显示装置和制造该显示装置的方法
阅读说明：本技术 显示装置和制造该显示装置的方法 (Display device and method of manufacturing the same ) 是由 李世镐 于 2020-03-20 设计创作，主要内容包括：本发明涉及显示装置和制造该显示装置的方法。该显示装置包括：基板；彼此面对的像素电极和对电极；电连接到像素电极的薄膜晶体管；电连接到对电极并且与像素电极间隔开的接触电极；电连接到接触电极并且与薄膜晶体管间隔开的辅助电极；利用其发射光的中间层,中间层包括：发射层,以及与像素电极和接触电极对应的第一功能层,第一功能层限定在其处暴露接触电极的开口部分；以及在薄膜晶体管与像素电极之间、在辅助电极与接触电极之间并且限定在其处辅助电极电连接到接触电极的接触开口的多绝缘层,接触开口与中间层的开口部分对应。(The present invention relates to a display device and a method of manufacturing the same. The display device includes: a substrate; a pixel electrode and a counter electrode facing each other; a thin film transistor electrically connected to the pixel electrode; a contact electrode electrically connected to the counter electrode and spaced apart from the pixel electrode; an auxiliary electrode electrically connected to the contact electrode and spaced apart from the thin film transistor; an intermediate layer with which light is emitted, the intermediate layer comprising: an emission layer, and a first functional layer corresponding to the pixel electrode and the contact electrode, the first functional layer defining an opening portion at which the contact electrode is exposed; and a multi-insulating layer between the thin film transistor and the pixel electrode, between the auxiliary electrode and the contact electrode, and defining a contact opening at which the auxiliary electrode is electrically connected to the contact electrode, the contact opening corresponding to the opening portion of the intermediate layer.)
本申请要求2019年3月20日提交的第10-2019-0031777号韩国专利申请的优先权以及所有权益，该申请的公开通过引用整体合并于此。
技术领域
一个或多个实施例涉及显示装置以及制造该显示装置的方法。更具体地，一个或多个实施例涉及一种相对容易地被制造并且具有相对高的亮度稳定性的显示装置以及制造该显示装置的方法。
背景技术
有机发光显示装置具有比其它显示装置相对更大的视角、更好的对比度特性以及更快的响应速度，并且因此作为下一代显示装置已引起关注。
有机发光显示装置包括像素，每个像素包括有机发光二极管。有机发光二极管包括像素电极、面对像素电极的对电极以及位于像素电极与对电极之间的包括发射层的中间层。在这些有机发光显示装置中，像素电极具有通过将材料层图案化为分别与像素中的单个单元对应而获得的岛形状，但是对电极具有与多个像素对应的单体。
发明内容
随着有机发光显示装置的平面面积的增加，传统有机发光显示装置由于被提供为单体的对电极的电压降而不能显示高质量的图像。
为了解决包括上述缺点的几个缺点，一个或多个实施例包括一种相对容易地被制造并且具有高亮度稳定性的显示装置以及制造该显示装置的方法。然而，一个或多个实施例仅仅是示例，并且本发明的范围不限于此。
