阅读说明：本技术 一种先晶粒切割后双面电镀的晶粒生产方法 (Method for producing crystal grains by cutting crystal grains first and then electroplating on two sides ) 是由 严立巍 李景贤 陈政勋 于 2020-03-27 设计创作，主要内容包括：本发明公开一种先晶粒切割后双面电镀的晶粒生产方法,晶粒生产方法包括以下步骤：S1：晶圆键合,晶圆的正面完成金属垫工艺后,在晶圆上形成金属层,将晶圆的正面通过粘合剂键合在环形玻璃载板上；S2：减薄、S3：中间工艺、S4：背面切割、S5：蚀刻工艺、S6：粘合剂去除,采用氧气电浆蚀刻晶粒上的粘合剂,在粘合剂上形成凹槽使金属层露出；S7：电镀,对晶粒的双面进行电镀；S8：解键合,通过解键合将晶粒从玻璃载板上脱离。本发明双面电镀的晶粒生产方法通过中空的玻璃载板对晶粒双面电镀一次完成,取代传统的双面分布电镀的方式,提高了晶圆的生产效率,有利于降低晶圆的生产成本。(The invention discloses a method for producing crystal grains by cutting crystal grains firstly and then electroplating on two sides, which comprises the following steps: s1: bonding the wafer, forming a metal layer on the wafer after the front surface of the wafer is subjected to a metal pad process, and bonding the front surface of the wafer on the annular glass carrier plate through an adhesive; s2: thinning, S3: intermediate process, S4: back side cutting, S5: etching process, S6: removing the adhesive, etching the adhesive on the crystal grains by adopting oxygen plasma, and forming a groove on the adhesive to expose the metal layer; s7: electroplating, wherein the two sides of the crystal grain are electroplated; s8: and (5) bonding, and separating the crystal grains from the glass carrier plate through bonding. The crystal grain production method of double-sided electroplating completes double-sided electroplating of the crystal grains at one time through the hollow glass carrier plate, replaces the traditional double-sided distribution electroplating mode, improves the production efficiency of the wafer, and is beneficial to reducing the production cost of the wafer.)

一种先晶粒切割后双面电镀的晶粒生产方法

技术领域

本发明涉及一种晶粒生产方法，具体是一种先晶粒切割后双面电镀的晶粒生产方法。

背景技术

功率半导体及光学器件生产工艺过程，先晶圆正面完成刻蚀，金属沉积工艺后，晶圆键合玻璃载板上，进行背面薄化，黄光工序及背面金属沉积工艺。被广泛的用在薄化晶圆的工艺过程中，使用的载板为厚度400-700微米的玻璃，晶圆正面无法再进行黄光工艺刻蚀，电镀等工艺，故分次进行黄光工艺刻蚀，电镀等工艺。

目前在晶圆制造工艺过程中，先电镀后切割，双面电镀分步进行，电镀的金属为贵金属，成本较高，电镀后在晶圆表面形成电镀层，再进行切割，极易损伤晶圆，造成贵金属的浪费，影响晶粒的成品率，电镀的设备较昂贵，双面电镀分步进行，提高了晶粒的生产成本。

发明内容

本发明的目的在于提供一种先晶粒切割后双面电镀的晶粒生产方法，通过中空的玻璃载板对晶粒双面电镀一次完成，取代传统的双面分布电镀的方式，提高了晶圆的生产效率，有利于降低晶圆的生产成本；先切割后电镀，减少贵金属的损伤，有利于提高晶粒的成品率。

本发明的目的可以通过以下技术方案实现：

一种先晶粒切割后双面电镀的晶粒生产方法,晶粒生产方法包括以下步骤：

S1：晶圆键合

晶圆的正面完成金属垫工艺后，在晶圆上形成金属层，将晶圆的正面通过粘合剂键合在环形玻璃载板上。

S2：减薄

对晶圆的背面进行减薄。

S3：中间工艺

对晶圆的背面进行黄光、离子注入、干式除灰、湿式剥离和背面金属溅镀/ 蒸镀。

S4：背面切割

对晶圆的背面进行切割，晶圆切割后形成晶粒。

S5：蚀刻工艺

进行黄光工序，以氢氟酸蚀刻玻璃载板上固定有晶粒的相对面，在玻璃载板上形成贯穿孔，贯穿孔正对晶粒，使玻璃载板变成中间空开窗户的玻璃载板。

S6：粘合剂去除

采用氧气电浆蚀刻晶粒上的粘合剂，在粘合剂上形成凹槽使金属层露出。

S7：电镀

对晶粒的双面进行电镀。

S8：解键合

通过解键合将晶粒从玻璃载板上脱离。

进一步的，所述S1中粘合剂通过UV键合/加热键合将晶圆和玻璃载板键合在一起。

进一步的，所述S2中减薄的方法为蚀刻/研磨。

进一步的，所述S4中切割的方法为金刚石切割/激光切割/等离子切割。

进一步的，所述S8中通过镭射的方式解键合。

本发明的有益效果：

1、本发明双面电镀的晶粒生产方法通过中空的玻璃载板对晶粒双面电镀一次完成，取代传统的双面分布电镀的方式，提高了晶圆的生产效率，有利于降低晶圆的生产成本；

2、本发明双面电镀的晶粒生产方法通过先切割后电镀，减少贵金属的损伤，有利于提高晶粒的成品率。

附图说明

下面结合附图对本发明作进一步的说明。

图1是本发明金属垫工艺结构示意图；

图2是本发明晶圆键合结构示意图；

图3是本发明减薄结构示意图；

图4是本发明背面切割结构示意图；

图5是本发明蚀刻工艺结构示意图；

图6是本发明粘合剂去除结构示意图。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本发明保护的范围。

一种先晶粒切割后双面电镀的晶粒生产方法,晶粒生产方法包括以下步骤：

S1：晶圆键合

晶圆1的正面完成金属垫工艺，在晶圆1上形成金属层2，将晶圆1的正面通过粘合剂4键合在环形玻璃载板3上，粘合剂4通过UV键合/加热键合将晶圆1和玻璃载板3键合在一起。

S2：减薄

通过蚀刻/研磨对晶圆1的背面进行减薄。

S3：中间工艺

对晶圆1的背面进行黄光、离子注入、干式除灰、湿式剥离和背面金属溅镀/蒸镀。

S4：背面切割

通过金刚石切割/激光切割/等离子切割的方式对晶圆1的背面进行切割，晶圆1切割后形成晶粒5。

S5：蚀刻工艺

进行黄光工序，以氢氟酸蚀刻玻璃载板3上固定有晶粒5的相对面，在玻璃载板3上形成贯穿孔6，贯穿孔6正对晶粒5，使玻璃载板3变成中间空开窗户的玻璃载板。

S6：粘合剂去除

采用氧气电浆蚀刻晶粒5上的粘合剂4，在粘合剂4上形成凹槽7使金属层 2露出。

S7：电镀

对晶粒的双面进行电镀。

S8：解键合

采用镭射的方式解键合，将晶粒从玻璃载板3上脱离，进行后续的生产工艺。

在本说明书的描述中，参考术语“一个实施例”、“示例”、“具体示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本发明的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不一定指的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。

以上显示和描述了本发明的基本原理、主要特征和本发明的优点。本行业的技术人员应该了解，本发明不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是说明本发明的原理，在不脱离本发明精神和范围的前提下，本发明还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本发明范围内。