极绝缘层150的其下定位有有源层130的部分上形成栅电极170。可以通过使用金属、合金、金属氮化物、导电金属氧化物、透明导电材料等来形成栅电极170中的每个。可以单独使用或者彼此结合使用这些。可选地，栅电极170中的每个可以具有包括多个层的多层结构。

可以在栅电极170上形成层间绝缘层190。层间绝缘层190可以在栅极绝缘层150上覆盖显示区域10中的栅电极170，并且可以整个地形成在栅极绝缘层150上。在示例性实施例中，层间绝缘层190可以在栅极绝缘层150上充分地覆盖栅电极170，并且具有基本平坦的顶表面，而不在栅电极170周围产生台阶。可选地，层间绝缘层190可以形成为沿栅电极170的轮廓具有均匀的厚度，同时在栅极绝缘层150上覆盖栅电极170。可以通过使用硅化合物、金属氧化物等来形成层间绝缘层190。可选地，层间绝缘层190可以具有多层结构，该多层结构具有包括不同材料的多个绝缘层。在一些示例性实施例中，可以仅在显示区域10中形成层间绝缘层190，并且可以不在***区域20和垫区域60中形成层间绝缘层190。

可以在层间绝缘层190上且在显示区域10中形成源电极210和漏电极230。源电极210可以分别通过由去除栅极绝缘层150和层间绝缘层190的第一部分而形成的接触孔来连接到有源层130的源区。漏电极230可以通过由去除栅极绝缘层150和层间绝缘层190的第二部分而形成的接触孔来连接到有源层130的漏区。可以通过使用金属、合金、金属氮化物、导电金属氧化物、透明导电材料等来形成源电极210和漏电极230中的每个。可以单独使用或者彼此结合使用这些。可选地，源电极210和漏电极230中的每个可以具有包括多个层的多层结构。因此，可以形成包括有源层130、栅极绝缘层150、栅电极170、层间绝缘层190、源电极210和漏电极230的半导体元件250。

可以在层间绝缘层190上的***区域20中形成第一电源布线350。例如，可以在层间绝缘层190上形成第一电源布线350，以与源电极210和漏电极230分隔开。可以沿***区域20的形状形成第一电源布线350，并且第一电源布线350可以具有基本中空的矩形平面形状(或者具有暴露显示区域10的开口的矩形平面形状)。在示例性实施例中，第一电源布线350可以在***区域20中具有不同的宽度。例如，第一电源布线350的位于第一***区域21中的宽度可以与第一电源布线350的位于第二***区域22中的宽度不同(见图2)。此外，可以在***区域20中一体地形成第一电源布线350。

如图10中所示，位于第一***区域21中的第一电源布线350(例如，第一布线部分361)可以具有沿第一方向D1延伸的第一宽度W1，并且可以具有第一突出部351和第二突出部352。此外，如图11中所示，位于第二***区域22中的第一电源布线350(例如，第二布线部分362)可以具有沿第三方向D3(例如，沿从第二***区域22到显示区域10的方向)延伸的第二宽度W2，并且具有第一端353和第二端354。第一宽度W1可以比第二宽度W2大。

可以通过使用金属、合金、金属氮化物、导电金属氧化物、透明导电材料等来形成第一电源布线350。例如，第一电源布线350可以包括金、银、铝、铂、镍、钛、钯、镁、钙、锂、铬、钽、钨、铜、钼、钪、钕、铱、含铝合金、氮化铝、含银合金、氮化钨、含铜合金、含钼合金、氮化钛、氮化钽、氧化锶钌、氧化锌、氧化铟锡、氧化锡、氧化铟、氧化镓、氧化镓、氧化铟锌等。可以单独使用或者彼此组合使用这些。可选地，第一电源布线350可以具有包括多个层的多层结构。

可以在层间绝缘层190上且在第一***区域21中形成第二电源布线380。例如，可以在层间绝缘层190上且在第一电源布线350与源电极210和漏电极230之间形成第二电源布线380。第二电源布线380可以包括金属、合金、金属氮化物、导电金属氧化物、透明导电材料等。可以单独使用或者彼此组合使用这些。可选地，第二电源布线380可以具有包括多个层的多层结构。在示例性实施例中，第二电源布线380、第一电源布线350、源电极210和漏电极230可以位于同一层上，并且可以通过使用相同的材料来同时地形成。例如，在层间绝缘层190上整个地形成第一初始电极层之后，选择性地蚀刻第一初始电极层，使得可以同时形成源电极210、漏电极230、第二电源布线380和第一电源布线350。

