阅读说明：本技术 包括辅助像素的显示装置 (Display device comprising auxiliary pixels ) 是由 金彰穆 韩东垣 于 2020-02-05 设计创作，主要内容包括：提供了一种显示装置。所述显示装置包括包含传感器区域、至少部分地围绕传感器区域的第一非显示区域以及至少部分地围绕第一非显示区域的显示区域的基底。多个辅助像素设置在传感器区域中。多个辅助像素被构造为无源矩阵驱动。多个主像素设置在显示区域中,并被构造为有源矩阵驱动。(A display device is provided. The display device includes a substrate including a sensor region, a first non-display region at least partially surrounding the sensor region, and a display region at least partially surrounding the first non-display region. A plurality of auxiliary pixels are disposed in the sensor region. The plurality of auxiliary pixels are configured to be passive matrix driven. A plurality of main pixels are disposed in the display area and configured for active matrix driving.)

包括辅助像素的显示装置

本申请要求于2019年2月7日在韩国知识产权局提交的第10-2019-0014441号韩国专利申请的权益和优先权，该韩国专利申请的公开内容通过引用全部包含于此。

技术领域

本公开涉及一种显示装置，并且更具体地，涉及一种包括辅助像素的显示装置。

背景技术

显示装置作为用于向用户提供信息和图像的手段被广泛地使用于各种电子设备中。虽然显示装置传统上以矩形形式来获得，但是现代显示装置可以具有多种不同的形状和尺寸。此外，虽然显示装置传统上仅用于显示图像，但是现代显示装置可以包含诸如传感器的其它输入/输出器件。这些传感器通常设置在显示装置的其中不显示图像的边框区域内。

随着现代显示设备的边框区域的尺寸变得越来越小，传感器已经被移动到显示设备的显示区域，其中传感器可能出现在其中不显示图像的显示区域中的切口或凹口内。该切口或凹口可以被显示设备的显示区域部分地或完全地围绕。

发明内容

本发明构思的一个或更多个实施例可以包括具有显示区域和传感器区域的显示装置。图像可以在显示区域内显示。一个或更多个传感器可以设置在传感器区域内。这些传感器可以被构造为向显示装置提供附加功能。

根据本发明构思的一个或更多个实施例，显示装置包括包含传感器区域的基底。第一非显示区域围绕传感器区域。显示区域至少部分地围绕第一非显示区域。多个辅助像素设置在传感器区域内。这些辅助像素被构造为通过无源矩阵驱动来驱动。多个主像素设置在显示区域中。这些主像素被构造为通过有源矩阵驱动来驱动。多个辅助薄膜晶体管设置在第一非显示区域中。这些辅助薄膜晶体管被构造为驱动多个辅助像素。

显示装置还可以包括布置在基底的下表面上的组件，使得组件对应于传感器区域。

多个辅助像素可以位于其中基本沿第一方向延伸的多个水平电极和基本沿与第一方向交叉的第二方向延伸的多个竖直电极彼此相交的区域中。

多个主像素中的每个可以包括至少一个薄膜晶体管。

多个辅助像素中的每个可以包括水平电极、竖直电极以及布置在水平电极与竖直电极之间的中间层。多个辅助薄膜晶体管中的每个可以包括连接到水平电极的第一辅助薄膜晶体管和连接到竖直电极的第二辅助薄膜晶体管。