附加特征将部分地在下面的描述中阐述并且将部分地从描述中显而易见，或者可以通过所提出的实施例的实践而习得。
根据一个或多个实施例，显示装置包括：基板；在基板上彼此面对的像素电极和对电极；包括薄膜晶体管的像素电路，像素电路在薄膜晶体管处电连接到像素电极；接触电极，电连接到对电极，并且电信号通过接触电极被传输到对电极，接触电极和像素电极沿基板彼此间隔开；辅助电极，电连接到接触电极，并且电信号通过辅助电极被传输到接触电极，辅助电极和薄膜晶体管沿基板彼此间隔开；中间层，光利用所述中间层发射，中间层包括：与像素电极对应的发射层，以及与像素电极和接触电极对应的第一功能层，第一功能层限定在其处接触电极暴露至中间层外部的开口部分；以及在薄膜晶体管与像素电极之间并且在辅助电极与接触电极之间的多绝缘层，多绝缘层限定接触开口，辅助电极在接触开口处电连接到接触电极，接触开口与中间层的开口部分对应。
根据一个或多个实施例，开口部分可以包括彼此间隔开的第一开口和第二开口；并且对电极可以在第一开口处和第二开口处电连接到接触电极。
根据一个或多个实施例，多绝缘层可以包括：无机绝缘层以及比无机绝缘层更远离基板的有机绝缘层，并且在与第一开口对应的区域中，有机绝缘层可以限定在其处对电极电连接到接触电极的开放部分。
根据一个或多个实施例，在与第一开口对应的区域中，无机绝缘层可以在接触电极与辅助电极之间，以使接触电极与辅助电极绝缘。
根据一个或多个实施例，在与第二开口对应的区域中，有机绝缘层可以包括第一接触孔，对电极在第一接触孔处电连接到接触电极，并且无机绝缘层可以限定第二接触孔，第二接触孔与第一接触孔对应，并且接触电极在第二接触孔处电连接到辅助电极。
根据一个或多个实施例，中间层可以进一步包括面对第一功能层的第二功能层，发射层在第一功能层与第二功能层之间，第一孔可以被限定在第一功能层中，并且第二孔可以被限定在第二功能层中，并且中间层的第一开口可以由彼此对齐的第一孔和第二孔限定。
根据一个或多个实施例，第三孔可以被限定在第一功能层中，第四孔可以被限定在第二功能层中，并且第二开口可以由彼此对齐的第三孔和第四孔限定。
根据一个或多个实施例，中间层可以进一步包括空穴传输层、空穴注入层、电子注入层和电子传输层中的一个或多个。
根据一个或多个实施例，辅助电极可以包括铜(Cu)和钛(Ti)。
根据一个或多个实施例，第一功能层的被限定在中间层的第一开口处的部分可以是第一功能层的变性部分。
根据一个或多个实施例，像素电路的薄膜晶体管可以包括半导体层、与半导体层对应的栅电极以及电连接到半导体层的连接电极，并且辅助电极和连接电极可以是基板上的同一材料层的相应部分。
根据一个或多个实施例，无机绝缘层可以直接接触薄膜晶体管的连接电极以覆盖薄膜晶体管。
根据一个或多个实施例，接触电极和像素电极可以是基板上的同一材料层的相应部分。
根据一个或多个实施例，多绝缘层可以包括：无机绝缘层以及比无机绝缘层更远离基板的有机绝缘层；并且在与第一功能层的开口部分对应的区域中，有机绝缘层可以限定在其处对电极电连接到接触电极的开放部分。
根据一个或多个实施例，在与第一功能层的开口部分对应的区域中，无机绝缘层可以限定与有机绝缘层的开放部分对应的接触开口，并且接触电极在接触开口处进一步电连接到辅助电极。
根据一个或多个实施例，除在接触开口处之外，无机绝缘层可以在接触电极与辅助电极之间。
根据一个或多个实施例，制造显示装置的方法包括：在基板上提供：彼此面对的像素电极和对电极，电连接到像素电极的薄膜晶体管，接触电极，电连接到对电极，并且电信号通过接触电极被传输到对电极，接触电极与像素电极间隔开，辅助电极，电连接到接触电极，并且电信号通过辅助电极被传输到接触电极，辅助电极与薄膜晶体管间隔开，与薄膜晶体管和辅助电极对应的无机绝缘层，在无机绝缘层与像素电极之间并且在无机绝缘层与接触电极之间的有机绝缘层，在有机绝缘层中的将无机绝缘层暴露至有机绝缘层外部的开放部分，以及在有机绝缘层和无机绝缘层中的将辅助电极暴露至有机绝缘层和无机绝缘层外部的接触开口；通过顺序地提供与像素电极和接触电极对应的第一功能层以及与像素电极对应的发射层来提供中间层，光利用中间层发射；移除第一功能层的与接触电极对应的部分，以在第一功能层中提供将接触电极暴露至第一功能层外部的开口；并且在第一功能层中的开口处将对电极与接触电极接触。
根据一个或多个实施例，提供开口包括：通过向第一功能层辐射激光束，移除第一功能层的与接触电极对应的一部分。
根据一个或多个实施例，提供中间层可以进一步包括：在提供发射层之后提供第二功能层，第二功能层与像素电极和接触电极对应，并且该方法可以进一步包括：在移除第一功能层的与接触电极对应的部分的同时，移除第二功能层的与接触电极对应的部分，以在第一功能层和第二功能层两者中提供开口。
