具体实施方式

下面结合具体实施例，进一步阐述本发明。这些实施例仅用于说明本发明而不用于限制本发明的范围。在本发明的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“设有”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。

现结合说明书附图，详细说明本发明的结构特点。

参见图1，一种晶圆打磨、抛光处理一体装置，包括机柜1，机柜1采用顶部为玻璃或有机玻璃制成的透明结构柜体，方便机柜1内部进行观察，机柜1内通过立柱3固定设有闭环结构的磨抛机构2，磨抛机构2包括上下对称设置的上载台22和下载台21和输送盘25，上载台22和下载台21呈环形结构，其周向上间隔设有用于上、下载台22、21固定的连接板23，上载台22和下载台21采用拼装的方式进行组合，可降低设备生产加工工艺，也方便后去设备的内部维护。

参见图2-4，上载台22和下载台21的内环上设有呈环形状，且嵌入的传送通道24，上载台22和下载台21位于传送通道24上沿周向贯穿设有多个腔体，输送盘25位于传送通道24内，输送盘25的轴线位置固定设有用于驱动旋转的传送电机253，输送盘25的周向上设有与多个腔体对应的转送位251，输送盘25在传送电机253的驱动下可实现间歇式运动，使输送盘25上的转送位251间歇式的对应到下一个腔体位置上，实现转送位251对晶圆的连续间歇式传送，在每完成一道工序后，进行一次传递。

参见图2-3，腔体开口的两侧分别设有用于晶圆处理的盘体，盘体与对应的腔体内径相适配，腔体的侧部均设有用于驱动盘体上下做直线运动的伸缩气缸27和用于驱动高速转动的旋转电机28，伸缩气缸27实现盘体的上下位移，使上、下载台22、21两侧的盘体对接。

参见图2，腔体包括等距分布的初磨腔211、上精磨腔212、下精磨腔213、上抛光腔214、下抛光腔215和等距分布在上述各个腔体之间的清洗腔216，上述设置可实现对晶圆的双面粗打磨、清洗、上单面细打磨、清洗、下单面打磨、清洗、上单面抛光、清洗、下单面抛光、清洗，多个工序在闭环内实现同步完成，可有效提高对晶圆打磨和抛光的效率。

参见图5，初磨腔211对应的盘体包括对称设置的两个初磨盘201，初磨盘201的盘面上固定有用于晶圆双面粗磨的磨垫。初磨盘211起到对切片后，表面较为粗糙的晶圆进行初步的打磨，打磨去除较为粗糙的表面层，方便后续精细打磨时，非打磨面的固定和减少因表面粗糙造成的打磨厚度误差。

参见图6-7，上精磨腔212对应的盘体包括对称设置的上精磨盘202和下固定盘203，上精磨盘202位于上精磨腔212的上方，上精磨盘202的盘面上固定有用于晶圆上表面细磨的磨垫，上精磨盘202上的磨垫采用内凹的形式，这样设计可对晶圆的边缘进行有效的打磨，下固定盘203的盘面上固定有用于晶圆下表面固定的定位垫。下精磨腔213对应的盘体包括对称设置的上固定盘204和下精磨盘205，下精磨盘205位于下精磨腔213的下方，上固定盘204的盘面上固定有用于晶圆下表面固定的定位垫，下精磨盘205的盘面上固定有用于晶圆上表面细磨的磨垫。在打磨阶段采用晶圆顶面和底面的单面分步打磨，一方面是为了简化设备的复杂结构，另一方面可降低设备本身以及后续维修的成本。在打磨过程中，首先采用晶圆顶面精细打磨，可以减少底面打磨时，微小打磨颗粒对已经打磨好的晶圆面造成影响，如果先对晶圆底面进行精细打磨，在打磨晶圆顶面时，顶面打磨下的微小颗粒便容易落入在晶圆底面上，在进入下一工序时，这些落入的细小颗粒，便会对打磨好的晶圆底面造成损伤，而先打磨顶面再进行打磨底面，便可大大减少这种情况的发生，在进行精细打磨阶段，无论是晶圆的上面精细打磨还是晶圆的下面精细打磨，都是采用上下两个电机进行同步异向驱动，这样可有效提高打磨的转速，进而提高打磨效率，并且具有很好的节能效果。

