阅读说明：本技术 显示装置以及其制造方法 (Display device and method for manufacturing the same ) 是由 市川公也 家段胜好 佐野雅彦 广濑量平 米田裕 于 2020-02-19 设计创作，主要内容包括：本发明提供一种使用微型LED作为像素,制造成本低的显示装置以及其制造方法。显示装置(1)的制造方法,具备如下工序：准备基板(20)和发光元件(30)的工序,在所述基板设定了子像素(11)并按每个子像素(11)设置了第一布线(21),在所述发光元件的下表面设置了第一电极(35)并在相互交叉的至少两个侧面设置了第二电极(33)；在基板(20)上搭载发光元件(30),并将第一电极(35)与第一布线(21)电连接的工序；在基板(20)上形成覆盖发光元件(30)的树脂构件(23)的工序；通过除去树脂构件(23)的上部,使第二电极(33)的一部分从树脂构件(23)的上表面(23a)露出的工序；以及在树脂构件(23)上形成网格状的第二布线(24)以使一部分配置于发光元件(30)上,并将第二布线(24)与第二电极(33)电连接的工序。(The invention provides a display device using a micro LED as a pixel and having low manufacturing cost and a manufacturing method thereof. A method for manufacturing a display device (1) comprises the steps of: a step of preparing a substrate (20) on which sub-pixels (11) are set, a first wiring (21) for each sub-pixel (11) being provided, and a light-emitting element (30) on which a first electrode (35) is provided on the lower surface and second electrodes (33) are provided on at least two side surfaces that intersect each other; a step of mounting a light-emitting element (30) on a substrate (20) and electrically connecting a first electrode (35) to a first wiring (21); a step of forming a resin member (23) on the substrate (20) so as to cover the light-emitting element (30); a step of exposing a part of the second electrode (33) from the upper surface (23a) of the resin member (23) by removing the upper part of the resin member (23); and a step of forming a second wiring (24) in a grid pattern on the resin member (23) so that a part of the second wiring is disposed on the light-emitting element (30), and electrically connecting the second wiring (24) and the second electrode (33).)

显示装置以及其制造方法

技术领域

实施方式涉及一种显示装置以及其制造方法。

背景技术

如专利文献1所示那样，近年来，提出了一种使用微型LED(Light EmittingDiode：发光二极管)作为像素的显示装置。这样的显示装置由于像素由自发光元件构成，因此，相比于使用液晶面板的显示装置，分辨率、对比度以及颜色再现性高。此外，由于微型LED主要由无机半导体材料形成，因此，相比于使用有机材料的有机EL(Organic Electro-Luminescence，有机电致发光)元件，寿命长，且难以产生烧接。

然而，在使用微型LED的显示装置中，需要从发光元件的上表面取出光，并且将发光元件的下表面以及上表面与布线连接。因此，需要在发光元件的上表面兼顾高的导通性和高的光透过性。其结果，存在如下问题：在使用微型LED的显示装置的制造工序中，在基板安装发光元件的工序的难度变高，且制造成本变高。

在先技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2006-140247号公报

发明内容

本发明的一实施方式是鉴于上述问题点而做出的，其目的在于，提供一种使用微型LED作为像素，制造成本低的显示装置以及其制造方法。

本发明的一实施方式的显示装置的制造方法具备：准备基板和发光元件的工序，在所述基板设定了子像素并按每个所述子像素设置了第一布线，在所述发光元件的下表面设置了第一电极并在相互交叉的至少两个侧面设置了第二电极；在所述基板上搭载所述发光元件，并将所述第一电极与所述第一布线电连接的工序；在所述基板上形成覆盖所述发光元件的树脂构件的工序；通过除去所述树脂构件的上部，使所述第二电极的一部分从所述树脂构件的上表面露出的工序；以及在所述树脂构件上形成网格状的第二布线以使一部分配置于所述发光元件上，并将所述第二布线与所述第二电极电连接的工序。

本发明的一实施方式的显示装置具备：基板，其设定了子像素；第一布线，其按每个所述子像素而设置于所述基板上；发光元件，其按每个所述子像素而搭载于所述基板；树脂构件，其覆盖所述发光元件的下部以及所述第一布线；以及网格状的第二布线，其设置于所述树脂构件上，且一部分配置在所述发光元件上。所述发光元件具有：半导体构件；第一电极，其设置于所述半导体构件的下表面，并与所述第一布线电连接；以及第二电极，其设置于所述半导体构件的相互交叉的至少两个侧面，且一部分从所述树脂构件的上表面露出。所述第二布线与所述第二电极中的在所述树脂构件上露出的部分电连接。

