阅读说明：本技术 一种led结构及led阵列的巨量转移方法 (L ED structure and L ED array mass transfer method ) 是由 刘鉴明 柯志杰 谈江乔 黄青青 柯毅东 于 2020-04-27 设计创作，主要内容包括：本申请实施例提供了一种LED结构及其LED阵列的巨量转移方法,该方法利用光感应材料层覆盖LED阵列背离第二衬底一侧表面,并填充LED阵列中相邻LED之间的间隙,从而使得光感应材料层既可以作为LED阵列与第一衬底之间的键合层,又可以作为填充相邻LED之间缝隙的牺牲层,并且通过预设光线对光感应材料层的第一区域照射进行去除,保留光感应材料层的第二区域作为链条图形层,无需额外制备链条图形层,从而简化了LED阵列的巨量转移过程中的工艺步骤,还避免了键合层和牺牲层以及链条图形层和牺牲层采用不同材料时的材料不兼容问题,降低了所述LED巨量转移过程中的成本和工艺难度。(The embodiment of the application provides an L ED structure and a huge transfer method of a L ED array thereof, the method utilizes a light-sensitive material layer to cover a surface of a L ED array on a side away from a second substrate and fills a gap between adjacent L EDs in the L ED array, so that the light-sensitive material layer can be used as a bonding layer between a L ED array and a first substrate and also can be used as a sacrificial layer for filling a gap between adjacent L EDs, a first area of the light-sensitive material layer is removed by preset irradiation of light, a second area of the light-sensitive material layer is reserved as a chain pattern layer, and no chain pattern layer is required to be additionally prepared, so that process steps in the huge transfer process of the L ED array are simplified, the problem of incompatibility of materials when the bonding layer and the sacrificial layer, and the chain pattern layer and the sacrificial layer adopt different materials is avoided, and the cost and process difficulty in the huge transfer process of the L ED array are reduced.)

一种LED结构及LED阵列的巨量转移方法

技术领域

本申请涉及Micro-Led巨量转移技术领域，尤其涉及一种LED结构及LED阵列的巨量转移方法。

背景技术

Micro-Led技术，即LED微缩化和矩阵化技术，指的是在一个芯片上集成高密度、微小尺寸的LED阵列的技术，以将像素点的距离从毫米级降低至微米级。由于Micro-Led性能上表现优越，继承了无机LED的高亮度、高良率、高可靠性、体积小、寿命长等优势，在显示领域的应用越来越广泛。

具体的，在Micro-Led的制作过程中，巨量转移是Micro-Led实现产业化的主要瓶颈，如何解决这一技术难题，成为Micro-Led成本降低和量产的关键环节。

发明内容

有鉴于此，本申请实施例提供了一种LED结构及LED阵列的巨量转移方法，以降低了所述LED结构中LED巨量转移的工艺难度和成本。

为实现上述目的，本申请提供如下技术方案：

一种LED阵列的巨量转移方法，包括：

在LED阵列结构第一侧形成覆盖LED阵列的光感应材料层，其中，所述LED阵列结构包括：第二衬底以及位于所述第二衬底第一侧的LED阵列，所述光感应材料层覆盖所述LED阵列背离所述第二衬底一侧表面，并填充所述LED阵列中相邻LED之间的间隙，所述光感应材料层在预设光线的照射下分解；

利用所述光感应材料层，在所述光感应材料层背离所述LED阵列一侧键合第一衬底；

去除所述第二衬底，在所述第一衬底背离所述LED阵列一侧形成第一掩膜版；

以所述第一掩膜版为掩膜，利用所述预设光线对所述光感应材料层进行照射，直至去除所述光感应材料层的第一区域，保留所述光感应材料层的第二区域；

其中，所述光感应材料层的第二区域包括第一组成部分和第二组成部分，所述第一组成部分垂直于所述第一衬底，且与所述第一衬底组合后形成的结构具有多个凹槽，所述第二组成部分位于所述凹槽内，由所述凹槽的侧壁向所述凹槽的中心延伸形成，所述LED通过所述第二组成部分固定在所述凹槽内，且与所述第一衬底之间具有间隙。

