阅读说明：本技术 有机发光显示器 (Organic light emitting display ) 是由 金嗂瀚 金容铎 赵尹衡 朴钟珍 尹德灿 李伦圭 崔东昱 于 2020-02-04 设计创作，主要内容包括：提供了一种有机发光显示器。所述有机发光显示器包括：第一基体基底；多个有机发光二极管,设置在第一基体基底上；封装层,设置在有机发光二极管上；以及多个第一颜色转换过滤器,设置在封装层上。封装层包括：第一子无机层,设置在有机发光二极管上；第二子无机层,设置在第一子无机层上,并且具有与第一子无机层的折射率不同的折射率；有机层,设置在第二子无机层上；以及第三子无机层,设置在有机层上。(An organic light emitting display is provided. The organic light emitting display includes: a first base substrate; a plurality of organic light emitting diodes disposed on the first base substrate; an encapsulation layer disposed on the organic light emitting diode; and a plurality of first color conversion filters disposed on the encapsulation layer. The encapsulation layer includes: a first sub-inorganic layer disposed on the organic light emitting diode; a second sub inorganic layer disposed on the first sub inorganic layer and having a refractive index different from that of the first sub inorganic layer; an organic layer disposed on the second sub-inorganic layer; and a third sub-inorganic layer disposed on the organic layer.)

有机发光显示器

本申请要求于2019年2月7日在韩国知识产权局提交的第10-2019-0014470号韩国专利申请的优先权和权益，该韩国专利申请的公开内容通过引用被全部包含于此。

技术领域

本公开涉及一种有机发光显示器(OLED)，更具体地，涉及一种包括量子点颜色转换过滤器的OLED。

背景技术

随着多媒体的发展，显示装置正变得日益重要。因此，正在使用各种类型(例如，各种种类)的显示装置(诸如有机发光显示器(OLED)和液晶显示器(LCD))。

在显示装置中，OLED包括作为自发光元件的有机发光二极管。有机发光二极管可以包括面向彼此的两个电极和置于两个电极之间的有机发光层。从两个电极提供的电子和空穴可以在有机发光层中复合以产生激子。当产生的激子从激发态变为基态时，可以发射光。

因为OLED不需要光源，所以OLED功耗低，可以被做得重量轻且薄，而且具有宽视角、高亮度和高对比度以及快响应速度。由于这些期望的(例如，高质量的)特性，OLED作为下一代显示装置正引起关注。

此外，量子点是尺寸为几纳米并且具有量子限制效应的纳米级的半导体颗粒。在体状态下，量子点表现出一般半导体材料不具有的合适的(例如，优异的)光学性质和电学性质。当受到能量(诸如光)的激发时，量子点可以发射光，并且发射的光的颜色根据颗粒的尺寸而变化。

利用量子点，可以能够实现具有良好的颜色纯度、合适的(例如，优异的)颜色再现性和良好的移动图像特性的大面积和高分辨率显示装置。因此，正在进行大量的研究。

发明内容

本公开的方面涉及一种通过匹配设置在有机发光层上的元件的折射率来改善亮度的有机发光显示器(OLED)。

然而，本公开的方面不限于在这里所阐述的方面。通过参照下面给出的本公开的详细描述，本公开的以上和其他方面对于本公开所属领域的普通技术人员将变得更加明显。

根据实施例，一种有机发光显示器包括：第一基体基底；多个有机发光二极管，位于第一基体基底上；封装层，位于多个有机发光二极管上；以及多个第一颜色转换过滤器，位于封装层上，其中，封装层包括：第一子无机层，位于多个有机发光二极管上；第二子无机层，位于第一子无机层上，并且具有与第一子无机层的折射率不同的折射率(例如，第二子无机层的折射率与第一子无机层的折射率不同)；有机层，位于第二子无机层上；以及第三子无机层，位于有机层上。

根据实施例，一种有机发光显示器包括非发光区域和多个颜色区域。有机发光显示器包括：多个有机发光二极管，分别位于多个颜色区域中；封装层，位于有机发光二极管上；以及波长转换图案，位于封装层上并且位于多个颜色区域中的至少一个颜色区域中，其中，封装层包括：第一无机层，位于多个有机发光二极管上；有机层，位于第一无机层上；以及第二无机层，位于有机层上，其中，第一无机层包括第一子无机层和第二子无机层，第二子无机层具有比第一子无机层的折射率大的折射率，并且第二无机层包括第三子无机层和第四子无机层，第四子无机层具有比第三子无机层的折射率大的折射率。

附图说明

通过下面结合附图对实施例的描述，本公开的以上方面和其他方面将变得明显且更容易理解，在附图中：

图1是根据实施例的有机发光显示器(OLED)的透视图；

图2是沿着图1的线I1-I1'截取的OLED的示意性剖视图；

图3是根据实施例的OLED的示意性平面图；

图4是沿着图3的线I2-I2'截取的OLED的剖视图；

图5是图4中示出的有机发光二极管的放大剖视图；

图6是图5中示出的有机发光二极管的修改示例的剖视图；

图7是图5中示出的有机发光二极管的修改示例的剖视图；

图8是示出在图4的实施例中的第二层间绝缘层与第二盖层之间的光路的示意性剖视图；

图9是示出作为图8的比较示例的另一OLED中的光路的示意性剖视图；

图10是根据第一实验示例的OLED的一部分的示意性剖视图；

图11是根据第二实验示例的OLED的一部分的示意性剖视图；

图12是根据第三实验示例的OLED的一部分的示意性剖视图；

图13是根据第四实验示例的OLED的一部分的示意性剖视图；

图14是根据第五实验示例的OLED的一部分的示意性剖视图；

图15是根据第六实验示例的OLED的一部分的示意性剖视图；

图16是根据实施例的OLED的剖视图；

图17是根据实施例的OLED的剖视图；以及

图18是根据实施例的OLED的剖视图。

具体实施方式

通过参照以下实施例的详细描述和附图，可以更容易地理解当前公开及其实现方法的特征。然而，当前公开的主题可以以许多不同的形式来实施，并且不应被解释为局限于在这里所阐述的实施例。相反，提供这些实施例使得本公开将是彻底的和完整的，并且将向本领域技术人员充分传达当前公开的主题的构思，并且当前公开的主题将仅由所附权利要求及其等同物限定。在整个说明书中，同样的附图标记表示同样的元件。

将理解的是，当元件或层被称为“在”另一元件或层“上”、“连接到”或“结合到”另一元件或层时，该元件或层可以直接在所述另一元件或层上、直接连接到或直接结合到所述另一元件或层，或者可以存在中间元件或层。相反，当元件被称为“直接在”另一元件或层“上”、“直接连接到”或“直接结合到”另一元件或层时，不存在中间元件或层。如在这里所使用的，术语“和/或”包括一个或更多个相关所列项的任何组合和所有组合。

将理解的是，尽管可以在这里使用术语“第一”、“第二”等来描述各种元件、组件、区域、层和/或部分，但这些元件、组件、区域、层和/或部分不应受这些术语的限制。这些术语仅用于将一个元件、组件、区域、层或部分与另一元件、组件、区域、层或部分区分开来。因此，在不脱离当前公开的教导情况下，以下所讨论的第一元件、组件、区域、层或部分可以被命名为第二元件、组件、区域、层或部分。

在这里使用的术语仅用于描述特定实施例的目的，而不意图限制当前公开的主题。如在这里所使用的，除非上下文另有明确表示，否则单数形式“一”、“一个(种/者)”和“该(所述)”也意图包括复数形式。还将理解的是，当在本说明书中使用术语“包括”和/或其变型时，说明存在所陈述的特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组，但不排除存在或添加一个或更多个其他特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组。

根据本公开的各种实施例的有机发光显示器(OLED)是用于显示移动图像和/或静止图像的装置以及/或者用于显示立体图像的装置。OLED可以被用作便携式电子装置(诸如移动通信终端、智能电话、平板计算机、智能手表和/或导航系统)的显示屏以及各种产品(诸如电视、笔记本、监视器、广告牌和/或物联网)的显示屏。然而，本公开的实施例不限于此，并且在不脱离本公开的精神的情况下，OLED也可以被用作其他电子装置的显示屏。