根据本发明的一实施方式，能够实现使用微型LED作为像素，制造成本低的显示装置以及其制造方法。

附图说明

图1是表示第一实施方式的显示装置的俯视图。

图2A是基于图1所示的A-A’线的端面图。

图2B是基于图1所示的B-B’线的端面图。

图3A是表示第一实施方式的显示装置的发光元件的俯视图。

图3B是表示第一实施方式的显示装置的发光元件的端面图。

图4A是表示第一实施方式的显示装置的发光元件的平面图。

图4B是基于图4A所示的C-C’线的端面图。

图5A是表示第一实施方式的显示装置的发光元件的第二电极的平面图。

图5B是表示第一实施方式的显示装置的发光元件的第一电极的平面图

图6A是表示第一实施方式的显示装置的制造方法的端面图。

图6B是表示第一实施方式的显示装置的制造方法的端面图。

图7A是表示第一实施方式的显示装置的制造方法的端面图。

图7B是表示第一实施方式的显示装置的制造方法的端面图。

图7C是表示第一实施方式的显示装置的制造方法的端面图。

图8是表示第二实施方式的显示装置的发光元件的端面图。

图9是表示第三实施方式的显示装置的发光元件的端面图。

图10是表示第四实施方式的显示装置的发光元件的俯视图。

图11是表示第五实施方式的显示装置的发光元件的俯视图。

-符号说明-

1：显示装置

10：像素

11、11B、11G、11R：子像素

20：基板

20a：上表面

21：第一布线

22：电极

23：树脂构件

23a：上表面

23b：侧面

24：第二布线

24a：第一直线部分

24b：第二直线部分

24c：断线部

30、30a、30b、30c、30d、30x：发光元件

31：半导体构件

31a：下表面

31b：侧面

31c：上表面

31n：第二半导体层

31t：发光层

31p：第一半导体层

32：光反射层

32a、32b：开口部

33：第二电极

33a：开口部

33b：第一部分

33c：第二部分

34：绝缘层

34a：开口部

35：第一电极

36：保护层

37：第一导电层

38：第二导电层

39：金属镀层

100：支承基板

100a：下表面

101：粘接片

102：导电性糊膏层。

具体实施方式

＜第一实施方式＞

首先，说明第一实施方式。

本实施方式的显示装置1具备：基板20；在基板20上按每个子像素11而设置的第一布线21；在基板20上按每个子像素11而被搭载的发光元件30；覆盖发光元件30的下部以及第一布线21的树脂构件23；以及在树脂构件23上设置且一部分配置于发光元件30上的网格状的第二布线24。发光元件30具有：半导体构件31；在半导体构件31的下表面31a设置且与第一布线21电连接的第一电极35；以及在半导体构件31的相互交叉的至少两个侧面31b设置且一部分从树脂构件23的上表面23a露出的第二电极33。第二布线24与第二电极33的在树脂构件23上露出的部分电连接。

以下，详细说明显示装置1的结构。

如图1、图2A以及图2B所示那样，在本实施方式的显示装置1中，设置有基板20。在基板20，在绝缘性的母材中设置有布线。此外，在基板20上形成了有源矩阵晶体管。有源矩阵晶体管是按每个子像素11，对是否要对发光元件30供给电力进行切换的开关元件。

在基板20设定有多个像素10。像素10沿着相互正交的第一方向以及第二方向被排列成矩阵状。针对各像素10，设定有一个以上例如三个子像素11。在一例中，各像素10中包含的三个子像素11是输出红色光的子像素11R、输出绿色光的子像素11G、以及输出蓝色光的子像素11B。此外，各像素10中包含的子像素11的数量不限于3。在图1，以二点划线表示一个像素10的外缘，以虚线表示一个子像素11R的外缘。