可选的，还包括：

在所述光感应材料层的第二区域背离所述第一衬底的一侧形成第二掩膜版；

以所述第二掩膜版为掩膜，利用所述预设光线对所述光感应材料层的第二区域的第二组成部分进行照射，去除所述光感应材料层第二组成部分的部分厚度，保留所述第二组成部分的部分厚度。

可选的，所述第二组成部分保留部分的厚度的取值范围为0.5μm～2μm，包括端点值。

可选的，所述第一掩膜版位于所述凹槽内的部分的图形和所述第二掩膜版位于所述凹槽内的部分的图形互补。

可选的，所述预设光线为紫外激光。

可选的，在LED阵列结构第一侧形成覆盖LED阵列的光感应材料层包括：

在LED阵列结构第一侧旋涂激光感应材料，形成覆盖LED阵列的光感应材料层。

可选的，去除所述第二衬底包括：利用激光剥离工艺，去除所述第二衬底。

可选的，还包括：

从所述LED阵列背离所述第一衬底一侧，对所述LED阵列中的各LED进行抓取。

一种LED结构，包括：

第一衬底；

位于所述第一衬底第一侧的光感应结构，所述光感应结构包括第一组成部分和多个第二组成部分，所述第一组成部分垂直于所述第一衬底，且与所述第一衬底组合后形成的结构具有多个凹槽，所述第二组成部分位于所述凹槽内，由所述凹槽的侧壁的至少部分区域向所述凹槽的中心延伸形成；

位于所述第一衬底第一侧的LED阵列，所述LED阵列包括多个LED，所述LED位于所述凹槽内，与所述凹槽一一对应，通过所述第二组成部分固定在其对应的所述凹槽内；

其中，所述LED的电极朝向所述第一衬底，且所述LED的电极与所述第一衬底之间具有间隙。

可选的，在所述LED至所述第一衬底方向上，所述第二组成部分的厚度取值范围为0.5μm～2μm，包括端点值。

可选的，所述凹槽包括第一侧壁、第二侧壁、第三侧壁和第四侧壁，所述第二组成部分包括：

由所述第一侧壁的至少部分区域向所述凹槽的中心延伸形成的第一凸起；

由所述第二侧壁的至少部分区域向所述凹槽的中心延伸形成的第二凸起；

由所述第三侧壁的至少部分区域向所述凹槽的中心延伸形成的第三凸起；

由所述第四侧壁的至少部分区域向所述凹槽的中心延伸形成的第四凸起。

与现有技术相比，上述技术方案具有以下优点：

本申请实施例所提供的LED阵列的巨量转移方法中，所述光感应材料层覆盖所述LED阵列背离所述第二衬底一侧表面，并填充所述LED阵列中相邻LED之间的间隙，从而使得所述光感应材料层既可以作为所述LED阵列与所述第一衬底之间的键合层，又可以作为填充相邻LED之间缝隙的牺牲层，不仅简化了所述LED阵列中LED巨量转移过程中的工艺步骤，还避免了所述键合层和牺牲层采用不同材料时的材料不兼容问题，降低了所述LED结构的成本。

而且，本申请实施例所提供的LED阵列的巨量转移方法中，通过预设光线对所述光感应材料层的第一区域照射进行去除，保留所述光感应材料层的第二区域作为链条图形层，无需额外制备链条图形层，从而进一步简化了所述LED阵列的LED巨量转移过程中的工艺步骤，还避免了所述链条图形层和牺牲层采用不同材料时的材料不兼容问题，进一步降低了所述LED结构的成本。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1-图5为现有技术中LED阵列中LED巨量转移方法中各工艺步骤完成后的结构示意图；

图6为本申请一个实施例所提供的LED阵列的巨量转移方法的流程图；

图7-图18为本申请一个实施例所提供的LED阵列的巨量转移方法中各工艺步骤所涉及的结构的示意图；

图19为本申请一个实施例所提供的LED结构的示意图。

具体实施方式

下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。

在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本申请，但是本申请还可以采用其他不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本申请内涵的情况下做类似推广，因此本申请不受下面公开的具体实施例的限制。