在下文中，将参照附图更详细地描述本公开的实施例。相同的附图标记或相似的附图标记将被用于附图中的相同的元件。

图1是根据实施例的OLED1的透视图。图2是沿着图1的线I1-I1'截取的OLED1的示意性剖视图。图3是根据实施例的OLED1的示意性平面图。

参照图1至图3，OLED1包括显示区域DA和非显示区域NDA。

显示区域DA被限定为显示图像的区域。用于显示图像的元件可以设置在显示区域DA中。

在实施例中，显示区域DA可以具有平坦形状。显示区域DA可以设置在OLED1的中心部分中。然而，显示区域DA的位置和形状不限于附图中示出的位置和形状。在实施例中，显示区域DA可以设置在OLED1的边缘处，并且/或者显示区域DA的至少一部分可以是弯曲的。

显示区域DA包括发光区域和非发光区域NLA。

发光区域被限定为显示区域DA的光通过其透射并被用户观看到的部分。发光区域可以包括多个颜色区域LA11至LAmn。颜色区域LA11至LAmn可以以矩阵(例如，以矩阵的形状)布置。例如，颜色区域LA11至LAmn可以以n×m矩阵布置。作为示例性颜色区域，下面将描述第一行和第一列中的第一颜色区域LA11、第一行和第二列中的第二颜色区域LA12以及第一行和第三列中的第三颜色区域LA13。

颜色区域LA11至LAmn可以包括红色发光区域、绿色发光区域和蓝色发光区域。在一些实施例中，还可以设置有白色发光区域。在实施例中，颜色区域LA11至LAmn可以包括蓝绿色发光区域、品红色发光区域和黄色发光区域，而不是红色发光区域、绿色发光区域和蓝色发光区域。下面将作为示例来描述OLED1的发光区域包括分别发射红光、绿光和蓝光的第一颜色区域LA11、第二颜色区域LA12和第三颜色区域LA13的情况。然而，第一颜色区域LA11、第二颜色区域LA12和第三颜色区域LA13的颜色(例如，颜色类型)和布置顺序不限于该示例。

在本说明书中，蓝光指具有大约450nm至大约495nm的波长范围的光，绿光指具有大约495nm至大约570nm的波长范围的光，红光指具有大约620nm至大约750nm的波长范围的光。

第一颜色区域LA11、第二颜色区域LA12和第三颜色区域LA13可以沿着列方向和/或行方向交替地布置。第一颜色区域LA11、第二颜色区域LA12和第三颜色区域LA13中的每个可以具有四边形形状。

如这里所使用的行方向表示第一方向dr1，第一方向dr1在附图中是水平方向。如这里所使用的列方向表示第二方向dr2，第二方向dr2在附图中是竖直方向。行方向和列方向是彼此相交(例如，交叉)的方向。即，第一方向dr1是与第二方向dr2相交(例如，交叉)的方向。此外，第三方向dr3表示与第二方向dr2和第一方向dr1垂直或相交的方向。即，第三方向dr3是OLED1的厚度方向(例如，第一基底10的厚度方向)。然而，实施例不限于以上所提到的方向，并且应该理解的是，第一方向dr1、第二方向dr2和第三方向dr3中的一个是与所有其他方向垂直或相交的方向(例如，相对的方向)。

在一个实施例中，颜色区域LA11到LAmn可以具有不同的尺寸。在这种情况下，第三颜色区域LA13的尺寸可以大于第一颜色区域LA11的尺寸，并且第一颜色区域LA11的尺寸可以大于第二颜色区域LA12的尺寸。然而，第一颜色区域LA11至第三颜色区域LA13的尺寸的顺序不限于该示例。

非发光区域NLA被限定为用于使显示区域DA中的颜色区域LA11至LAmn分隔的区域。即，非发光区域NLA可以是光不通过其透射的区域。非发光区域NLA可以围绕颜色区域LA11至LAmn中的每个。例如，非发光区域NLA可以呈网状。

非显示区域NDA被限定为不显示图像的区域。非显示区域NDA设置在显示区域DA的至少一侧上。例如，非显示区域NDA可以围绕显示区域DA。在实施例中，扬声器模块和传感器模块可以设置在非显示区域NDA中。在实施例中，传感器模块可以包括遥控传感器、照度传感器、接近传感器、红外传感器和超声波传感器中的至少一种。

OLED1可以具有堆叠结构，该堆叠结构包括例如第一基底10、面向第一基底10的第二基底30、置于第一基底10与第二基底30之间的填充层70以及在填充层70的边缘处将第一基底10和第二基底30结合在一起的密封部50。

第一基底10可以包括用于显示图像的元件和电路，例如，像素电路(诸如开关元件)和有机发光二极管。第一基底10可以是显示基底。

第二基底30可以位于第一基底10上方并面向第一基底10。第二基底30可以是但不限于颜色转换基底，该颜色转换基底包括转换从第一基底10发射的光的颜色的颜色转换过滤器。

密封部50可以位于第一基底10与第二基底30之间。密封部50可以沿着第一基底10和第二基底30的边缘设置在非显示区域NDA中。第一基底10和第二基底30可以通过密封部50结合在一起。密封部50可以包括但不限于诸如环氧树脂的有机材料。

填充层70可以位于第一基底10与第二基底30之间的空间中，并且被密封部50围绕。填充层70可以填充第一基底10与第二基底30之间的空间。填充层70可以由可以透射光的材料制成。例如，填充层70可以包括硅基有机材料、环氧类有机材料、环氧-丙烯酸类有机材料和/或另一合适的有机材料(例如，有机物)。在一些实施例中，填充层70可以是硅橡胶或空气层。这里，空气层可以包含惰性气体(例如氮气或氩气)，或者可以包含各种气体混合物。

现在将参照图4和图5更详细地描述OLED1的堆叠结构。将基于作为包括在发光区域中的示例性颜色区域的第一颜色区域LA11、第二颜色区域LA12和第三颜色区域LA13给出以下描述。

图4是沿着图3的线I2-I2'截取的OLED1的剖视图。图5是图4中示出的有机发光二极管310的放大剖视图。

现在将更详细地描述第一基底10。

第一基底10包括第一基体基底101、设置在第一基体基底101上的多个开关元件TR1、TR2和TR3、设置在开关元件TR1、TR2和TR3上的多个有机发光二极管310以及设置在有机发光二极管310上的封装层400。

以上描述的显示区域DA和非显示区域NDA可以限定在第一基底10中。

第一基体基底101可以是刚性基底。这里，第一基体基底101可以是选自于玻璃基底、石英基底、玻璃陶瓷基底、结晶玻璃基底和增强塑料中的一种。

缓冲层201设置在第一基体基底101上。缓冲层201用于使第一基体基底101的表面平滑并用于防止或减少湿气和/或外部空气的引入。缓冲层201可以是无机层。缓冲层201可以是单层或多层。

开关元件TR1、TR2和TR3设置在缓冲层201上。开关元件TR1、TR2和TR3中的每个可以是薄膜晶体管。附图中示出的开关元件TR1、TR2和TR3中的每个可以是驱动薄膜晶体管。

开关元件TR1、TR2和TR3可以包括第一开关元件TR1、第二开关元件TR2和第三开关元件TR3。一个或更多个开关元件TR1、TR2或TR3可以设置在颜色区域LA11、LA12和LA13中的每个中。例如，第一开关元件TR1可以设置在第一颜色区域LA11中，第二开关元件TR2可以设置在第二颜色区域LA12中，第三开关元件TR3可以设置在第三颜色区域LA13中。

开关元件TR1、TR2和TR3可以分别包括半导体层A1、A2和A3、栅电极G1、G2和G3、源电极S1、S2和S3以及漏电极D1、D2和D3。例如，半导体层A1、A2和A3设置在缓冲层201上。半导体层A1、A2和A3可以包括非晶硅、多晶硅、低温多晶硅和/或有机半导体。在实施例中，半导体层A1、A2和A3可以是氧化物半导体。在一个实施例中，半导体层A1、A2和A3中的每个可以包括沟道区以及设置在沟道区的两侧上并掺杂有杂质的源区和漏区。

栅极绝缘层211设置在半导体层A1、A2和A3上。栅极绝缘层211可以是无机层。栅极绝缘层211可以是单层或多层。

栅电极G1、G2和G3设置在栅极绝缘层211上。栅电极G1、G2和G3可以由具有导电性的金属材料制成。例如，栅电极G1、G2和G3可以包括钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)和/或钛(Ti)。栅电极G1、G2和G3中的每个可以是单层或多层。