参照图12和图13，可以在层间绝缘层190、第二电源布线380、第一电源布线350的一部分、源电极210和漏电极230上形成平坦化层270。在示例性实施例中，位于与第一***区域21相邻的显示区域10中的平坦化层270可以与第一电源布线350分隔开，并且可以覆盖第二电源布线380。位于与垫区域60相邻的第一***区域21中的平坦化层270可以覆盖第二突出部352。此外，位于与第二***区域22相邻的显示区域10中的平坦化层270可以覆盖第一端353。

位于显示区域10中的平坦化层270可以形成为相对厚，以充分地覆盖源电极210和漏电极230。在这种情况下，平坦化层270可以具有基本平坦的顶表面，并且可以针对平坦化层270添加平坦化工艺以实现平坦化层270的上述平坦的顶表面。可以通过使用诸如光致抗蚀剂、聚丙烯酸酯类树脂、聚酰亚胺类树脂、聚酰胺类树脂、硅氧烷类树脂、丙烯酸类树脂和/或环氧类树脂的有机材料来形成平坦化层270。

参照图14和图15，可以在平坦化层270上且在显示区域10中形成下电极290。下电极290可以通过由去除平坦化层270的一部分而形成的接触孔来连接到漏电极230。可以通过使用金属、合金、金属氮化物、导电金属氧化物、透明导电材料等来形成下电极290中的每个。可以单独使用或者彼此组合使用这些。可选地，下电极290可以具有包括多个层的多层结构。

可以在第一电源布线350的一部分和平坦化层270的一部分上且在***区域20中形成连接图案295。在示例性实施例中，连接图案295可以在第二***区域22中与平坦化层270的顶表面、平坦化层270的侧壁和第一端353的顶表面的一部分直接接触。此外，连接图案295可以不形成在第一***区域21中。可以通过使用金属、合金、金属氮化物、导电金属氧化物、透明导电材料等来形成连接图案295。可以单独使用或者彼此组合使用这些。可选地，连接图案295可以具有包括多个层的多层结构。在示例性实施例中，下电极290和连接图案295可以位于同一层上。例如，在下基底110上整个地形成第二初始电极层之后，选择性地蚀刻第二初始电极层，使得可以同时形成下电极290和连接图案295。

可以在下电极290的一部分、连接图案295的一部分和平坦化层270上形成像素限定层310。像素限定层310可以覆盖下电极290的两侧和连接图案295的一侧，并且暴露下电极290的顶表面的一部分。在示例性实施例中，与第一***区域21相邻的像素限定层310可以不与第一布线部分361直接接触，与第二***区域22相邻的像素限定层310可以与第二布线部分362的一部分直接接触。可以通过使用有机材料来形成像素限定层310。

可以在由像素限定层310暴露的下电极290上形成发光层330。可以通过使用被构造为根据子像素而发射不同颜色的光(诸如红光、绿光和蓝光)的至少一种发光材料来形成发光层330。可选地，可以通过层压能够产生不同颜色的光(诸如红光、绿光和蓝光)的多种发光材料来形成发光层330，使得可以由此发射白光。在这种情况下，可以在发光层330上形成滤色器。滤色器可以包括红色滤色器、绿色滤色器和蓝色滤色器中的至少一种。可选地，滤色器还可以包括黄色滤色器、青色滤色器和品红色滤色器。可以使用光敏树脂、彩色光致抗蚀剂等来形成滤色器。

可以在连接图案295的一部分上、像素限定层310上以及发光层330上形成上电极340。在示例性实施例中，上电极340可以覆盖发光层330和像素限定层310，并且从显示区域10延伸到***区域20。在示例性实施例中，位于第二***区域22中的上电极340可以与连接图案295的顶表面的一部分直接接触。此外，位于第一***区域21中的上电极340可以不与第一布线部分361直接接触。可以通过使用金属、合金、金属氮化物、导电金属氧化物、透明导电材料等来形成上电极340。可以单独使用或者彼此组合使用这些。可选地，上电极340可以具有包括多个层的多层结构。因此，可以形成包括下电极290、发光层330和上电极340的子像素结构200。

参照图16和图17，可以在第一电源布线350上且在***区域20中形成密封剂390。例如，形成在第一***区域21中的密封剂390被限定为第一密封部分391。形成在第二***区域22中的密封剂390被限定为第二密封部分392。然而，第一密封部分391和第二密封部分392可以是单个集成单元(见图3)。密封剂390的底表面可以与层间绝缘层190的一部分和/或第一电源布线350的一部分直接接触。

例如，如图16中所示，可以唯一地在第一电源布线350上形成第一密封部分391。例如，第一密封部分391的底表面可以与第一电源布线350的顶表面直接接触。

此外，如图17中所示，可以在第一电源布线350和层间绝缘层190上同时形成第二密封部分392。例如，第二密封部分392的底表面可以同时与第一电源布线350的上表面和层间绝缘层190的顶表面直接接触。