正如背景技术部分所述，巨量转移是Micro-Led实现产业化的主要瓶颈，如何解决这一技术难题，成为Micro-Led成本降低和量产的关键环节。

现有技术在制作Micro-Led时，其巨量转移方法通常为：

如图1所示，在衬底1上制作完成LED阵列2后，在LED阵列2背离衬底1的一侧形成覆盖LED阵列的牺牲层3；

如图2所示，在所述牺牲层3背离所述LED阵列2一侧形成键合层4，并利用该键合层4在所述牺牲层3背离所述衬底1一侧键合新衬底5；

如图3所示，去除原有衬底1，并在所述LED阵列2背离新衬底5的一侧形成链条图形层6，如图4所示，所述链条图形层6具有空隙；

如图5所示，利用所述链条图形层6的空隙，对所述牺牲层3进行刻蚀，形成悬空结构，以使得所述LED阵列2中的各LED彼此独立；

其中，所述LED阵列2中的各LED通过所述链条图形层6保持相对固定，实现LED阵列的巨量转移，同时便于后续从所述链条图形层6背离悬空结构的一侧，通过所述链条图形层6的空隙，对所述LED阵列2中各LED进行抓取。

但是，上述巨量转移方法中，牺牲层的去除和链条图形的制备工艺复杂，而且对牺牲层、键合层以及链条图形的材料的兼容性要求较高，否则，在对牺牲层进行部分去除的过程中或链条图形制备过程中，容易对键合层造成损伤，影响LED阵列的转移良率，加大了巨量转移的成本和难度。

有鉴于此，本申请实施例提供了一种LED结构及其LED阵列的巨量转移方法，以降低LED巨量转移过程中的成本和工艺难度。

具体的，如图6所示，本申请实施例所提供的LED阵列的巨量转移方法包括：

S501：参考图7，在LED阵列结构第一侧形成覆盖LED阵列的光感应材料层30，其中，所述LED阵列结构包括：第二衬底10以及位于所述第二衬底10第一侧的LED阵列20，所述光感应材料层30覆盖所述LED阵列20背离所述第二衬底10一侧表面，并填充所述LED阵列20中相邻LED之间的间隙，所述光感应材料层30在预设光线的照射下分解。所述LED阵列中各所述LED包括位于所述第二衬底第一侧的外延结构以及位于所述外延结构背离所述第二衬底一侧的电极。

在上述实施例的基础上，在本申请一个实施例中，所述第二衬底为蓝宝石衬底，在本申请其他实施例中，所述第二衬底也可以为硅衬底，本申请对所述第二衬底的材料并不做限定，具体视情况而定。

在上述实施例的基础上，在本申请一个实施例中，在LED阵列结构第一侧形成覆盖LED阵列的光感应材料层包括：在LED阵列结构第一侧旋涂激光感应材料，形成覆盖LED阵列的光感应材料层，但本申请对此并不做限定，在本申请的其他实施例中，还可以采用其他形成方法，在LED阵列结构第一侧形成覆盖LED阵列的光感应材料层，具体视情况而定。

可选的，在上述实施例的基础上，在本申请一个实施例中，所述光感应材料层的最大厚度大于所述LED阵列中各LED的厚度，以使得所述光感应材料层覆盖所述LED背离所述第二衬底一侧表面，从而利于后续形成LED悬空结构，但本申请对所述光感应材料的厚度不做限定，只需保证所述光感应材料层覆盖所述LED阵列中各LED即可，具体视情况而定。

S502：参考图8，利用所述光感应材料层30，在所述光感应材料层30背离所述LED阵列20一侧键合第一衬底40。

在上述实施例的基础上，在本申请一个实施例中，所述第一衬底为蓝宝石衬底，但本申请对此并不做限定，在本申请的其他实施例中，所述第一衬底还可以为其他衬底，如硅衬底，具体视情况而定。

需要说明的是，在本申请实施例中，所述光感应材料层覆盖所述LED阵列背离所述第二衬底一侧表面，并填充所述LED阵列中相邻LED之间的间隙，从而使得所述光感应材料层既可以作为所述LED阵列与所述第一衬底之间的键合层，又可以作为填充相邻LED之间缝隙的牺牲层，不仅简化了所述LED巨量转移过程中的工艺步骤，还避免了所述键合层和牺牲层采用不同材料时的材料不兼容问题，从而降低了所述LED阵列转移过程中的工艺难度和成本。

S503：参考图9，去除所述第二衬底10，在所述第一衬底40背离所述LED阵列20一侧形成第一掩膜版50。

在上述实施例的基础上，在本申请一个实施例中，去除所述第二衬底包括：利用激光剥离工艺，去除所述第二衬底，但本申请对此并不限定，在本申请其他实施例中，还可以利用其他去除工艺，去除所述第二衬底，具体视情况而定。