参见图8-9，上抛光腔214对应的盘体包括对称设置的上抛光盘206和下抛光吸盘207，上抛光盘206位于上抛光腔214的上方，上抛光盘206的盘面上固定设有用于晶圆上表面抛光的抛光垫，上抛光盘206的抛光垫作内凹设计，在进行晶圆上面抛光时，可对晶圆的边缘进行有效的抛光处理。下抛光腔215对应的盘体包括对称设置的上抛光吸盘208和下抛光盘209，下抛光盘209位于下抛光腔215的下方，下抛光盘209的盘面上固定设有用于晶圆下表面抛光的抛光垫。在晶圆抛光阶段采用如上述晶圆打磨方式一样，晶圆的抛光同样采用顶面和底面的单面分步抛光，一方面是为了简化设备的复杂结构，另一方面可降低设备本身以及后续维修的成本，同时，又保留了双面抛光设备的高效性。在抛光工序中，晶圆同样采用先进行上表面抛光，然后再进行下表面抛光，依然是为了避免残留的微小打磨颗粒对，抛光面造成损伤。在进行抛光阶段，同样采用上下两个电机进行同步异向驱动，这样可有效提高抛光的转速，进而提高抛光效率，并且具有很好的节能效果。

参见图10，清洗腔216的下方设有用于晶圆清洗的箱体29，清洗腔216对应的盘体包括对称设置的上清洗盘210和下清洗盘293，上清洗盘210由伸缩气缸27和旋转电机28驱使，下清洗盘293设置在箱体29内，箱体29的轴线位置上设有用于弹性支撑下清洗盘293的伸缩支撑臂294，伸缩支撑臂内294设有用于下清洗盘293复位的弹簧295，箱体29的侧部还设有用于流动更换清洗液的进水口291和出水口292，在对晶圆清洗时，通过晶圆在输送盘25的驱动下进入到清洗腔216，此时，下清洗盘293保持与传送通道24的下表面齐平，以便晶圆的顺利进出，晶圆入位后，上清洗盘210下压，使晶圆夹持在上清洗盘210和下清洗盘293之间，并进入到箱体29内部，此时，伸缩支撑臂294被压缩，箱体29内具有循环流动的清洗液，上清洗盘210在旋转电机28的带动下高速旋转，上清洗盘210和下清洗盘293对应晶圆的一面设有软质的清洗面，实现对晶圆的双面清洗，此清洗面应具备一定的凸点支撑结构，以便清洗后晶圆表面的烘干作业。

参见图5-7，传送通道24的外延周向上对应初磨腔211、上精磨腔212和下精磨腔213的位置设有除尘口261，除尘口261外接吸尘设备，在初磨腔211、上精磨腔212和下精磨腔213上设置有除尘口261，其目的是为了及时将打磨下的微小颗粒进行清除。

参见图8-9，传送通道24的外延周向上对应上抛光腔214和下抛光腔215的位置设有供油口262，供油口262外接抛光油泵。供油口262用于向上、下抛光腔214和215内送入抛光油液，有利提供晶圆的抛光。

参见图10，传送通道24的外延周向上对应清洗腔216的位置设有烘干口263，烘干口263外接热风风机。通过烘干口263可以外接烘干设备，比如，热风机，是为了对清洗后的晶圆进行烘干处理，去除表面附着的水，避免附着的水对后续工序带来不必要的麻烦，通过烘干口263的设置可确保进入到每个工位上的晶圆都是干燥的。

本发明的晶圆打磨、抛光处理一体装置，通过对接的上、下载台21和22，在其内部形成一个嵌入式的闭环传送通道24，并在通道上设置对晶圆打磨、抛光的一系列连续处理工序，实现晶圆在通过一个闭环通道处理后，便可实现晶圆的打磨和抛光所有处理工序，中途无需人工转移晶圆，从而减少转移带来的损伤，同时也降低工作人员的工作量，提供对晶圆打磨、抛光处理的效率。另外，采用闭环连续的处理方式，在运行正常的情况下，装置在每运转完成一个处理工序后，便可完成一个打磨和抛光后的晶圆成品，从而提供了晶圆打磨和抛光的效率，其效率是传统打磨和抛光的4-5倍。并且，整个装置结构上简单，避免了采用较为复杂的打磨抛光设备，大大降低投入以及后续维修成本，适合规模化投产使用。

具体地，使用时，装置在每完成一个工序后，通过人工或自动投料的方式，将晶圆从初磨腔211投入，同时取出位于最后一个清洗腔216内完成打磨和抛光后的晶圆，初次投入后晶圆会依次经过双面粗打磨、清洗、上单面细打磨、清洗、下单面打磨、清洗、上单面抛光、清洗、下单面抛光、清洗，十道工序在完成晶圆的打磨和抛光处理。

以上所述仅为本发明的优选实施例而已，并不用于限制本发明，尽管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明，对于本领域的技术人员来说，其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。