在基板20上设置有第一布线21。从上方观察，第一布线21的形状是按每个子像素11划分的岛状，并与基板20的布线电连接。第一布线21的表面优选光的反射率高。由此，能够将从发光元件30出射的光的一部分向上方反射，并使子像素11的明亮度提高。此外，在基板20上，在子像素11间设置有电极22。从上方观察，电极22的形状是例如格子状。第一布线21以及电极22包含金属，例如由具有相同导电性的金属材料构成，例如由银(Ag)或铜(Cu)构成。例如，第一布线21的厚度与电极22的厚度大致相等。优选地，电极22的表面的光的反射率低于第一布线21的表面的光的反射率。由此，能够降低子像素11间的区域的明亮度，并使画面的对比度提高。在电极22的表面，为了降低光的反射率，例如可以实施粗糙化处理，也可以形成黑膜。

在第一布线21上设置有发光元件30。发光元件30经由第一布线21而搭载于基板20。发光元件30是微型LED。在俯视观察下，微型LED的形状例如是一边的长度为5μm～100μm左右，优选地，是10μm～50μm左右的矩形。在各子像素11，配置有一个以上、优选两个以上例如两个发光元件30。在一例中，在子像素11R配置有输出红色光的发光元件30，在子像素11G配置有输出绿色光的发光元件30，在子像素11B配置有输出蓝色光的发光元件30。在各子像素11配置一个以上发光元件30即可，也可以不必沿一个方向进行直线对准。

在基板20上，按每个子像素11设置有树脂构件23。树脂构件23由绝缘性的树脂材料构成。树脂构件23的形状例如是大致长方体或者方锤台形。第一布线21整体上由树脂构件23覆盖。发光元件30的下部由树脂构件23覆盖，上部从树脂构件23的上表面23a露出。电极22的宽度方向两端部由树脂构件23覆盖，电极22的宽度方向中央部在树脂构件23间露出。

在树脂构件23的上表面23a上以及侧面23b上设置有网格状的第二布线24。第二布线24具有在第一方向上延伸的多个第一直线部分24a、以及在第二方向上延伸的多个第二直线部分24b。第二直线部分24b与第一直线部分24a连结。第二布线24的一部分配置于发光元件30上，并在发光元件30的上表面经过。因此，各发光元件30的上表面的一部分或者侧面的一部分与第二布线24接触。第二布线24的第一直线部分24a的两端部以及第二直线部分24b的两端部与电极22连接。由此，全部的第二布线24经由电极22而相互连接。

接着，详细说明发光元件30的结构。

如图3A以及图3B、图4A以及图4B、图5A以及图5B所示那样，在发光元件30设置有半导体构件31、光反射层32、第二电极33、绝缘层34、第一电极35、保护层36、第一导电层37以及第二导电层38。从上方观察，发光元件30的形状是例如矩形。此外，图3A以及图3B是概略图，仅仅简化地示出了半导体构件31、第一电极35、第二电极33以及光反射层32，省略了其他的结构要素。在后述的图10以及图11中也是同样的。图4A～图5B是详细表示发光元件30的结构的图。为了易于观察图，在图5A中，对第二电极33赋予了阴影线，在图5B中，对第一电极35赋予了阴影线。此外，在图4A、图5A、图5B中，省略了半导体构件31。

半导体构件31的形状例如如图4B所示那样，大体上是逆四方锤梯形，具有下表面31a、四个侧面31b、上表面31c。例如，上表面31c被粗面化。在半导体构件31层叠有第一半导体层31p、发光层31t以及第二半导体层31n。在第一半导体层31p的下表面设置有第一导电层37，在第二半导体层31n的下表面的例如中央部设置有第二导电层38。

在半导体构件31的下表面31a以及侧面31b设置有绝缘性的光反射层32。光反射层32例如是DBR(Distributed Bragg Reflector：分布布拉格反射层)，例如是氧化铌层(NbO)和铝氧化物层(AlO)交替层叠而得的多层膜。光反射层32中的在半导体构件31的下方配置的部分，形成有开口部32a以及32b。开口部32a例如在包含下表面31a的中心的区域形成一处，其形状例如是圆形。在俯视观察下，在开口部32a的内部配置有第二导电层38。开口部32b例如在下表面31a的对角周边形成两处，其形状例如是斜边成为凹状的圆弧的大致直角等腰三角形。在俯视观察下，半导体构件31的第一半导体层31p以及发光层31t、以及第一导电层37仅被配置于开口部32b的内部。与此相对地，在俯视观察下，半导体构件31的第二半导体层31n被配置于由光反射层32围住的区域的整体。