根据一个或多个实施例，开放部分可以大于接触开口。
这些和/或其它特征将从实施例、权利要求和附图的以下描述中变得显而易见并且更易于理解。
可以通过使用系统、方法、计算机程序或它们的组合来实现这些一般和特定实施例。
附图说明
根据以下结合附图对实施例的描述，这些和/或其它特征将变得显而易见以及更易于理解，其中：
图1是显示装置的实施例的示意性俯视平面图；
图2是显示装置的一个像素的实施例的等效电路图；
图3至图6是图示在制造显示装置的方法的实施例中的工艺和结构的截面图；并且
图7和图8是图示在制造显示装置的方法的另一实施例中的工艺和结构的截面图。
具体实施方式
现在将详细参考实施例，实施例的示例被图示在附图中，其中相同的附图标记始终指代相同的元件。就此而言，本实施例可以具有不同的形式并且不应解释为限于本文中阐述的描述。因此，以下仅通过参考附图描述实施例以阐明本描述的特征。
如本文中使用的，术语“和/或”包括所关联列出的项目中的一个或多个的任意和全部组合。诸如“…中的至少一个”的表述，在位于元件的列表之后时，修饰整个元件的列表并且不修饰列表的单个元件。“至少一个”不被解释为限定“一”。“或”意味着“和/或”。如本文中使用的，单数形式“一”和“该”旨在也包括复数形式，除非上下文另外清楚地指示。
将理解，虽然本文中可以使用术语“第一”、“第二”等来描述各种部件，但这些部件不应受这些术语限制。这些术语仅用于将一个部件与另一部件区分开。
将进一步理解，本文中使用的术语“包括”和/或“包含”指定存在所陈述的特征或部件，但不排除一个或多个其他特征或部件的存在或附加。
将理解，当层、区域或部件被称为与另一层、区域或部件有关，诸如在另一层、区域或部件“上”时，该层、区域或部件可以直接或间接形成在另一层、区域或部件上。也就是说，例如，可以存在中间层、区域或部件。相反，当层、区域或部件被称为与另一层、区域或部件有关，诸如“直接”在另一层、区域或部件“上”时，不存在中间层、区域或部件。
此外，本文中可以使用诸如“下面”或“底部”以及“上面”或“顶部”的相关术语来描述如附图中所图示的一个元件与另一元件的关系。将理解，相关术语旨在涵盖除了附图中所描绘的方位以外的设备的不同方位。例如，如果附图中的一个附图中的设备被翻转，则被描述为在其它元件“下面”一侧上的元件随之将被定位为在另一元件的“上面”一侧上。因此，取决于附图的具体方位，示例性术语“下面”可以涵盖“下面”和“上面”两种方位。类似地，如果附图中的一个附图中的设备被翻转，则被描述为在其它元件“下方”或“下”的元件随之将被定位为在另一元件的“上方”。因此，示例性术语“下方”和“下”可以涵盖上方和下方两种方位。
考虑到讨论中的测量以及与具体量的测量关联的误差(即，测量系统的限制)，如本文中使用的“大约”或“近似”包括所陈述的值，并且意味着在由本领域普通技术人员确定的具体值的可接受偏差范围内。例如，“大约”可意味着在一个或多个标准偏差内，或者在所陈述的值的±30％、20％、10％或5％内。
除非另外限定，否则本文中使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本公开所属的技术领域中的普通技术人员所通常理解的含义相同的意义。进一步将理解，诸如那些在常用词典中限定的术语应当被解释为具有与它们在相关技术的语境和本公开中的含义一致的含义，并且不应以理想化的或过于正式的意义来解释，除非在本文中明确如此限定。
为便于解释，可以夸大附图中元件的尺寸。换言之，由于附图中的部件的尺寸和厚度为了便于解释而被任意地示出，因此下面的实施例不限于此。本文中参考作为理性化实施例的示意图示的截面图示来描述示例性实施例。这样，作为例如制造技术和/或公差的结果，可以预期来自图示的形状的变化。因此，本文中描述的实施例不应被解释为限于本文中图示区域的具体形状，而将包括来自例如制造导致的形状的偏差。例如，被图示或被描述为平坦的区域典型地可以具有粗糙的和/或非线性的特征。此外，所图示的尖角可以是圆的。因此，附图中图示的区域实际上是示意性的，并且该区域的形状不旨在图示区域的精确形状并且不旨在限制本权利要求的范围。
在下面的示例中，x轴、y轴和z轴不限于直角坐标系的三个轴，并且可以以更广泛的意义解释。例如，x轴、y轴和z轴可以是相互垂直的，或者可以代表不相互垂直的不同的方向。
当某一实施例可以被不同地实现时，特定的工艺顺序可以以不同于所描述的顺序被执行。例如，两个连续描述的工艺可以基本同时被执行，或以与所描述的顺序相反的顺序被执行。
图1是显示装置的实施例的示意性俯视平面图，并且图2是显示装置的像素的实施例的等效电路图。