在上述实施例的基础上，在本申请一个实施例中，在所述第一衬底背离所述LED阵列一侧形成第一掩膜版，包括：

在所述第一衬底背离所述LED阵列一侧涂抹一层光刻胶，形成第一光刻胶层；

对所述第一光刻胶层进行曝光、显影，在所述第一衬底背离所述LED阵列一侧形成第一光刻胶图形作为第一掩膜版。

如图10所示，图10示出了本申请一个实施例所提供的第一掩膜版的俯视图，在本申请实施例中，所述第一掩膜版包括透光区域和不透光区域，以便于后续通过所述第一掩膜版的透光区域对所述光感应材料层进行照射，使得所述光感应材料层对应所述第一掩膜版的透光区域的部分分解。

S504：参考图11，以所述第一掩膜版50为掩膜，利用所述预设光线对所述光感应材料层30进行照射，直至去除所述光感应材料层的第一区域，保留所述光感应材料层的第二区域31，如图12所示。其中，所述光感应材料层的第一区域对应所述第一掩膜版的透光区域，所述光感应材料层的第二区域对应所述第一掩膜版的不透光区域。

在上述实施例的基础上，在本申请一个实施例中，以所述第一掩膜版为掩膜，利用所述预设光线对所述光感应材料层30进行照射，直至去除所述光感应材料层的第一区域，保留所述光感应材料层的第二区域31包括：

以所述第一掩膜版为掩膜，打开光源，将所述预设光线照射在所述第一掩膜版上，所述预设光线透过所述第一掩膜版的透光区域并照射在所述光感应材料层上，直至去除所述光感应材料层的第一区域，仅保留所述光感应材料层位于所述第一掩膜版不透光区域的部分，从而使得所述LED阵列中的各LED彼此独立，并通过所述光感应材料层的第二区域保持相对固定；

去除所述第一掩膜版。

如图12和图13所示，图12为去除所述光感应材料层的第一区域，保留所述光感应材料层的第二区域后的剖视图，图13为去除所述光感应材料层的第一区域，保留所述光感应材料层的第二区域后的俯视图，在本实施例中，所述光感应材料层的第二区域包括第一组成部分311和第二组成部分312，所述第一组成部分311垂直于所述第一衬底40，且与所述第一衬底40组合后形成的结构具有多个凹槽32，所述第二组成部分312位于所述凹槽内，由所述凹槽32的侧壁向所述凹槽32的中心延伸形成，所述LED通过所述第二组成部分312固定在所述凹槽32内，且与所述第一衬底40之间具有间隙，以使得所述LED阵列20中的各LED彼此独立，并通过所述光感应材料层的第二组成部分保持相对固定，实现LED阵列20中多个LED的巨量转移。

由此可见，在本申请实施例中，通过预设光线对所述光感应材料层的第一区域进行照射，去除所述第一区域，保留所述光感应材料层的第二区域后即可形成链条图形，无需额外制备链条图形层，从而进一步简化了所述LED阵列的巨量转移过程中的工艺步骤，还避免了所述链条图形层和牺牲层采用不同材料时的材料不兼容问题。

需要说明的是，在上述实施例的基础上，本申请对所述光感应材料层的第二区域的俯视图形状不做限定，即本申请实施例对所述光感应材料层的第二区域形成链条图形的形状并不做限定，只要保证所述链条图形的制作简易，且可以保证所述LED阵列中的各LED彼此独立，并保持相对固定即可。具体制作时，所述链条图形中的链条的数目和宽度可以根据需要通过改变所述第一掩膜版中透过区域和不透光区域的面积和尺寸获得。

在上述实施例的基础上，在本申请的一个实施例中，在所述LED至所述第一衬底方向上，所述第二组成部分的厚度可以等于所述第一组成部分的厚度，也可以小于所述第一组成部分的厚度，以降低后续各LED抓取时的工艺难度，本申请对此并不做限定，具体视情况而定。