在光反射层32的外侧设置有第二电极33。即，第二电极33隔着光反射层32而配置在半导体构件31的下表面31a上以及侧面31b上。换言之，光反射层32设置于半导体构件31的下表面31a以及侧面31b与第二电极33之间。第二电极33到达半导体构件31的侧面31b的上端，第二电极33的一部分从树脂构件23的上表面23a露出。第二电极33由金属材料构成，例如由银或铝构成。

第二电极33中的与光反射层32的开口部32a相当的部分向上方突出以便进入开口部32a内。第二电极33经由光反射层32的开口部32a而电连接到第二导电层38。第二导电层38在半导体构件31的下表面31a与半导体构件31的第二半导体层31n电连接。另一方面，在第二电极33中的与光反射层32的开口部32b相当的部分形成有开口部33a。即，在开口部32b的正下方区域并未设置第二电极33。

在本实施方式中，第二电极33的形状是将半导体构件31的上表面31c以外的表面包围的杯状，从上方观察，第二电极33设置在半导体构件31的周围。即，在半导体构件31的四个侧面31b的全部设置有第二电极33。但是，如后述那样，第二电极33设置于半导体构件31的相互交叉的至少两个侧面31b即可。此外，在半导体构件31的下表面31a，第二电极33配置在与光反射层32的开口部32a相当的区域，并连接到第二电极33中的设置于侧面31b的部分。

设置有绝缘层34，以便覆盖第二电极33的下部。绝缘层34中的与光反射层32的开口部32a相当的部分向上方突出，以便进入开口部32a内。另一方面，在绝缘层34中的与光反射层32的开口部32b相当的部分形成有开口部34a。即，在开口部32b的正下方区域并未设置绝缘层34。绝缘层34的上端位于比第二电极33的上端低的位置。因此，绝缘层34并未覆盖第二电极33的上部。由于绝缘层34并未覆盖第二电极33的上部，因此如后述那样，第二电极33能够与第二布线24电连接。

在绝缘层34的下方设置有第一电极35。第一电极35由金属材料构成，例如是包含银或铜的金属，也可以是银或铜。第一电极35隔着光反射层32、第二电极33以及绝缘层34，设置于半导体构件31的下表面31a上的大致整体。第一电极35中的与光反射层42的开口部32a以及开口部32b相当的部分分别向上方突出，以便进入开口部32a内以及开口部32b内。第一电极35经由绝缘层34的开口部34a、第二电极33的开口部33a以及光反射层32的开口部32b，电连接至第一导电层37。第一导电层37在半导体构件31的下表面31a，与半导体构件31的第一半导体层31p电连接。在半导体构件31的上表面31c设置有保护层36。

并且，在发光元件30的下表面，第一电极35与第一布线21电连接。发光元件30的半导体构件31的第一半导体层31p经由第一导电层37、第一电极35、第一布线21、基板20内的布线，连接到有源矩阵晶体管。另一方面，第二半导体层31n经由第二导电层38而连接到第二电极33。在发光元件30的上部，第二电极33中的从树脂构件23的上表面23a露出的部分的一部分电连接至第二布线24。由此，向半导体构件31的第一半导体层31p与第二半导体层31n之间供给电力。此外，在图4B中，第二布线24由双点划线表示。

如图1所示那样，在显示装置1中，能够在第二布线24形成断线部24c。由此，能够将具有缺陷的发光元件30x从第二布线24分离。所谓发光元件30x的缺陷是指，例如短路、断线以及不稳定的导通等。

粘接，说明本实施方式的显示装置的制造方法。

图6A～图7C是表示本实施方式的显示装置的制造方法的端面图。

(准备基板20以及发光元件30的工序)

首先，如图6A所示那样，准备基板20以及发光元件30。在基板20，像素10被排列为矩阵状，各像素10中包含一个以上的子像素11。在基板20的上表面20a，按每个子像素11设置第一布线21，并在子像素11间设置有电极22。在第一布线21上设置有导电性糊膏层102。

发光元件30例如通过粘接片101而粘接至支承基板100的下表面100a。在支承基板100中的与各子像素11相当的区域，粘接有一个以上、优选两个以上例如两个发光元件30。发光元件30的结构如上述。即，在发光元件30的下表面设置有第一电极35，在相互交叉的至少两个侧面例如四个侧面设置有第二电极33。