参考图1，显示装置10可以包括显示区域DA以及与显示区域DA邻近的***区域PA。在实施例中，在俯视平面图中，***区域PA可以围绕显示区域DA。作为指示显示装置10的整体俯视平面图，图1指示了显示装置10的基板100。在显示区域DA处显示图像和/或发射光。在***区域PA中，可以不显示图像和/或可以不发射光，以限定非显示区域。
显示装置10和/或显示装置10的各种部件可以包括显示区域DA和***区域PA。参考图1，例如，基板100可以包括显示区域DA和***区域PA。显示装置10和/或显示装置10的各种部件可以被设置在由彼此交叉的第一方向和第二方向所限定的平面中。参考图1，基板100被设置在由x轴方向和y轴方向限定的平面中。沿与第一方向和第二方向中的每个交叉的第三方向限定显示装置10和/或显示装置10的各种部件的厚度。参考图3，沿z轴方向限定基板100以及基板100上的各种层的厚度。
显示装置10包括被布置在显示区域DA中的被提供为多个的像素P(例如，多个像素P或像素P)。参考图2，像素P中的每个可以包括像素电路PC以及连接到像素电路PC的作为显示元件(例如，发光元件)的有机发光二极管OLED。像素电路PC可以包括第一薄膜晶体管(“TFT”)T1、第二TFT T2和存储电容器Cst。像素P中的每个像素P可以通过有机发光二极管OLED发射例如红光、绿光、蓝光或白光。利用从有机发光二极管OLED发射的光，图像可以在像素P处被显示。
第二TFT T2(例如，开关TFT T2)可以连接到扫描线SL和数据线DL，并且基于通过扫描线SL接收的开关电压而将通过数据线DL接收的数据电压传输到第一TFT T1。存储电容器Cst可以连接到第二TFT T2和驱动电压线PL，并且可以存储与从第二TFT T2接收的电压和供给到驱动电压线PL的第一电源电压ELVDD之间的差对应的电压。也就是说，本文中描述的各种线可以代表信号线，电信号(例如，数据信号、控制信号、驱动信号和/或电力信号)通过信号线被传输。在实施例中，电信号可以包括数据电压、开关电压、电源电压、扫描信号、数据信号等。
第一TFT T1(例如，驱动TFT T1)可以连接到驱动电压线PL和存储电容器Cst，并且可以根据存储在存储电容器Cst中的电压值来控制从驱动电压线PL流到有机发光二极管OLED的电驱动电流。有机发光二极管OLED可以通过电驱动电流生成和/或发射具有一定亮度的光。有机发光二极管OLED的对电极(例如，阴极)可以接收第二电源电压ELVSS。
尽管在图2中图示了像素电路PC包括两个TFT和一个存储电容器Cst的情况，但实施例不限于此。TFT的数量和存储电容器Cst的数量可以根据像素电路PC的设计而变化。在实施例中，例如，除了上述两个TFT之外，像素电路PC可以进一步包括4、5或更多个TFT。
返回参考图1，生成扫描信号和/或将扫描信号提供到像素P中的每个像素P的扫描驱动器1100、生成数据信号和/或将数据信号提供到像素P中的每个像素P的数据驱动器1200以及通过其提供第一电源电压ELVDD和第二电源电压ELVSS的主电力布线(未示出)可以被布置在***区域PA中。在图1中，数据驱动器1200位于基板100的一侧。然而，根据另一实施例，数据驱动器1200可以位于基板100的外部，诸如在电连接到显示装置10的焊盘的柔性印刷电路板(“FPCB”)上。在实施例中，焊盘可以被设置在基板100上，并且FPCB可以在焊盘处连接到显示装置10。
图3至图6是图示在制造显示装置的方法的实施例中的工艺和结构的截面图。将理解，在下面的描述中被提供在基板100上的各种层可以存在于图1的基板100上，但为了便于说明图示而在图1中被省略。在实施例中，图3至图6中的视图的左侧可以与***区域PA(图1)对应，而图3至图6中的视图的右侧可以与显示区域DA(图1)对应，但不限于此。
参考图3，彼此间隔开的像素电极210和接触电极210a可以被提供或形成在基板100上。尽管在图3中像素电极210和接触电极210a被提供或形成在有机绝缘层170上，但实施例并不限于此。
各种层可以分别被提供或形成在像素电极210和接触电极210a中的每个与基板100之间。参考图3至图6，薄膜晶体管TFT和电容器CAP被提供或形成在基板100上，多绝缘层MIL(例如，绝缘多层MIL)被提供或形成以覆盖薄膜晶体管TFT和电容器CAP。像素电极210和接触电极210a被提供或形成在多绝缘层MIL上。
基板100可以包括各种材料中的任一种，例如，玻璃、金属或者诸如聚对苯二甲酸乙二醇酯(“PET”)、聚萘二甲酸乙二醇酯(“PEN”)或聚酰亚胺(“PI”)的塑料。
用于将电信号提供到显示元件(例如，有机发光二极管OLED)的像素电路PC被提供或形成在基板100上。像素电路PC可以包括薄膜晶体管TFT和电容器CAP。在实施例中，电信号可以从显示区域DA外部被提供到显示区域DA中的显示元件。