第一层间绝缘层212设置在栅电极G1、G2和G3上。第一层间绝缘层212可以是无机层。第一层间绝缘层212可以是单层或多层。

源电极S1、S2和S3以及漏电极D1、D2和D3设置在第一层间绝缘层212上。源电极S1、S2和S3以及漏电极D1、D2和D3由具有导电性的金属材料制成。例如，源电极S1、S2和S3以及漏电极D1、D2和D3可以包括铝(Al)、铜(Cu)、钛(Ti)和/或钼(Mo)。

源电极S1、S2和S3以及漏电极D1、D2和D3可以通过穿过第一层间绝缘层212和栅极绝缘层211的接触孔分别电连接到半导体层A1、A2和A3的源区和漏区。

在一个实施例中，OLED1还可以包括位于第一基体基底101上的存储电容器和开关晶体管。

保护层220设置在源电极S1、S2和S3、漏电极D1、D2和D3以及第一层间绝缘层212上。这里，保护层220覆盖包括开关元件TR1、TR2和TR3的电路单元。保护层220可以是钝化层或平坦化层。钝化层可以包括SiO₂和/或SiN_x等，平坦化层可以包括诸如丙烯酸和/或聚酰亚胺的材料。保护层220还可以包括钝化层和平坦化层两者。在这种情况下，钝化层可以设置在源电极S1、S2和S3、漏电极D1、D2和D3以及第一层间绝缘层212上，并且平坦化层可以设置在钝化层上。保护层220的上表面可以是平坦的。

有机发光二极管310可以设置在保护层220上。有机发光二极管310可以分别设置在颜色区域LA11、LA12和LA13中。现在将更详细地描述每个有机发光二极管310的元件。

多个第一像素电极311可以设置在保护层220上。第一像素电极311可以是分别设置在颜色区域LA11、LA12和LA13中的像素电极。此外，第一像素电极311可以是有机发光二极管310的阳极。

第一像素电极311可以通过穿过保护层220的通孔分别电连接到设置在第一基体基底101上的漏电极D1、D2和D3(或源电极S1、S2和S3)。

第一像素电极311可以包括具有高逸出功的材料。第一像素电极311可以包括氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)和/或氧化铟(In₂O₃)。

在实施例中，颜色区域LA11、LA12和LA13中的分别被第一像素电极311占据的面积在平面图中可以是相同的。即，颜色区域LA11、LA12和LA13中的第一像素电极311可以在平面图中具有相同的表面面积。

像素限定层330设置在第一像素电极311上。像素限定层330包括使各个第一像素电极311至少部分地暴露的开口。在实施例中，开口可以在颜色区域LA11、LA12和LA13中具有不同的宽度。例如，开口可以以第二颜色区域LA12的开口、第一颜色区域LA11的开口和第三颜色区域LA13的开口的顺序具有较小的(例如，减小的)宽度。即，第一像素电极311的被像素限定层330暴露的面积可以以第三颜色区域LA13、第一颜色区域LA11和第二颜色区域LA12的顺序增大。

像素限定层330可以包括有机材料和/或无机材料。在实施例中，像素限定层330可以包括诸如光致抗蚀剂、聚酰亚胺树脂、丙烯酸树脂、硅化合物和/或聚丙烯酸树脂的材料。

有机发光层320可以设置在被像素限定层330暴露的第一像素电极311中的每个上。例如，有机发光层320可以具有其中顺序堆叠有第一空穴传输层HTL1、第一发光层EL11和第一电子传输层ETL1的结构。在实施例中，分别设置在颜色区域LA11、LA12和LA13中的有机发光层320可以均是蓝色有机发光层。

第二像素电极312设置在第一电子传输层ETL1上。第二像素电极312可以是设置在整个第一基体基底101之上而不在颜色区域LA11、LA12和LA13之间进行区分的共电极。此外，第二像素电极312可以是有机发光二极管310中的每个的阴极。

第二像素电极312可以包括具有低逸出功的材料。第二像素电极312可以包括Li、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、Al、Mg、Ag、Pt、Pd、Ni、Au、Nd、Ir、Cr、BaF₂、Ba或它们的化合物或混合物(例如，Ag和Mg的混合物)。第二像素电极312还可以包括辅助电极。辅助电极可以包括通过沉积以上材料中的一种而形成的层以及形成在该层上的透明金属氧化物(诸如ITO、IZO、ZnO和/或ITZO)。

当OLED1是顶发射OLED时，具有低逸出功的薄导电层可以形成为第二像素电极312，并且透明导电层(诸如ITO层、IZO层、ZnO层和/或In₂O₃层)可以堆叠在薄导电层上。

在颜色区域LA11、LA12和LA13中的每个中，第一像素电极311、第一空穴传输层HTL1、第一发光层EL11、第一电子传输层ETL1和第二像素电极312可以构成(例如，形成)一个有机发光二极管310。

每个有机发光二极管310的元件的类型(例如，种类)和堆叠顺序不限于附图中示出的类型和堆叠顺序。有机发光二极管310的各种修改实施例可以被应用于OLED1，稍后将参照图6和图7对此进行更详细的描述。

第二层间绝缘层350设置在第二像素电极312上。第二层间绝缘层350可以是单层或多层。当第二层间绝缘层350被形成为单层时，第二层间绝缘层350可以包括无机材料(例如，无机物)，当第二层间绝缘层350被形成为多层时，第二层间绝缘层350可以是有机-无机复合材料。例如，第二层间绝缘层350可以包括金属氟化物、金属氧化物、金属氮化物和/或金属氧氮化物。第二层间绝缘层350可以通过溅射、原子层沉积(ALD)和/或化学气相沉积(CVD)形成。

第二层间绝缘层350的厚度可以是大约或更小。第二层间绝缘层350可以具有第一折射率。例如，当第二层间绝缘层350是单层时，对于大约560nm(例如，具有大约560nm的波长)的光，第一折射率可以具有大约1.9至大约2.5的范围。在整个说明书中，前面跟有具有单位nm的数字“的光”的表述指具有指定数字的波长的光。例如，表述大约560nm的光指具有大约560nm的波长的光。当第二层间绝缘层350是多层时，对于大约560nm的光，第一折射率可以具有大约1.4至大约2.5的范围。

第二层间绝缘层350可以改善有机发光二极管310的光提取。在实施例中，可以省略(例如，不包括)第二层间绝缘层350。在下文中，术语“省略”指特征不被包括在结构中，或者不重复对特征的描述。

封装层400设置在第二层间绝缘层350上。在其中省略了第二层间绝缘层350的实施例中，封装层400可以直接设置在第二像素电极312上。

封装层400包括无机层。封装层400可以包括多个堆叠层。在附图中，封装层400被示出为包括顺序堆叠在第二层间绝缘层350上的第一无机层410、有机层420和第二无机层430的多层。

第一无机层410可以是多层。在当前实施例中，第一无机层410可以具有其中顺序地堆叠有第一子无机层411、第二子无机层412和第三子无机层413的结构。第一子无机层411、第二子无机层412和第三子无机层413可以具有相同的折射率或不同的折射率。在实施例中，第一无机层410的厚度可以是大约2μm或更小。即，第一子无机层411、第二子无机层412和第三子无机层413的厚度之和可以是大约2μm或更小。

第一子无机层411设置在第二层间绝缘层350上。第一子无机层411可以包括金属氧化物、金属氮化物和/或金属氧氮化物。

第一子无机层411可以包括具有第二折射率的材料。例如，对于大约560nm的光，第二折射率可以具有大约1.4至大约1.6的范围。第二折射率可以低于第一折射率，但不限于此。即，第一子无机层411可以是基本比第二层间绝缘层350稀疏的材料。

在本说明书中，稀疏材料表示具有相对较低的折射率的材料和波(例如光波)以相对较快的速度通过其传播的材料。即，致密材料是比稀疏材料相对致密(例如，光密度致密)的材料。致密材料和稀疏材料显然被理解为两种材料之间的相对概念。

第一子无机层411的厚度可以是大约或更小。第一子无机层411可以是但不限于单层。第一子无机层411可以通过溅射、ALD和/或CVD形成。在实施例中，可以省略第一子无机层411。