(在基板20搭载发光元件30，并将第一电极35连接到第一布线21的工序)

接着，如图6B所示那样，使粘接了发光元件30的支承基板100的下表面100a与基板20的上表面20a对置，使发光元件30的第一电极35抵接到导电性糊膏层102。接着，使导电性糊膏层102烧结。由此，发光元件30的第一电极35与第一布线21电连接，并且发光元件30被搭载于基板20。之后，导电性糊膏层102作为第一布线21的一部分来表示。

接着，例如通过使粘接片101溶解来将其除去。由此，将支承基板100从发光元件30剥离。这样，将发光元件30从支承基板100转印到基板20。此时，例如，在各子像素11搭载两个发光元件30。此外，从上方观察，发光元件30的形状例如是矩形。

(形成树脂构件23的工序)

接着，如图7A所示那样，在基板20上形成覆盖发光元件30的树脂构件23。例如，在基板20的上表面20a涂敷感光性树脂，并使其显影而固化。或者，将由感光性树脂构成的干膜贴附于基板20的上表面20a。这样，形成了树脂构件23。在该时间点，树脂构件23全部覆盖了在多个子像素11搭载的多个发光元件30。

(使第二电极33从树脂构件23露出的工序)

接着，如图7B所示那样，对树脂构件23的上表面23a进行蚀刻，例如，通过实施使用氧气(O₂)的RIE(Reactive Ion Etching：反应性离子蚀刻)，来除去树脂构件23的上部。由此，包含第二电极33的上部的发光元件30的上部从树脂构件23的上表面23a露出。此外，此时，按每个子像素11划分树脂构件23，来使电极22露出。由此，树脂构件23的形状例如成为大致长方体或者方锤台形。

(在树脂构件23上形成第二布线24的工序)

接着，如图1以及图7C所示那样，在树脂构件23上形成网格状的第二布线24。例如，通过旋涂法在整个面涂敷导电性糊膏，并使其烧结，之后，通过光刻法加工成网格状。由此，在树脂构件23的上表面23a以及侧面23b，形成包含在第一方向上延伸的第一直线部分24a以及在第二方向上延伸的第二直线部分24b的第二布线24。

例如，第一方向以及第二方向是排列像素10的两个方向，但是并不限于此。由两条第一直线部分24a以及两条第二直线部分24b围住的图形并不限于长方形，也可以是平行四边形。此外，第二布线24还可以具有在第三方向上延伸的第三直线部分，例如，从上方观察到的第二布线24的形状可以是排列三角形而得的形状，还可以是排列六边形而得的蜂窝形状。在本说明书中，设为这些形状还包含“网格状”。

从上方观察，使第一直线部分24a的间隔、以及第二直线部分24b的间隔为发光元件30的一边的长度以下，由此，将第二布线24的一部分可靠地配置在发光元件30上。从上方观察，在发光元件30的半导体构件31的周围设置有第二电极33，因此，第二布线24与各发光元件30的第二电极33接触并电连接。此外，第二布线24还与电极22接触并电连接。其结果，全部的发光元件30的第二电极33共通地连接到第二布线24。这样，发光元件30连接到第一布线21以及第二布线24。

(将有缺陷的发光元件30x从第二布线24分离的工序)

接着，如图1所示那样，对各发光元件30进行检查，在检测出有缺陷的发光元件30x之后，通过例如激光加工将与该发光元件30x连接的第二布线24的第一直线部分24a以及第二直线部分24b切断，将发光元件30x从第二布线24分离。之后，对电极22以及第二布线24的表面实施粗糙化处理来使表面为磨砂(mat)状，或者实施黑化处理等来形成黑膜，由此，使电极22以及第二布线24中的光的反射率下降。由此，画面的对比度提高。这样，制造了本实施方式的显示装置1。

接着，说明本实施方式的效果。

在本实施方式的显示装置1中，在各发光元件30中，在半导体构件31的相互交叉的至少两个侧面31b设置有第二电极33。此外，第二布线24的形状在俯视观察下是网格状。因此，即使发光元件30的位置以及角度相比设计而发生少许偏差，各发光元件30的第二电极33也可以在某个部分与第二布线24接触。因此，即使并未使在将发光元件30搭载于基板20时的位置精度过度精密，但是若在发光元件30的第一电极35与第一布线21抵接的程度上是精密的，则能够将发光元件30与第一布线21和第二布线24电连接。因此，在将发光元件30搭载于基板20时的位置以及角度的余量大。其结果，显示装置1的制造容易，且制造成本低。