具体地，为了平坦化基板100的表面和/或防止杂质等渗透到薄膜晶体管TFT的半导体层120，缓冲层110可以被布置在基板100上。缓冲层110可以包括氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)或/和氧氮化硅(SiON)，并且半导体层120可以位于缓冲层110上。
薄膜晶体管TFT的栅电极140被布置在半导体层120上。薄膜晶体管TFT的源电极160s和漏电极160d响应于施加到栅电极140的信号而彼此电通信。在实施例中，例如，考虑到对邻近层的粘合性、堆叠在栅电极140上的层的表面平滑度以及加工性，栅电极140可以在单层结构或多层结构中包括从铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、锂(Li)、钙(Ca)、钼(Mo)、钛(Ti)、钨(W)和铜(Cu)中选择的至少一种或由其形成。
为了确保薄膜晶体管TFT内的半导体层120与栅电极140之间的绝缘，栅绝缘层130可以在半导体层120与栅电极140之间。参考图3，栅绝缘层130可以进一步在电容器CAP内。也就是说，以上描述的栅绝缘层130可以是同一栅绝缘材料层的相应部分。栅绝缘层130可以包括无机绝缘材料，诸如氧化硅、氮化硅、氧氮化硅、氧化铝、氧化钛、氧化钽或氧化铪。
层间绝缘层150可以被布置在栅电极140上，并且可以包括无机绝缘材料，诸如氧化硅、氮化硅、氧氮化硅、氧化铝、氧化钛、氧化钽或氧化铪。层间绝缘层150可以被提供或形成为包括上述材料中的一种或多种的单层结构或多层结构。
每个是电连接到薄膜晶体管TFT的半导体层120的连接电极的源电极160s和漏电极160d被布置在层间绝缘层150上。源电极160s和漏电极160d通过提供或形成在层间绝缘层150和栅绝缘层130中的接触孔电连接到半导体层120。考虑到导电性等，源电极160s和漏电极160d可以每个在单层结构或多层结构中包括从铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、锂(Li)、钙(Ca)、钼(Mo)、钛(Ti)、钨(W)和铜(Cu)中选择的至少一种或由其形成。根据实施例，作为连接电极的源电极160s和漏电极160d中的每个可以被提供或形成为Ti/Al/Ti或Mo/Al/Mo的三层。根据实施例，源电极160s和漏电极160d中的每个可以被提供或形成为Cu/Ti的多层结构。
为了保护具有上述层的薄膜晶体管TFT并且平坦化薄膜晶体管TFT的上表面，多绝缘层MIL可以被提供或形成在薄膜晶体管TFT上。根据本实施例，多绝缘层MIL可以包括与薄膜晶体管TFT的源电极160s和漏电极160d直接接触的无机绝缘层165以及提供像素电极210被提供或形成在其上的平坦上表面的有机绝缘层170。
在显示装置10的制造期间，无机绝缘层165可以防止包括可能被刻蚀剂损坏的金属(类似铝)的导电布线或导电元件(例如，类似信号线)暴露于刻蚀材料和/或刻蚀环境(例如，刻蚀剂)。无机绝缘层165可以包括诸如氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)或/和氧氮化硅(SiON)的无机材料，并且可以被提供或形成为多层结构或单层结构。根据实施例，无机绝缘层165可以包括氮化硅(SiNx)。
无机绝缘层165可以具有至少大约500埃
有机绝缘层170可以被布置在无机绝缘层165上，以被设置得比无机绝缘层165更远离基板100。有机绝缘层170的上表面可以是近似平坦的。有机绝缘层170可以包括有机绝缘材料，例如，聚甲基丙烯酸甲酯(“PMMA”)或聚苯乙烯(“PS”)、具有苯酚类基团的聚合物衍生物、丙烯酰醚类聚合物、酰亚胺类聚合物、丙烯酰类聚合物、酰胺类聚合物、氟类聚合物、对二甲苯类聚合物、乙烯醇类聚合物或它们的共混物。根据实施例，有机绝缘层170可以包括聚酰亚胺。
像素电极210可以在有机绝缘层170上。像素电极210可以包括诸如氧化铟锡(“ITO”)、氧化铟锌(“IZO”)、氧化锌(“ZnO”)、氧化铟(“In2O3”)、氧化铟镓(“IGO”)或氧化铝锌(“AZO”)的导电氧化物。根据另一实施例，像素电极210可以诸如通过包括反射层或反射材料来反射光。像素电极210可以包括例如银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)或这些材料的组合。根据另一实施例，像素电极210可以进一步包括由ITO、IZO、ZnO或In2O3提供或形成的相对薄的层或膜。这种薄的层或膜可以被设置在反射层上方或下方。