第二子无机层412设置在第一子无机层411上。第二子无机层412可以由与第一子无机层411的材料相同的材料制成，或者可以包括结合第一子无机层411举例说明的材料中的一种。

第二子无机层412可以包括具有第三折射率的材料。例如，对于大约560nm的光，第三折射率可以具有大约1.4至大约1.6的范围。在实施例中，第三折射率可以基本等于第二折射率。

第二子无机层412的厚度可以是大约或更大。在实施例中，第二子无机层412可以是单层。第二子无机层412可以通过与第一子无机层411的工艺相同的工艺(例如，相同种类的工艺，例如，相同方法)形成，或者可以通过结合第一子无机层411举例说明的工艺中的一种形成。

当第一子无机层411和第二子无机层412包括相同的材料并且通过相同的工艺(例如，相同种类的工艺)形成时，第一子无机层411可以是用于增大第二子无机层412的厚度的元件。

第三子无机层413设置在第二子无机层412上。第三子无机层413可以由与第一子无机层411的材料相同的材料制成，或者可以包括结合第一子无机层411举例说明的材料中的一种。

第三子无机层413可以包括具有第四折射率的材料。例如，对于大约560nm的光，第四折射率可以具有大约1.5至大约1.57的范围。在实施例中，第四折射率可以高于第三折射率。在这种情况下，第三子无机层413可以由与第二子无机层412相比基本更致密的材料制成。然而，第三折射率和第四折射率的大小之间的关系不限于这种情况。

第三子无机层413的厚度可以是大约或更小。在实施例中，第三子无机层413可以是单层。第三子无机层413可以通过与第一子无机层411的工艺相同的工艺(例如，相同种类的工艺)形成，或者可以通过结合第一子无机层411举例说明的工艺中的一种形成。

有机层420设置在第三子无机层413上。有机层420可以由诸如可光固化丙烯酸、硅树脂和/或环氧树脂的聚合物制成。有机层420可以由对于大约400nm至大约780nm的光具有大约88％或更高的平均透射率并且对于大约380nm至大约410nm的光具有小于10％的平均透射率的材料制成。

有机层420可以具有第五折射率。对于大约560nm的光，第五折射率可以具有大约1.5至大约1.6的范围。在实施例中，第五折射率可以低于第四折射率。在这种情况下，有机层420可以由与第三子无机层413相比基本更稀疏的材料制成。

有机层420的厚度可以是大约2μm至大约10μm。在实施例中，有机层420可以是单层或多层。有机层420可以通过喷墨印刷、狭缝涂覆、丝网印刷和/或一滴填充(或滴下式注入(one-drop filling，ODF))形成。

第二无机层430设置在有机层420上。第二无机层430可以是多层。在当前实施例中，第二无机层430具有其中顺序地堆叠有第四子无机层431、第五子无机层432和第六子无机层433的结构。第四子无机层431、第五子无机层432和第六子无机层433可以具有相同的折射率或不同的折射率。在实施例中，第二无机层430的厚度可以是大约2.6μm或更小。例如，第四子无机层431、第五子无机层432和第六子无机层433的厚度之和可以是大约2.6μm或更小。

第四子无机层431设置在有机层420上。第四子无机层431可以由与第一子无机层411的材料相同的材料制成，或者可以包括结合第一子无机层411举例说明的材料中的一种。

第四子无机层431可以包括具有第七折射率的材料。例如，对于大约560nm的光，第七折射率可以具有大约1.5至大约1.57的范围。

第四子无机层431的厚度可以是大约或更小。在实施例中，第四子无机层431可以是单层。第四子无机层431可以通过与第一子无机层411的工艺相同的工艺(例如，相同种类的工艺)形成，或者可以通过结合第一子无机层411举例说明的工艺中的一种形成。在实施例中，可以省略第四子无机层431。

第五子无机层432设置在第四子无机层431上。第五子无机层432可以由与第一子无机层411的材料相同的材料制成，或者可以包括结合第一子无机层411举例说明的材料中的一种。

第五子无机层432可以包括具有第八折射率的材料。例如，对于大约560nm的光，第八折射率可以具有大约1.6至大约1.9的范围。在实施例中，第八折射率可以等于或高于第七折射率。在这种情况下，第五子无机层432可以由与第四子无机层431的材料相同的材料制成，或者可以由与第四子无机层431相比基本更致密的材料制成。

第五子无机层432的厚度可以是大约2μm至大约10μm。在实施例中，第五子无机层432可以是单层。第五子无机层432可以通过与第一子无机层411的工艺相同的工艺(例如，相同种类的工艺)形成，或者可以通过结合第一子无机层411举例说明的工艺中的一种形成。

当第四子无机层431和第五子无机层432包括相同的材料并且通过相同的工艺(例如，相同种类的工艺)形成时，第四子无机层431可以是用于增大第五子无机层432的厚度的元件。

第六子无机层433设置在第五子无机层432上。第六子无机层433可以由与第一子无机层411的材料相同的材料制成，或者可以包括结合第一子无机层411举例说明的材料中的一种。

第六子无机层433可以包括具有第九折射率的材料。例如，对于大约560nm的光，第九折射率可以具有大约1.55至大约1.65的范围。在实施例中，第九折射率可以高于第八折射率。在这种情况下，第六子无机层433可以由与第五子无机层432相比基本更致密的材料制成。

第六子无机层433的厚度可以是大约或更小。在实施例中，第六子无机层433可以是单层。第六子无机层433可以通过与第一子无机层411的工艺相同的工艺(例如，相同种类的工艺)形成，或者可以通过结合第一子无机层411举例说明的工艺中的一种形成。

可以通过调整封装层400中的每层的折射率来调整从每个有机发光二极管310发射的光的路径。稍后将参照图8对此进行更详细地描述。

现在将更详细地描述第二基底30。在附图中，OLED1包括沿第三方向dr3顺序设置在第一基底10和填充层70上的第三盖层513、第二盖层512、第二颜色转换过滤器、第一盖层511和第一颜色转换过滤器。因为第二基底30面向第一基底10，所以第二基底30的堆叠顺序的方向可以与第一基底10的堆叠顺序的方向相反。即，第一基底10的堆叠顺序的方向可以是第三方向dr3，第二基底30的堆叠顺序的方向可以是与第三方向dr3相反的方向。因此，为了易于描述，仅在第二基底30的描述中，当包括在第二基底30中的第一元件被表述为设置在第二元件上时，指第一元件从第二元件沿着与第三方向dr3相反的方向设置。

第二基底30包括顺序堆叠的第二基体基底601、第一黑矩阵521、第一颜色转换过滤器、第一盖层511、第二颜色转换过滤器、第二盖层512、第二黑矩阵522和第三盖层513。此外，第二基底30还可以包括与第二颜色转换过滤器形成在同一层上的光透射图案533。

包括颜色区域LA11、LA12和LA13的发光区域以及非发光区域NLA可以被限定在第二基底30中。

第二基体基底601可以由透光材料制成。第二基体基底601可以是玻璃基底和/或塑料基底。在实施例中，第二基体基底601可以是窗构件。窗构件可以保护第一基底10和第二基底30免受外部划伤等。

第一黑矩阵521设置在第二基体基底601上。第一黑矩阵521可以沿着颜色区域LA11、LA12和LA13中的每个的边界设置，并且可以阻挡光的透射。第一黑矩阵521可以与像素限定层330叠置。在整个本公开中，当两个元件被描述为彼此“叠置”时，除非另有定义，否则指两个元件在OLED1的厚度方向(即，第三方向dr3)上彼此叠置。第一黑矩阵521可以包括分别限定颜色区域LA11、LA12和LA13的开口。

第一黑矩阵521可以由可以阻挡光的任何合适材料制成。在实施例中，第一黑矩阵521可以由光敏组合物、有机材料(例如，有机物)和/或金属材料制成。在实施例中，光敏组合物可以包括粘合剂树脂、可聚合单体、可聚合低聚物、颜料、分散剂等。金属材料可以包括铬等。

第一颜色转换过滤器设置在第二基体基底601和第一黑矩阵521上。第一颜色转换过滤器可以与第一黑矩阵521的开口叠置。

在实施例中，第一颜色转换过滤器可以是滤色器540。滤色器540中的每个可以仅透射特定颜色的光，并且通过吸收其他颜色的光来阻挡所述其他颜色的光的透射。穿过滤色器540中的每个的光可以显示原色(例如，诸如红色、绿色和蓝色的三原色)中的一种。然而，穿过滤色器540中的每个的光的显示颜色不限于原色，并且还可以是蓝绿色、品红色、黄色和白色中的任何一种。