多个主像素中的每个可以包括像素电极、中间层和对电极。第一辅助薄膜晶体管的源电极或漏电极可以连接到对电极。

第二辅助薄膜晶体管的栅电极可以连接到用于将数据信号传输到多个主像素的数据线。

第二辅助薄膜晶体管的源电极或漏电极可以连接到位于第一非显示区域中的驱动电压线。

显示装置还可以包括设置在基底的下表面上的下保护膜，其中下保护膜可以包括对应于传感器区域的开口。

显示装置还可以包括从显示区域延伸、布置在第一非显示区域中并沿着传感器区域的边缘绕行的多条线。

多条线中的每条可以包括第一非显示区域中的弯曲部分。

多个辅助像素中的每个的发光区域的尺寸可以大于多个主像素中的每个的发光区域的尺寸。

在传感器区域中实现的分辨率可以在约50ppi到约400ppi的范围内。

根据本发明构思的一个或更多个实施例，显示装置包括基底，基底包括传感器区域、至少部分地围绕传感器区域的第一非显示区域以及至少部分地围绕第一非显示区域的显示区域。多个辅助像素设置在传感器区域中。这些辅助像素被构造为通过无源矩阵驱动来驱动。多个主像素设置在显示区域中。这些主像素被构造为通过有源矩阵驱动来驱动。组件设置在基底下面以对应于传感器区域。

组件可以是被构造为输出和/或感测红外光的传感器。

传感器区域可以具有约15％或更高的红外透射率。

多个辅助像素可以位于其中基本沿第一方向延伸的多个水平电极和基本沿与第一方向交叉的第二方向延伸的多个竖直电极彼此相交的区域中。

显示装置还可以包括用于驱动所述多个辅助像素的多个辅助薄膜晶体管。多个辅助薄膜晶体管可以布置在第一非显示区域中。

显示装置还可以包括从显示区域延伸、布置在第一非显示区域中并沿着传感器区域的边缘绕行的多条线。

显示装置还可以包括设置在基底的下表面上的下保护膜，其中下保护膜包括对应于传感器区域的开口。

附图说明

通过以下结合附图对实施例的描述，本公开的更完整的理解以及本公开的许多附加方面将变得明显和更容易理解，在附图中：

图1是示出根据本发明构思的示例性实施例的显示装置的示意性透视图；

图2是示出根据本发明构思的示例性实施例的显示装置的示意性剖视图；

图3是示出根据本发明构思的示例性实施例的显示装置的示意性平面图；

图4A是示出被构造为被可以设置在根据本发明构思的示例性实施例的显示装置的显示区域中的有源矩阵驱动来驱动的像素的等效电路图；

图4B是示出被构造为被可以设置在根据本发明构思的示例性实施例的显示装置的显示区域中的有源矩阵驱动来驱动的像素的等效电路图；

图5是示出被构造为被可以设置在根据本发明构思的示例性实施例的显示装置的传感器区域中的无源矩阵驱动来驱动的像素的等效电路图；

图6是示出根据本发明构思的示例性实施例的显示装置的传感器区域和外围区域的示意性平面图；

图7是沿着图6的线I-I'截取的示意性剖视图；

图8是沿着图6的线II-II'截取的示意性剖视图；并且

图9是示出根据本发明构思的示例性实施例的显示装置的示意性平面图。

具体实施方式

在描述附图中所示的本公开的示例性实施例时，为了清楚起见，采用了特定术语。然而，本公开不旨在限于如此选择的特定术语，并且将理解的是，每个特定元件包括以类似方式操作的所有技术等同物。

在说明书和附图中，同样的附图标记可以指同样的元件。就已经省略了一些元件的详细的描述而言，可以假定的是，这些元件至少类似于在专利申请的别处已经描述的对应元件。

将理解的是，尽管术语“第一”、“第二”等可以在此被用于描述各种组件，但是这些组件不应该受这些术语的限制。这些术语仅用于将一个组件与另一组件区分开。

还将理解的是，术语“包括”和/或其变型在此被用于说明存在所述特征或组件，但不排除存在或添加一个或更多个其它特征或组件。然而，短语“由……组成”旨在排除附加特征或组件的存在。

将理解的是，当层、区域或组件被称为“形成在”另一层、区域或组件“上”时，该层、区域或组件可以直接或间接形成在所述另一层、区域或组件上，并且其间可以存在中间层、中间区域或中间组件。

为了便于说明，可以夸大附图中的组件的尺寸。虽然本发明不限于所示组件的特定尺寸和厚度，但是将理解的是，各种结构和组件的相对尺寸和角度可以被视为描述本发明构思的至少特定实施例。