像素限定层180可以被布置在像素电极210上。像素限定层180可以限定或包括通过其暴露像素电极210的上表面的开口，并且可以覆盖像素电极210的边缘。像素限定层180中的开口可以对应于或限定像素P的发光区域。像素限定层180可以包括有机绝缘材料。可替代地，像素限定层180可以包括诸如氮化硅(SiNx)、氧氮化硅(SiON)或氧化硅(SiOx)的无机绝缘材料。可替代地，像素限定层180可以包括有机绝缘材料和无机绝缘材料两者。
中间层220包括发射层223。中间层220可以包括在发射层223下方的第一功能层221(例如，初始第一功能材料层221)和/或在发射层223上方的第二功能层222(例如，初始第二功能材料层222)。发射层223可以包括利用其生成和/或发射某种颜色的光的相对低分子量的有机材料或相对高分子量的有机材料。
参考图3，初始第一功能材料层221和初始第二功能材料层222首先被提供或形成在基板100上(例如，沿整个基板100)。在实施例中，初始第一功能材料层221和初始第二功能材料层222与显示区域DA(图1)和***区域PA(图1)对应地被提供。为了便于解释，方法的以下描述涉及第一功能层221和第二功能层222，然而，将理解，用于形成这些层的中间工艺包括用于形成第一功能层221和第二功能层222的材料层的初始形成。
第一功能层221可以包括单层结构或多层结构。在实施例中，例如，当第一功能层221由相对高分子量的有机材料提供或形成时，第一功能层221可以包括具有单层结构的空穴传输层(“HTL”)并且可以包括聚-(3,4)-乙撑-二羟基噻吩(“PEDOT”)或聚苯胺(“PANI”)。另一方面，当第一功能层221由相对低分子量的有机材料提供或形成时，第一功能层221可以包括空穴注入层(“HIL”)和HTL。
第二功能层222可以被省略。在实施例中，例如，当第一功能层221和发射层223由相对高分子量的材料提供或形成时，第二功能层222可以包含在如以上描述的基板100上的堆叠结构中。第二功能层222可以包括单层结构或多层结构。第二功能层222可以包括电子传输层(“ETL”)和/或电子注入层(“EIL”)。
中间层220的发射层223可以被布置在显示区域DA内的每个像素P中。发射层223可以被图案化为分立元件以与像素电极210对应。与发射层223相反，中间层220的第一功能层221和/或第二功能层222可以被提供或形成为与多个像素P对应。在实施例中，中间层220的第一功能层221和/或第二功能层222可以与显示区域DA的整体对应，类似于稍后将描述的对电极230(图6)的结构。在实施例中，中间层220的第一功能层221和/或第二功能层222可以进一步与***区域PA对应。
对电极230可以包括具有相对低功函数的导电材料。在实施例中，例如，对电极230可以包括(半)透明材料层，该(半)透明材料层包括例如银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、锂(Li)、钙(Ca)或这些材料的合金。可替代地，对电极230可以进一步包括在包括以上描述的材料中的任意材料的(半)透明材料层上的诸如ITO、IZO、ZnO或In2O3的材料层。在制造显示装置10的实施例中，可以通过热沉积用于形成相应层或电极的材料来提供或形成第一功能层221、第二功能层222和对电极230。
辅助电极160a可以在像素电路PC的一侧被布置在层间绝缘层150上。在实施例中，辅助电极160a可以被设置在***区域PA(图1)中，而不限于此。可以使用与用于形成源电极160s和漏电极160d的工艺相同的工艺来提供或形成辅助电极160a。可以使用与用于形成源电极160s和漏电极160d的工艺相同的工艺来提供或形成电容器CAP的电极。因此，辅助电极160a和/或电容器CAP的电极可以包括与包括在源电极160s和漏电极160d中的材料相同的材料。参考图3中类似的影线图案，辅助电极160a、电容器CAP的电极、源电极160s和漏电极160d可以是基板100上的同一材料层的相应部分，并且可以是在制造显示装置10的方法中从同一材料层分别形成的部分。根据实施例，辅助电极160a可以被提供或形成为Cu/Ti的多层结构。
多绝缘层MIL可以被布置在辅助电极160a上。无机绝缘层165可以直接接触辅助电极160a以防止辅助电极160a暴露于根据后续工艺的刻蚀环境，并且可以降低或有效地防止辅助电极160a与基板100上的其他层分离。
多绝缘层MIL可以具有接触部分CT(例如，接触开口CT)，辅助电极160a的上表面的一部分在接触部分CT处被暴露。当提供或形成用于将像素电极210电连接到薄膜晶体管TFT的漏电极160d的接触孔CNT时，可以同时提供或形成接触部分CT(例如，接触孔部分CT)。接触部分CT可以包括限定在有机绝缘层170中的第一接触孔170h2以及限定在无机绝缘层165中的第二接触孔165h。第一接触孔170h2和第二接触孔165h可以彼此对应或对齐，以将接触部分CT形成为连续孔。可以提供或形成接触区域CTA，稍后要描述的接触电极210a在接触区域CTA处通过接触部分CT电连接到辅助电极160a。