在当前实施例中，第一颜色转换过滤器可以是第一滤色器(例如，红色第一滤色器)541、第二滤色器(例如，绿色第二滤色器)542和第三滤色器(例如，蓝色第三滤色器)543。

第一滤色器541可以设置在第一颜色区域LA11中。第一滤色器541可以透射第一颜色的光，但是通过吸收第二颜色的光和第三颜色的光来阻挡第二颜色的光和第三颜色的光。这里，第一颜色可以是红色，第二颜色可以是绿色，第三颜色可以是蓝色。例如，第一滤色器541可以是红色滤色器并且可以包括红色着色剂。红色滤色器可以透射红光，但是通过吸收绿光和蓝光来阻挡绿光和蓝光。

第二滤色器542可以设置在第二颜色区域LA12中。第二滤色器542可以透射第二颜色的光，但是通过吸收第一颜色的光和第三颜色的光来阻挡第一颜色的光和第三颜色的光。例如，第二滤色器542可以是绿色滤色器并且可以包括绿色着色剂。绿色滤色器可以透射绿光，但是通过吸收红光和蓝光来阻挡红光和蓝光。

第三滤色器543可以设置在第三颜色区域LA13中。第三滤色器543可以透射第三颜色的光，但是通过吸收第一颜色的光和第二颜色的光来阻挡第一颜色的光和第二颜色的光。例如，第三滤色器543可以是蓝色滤色器并且可以包括蓝色着色剂。蓝色滤色器可以透射蓝光，但是通过吸收红光和绿光来阻挡红光和绿光。

因为滤色器540吸收了相当量的外部光，所以即使在不添加偏振器等的情况下也可以减少外部光的反射。

在实施例中，滤色器540之间的边界部分可以位于非发光区域NLA中。即，滤色器540之间的边界部分可以与第一黑矩阵521叠置。

第一盖层511设置在第一颜色转换过滤器上。第一盖层511可以防止或基本防止杂质(诸如湿气和/或空气)从外部引入并损坏和/或污染滤色器等。此外，第一盖层511可以防止或基本防止包含在每个滤色器中的着色剂扩散到其他元件。

在一些实施例中，第一盖层511可以由无机材料制成。例如，第一盖层511可以包括氮化硅、氮化铝、氮化锆、氮化钛、氮化铪、氮化钽、氧化硅、氧化铝、氧化钛、氧化锡、氧化铈和/或氧氮化硅。

第一盖层511可以通过溅射、ALD和/或CVD形成。

第二颜色转换过滤器和光透射图案533设置在第一盖层511上。第二颜色转换过滤器可以是波长转换图案530。波长转换图案530中的每个可以将入射光的峰值波长转换成另一(例如，特定)峰值波长，并且输出具有所述另一(例如，特定)峰值波长的光。穿过波长转换图案530中的每个的光可以显示原色(例如，诸如红色、绿色和蓝色的三原色)中的一种。然而，穿过波长转换图案530中的每个的光的显示颜色不限于原色，并且还可以是蓝绿色、品红色、黄色和白色中的任何一种。

在当前实施例中，波长转换图案530包括彼此不同的第一波长转换图案531和第二波长转换图案532。

第一波长转换图案531可以设置在第一颜色区域LA11中。在示例性实施例中，第一波长转换图案531可以将蓝光转换成大约610nm至大约650nm的范围内的红光并输出红光。第一波长转换图案531可以不设置在第二颜色区域LA12和第三颜色区域LA13中。

第一波长转换图案531可以包括第一基体树脂5311和分散在第一基体树脂5311中的第一波长转换材料5313，并且还可以包括分散在第一基体树脂5311中的第一散射体5315。

第一基体树脂5311可以是对于第一波长转换材料5313和第一散射体5315具有高透光率和合适的(例如，优良的)分散特性的任何合适的材料。例如，第一基体树脂5311可以包括诸如环氧树脂、丙烯酸树脂、cardo树脂和/或酰亚胺树脂的有机材料。

第一波长转换材料5313可以将入射光的峰值波长转换成另一(例如，特定)峰值波长。第一波长转换材料5313的示例可以包括量子点、量子棒和磷光体。例如，量子点可以是在电子从导带跃迁(例如，移动)至价带时发射特定颜色的光的颗粒材料。

量子点可以是半导体纳米晶体材料。量子点可以根据其组成和尺寸具有特定的带隙。因此，量子点可以吸收光，并且然后发射具有独特波长的光。量子点的半导体纳米晶体的示例包括IV族纳米晶体、II-VI族化合物纳米晶体、III-V族化合物纳米晶体、IV-VI族化合物纳米晶体以及它们的组合。

IV族纳米晶体可以是但不限于硅(Si)、锗(Ge)以及/或者诸如碳化硅(SiC)和/或硅锗(SiGe)的二元化合物。

此外，II-VI族化合物纳米晶体可以是但不限于二元化合物(诸如CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、ZnO、HgS、HgSe、HgTe、MgSe、MgS或它们的组合)、三元化合物(诸如CdSeS、CdSeTe、CdSTe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnSTe、HgSeS、HgSeTe、HgSTe、CdZnS、CdZnSe、CdZnTe、CdHgS、CdHgSe、CdHgTe、HgZnS、HgZnSe、HgZnTe、MgZnSe、MgZnS或它们的组合)和/或四元化合物(诸如HgZnTeS、CdZnSeS、CdZnSeTe、CdZnSTe、CdHgSeS、CdHgSeTe、CdHgSTe、HgZnSeS、HgZnSeTe、HgZnSTe或它们的组合)。

此外，III-V族化合物纳米晶体可以是但不限于二元化合物(诸如GaN、GaP、GaAs、GaSb、AlN、AlP、AlAs、AlSb、InN、InP、InAs、InSb或它们的组合)、三元化合物(诸如GaNP、GaNAs、GaNSb、GaPAs、GaPSb、AlNP、AlNAs、AlNSb、AlPAs、AlPSb、InNP、InNAs、InNSb、InPAs、InPSb或它们的组合)和/或四元化合物(诸如GaAlNP、GaAlNAs、GaAlNSb、GaAlPAs、GaAlPSb、GaInNP、GaInNAs、GaInNSb、GaInPAs、GaInPSb、InAlNP、InAlNAs、InAlNSb、InAlPAs、InAlPSb或它们的组合)。

IV-VI族化合物纳米晶体可以是但不限于二元化合物(诸如SnS、SnSe、SnTe、PbS、PbSe、PbTe或它们的组合)、三元化合物(诸如SnSeS、SnSeTe、SnSTe、PbSeS、PbSeTe、PbSTe、SnPbS、SnPbSe、SnPbTe或它们的组合)和/或四元化合物(诸如SnPbSSe、SnPbSeTe、SnPbSTe或它们的组合)。

量子点可以具有核壳结构，该核壳结构包括包含以上所描述的纳米晶体的核和围绕核的壳。量子点的壳可以用作用于通过防止或减小核的化学变性来保持半导体特性的保护层，和/或用作用于赋予量子点电泳特性的充电层。壳可以是单层或多层。量子点的壳的示例包括金属氧化物或非金属氧化物、半导体化合物以及它们的组合。

例如，金属氧化物或非金属氧化物可以是但不限于二元化合物(诸如SiO₂、Al₂O₃、TiO₂、ZnO、MnO、Mn₂O₃、Mn₃O₄、CuO、FeO、Fe₂O₃、Fe₃O₄、CoO、Co₃O₄和/或NiO)和/或三元化合物(诸如MgAl₂O₄、CoFe₂O₄、NiFe₂O₄和/或CoMn₂O₄)。

此外，半导体化合物可以是但不限于CdS、CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、GaAs、GaP、GaSb、HgS、HgSe、HgTe、InAs、InP、InSb、AlAs、AlP和/或AlSb。

从第一波长转换材料5313发射的光可以具有大约45nm或更小、大约40nm或更小或者大约30nm或更小的半高全宽(FWHM)。因此，可以改善显示装置的颜色纯度和颜色再现性。此外，从第一波长转换材料5313发射的光可以在各个方向上辐射，而与入射光的入射方向无关。因此，可以改善显示装置的横向可视性。