可选的，在本申请的一个实施例中，所述第二组成部分的厚度小于所述第一组成部分的厚度，在本申请实施例中，在本申请一个实施例中，所述巨量转移方法还包括：

参考图14，在所述光感应材料层的第二区域31背离所述第一衬底40的一侧形成第二掩膜版60；

参考图15，以所述第二掩膜版60为掩膜，利用所述预设光线对所述光感应材料层的第二区域31的第二组成部分312进行照射，去除所述光感应材料层第二组成部分312的部分厚度，保留所述光感应材料层第二组成部分312的部分厚度，以使得所述第二组成部分312的厚度小于所述第一组成部分311的厚度，如图16所示。

如图17所示，图17示出了本申请一个实施例中所述第二掩膜版的俯视图，可选的，在本申请实施例中，所述第一掩膜版位于所述凹槽内的部分的图形和所述第二掩膜版位于所述凹槽内的部分的图形互补，具体的，所述第二掩膜版包括透光区域和不透光区域，其中，所述第二掩膜版的透光区域对应所述光感应材料层的第二区域的第二组成部分，所述第二掩膜版的不透光区域对应所述光感应材料层的第一区域以及所述光感应材料层的第二区域的第一组成部分，但本申请对此并不做限定，具体视情况而定。

在上述实施例的基础上，在本申请一个实施例中，以所述第二掩膜版60为掩膜，利用所述预设光线对所述光感应材料层的第二区域31的第二组成部分312进行照射，去除所述光感应材料层第二组成部分312的部分厚度，保留所述光感应材料层第二组成部分312的部分厚度包括：

以所述第二掩膜版为掩膜，打开光源，将所述预设光线照射在所述第二掩膜版上，所述预设光线透过所述第二掩膜版的透光区域照射在所述光感应材料层的第二区域的第二组成部分上；

通过控制所述预设光线的照射强度和照射时间，来控制所述光感应材料层的第二组成部分的分解速度，直至去除所述光感应材料层第二组成部分312的部分厚度，保留所述光感应材料层第二组成部分312的部分厚度；

去除所述第二掩膜版。

由于所述LED阵列中还需要利用所述光感应材料层的第二区域中的第一组成部分使得各LED与所述第一衬底保持相对固定，而所述光感应材料层的第一区域已没有可以利用预设光线分解的部分，因此，在本申请另一个实施例中，所述第二掩膜版的图形还可以如图18所示，即所述第二掩膜版60包括透光区域和不透光区域，所述第二掩膜版的透光区域对应所述第一区域和所述第二区域的第二组成部分，所述第二掩膜版的不透光区域对应所述第二区域的第一组成部分，但本申请对此并不做限定，具体视情况而定。

在上述任一实施例的基础上，在本申请一个实施例中，所述预设光线为紫外激光，在本申请其他实施例中，当所述光感应材料层的材料为红外光感应材料时，所述预设光线为红外激光，但本申请对此并不做限定，具体根据所述光感应材料层的材料而定。

在上述任一实施例的基础上，在本申请一个实施例中，所述巨量转移的方法还包括：从所述LED阵列背离所述第一衬底一侧，对所述LED阵列中的各LED进行抓取。

需要说明的是，在上述实施例的基础上，在本申请一个实施例中，当所述光感应材料层第二区域保留部分的厚度越小时，所述LED阵列中各LED的相对固定的稳定性越差，但后续从所述LED阵列背离所述第一衬底一侧，对所述LED阵列中的各LED进行抓取时，接触所述LED阵列中各LED的面积越大，抓取越方便。

因此，在本申请的一个可选实施例中，所述光感应材料层第二区域的第二组成部分保留部分的厚度的取值范围为0.5μm-2μm，包括端点值，以既可以使得所述LED通过所述第二组成部分和所述第一衬底保持相对固定，又可以降低后续LED的抓取难度。

综上所述，本申请实施例所提供的LED阵列的巨量转移方法中，所述光感应材料层覆盖所述LED阵列背离所述第二衬底一侧表面，并填充所述LED阵列中相邻LED之间的间隙，从而使得所述光感应材料层既可以作为所述LED阵列与所述第一衬底之间的键合层，又可以作为填充相邻LED之间缝隙的牺牲层，不仅简化了所述LED阵列的巨量转移过程中的工艺步骤，还避免了所述键合层和牺牲层采用不同材料时的材料不兼容问题，降低了LED巨量转移过程中的工艺难度和成本。