将理解的是，在此描述的工艺步骤的特定顺序可以从所描述的内容进行改变。例如，可以基本上同时执行两个连续描述的工艺，或者以与所描述的顺序相反的顺序执行两个连续描述的工艺。

图1是示出根据本发明构思的示例性实施例的显示装置1的示意性透视图。

参照图1，显示装置1可以包括发射光的显示区域DA和不发射光的非显示区域NDA。非显示区域NDA可以至少部分地围绕显示区域DA，并且非显示区域NDA可以基本上对应于显示装置1的边框区域。由有源矩阵(AM)方法驱动的多个主像素Pm可以设置在显示区域DA中。显示装置1可以通过使用从布置在显示区域DA中的多个主像素Pm发射的光来显示主图像。

显示装置1可以包括传感器区域SA。传感器区域SA可以完全设置在显示区域DA内以便形成切口或孔，或者可以设置在显示区域DA的侧边缘上以便形成凹口。各种电子组件(诸如感测可见光和/或红外光的传感器或用于检测声音的麦克风)可以设置在传感器区域SA内。

例如，各种电子组件可以设置在传感器区域SA中，并且传感器区域SA本身可以被构造为允许光和/或声音通过其被传输。以这种方式，来自外部的光和/或声音可以穿透传感器区域SA并被其中的各种电子组件检测。根据本发明构思的示例性实施例，当红外光透射穿过传感器区域SA时，相对于940nm波长的透光率可以是约15％或更高或者30％或更高，并且更优选地，50％或更高、70％或更高、80％或更高、85％或更高或者90％或更高。

根据本发明构思的示例性实施例，传感器区域SA可以被构造为通过使用从设置在传感器区域SA内的辅助像素Pa发射的光来提供图像。辅助像素Pa可以通过无源矩阵(PM)方法被驱动。从传感器区域SA提供的图像是具有比从显示区域DA提供的图像低的分辨率的辅助图像。然而，将注意的是，显示区域DA和传感器区域SA都可以被构造为显示图像，因此，传感器区域SA可以比不包括辅助像素Pa的对应传感器区域更不明显。以这种方式，传感器区域SA不会表现为切口或凹口，而是会很难观察到。

传感器区域SA可以被显示区域DA至少部分地围绕，并且，作为实施例，图1示出了传感器区域SA被显示区域DA完全地围绕。非显示区域NDA可以包括至少部分地围绕传感器区域SA的第一非显示区域NDA1和至少部分地围绕显示区域DA的外部的第二非显示区域NDA2。例如，第一非显示区域NDA1可以完全围绕传感器区域SA，显示区域DA可以完全围绕第一非显示区域NDA1，并且第二非显示区域NDA2可以完全围绕显示区域DA。尽管这些元件中的任何元件不必完全围绕和/或完全被围绕，但是在其中传感器区域SA设置在显示区域DA的外边缘上的情况下，第一非显示区域NDA1可以部分地围绕传感器区域SA，显示区域DA可以部分地围绕第一非显示区域NDA1，并且第二非显示区域NDA2可以部分地围绕显示区域DA。

在下面的描述中，作为图1中所示的显示装置1的示例描述有机发光显示装置，但是本公开的显示装置不限于此。根据本发明构思的示例性实施例，可以使用诸如无机发光(EL)显示装置或量子点发光显示装置的各种类型的显示装置。

尽管图1示出了传感器区域SA位于显示区域DA的一侧(右上侧)处，并且示出了显示区域DA为矩形，但是本公开不限于此。显示区域DA的形状可以是圆形、椭圆形或诸如三角形或五边形的多边形，并且传感器区域SA的位置可以各种地改变。

图2是根据本发明构思的示例性实施例的显示装置1的示意性剖视图，其可以对应于沿着图1的线A-A'截取的剖面。

参照图2，显示装置1可以包括包含各种显示元件的显示面板10和与传感器区域SA对应的组件20。

显示面板10可以包括基底100、设置在基底100上的显示元件层200以及作为用于密封显示元件层200的密封构件的薄膜封装层300。此外，显示面板10还可以包括设置在基底100下面的下保护膜175。