从有机发光二极管310发射的光L的一部分可以透射通过第一波长转换图案531而不被第一波长转换材料5313转换成红光。入射到第一滤色器541上而未被第一波长转换图案531转换的分量(例如，光L的一部分)可以被第一滤色器541阻挡。另一方面，从第一波长转换图案531输出的红光可以通过第一滤色器541透射到外部。因此，从第一颜色区域LA11输出的第一光L1可以是红光。

第一散射体5315可以具有与第一基体树脂5311的折射率不同的折射率，并且可以与第一基体树脂5311形成光学界面。例如，第一散射体5315可以是光散射颗粒。第一散射体5315可以是可以散射透射光的至少一部分的任何合适材料。例如，第一散射体5315可以是金属氧化物颗粒和/或有机颗粒。金属氧化物的示例包括氧化钛(TiO₂)、氧化锆(ZrO₂)、氧化铝(Al₂O₃)、氧化铟(In₂O₃)、氧化锌(ZnO)和氧化锡(SnO₂)。有机颗粒材料的示例包括丙烯酸树脂和聚氨酯树脂。第一散射体5315可以在基本不改变透射通过第一波长转换图案531的光的波长的情况下在随机方向上散射入射光，而与光的入射方向无关。因此，第一散射体5315可以增大透射通过第一波长转换图案531的光的路径的长度，并且增大第一波长转换材料5313的颜色转换效率。

在一些实施例中，第一波长转换图案531的厚度可以是3μm至15μm。第一波长转换材料5313在第一波长转换图案531中的含量(例如，重量百分比)可以是10％至60％。此外，第一散射体5315在第一波长转换图案531中的含量(例如，重量百分比)可以是2％至15％。

第二波长转换图案532可以设置在第二颜色区域LA12中。在示例性实施例中，第二波长转换图案532可以将蓝光转换成大约510nm至大约550nm的范围内的绿光并输出绿光。第二波长转换图案532可以不设置在第一颜色区域LA11和第三颜色区域LA13中。

第二波长转换图案532可以包括第二基体树脂5321和分散在第二基体树脂5321中的第二波长转换材料5323，并且还可以包括分散在第二基体树脂5321中的第二散射体5325。

第二基体树脂5321可以是对于第二波长转换材料5323和第二散射体5325具有高透光率和合适的(例如，优良的)分散特性的任何合适的材料。例如，第二基体树脂5321可以包括诸如环氧树脂、丙烯酸树脂、cardo树脂和/或酰亚胺树脂的有机材料。

第二波长转换材料5323的示例可以包括量子点、量子棒和磷光体。第二波长转换材料5323的其他细节与以上所描述的第一波长转换材料5313的细节基本相同或相似，因此省略其详细的描述。

第一波长转换材料5313和第二波长转换材料5323可以均由量子点组成。在这种情况下，构成第一波长转换材料5313的量子点的直径可以大于构成第二波长转换材料5323的量子点的直径。例如，第一波长转换材料5313的量子点尺寸可以是大约至大约此外，第二波长转换材料5323的量子点尺寸可以是大约至大约

穿过第一波长转换图案531和第二波长转换图案532的光可以通过去偏振而处于非偏振状态。如在这里所使用的，术语“非偏振光”指不是由仅沿特定方向的偏振分量组成的光，即，不是仅在特定方向上偏振的光。换句话说，术语“非偏振光”指由随机偏振分量组成的光。非偏振光的示例是自然光。

第二散射体5325可以具有与第二基体树脂5321的折射率不同的折射率，并且可以与第二基体树脂5321形成光学界面。例如，第二散射体5325可以是光散射颗粒。第二散射体5325的其他细节与以上所描述的第一散射体5315的细节基本相同或相似，因此省略其详细的描述。

在一些实施例中，第二波长转换图案532的厚度可以是3μm至15μm。第二波长转换材料5323在第二波长转换图案532中的含量(例如，重量百分比)可以是10％至60％。此外，第二散射体5325在第二波长转换图案532中的含量(例如，重量百分比)可以是2％至15％。

从有机发光二极管310发射的光L可以被提供给第二波长转换图案532，并且第二波长转换材料5323可以将从有机发光二极管310发射的光L转换成绿光并输出绿光。

从有机发光二极管310发射的光L的一部分可以透射通过第二波长转换图案532而不被第二波长转换材料5323转换成绿光，并且可以被第二滤色器542阻挡。另一方面，在发射光L中，从第二波长转换图案532输出的绿光可以通过第二滤色器542透射到外部。因此，从第二颜色区域LA12输出的第二光L2可以是绿光。

光透射图案533可以位于第三颜色区域LA13中，并且可以不位于第一颜色区域LA11和第二颜色区域LA12中。光透射图案533可以基本照原样透射入射光。

光透射图案533可以包括第三基体树脂5331和分散在第三基体树脂5331中的第三散射体5335。

第三基体树脂5331可以由具有高透光率的有机材料制成。第三基体树脂5331可以由与第一基体树脂5311的材料相同的材料制成，或者可以包括作为第一基体树脂5311的材料的示例所提到的材料中的至少一种。

第三散射体5335可以具有与第三基体树脂5331的折射率不同的折射率，并且可以与第三基体树脂5331形成光学界面。例如，第三散射体5335可以是光散射颗粒。第三散射体5335可以是能够散射透射光中的至少一部分的任何合适的材料。例如，第三散射体5335可以是金属氧化物颗粒和/或有机颗粒。金属氧化物的示例包括氧化钛(TiO₂)、氧化锆(ZrO₂)、氧化铝(Al₂O₃)、氧化铟(In₂O₃)、氧化锌(ZnO)和氧化锡(SnO₂)。有机颗粒材料的示例包括丙烯酸树脂和聚氨酯树脂。第三散射体5335可以在基本不改变透射通过光透射图案533的光的波长的情况下在随机方向上散射入射光，而与光的入射方向无关。因此，第三散射体5335可以改善透射通过光透射图案533的光的横向可视性。

从有机发光二极管310发射的光L通过光透射图案533和第三滤色器543被透射到外部。即，从第三颜色区域LA13输出的第三光L3可以具有与光L(例如，从有机发光二极管310发射的蓝光)的波长相同的波长。

第一波长转换图案531、第二波长转换图案532和光透射图案533可以在平面图中彼此分隔开。因此，第一波长转换图案531、第二波长转换图案532和光透射图案533中的各个材料不会彼此混合。可以在彼此分隔开的第一波长转换图案531、第二波长转换图案532和光透射图案533之间形成空间。

第二盖层512可以设置在第一波长转换图案531、第二波长转换图案532和光透射图案533上。第二盖层512可以覆盖第一波长转换图案531、第二波长转换图案532和光透射图案533。第二盖层512可以包括(例如，覆盖)第一波长转换图案531、第二波长转换图案532和光透射图案533之间的空间。在这些空间中，第二盖层512可以直接接触第一盖层511。

第二盖层512与第一盖层511一起可以密封第一波长转换图案531、第二波长转换图案532和光透射图案533，从而防止或基本防止杂质(诸如湿气和/或空气)从外部引入并损坏和/或污染第一波长转换图案531、第二波长转换图案532和光透射图案533。

第二盖层512可以由无机材料(例如，无机物)制成。第二盖层512可以由与第一盖层511的材料相同的材料制成，或者可以包括在第一盖层511的描述中所提到的材料中的至少一种。

第二盖层512的厚度可以是大约或更小。第二盖层512可以是但不限于单层。第二盖层512可以通过与第一盖层511的方法相同的方法形成，或者可以通过结合第一盖层511举例说明的方法中的一种形成。

第二盖层512可以包括具有第十折射率的材料。例如，对于大约560nm的光，第十折射率可以具有大约1.4至大约2.0的范围。

第二黑矩阵522设置在第二盖层512上。第二黑矩阵522可以沿着颜色区域LA11、LA12和LA13中的每个的边界设置，并且可以阻挡光的透射。第二黑矩阵522可以与像素限定层330叠置。第二黑矩阵522可以与第一波长转换图案531、第二波长转换图案532和光透射图案533之间的空间叠置。

第二黑矩阵522可以由可以阻挡光的任何合适的材料制成。第二黑矩阵522可以由与第一黑矩阵521的材料相同的材料制成，或者可以包括在第一黑矩阵521的描述中所提到的材料中的至少一种。