多绝缘层MIL还可以具有开放部分OP(例如，开口OP)，有机绝缘层170的一部分在开放部分OP处被省略。开放部分OP可以被限定有有机绝缘层170中的开放孔170h1，在开放孔170h1处无机绝缘层165的一部分被暴露。开放区域OPA可以被限定在开放部分OP处，在开放区域OPA处无机绝缘层165的一部分通过开放部分OP被暴露。
在图3中，有机绝缘层170限定或包括限定开放部分OP的开放孔170h1和限定接触部分CT的第一接触孔170h2两者。开放孔170h1和第一接触孔170h2在沿基板100的方向(例如，沿x轴方向)上彼此间隔开。然而，实施例并不限于此。
根据修改的实施例，图3的开放孔170h1和第一接触孔170h2可以彼此连接，并且因此可以形成如图7中所示的单一的一个开口。参考图7，暴露辅助电极160a的一部分的接触部分CT'可以被提供或形成在无机绝缘层165中，并且与接触部分CT'对应并且沿基板100具有比接触部分CT'大的尺寸的开放部分OP'可以被提供或形成在有机绝缘层170中。虽然图3至图6以及图7示出了x轴方向(图1)，但是图3和图7中的结构也可以应用于沿y轴方向。
在图7中，辅助电极160a的一部分可以通过位于开放部分OP'内的接触部分CT'被暴露。辅助电极160a的被暴露的部分可以限定接触区域CTA'，接触电极210a和辅助电极160a在接触区域CTA'处彼此连接。开放部分OP'的除了接触区域CTA'之外的部分可以被理解为开放区域OPA'。也就是说，接触区域CTA'和开放区域OPA'可以限定开放部分OP'的整体。在开放区域OPA'中的元件之间不存在电接触，但是开放区域OPA'可以减少稍后将描述的脱气。除接触部分CT'之外，无机绝缘层165在接触电极210a与辅助电极160a之间。
接触电极210a可以被布置在辅助电极160a上，而多绝缘层MIL在接触电极210a与辅助电极160a之间。接触电极210a可以在接触部分CT处电连接到辅助电极160a。接触电极210a可以被提供或形成在开放部分OP处。接触电极210a可以位于开放部分OP中，并且可以利用接触电极210a和辅助电极160a之间的无机绝缘层165与辅助电极160a绝缘。在实施例中，接触电极210a可以被设置在***区域PA(图1)中，而不限于此。根据实施例，接触电极210a可以使用与用于形成像素电极210的工艺相同的工艺来提供或形成，并且可以包括与包括在像素电极210中的材料相同的材料。参考图3中类似的影线图案，接触电极210a和像素电极210可以是基板100上的同一材料层的相应部分，并且可以是在制造显示装置10的方法中从同一材料层分别形成的部分。
这样，除了在其处辅助电极160a和接触电极210a彼此电连接的接触部分CT之外，在其处有机绝缘层170的一部分被省略的开放区域OPA(即，开放部分OP)可以进一步被包括，并且因此可以减少在显示装置10的制造期间在包括有机绝缘材料的有机绝缘层170中的脱气的发生。
参考图4，激光束LB可以被辐射到初始第一功能材料层221和初始第二功能材料层222的与接触部分CT和开放部分OP对应的部分。由于激光束LB的辐射，初始第一功能材料层221和初始第二功能材料层222的用于形成第一功能层221和第二功能层222的相应部分可以从接触部分CT和开放部分OP中被移除。
如图5中所示，开口部分220H可以通过激光束LB被提供或形成或限定在从其形成第一功能层221的初始第一功能材料层221和从其形成第二功能层222的初始第二功能材料层222中。开口部分220H可以包括沿基板100彼此间隔开的第一开口220a和第二开口220b。具体地，在从其形成第一功能层221的初始第一功能材料层221和从其形成第二功能层222的初始第二功能材料层222中的每个中，可以提供或形成与开放部分OP对应的第一开口220a以及与接触部分CT对应的第二开口220b。由于第一开口220a和第二开口220b是通过移除从其形成第一功能层221的初始第一功能材料层221和从其形成第二功能层222的初始第二功能材料层222的相应部分而被提供或形成的，诸如通过使用激光束LB，因此第一功能层221和第二功能层222的限定到第一开口220a和第二开口220b的部分(例如，侧表面)可以是被相对高的热量变性的部分(例如，热变性部分)。
第一开口220a可以包括限定在初始第一功能材料层221中的第一孔221a以及限定在初始第二功能材料层222中的第二孔222a。第二开口220b可以包括限定在初始第一功能材料层221中的第三孔221b以及限定在初始第二功能材料层222中的第四孔222b。第一孔221a和第二孔222a可以彼此对应或对齐，并且第三孔221b和第四孔222b可以彼此对应或对齐。