可以通过使用玻璃料等来形成密封剂390。此外，密封剂390还可以包括光固化材料。例如，密封剂390可以包括有机材料和光固化材料的混合物，并且包括在密封剂390中的光固化材料可以包括环氧丙烯酸酯类树脂、聚酯丙烯酸酯类树脂、氨基甲酸乙酯丙烯酸酯类树脂、聚丁二烯丙烯酸酯类树脂、硅丙烯酸酯类树脂、烷基丙烯酸酯类树脂等。

可以在密封剂390和上电极340上形成上基底410。可以通过使用与下基底110的材料相同的材料来形成上基底410。例如，上基底410可以包括石英基底、合成石英基底、氟化钙基底、氟掺杂(F掺杂)石英基底、钠钙玻璃基底、非碱玻璃基底等。可选地，在上基底410的底表面上形成密封剂390之后，可以将下基底110结合到密封剂390。

在密封剂390上形成上基底410之后，可以使用紫外线、激光、可见光等来暴露上基底410的其下设置有密封剂390的部分，并且可以使密封剂390的混合物固化以获得密封剂390。例如，在用激光照射有机材料和光固化材料的混合物之后，混合物可以在激光的照射下从固态变为液态，并且处于液态的混合物可以在预定时间后固化成固态。可以根据混合物的状态变化将上基底410密封并结合到下基底110。因此，可以制造图6和图7中所示的有机发光二极管显示装置100。

图18是示出根据本发明的示例性实施例的有机发光二极管显示装置的平面图。图19是沿图18中的线III-III'截取的剖视图。图20是沿图18中的线IV-IV'截取的剖视图。除了第一电源布线350之外，图18和图19中所示的有机发光二极管显示装置500可以具有与参照图1至图7描述的有机发光二极管显示装置100的构造基本相同或相似的构造。在图18、图19和图20中，将省略与参照图1至图7描述的组件基本相同或相似的组件的重复描述。因此可以假定，这里未详细描述的那些元件至少类似于已经描述的对应元件。

参照图18和图20，有机发光二极管显示装置500可以包括下基底110、半导体元件250、第一电源布线350、第二电源布线380、平坦化层270、连接图案295、像素限定层310、子像素结构200、密封剂390、上基底410等。在示例性实施例中，密封剂390可以被分为第一密封部分391和第二密封部分392，第一电源布线350可以被分为与第一密封部分391至少部分地叠置的第一布线部分361和与第二密封部分392至少部分地叠置的第二布线部分362。

第一电源布线350可以在层间绝缘层190上设置在***区域20中。例如，第一电源布线350可以设置在层间绝缘层190上，以与源电极210和漏电极230分隔开。

第一电源布线350(例如，第一布线部分361)可以叠置在层间绝缘层190与第一密封部分391之间。位于第一***区域21中的第一电源布线350可以包括沿第一方向D1从第一密封部分391的第一侧突出的突出部。这里，该突出部可以被限定为第一电源布线350的位于第一***区域21中的第一端351。例如，位于第一***区域21中的第一电源布线350可以包括第一端351和第二端352。例如，第一端351可以与子像素结构200相邻，第二端352可以与第一密封部分391至少部分地叠置。例如，第一端351可以被暴露，并且与位于相邻于第一***区域21的显示区域10中的平坦化层270分隔开。第二端352可以被第一密封部分391覆盖并且可以不被暴露。位于第一***区域21中的第一电源布线350可以具有第一宽度W1。

第一电源布线350(例如，第二布线部分362)可以叠置在层间绝缘层190与第二密封部分392之间。位于第二***区域22中的第一电源布线350可以包括沿第三方向D3从第二密封部分392的第一侧突出的突出部，位于第二***区域22中的第一电源布线350可以具有第一宽度W1(见图18)。例如，第一电源布线350可以在***区域20中具有相同的宽度，并且叠置在第一电源布线350与位于第一***区域21中的密封剂390之间的形状可以和叠置在第一电源布线350与位于第二***区域22中的密封剂390之间的形状基本相同。

本发明可以应用于包括OLED显示装置的各种显示装置。例如，本发明可以应用于车载显示装置、船载显示装置、机载显示装置、便携式通信装置、用于显示或用于信息传输的显示装置、医疗显示装置等。

前述内容是本发明构思的示例性实施例的说明。尽管已经描述了本发明构思的一些示例性实施例，但是本领域技术人员将容易领会的是，在实质上不脱离本发明构思的新颖的教导和方面的情况下，示例实施例中的许多修改是可能的。因此，所有这样的修改旨在被包括在本公开的范围内。