而且，本申请实施例所提供的LED阵列的巨量转移方法中，通过预设光线照射对所述光感应材料层的第一区域进行去除，保留所述光感应材料层的第二区域作为链条图形层，无需额外制备链条图形层，从而进一步简化了所述LED阵列的巨量转移过程中的工艺步骤，还避免了所述链条图形层和牺牲层采用不同材料时的材料不兼容问题，进一步降低了LED巨量转移过程中的工艺难度和成本。

相应的，本申请实施例还提供了一种LED结构，如图19所示，该LED结构包括：

第一衬底40；

位于所述第一衬底40第一侧的光感应结构31，所述光感应结构31包括第一组成部分311和多个第二组成部分312，所述第一组成部分311垂直于所述第一衬底40，且与所述第一衬底40组合后形成的结构具有多个凹槽，所述第二组成部分312位于所述凹槽内，由所述凹槽的侧壁的至少部分区域向所述凹槽的中心延伸形成；

位于所述第一衬底40第一侧的LED阵列20，所述LED阵列20包括多个LED，所述LED位于所述凹槽内，与所述凹槽一一对应，通过所述第二组成部分312固定在其对应的所述凹槽内；

其中，所述LED包括外延结构以及位于所述外延结构表面的电极，所述LED的电极朝向所述第一衬底40，且所述LED的电极与所述第一衬底40之间具有间隙，即所述LED阵列通过倒装工艺与所述第一衬底固定连接。

本申请实施例所提供的LED结构中，所述第一衬底和所述LED阵列中的各LED通过所述光感应结构固定连接，从而使得LED结构制备过程中，所述光感应结构既可以作为所述LED阵列与所述第一衬底之间的键合层，又可以作为所述LED阵列与所述第一衬底键合前，填充相邻LED之间缝隙的牺牲层，从而简化了所述LED阵列的巨量转移过程中的工艺步骤，避免了所述键合层和牺牲层采用不同材料时的材料不兼容问题，降低了所述LED结构的工艺难度和成本。

而且，本申请实施例所提供的LED结构中，所述光感应结构包括第一组成部分和多个第二组成部分，所述第一组成部分垂直于所述第一衬底，且与所述第一衬底组合后形成的结构具有多个凹槽，所述第二组成部分位于所述凹槽内，由所述凹槽的侧壁的至少部分区域向所述凹槽的中心延伸形成，从而使得所述LED结构制备完成后，所述光感应结构既可以作为固定连接所述LED阵列和所述第一衬底的键合层，又可以作为后续抓取所述LED结构中各LED的链条图形层，从而避免了所述链条图形层和牺牲层单独制作，且采用不同材料时的材料不兼容问题，进一步降低了所述LED结构的工艺难度和成本。

在上述实施例的基础上，在本申请的一个实施例中，在所述LED至所述第一衬底方向上，所述第二组成部分的厚度取值范围为0.5μm～2μm，包括端点值，以既可以使得所述LED通过所述第二组成部分和所述第一衬底保持相对固定，又可以降低后续LED的抓取难度。

在上述任一实施例的基础上，在本申请的一个实施例中，所述凹槽包括第一侧壁、第二侧壁、第三侧壁和第四侧壁，所述第二组成部分包括：由所述第一侧壁的至少部分区域向所述凹槽的中心延伸形成的第一凸起，由所述第二侧壁的至少部分区域向所述凹槽的中心延伸形成的第二凸起，由所述第三侧壁的至少部分区域向所述凹槽的中心延伸形成的第三凸起，由所述第四侧壁的至少部分区域向所述凹槽的中心延伸形成的第四凸起，以兼顾所述光感应结构的工艺难度以及所述LED阵列固定到所述光感应结构上的稳固性。但本申请对此并不做限定，具体视情况而定。

综上，本申请实施例所提供的LED结构及其LED阵列的巨量转移方法，可以降低LED巨量转移过程中的工艺难度和成本。

本说明书中各个部分采用递进的方式描述，每个部分重点说明的都是与其他部分的不同之处，各个部分之间相同相似部分互相参见即可。

对所公开的实施例的上述说明，使本领域专业技术人员能够实现或使用本申请。对这些实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本申请的精神或范围的情况下，在其它实施例中实现。因此，本申请将不会被限制于本文所示的实施例，而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。