参考图5中类似的影线图案，第一功能层221的在第一孔221a和第三孔221b的相对侧处以及在像素P处的部分(例如，与发射层223处的发光区域对应并从发射层223处的发光区域延伸)可以是基板100上的同一材料层的相应部分，并且可以是在制造显示装置10的方法中由同一初始材料层分别形成的部分。类似地，第二功能层222的在第二孔222a和第四孔222b的相对侧处以及在像素P处的部分(例如，与发射层223处的发光区域对应并从发射层223处的发光区域延伸)可以是基板100上的同一材料层的相应部分，并且可以是在制造显示装置10的方法中由同一初始材料层分别形成的部分。
根据本实施例，中间层220包括第一功能层221和第二功能层222两者。然而，根据另一实施例，第二功能层222可以被省略。在此情况下，第一开口220a可以仅包括在第一功能层221中限定的第一孔221a，并且第二开口220b可以仅包括在第一功能层221中限定的第三孔221b。
尽管在图5中的开口部分220H的第一开口220a和第二开口220b彼此间隔开，但本公开的实施例不限于此。根据修改的实施例，图5的第一开口220a和第二开口220b可以彼此连接，并且因此可以形成如图7中所示的沿基板100连续的开口部分220H的单一的一个。
对电极230可以被提供或形成在图7的堆叠结构上，并且因此如图8中所示的结构可以被提供或形成。图7和图8的以上描述的结构可以被理解为由一个或多个制造操作提供或形成的单一的结构的图示。
返回参考图5，第一开口220a的沿基板100(例如，在x轴方向上)的宽度W2可以小于开放区域OPA中的开放部分OP的沿基板100(例如，在x轴方向上)的宽度W1，但是本公开的实施例不限于此。
参考图6，对电极230可以被提供或形成在图5的堆叠结构上，诸如在显示区域DA的整体中。对电极230可以被布置成与像素电极210相对，而中间层220在对电极230与像素电极210之间。对电极230可以从中间层220延伸到第一开口220a和第二开口220b。对电极230可以在第一开口220a和第二开口220b处直接接触接触电极210a。
在根据本实施例的显示装置10和制造该显示装置10的方法中，辅助电极160a以及将对电极230电连接到辅助电极160a的接触电极210a被提供或形成，使得电信号通过具有相对高电导率的辅助电极160a和接触电极210a被传输到对电极230。因此，可以有效地防止或最小化在未提供辅助电极160a和接触电极210a的传统结构中可能发生的对电极230中的内部电阻(“IR”)下降。因此，可以减少或有效地防止多个像素P中意外的亮度偏差的产生，或者可以使亮度偏差最小化。
为了对电极230与辅助电极160a之间的接触，如图6中所示，接触电极210a的至少一部分不应被第一功能层221和第二功能层222覆盖。为此，当从其提供第一功能层221的初始第一功能材料层221和从其提供第二功能层222的初始第二功能材料层222首先被提供或形成在传统显示装置中的基板100上时，可以在接触电极210a的一部分处选择性地省略初始第一功能材料层221和初始第二功能材料层222。然而，在形成传统显示装置的方法中，掩模用于图案化初始第一功能材料层221和初始第二功能材料层222，并提供第一功能层221和第二功能层222。因此，传统显示装置的制造工艺可能是复杂的，诸如包括在其中掩模和基板100彼此精确对准的工艺。
然而，在制造显示装置10的方法的一个或多个实施例中，初始第一功能材料层221和初始第二功能材料层222首先被提供或形成在基板100上(例如，沿基板100的整体)，并且诸如通过使用激光束来选择性地移除初始第一功能材料层221和初始第二功能材料层222的仅与接触电极210a对应的相应部分，并且因此可以大大提高制造效率。
尽管参考本公开的示例性实施例具体示出并描述了本公开，但是本领域的普通技术人员将理解，可以在本公开中进行形式上和细节上的各种改变，而不背离由所附权利要求限定的精神和范围。如以上描述的，根据本公开的实施例，可以提供一种易于制造并且具有相对高的亮度稳定性的显示装置和制造该显示装置的方法。当然，本公开的范围不受此效果的约束。
应理解，本文中描述的实施例应仅在描述性意义上被考虑而不用于限制目的。每个实施例内的特征的描述应典型地被认为是可用于其它实施例中的其它相似特征。尽管已经参考附图描述了一个或多个实施例，但是本领域普通技术人员将理解，可以在一个或多个实施例中进行形式上和细节上的各种修改，而不背离由所附权利要求限定的精神和范围。
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