基底100可以包括玻璃或聚合物树脂。聚合物树脂可以包括聚醚砜(PES)、聚丙烯酸酯、聚醚酰亚胺(PEI)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚苯硫醚(PPS)、聚芳酯、聚酰亚胺(PI)、聚碳酸酯(PC)和/或乙酸丙酸纤维素(CAP)。包括聚合物树脂的基底100可以具有柔性、可卷绕和/或可弯曲的特性。基底100可以具有包括具有上述聚合物树脂的层和无机层的多层结构。

如在此使用的，术语“柔性”意味着能够被折曲到非平凡的程度并恢复到其原始构造而不裂开或断裂。类似地，“可卷绕”意味着能够卷起到非平凡的程度并恢复到其原始构造而不裂开或断裂。类似地，“可弯曲”意味着能够弯曲到非平凡的程度并恢复到其原始构造而不裂开或断裂。“非平凡的程度”被理解为明显的变形程度。

显示元件层200可以包括的电路层，电路层包括主薄膜晶体管TFT和辅助薄膜晶体管TFT'、作为显示元件的主有机发光二极管OLED和辅助有机发光二极管OLED'以及设置在主薄膜晶体管TFT和辅助薄膜晶体管TFT'与主有机发光二极管OLED和辅助有机发光二极管OLED'之间的绝缘层IL。

主薄膜晶体管TFT和连接到其的主有机发光二极管OLED可以设置在显示区域DA中。显示元件层200的辅助薄膜晶体管TFT'和一些字线WL可以设置在第一非显示区域NDA1中。辅助有机发光二极管OLED'可以设置在传感器区域SA中。辅助薄膜晶体管TFT'可以是用于设置在传感器区域SA中的辅助有机发光二极管OLED'的无源矩阵(PM)驱动的薄膜晶体管。辅助薄膜晶体管TFT'设置在第一非显示区域NDA1中，但是不与组件20叠置。

组件20可以设置在传感器区域SA中。组件20可以是用于检测和/或投射光和/或声音的电子组件。例如，组件20可以是用于接收并使用光的传感器(诸如红外传感器)、用于通过输出和检测光或声音来测量距离或识别指纹的传感器、用于输出光的紧凑型灯或用于输出声音的扬声器。对于使用光的电子组件，可以使用诸如可见光、红外光或紫外光的各种波长带的光。多个组件可以被提供作为设置在传感器区域SA中的组件20。例如，发光器件和光接收器件可以在传感器区域SA中一起被提供作为组件20。

薄膜封装层300可以包括至少一个无机封装层和至少一个有机封装层。在这方面，图2示出了第一无机封装层310和第二无机封装层330以及设置在它们之间的有机封装层320。

第一无机封装层310和第二无机封装层330可以包括诸如氧化铝、氧化钛、氧化钽、氧化铪、氧化锌、氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅的至少一种无机绝缘材料。有机封装层320可以包括聚合物类材料。聚合物类材料可以包括丙烯酸树脂、环氧树脂、聚酰亚胺和/或聚乙烯。

下保护膜175可以附着到基底100的下表面以支撑并保护基底100。下保护膜175可以包括对应于传感器区域SA的开口175OP。由于开口175OP设置在下保护膜175中，因此可以增大传感器区域SA的透光率。下保护膜175可以包括PET或PI。

当基底100包括玻璃时，可以省略下保护膜175。

诸如用于检测触摸输入的输入检测构件、包括偏振器、延迟器或滤色器和黑色矩阵的防反射构件以及透明窗的构成元件可以进一步设置在显示面板10上。

根据本发明构思的示例性实施例，尽管示出了薄膜封装层300被用作用于密封显示元件层200的封装构件，但是本公开不限于此。例如，通过密封剂或玻璃料连接到基底100的密封基底可以被用作用于密封显示元件层200的构件。