第三盖层513设置在第二盖层512和第二黑矩阵522上。第三盖层513可以在发光区域中与第二盖层512叠置，并且可以在非发光区域NLA中与第二黑矩阵522叠置。

第三盖层513可以由无机材料(例如，无机物)制成。第三盖层513可以由与第一盖层511的材料相同的材料制成，或者可以包括在第一盖层511的描述中所提到的材料中的至少一种。

第三盖层513的厚度可以是大约或更小。第三盖层513可以是但不限于单层。第三盖层513可以通过与第一盖层511的方法相同的方法形成，或者可以通过结合第一盖层511举例说明的方法中的一种形成。

第三盖层513可以包括具有第十一折射率的材料。例如，对于大约560nm的光，第十一折射率可以具有大约1.55至大约1.65的范围。在实施例中，可以省略第三盖层513。

填充层70位于第三盖层513与第六子无机层433之间。填充层70可以包括具有第十二折射率的材料。对于大约560nm的光，第十二折射率可以具有大约1.4至大约1.6的范围。在实施例中，第十二折射率可以比第十一折射率和第九折射率低。在这种情况下，填充层70可以由与第三盖层513和第六子无机层433相比基本更稀疏的材料制成。

图6是图5中示出的有机发光二极管310的修改示例的剖视图。图7是图5中示出的有机发光二极管310的修改示例的剖视图。

参照图6，包括在有机发光二极管310_1中的有机发光层320_1还可以包括位于第一发光层EL11上的第一电荷产生层CGL11以及位于第一电荷产生层CGL11上的第二发光层EL12，并且第一电子传输层ETL1可以位于第二发光层EL12上。

第一电荷产生层CGL11可以将电荷注入到每个相邻的发光层中。第一电荷产生层CGL11可以调节第一发光层EL11与第二发光层EL12之间的电荷平衡。在一些实施例中，第一电荷产生层CGL11可以包括n型电荷产生层和p型电荷产生层。p型电荷产生层可以设置在n型电荷产生层上。

与第一发光层EL11相似，第二发光层EL12可以但不必须发射蓝光。第二发光层EL12可以发射具有与从第一发光层EL11发射的蓝光的峰值波长相同的或不同的峰值波长的蓝光。在实施例中，第一发光层EL11和第二发光层EL12可以发射不同颜色的光。即，当第一发光层EL11发射蓝光时，第二发光层EL12可以发射绿光。

因为如上所述构造的有机发光层320_1包括两个发光层，所以其可以具有比图5的结构好的发光效率和长的寿命(例如，使用寿命)。

图7示出了包括在有机发光二极管310_2中的有机发光层320_2可以包括三个发光层EL11、EL12和EL13以及置于三个发光层EL11、EL12和EL13之间的两个电荷产生层CGL11和CGL12。参照图7，有机发光层320_2还可以包括位于第一发光层EL11上的第一电荷产生层CGL11、位于第一电荷产生层CGL11上的第二发光层EL12、位于第二发光层EL12上的第二电荷产生层CGL12以及位于第二电荷产生层CGL12上的第三发光层EL13。第一电子传输层ETL1可以位于第三发光层EL13上。

与第一发光层EL11和第二发光层EL12相似，第三发光层EL13可以发射蓝光。在实施例中，第一发光层EL11、第二发光层EL12和第三发光层EL13中的每个可以发射蓝光。这里，从第一发光层EL11至第三发光层EL13发射的蓝光的峰值波长可以完全相同，或者峰值波长中的一些可以不同。在实施例中，第一发光层EL11、第二发光层EL12和第三发光层EL13可以发射不同颜色的光。例如，每个发光层可以发射蓝光或绿光。可选择地，发光层可以分别发射红光、绿光和蓝光，从而整体提供白光。

现在将参照图8和图9更详细地描述从有机发光二极管310发射的光的路径。

图8是示出在图4的实施例中的第二层间绝缘层350与第二盖层512之间的光路的示意性剖视图。图9是示出作为图8的比较示例的另一OLED中的光路的示意性剖视图。图8和图9示出了任何一个颜色区域(例如，颜色区域中的任何一个)的剖面。在图8和图9中，为了易于描述，夸大了每个元件的厚度。

与图8的实施例不同，图9的OLED不包括第一子无机层411、第三子无机层413、第四子无机层431、第六子无机层433和第三盖层513。

如以上所描述的，从第一基底10的有机发光二极管310发射的光可以朝向第二基底30行进。在图8和图9中，在有机发光二极管310与第二层间绝缘层350之间，发射光L包括具有0度(θa)的入射角和0度(θa')的折射角的第一发射光La、具有第一角度θb的入射角和第二角度θb'的折射角的第二发射光Lb以及具有第三角度θc的入射角和第四角度θc'的折射角的第三发射光Lc。这里，第一角度θb、第二角度θb'、第三角度θc和第四角度θc'为锐角。第三角度θc大于第一角度θb。

参照图8，从根据当前实施例的OLED1的有机发光二极管310发射的光La、Lb和Lc可以顺序地穿过第二层间绝缘层350、第一子无机层411、第二子无机层412、第三子无机层413、有机层420、第四子无机层431、第五子无机层432、第六子无机层433、填充层70、第三盖层513和第二盖层512，以到达第二颜色转换过滤器或光透射图案533。

参照图9，从根据比较实施例的OLED的有机发光二极管310发射的光La'、Lb'和Lc'可以顺序地穿过第二层间绝缘层350、第二子无机层412、有机层420、第五子无机层432、填充层70和第二盖层512，以到达第二颜色转换过滤器或光透射图案533。

首先，将更详细地描述图8的发射光La、Lb和Lc。

第一光La可以顺序地穿过从第二层间绝缘层350到第二盖层512的多个层而不被折射，并且然后到达波长转换图案530或光透射图案533。

在第二层间绝缘层350与第一子无机层411和第二子无机层412之间的边界表面处，第二发射光Lb和第三发射光Lc中的每个的折射角可以变得比入射角大，第一子无机层411和第二子无机层412是比第二层间绝缘层350的材料稀疏的材料。在第一子无机层411和第二子无机层412与第三子无机层413之间的边界表面处，第二发射光Lb和第三发射光Lc中的每个的折射角可以变得比入射角小，第三子无机层413是比第一子无机层411和第二子无机层412的材料致密的材料。在第三子无机层413与有机层420之间的边界表面处，第二发射光Lb和第三发射光Lc中的每个的折射角可以变得比入射角大，有机层420是比第三子无机层413的材料稀疏的材料。在有机层420与第四子无机层431和第五子无机层432之间的边界表面处，第二发射光Lb和第三发射光Lc中的每个的折射角可以变得比入射角小，第四子无机层431和第五子无机层432是比有机层420的材料致密的材料。在第四子无机层431和第五子无机层432与第六子无机层433之间的边界表面处，第二发射光Lb和第三发射光Lc中的每个的折射角可以变得比入射角小，第六子无机层433是比第四子无机层431和第五子无机层432的材料致密的材料。在第六子无机层433与填充层70之间的边界表面处，第二发射光Lb和第三发射光Lc中的每个的折射角可以变得比入射角大，填充层70是比第六子无机层433的材料稀疏的材料。在填充层70与第三盖层513和第二盖层512之间的边界表面处，第二发射光Lb和第三发射光Lc中的每个的折射角可以变得比入射角小，第三盖层513和第二盖层512是比填充层70的材料致密的材料。以此方式，第二发射光Lb和第三发射光Lc可以全部到达波长转换图案530或光透射图案533。

接下来，将描述图9的发射光La'、Lb'和Lc'。

如在图8的OLED1中，来自图9的有机发光二极管310的第二发射光Lb'可以到达波长转换图案530或光透射图案533。

另一方面，第三发射光Lc'不会到达波长转换图案530或光透射图案533。因为从图9的OLED省略了其是比设置在第三子无机层413和第六子无机层433下的元件的材料相对致密的材料的第三子无机层413和第六子无机层433，所以与图8的OLED1相比，会减少了其中折射角变得小于入射角的部分。因此，在发射光中，与图8的OLED1中的光L相比，在图9的OLED中更多(例如，更大部分)的光L不会到达波长转换图案530或光透射图案533。