此外，在本实施方式中，由于将第二电极33配置在发光元件30的侧面，因此，第二电极33无需覆盖半导体构件31的上表面。因此，能够有效地利用从半导体构件31向上方出射的光。此外，通过设第二布线24的形状为网格状，能够通过第二布线24使从发光元件30向侧方出射的光的一部分向上方反射。由此，也能够使光的利用效率提高。

此外，由于通过金属来形成第二布线24，因此，相比于通过ITO(Indium-Tin-Oxide：氧化铟锡)等导电性透明材料来形成的情况，布线的电阻低。因此，显示装置1的电力利用效率高。

此外，进一步地，在显示装置1中，在各子像素11设置有两个发光元件30。该两个发光元件30在第一布线21和第二布线24之间并联。若在某子像素11配置的两个发光元件30每一个均正常，则在该两个发光元件30中并联地流过电流。与此相对地，在两个发光元件30中的一个有缺陷的情况下，通过在第二布线24形成断线部24c，使有缺陷的发光元件30x从第二布线24分离。由此，能够防止发光元件30的缺陷直接变成子像素11的缺陷、例如亮点或暗点。该情况下，由于有缺陷的发光元件30x从电路分离开，因此，在正常的一个发光元件30中流过通常两倍的电流，并输出大约两倍的光。因此，在子像素11不存在有缺陷的发光元件30的情况下、存在一个有缺陷的发光元件30的情况下，子像素11整体的亮度大致相同。

这样，根据本实施方式，能够使在子像素11配置的发光元件30具有冗余性，即使在一个发光元件30发生了缺陷的情况下，也能够使子像素11正常地发挥功能。由此，能够提高显示装置1的成品率，并降低制造成本。此外，还可以在各子像素11设置三个以上的发光元件30。

＜第二实施方式＞

接着，说明第二实施方式。

图8是表示本实施方式的显示装置的发光元件的端面图。

如图8所示那样，在本实施方式的显示装置中设置有发光元件30a。在发光元件30a中，第二电极33到达了半导体构件31的上表面31c的周边部。由此，能够将第二布线24可靠地连接到第二电极33。本实施方式的上述以外的结构、制造方法以及效果与第一实施方式相同。

＜第三实施方式＞

接着，说明第三实施方式。

图9是表示本实施方式的显示装置的发光元件的端面图。

如图9所示那样，在本实施方式的显示装置中设置有发光元件30b。在发光元件30b中，第二电极33被区分为第一部分33b和第二部分33c。第一部分33b被设置于半导体构件31的下表面31a以及侧面31b，第二部分33c被设置于半导体构件31的上表面31c的周边部。第二部分33c从第一部分33b隔离开。此外，在发光元件30b设置有金属镀层39。金属镀层39将第二电极33的第一部分33b与第二部分33c电连接。金属镀层39例如通过电解镀覆法而形成。

根据本实施方式，即使在由于形成第二电极33时的成膜状态，导致第二电极33被分离成第一部分33b和第二部分33c的情况下，也能够通过形成金属镀层39，使第二部分33c作为第二电极33的一部分而发挥功能。本实施方式的上述以外的结构、制造方法以及效果与第一实施方式相同。

＜第四实施方式＞

接着，说明第四实施方式。

图10是表示本实施方式的显示装置的发光元件的俯视图。

如图10所示那样，在本实施方式的显示装置中设置有发光元件30c。在发光元件30c中，第二电极33被设置于半导体构件31的三个侧面31b。该情况下，也能够获得与第一实施方式同样的效果。

＜第五实施方式＞

接着，说明第五实施方式。

图11是表示本实施方式的显示装置的发光元件的俯视图。

如图11所示那样，在本实施方式的显示装置中设置有发光元件30d。在发光元件30d中，第二电极33被设置于半导体构件31的相互交叉的两个侧面31b。该情况下，也能够获得与第一实施方式同样的效果。

[工业可用性]

本发明例如能够利用于在视觉上显示信息的装置，例如能够利用于便携式电子装置、电视接收器、面向多人的显示器等。