OLED1可以通过在发射光L沿其行进的方向上设置相对致密的材料来减少光损失。

根据本公开的实施例，现在将利用图10至图15的实验示例更详细地描述界面折射率差(例如，形成界面的层之间的折射率差)与光损失之间的关系。

图10是根据第一实验示例的OLED的一部分的示意性剖视图。图11是根据第二实验示例的OLED的一部分的示意性剖视图。图12是根据第三实验示例的OLED的一部分的示意性剖视图。图13是根据第四实验示例的OLED的一部分的示意性剖视图。图14是根据第五实验示例的OLED的一部分的示意性剖视图。图15是根据第六实验示例的OLED的一部分的示意性剖视图。

参照图10至图15，根据实验示例的OLED与图4的OLED1的不同之处在于封装层400_1、400_2、400_3、400_4、400_5和400_6的构造。这里，封装层400_1、400_2、400_3、400_4、400_5和400_6中的每个被置于第二层间绝缘层350(或有机发光二极管310)与填充层70之间。

第一实验示例的封装层400_1可以具有其中顺序地堆叠有第二子无机层412(例如，412_1)、第三子无机层413(例如，413_1)、有机层420(例如，420_1)和第五子无机层432(例如，432_1)的结构。

第二实验示例的封装层400_2可以具有其中顺序地堆叠有第二子无机层412(例如，412_2)、第三子无机层413(例如，413_1)、有机层420(例如，420_1)和第五子无机层432(例如，432_2)的结构。

第三实验示例的封装层400_3可以具有其中顺序地堆叠有第二子无机层412(例如，412_2)、第三子无机层413(例如，413_1)、有机层420(例如，420_1)、第五子无机层432(例如，432_2)和第六子无机层433(例如，433_1)的结构。

第四实验示例的封装层400_4可以具有其中顺序地堆叠有第二子无机层412(例如，412_2)、第三子无机层413(例如，413_2)、有机层420(例如，420_1)、第五子无机层432(例如，432_2)和第六子无机层433(例如，433_2)的结构。

第五实验示例的封装层400_5可以具有其中顺序地堆叠有第二子无机层412(例如，412_2)、第三子无机层413(例如，413_3)、有机层420(例如，420_1)、第五子无机层432(例如，432_2)和第六子无机层433(例如，433_3)的结构。

第六实验示例的封装层400_6可以具有其中顺序地堆叠有第二子无机层412(例如，412_2)、第三子无机层413(例如，413_1)、有机层420(例如，420_1)和第五子无机层432(例如，432_3)的结构。根据第一实验示例、第二实验示例、第三实验示例、第四实验示例、第五实验示例和第六实验示例的封装层400_1、400_2、400_3、400_4、400_5和400_6中的每个中的每个元件的厚度和折射率如下面表1中所示。

表1

与第二实验示例的OLED的前光效率相比，第一实验示例的OLED的前光效率降低了大约6％。与第二实验示例的OLED的前光效率相比，第三实验示例的OLED的前光效率增大了大约4％。与第二实验示例的OLED的前光效率相比，第四实验示例的OLED的前光效率增大了大约1％。与第二实验示例的OLED的前光效率相比，第五实验示例的OLED的前光效率降低了大约1％。与第二实验示例的OLED的前光效率相比，第六实验示例的OLED的前光效率降低了大约2％。

通过将第一实验示例和第二实验示例进行比较，可以看出，随着第二子无机层412与第三子无机层413之间的折射率差以及有机层420与第五子无机层432之间的折射率差减小，前光效率增大。在一些实施例中，第二子无机层412与第三子无机层413之间的折射率差可以是0.09或更小。此外，在一些实施例中，有机层420与第五子无机层432之间的折射率差可以是0.14或更小。

通过比较第二实验示例和第三实验示例，可以看出，随着填充层70与封装层400之间的界面折射率差减小，前光效率增加。这里，由于填充层70由比封装层400的材料稀疏的材料形成，所以与第二实验示例相比，第三实验示例在填充层70与第六子无机层433_1之间具有较小的界面折射率差，第二实验示例在填充层70与第五子无机层432_2之间具有较大的界面折射率差。

通过比较第三实验示例、第四实验示例和第五实验示例，可以看出，当界面折射率相同时，第三子无机层413和第六子无机层433中的每个的期望厚度(例如，最佳厚度)是大约0.1μm。在一些实施例中，第三子无机层413和/或第六子无机层433的厚度可以是大约0.1μm。

接下来，将描述根据附加实施例的OLED。与结合图1至图15描述的那些元件相同的元件由相同的附图标记表示，并且将不重复其详细的描述。

图16是根据实施例的OLED2的剖视图。

参照图16，根据当前实施例的OLED2与图4的OLED1的不同之处在于省略了第二黑矩阵522。

第二基底30可以包括设置在第一盖层511上的第二颜色转换过滤器和光透射图案533。第二盖层512和第三盖层513可以设置在第二颜色转换过滤器和光透射图案533上。第二盖层512和第三盖层513可以彼此直接接触，而没有元件置于第二盖层512与第三盖层513之间。

图17是根据实施例的OLED3的剖视图。

参照图17，根据当前实施例的OLED3与图4的OLED1的不同之处在于省略了封装层400的第一子无机层411和第四子无机层431以及第三盖层513。

封装层400_7可以包括设置在第二层间绝缘层350上的第二子无机层412、设置在第二子无机层412上的第三子无机层413、设置在第三子无机层413上的有机层420、设置在有机层420上的第五子无机层432以及设置在第五子无机层432上的第六子无机层433。封装层400_7可以比图4的实施例的封装层400相对薄。因此，可以减小OLED3的总厚度。

第二黑矩阵522可以设置在第二盖层512上。第二基底30和填充层70可以彼此接触，并且第二基底30的第二盖层512的一部分和第二黑矩阵522可以接触填充层70。与图4的实施例中的不同，可以省略第三盖层513，从而使得OLED3的总厚度相对较小。

图18是根据实施例的OLED4的剖视图。

参照图18，根据当前实施例的OLED4与图17的OLED3的不同之处在于其还包括第三盖层513。

在第二基底30中，第二黑矩阵522可以设置在第二盖层512上，并且第三盖层513可以设置在第二盖层512和第二黑矩阵522上。第二基底30的第三盖层513可以接触填充层70。

根据实施例，可以通过调节OLED的元件之间的界面折射率差来增大在前部处提取的光的量。因此，可以改善OLED的亮度。

此外，可以利用根据本公开的实施例的OLED的颜色转换层来增大颜色转换效率。

然而，实施例的效果不限于在这里所阐述的实施例的效果。通过参照权利要求书及其等同物，实施例的以上和其他效果对于实施例所属领域的普通技术人员将变得更加明显。

诸如“……中的至少一个(种/者)”或“选自于……中的至少一个(种/者)”的表述在一列元件表后面时，修饰整列元件，而不修饰所述列中的单个元件。此外，描述本发明的实施例时，使用“可以”指“本发明中的一个或更多个实施例”。另外，术语“示例性”意图指示例或例证。

如在这里所使用的，术语“基本”、“大约”和相似术语被用作近似的术语而不是程度的术语，并且意图说明测量值或计算值中的将被本领域普通技术人员所认识的固有偏差。此外，这里所叙述的任何数值范围意图包括包含在所叙述的范围内的相同数值精度的所有子范围。例如，“1.0至10.0”的范围意图包括所叙述的最小值1.0与所叙述最大值10.0之间(并且包括1.0和10.0)的所有子范围，即，具有等于或大于1.0的最小值和等于或小于10.0的最大值(诸如，以2.4至7.6为例)。在这里所叙述的任何最大数值限制意图包括包含在其中的所有较低数值限制，并且本说明书所叙述的任何最小数值限制意图包括包含在其中的所有较高数值限制。因此，申请人保留修改本说明书(包括权利要求书)的权利，以明确叙述包含在这里明确叙述的范围内的任何子范围。所有这样的范围都意图在本说明书中进行固有的描述，使得进行修改以明确叙述任何这样的子范围。

尽管已经参照附图描述了本公开的示例性实施例，但是本公开所属领域的技术人员将理解的是，在不改变本公开的技术精神和本质特征的情况下，本公开的主题可以以其他(例如，详细的)形式实施。因此，本公开的以上描述的示例性实施例在所有方面仅是示例性的，并且不应解释为限制性的。