图3是示出根据本发明构思的示例性实施例的显示装置1的示意性平面图。

参照图3，显示面板10可以包括被构造为通过有源矩阵(AM)驱动来驱动的多个主像素Pm。主像素Pm设置在显示区域DA中。主像素Pm中的每个可以包括诸如有机发光二极管的显示元件。每个主像素Pm可以通过显示元件发射例如红色、绿色、蓝色或白色的光。在本说明书中，如上所述，主像素Pm中的每个可以被理解为发射红色、绿色、蓝色和白色中的一种颜色的光的像素。显示区域DA可以被上面针对图2描述的封装构件覆盖，因此可以被保护免受外部空气或湿气的影响。

传感器区域SA可以设置在显示区域DA内部，并且针对PM驱动构造的多个辅助像素Pa可以设置在传感器区域SA中。辅助像素Pa中的每个可以包括诸如有机发光二极管的显示元件。辅助像素Pa中的每个可以通过显示元件发射例如红色、绿色、蓝色或白色的光。在本说明书中，如上所述，辅助像素Pa可以被理解为发射红色、绿色、蓝色和白色中的一种颜色的光的像素。

传感器区域SA的直径可以在从约2mm到约5mm的范围内，并且传感器区域SA的分辨率可以在从约50像素/每英寸(ppi)到约400ppi的范围内。将包括在传感器区域SA中的辅助像素(即，包括RGB的子像素的像素)Pa的数量可以是包括10个像素的行乘以10个像素的列的约100个。

传感器区域SA相对于诸如红外光的光可以具有约15％至50％或更高的透射率，并且可以在其中设置诸如使用红外光的传感器的组件。

其中未设置像素Pm和Pa的第一非显示区域NDA1位于传感器区域SA与显示区域DA之间。用于驱动设置在传感器区域SA中的辅助像素Pa的辅助薄膜晶体管TFT'可以设置在第一非显示区域NDA1中。此外，用于向相对于传感器区域SA分离的主像素Pm施加信号或电力的线可以设置在第一非显示区域NDA1中。下面参照图6呈现其结构。

像素Pm和Pa中的每个可以电连接到设置在非显示区域NDA(例如，第二非显示区域NDA2)中的外部电路。第一扫描驱动电路110、第二扫描驱动电路120、端子140、数据驱动电路150、第一电源线160和第二电源线170可以设置在第二非显示区域NDA2中。

第一扫描驱动电路110可以经由扫描线SL向主像素Pm中的每个提供扫描信号Sn(见图4A)。第一扫描驱动电路110可以经由发射控制线EL向主像素Pm中的每个提供发射控制信号。第二扫描驱动电路120可以设置为与第一扫描驱动电路110平行，并且显示区域DA位于第二扫描驱动电路120与第一扫描驱动电路110之间。虽然设置在显示区域DA中的一些主像素Pm可以电连接到第一扫描驱动电路110，但是其它主像素Pm可以电连接到第二扫描驱动电路120。根据本发明构思的示例性实施例，可以省略第二扫描驱动电路120。

端子140可以设置在基底100的一侧处。端子140可以电连接到印刷电路板PCB而不被绝缘层IL覆盖。PCB的端子PCB-P可以电连接到显示面板10的端子140。PCB被构造为将信号或电力从控制器传输到显示面板10。由控制器产生的控制信号可以经由PCB被传输到第一扫描驱动电路110和第二扫描驱动电路120中的每个。控制器可以经由第一连接线161和第二连接线171向第一电源线160和第二电源线170提供第一电力电压ELVDD(见图4A和图4B)和第二电力电压ELVSS(或共电压ELVSS)(见图4A和图4B)。第一电力电压ELVDD可以经由连接到第一电源线160的驱动电压线PL被提供给主像素Pm中的每个，并且第二电力电压ELVSS可以被提供给连接到第二电源线170的主像素Pm中的每个的对电极。

数据驱动电路150可以电连接到数据线DL。数据驱动电路150的数据信号可以经由连接到端子140的连接线151和连接到连接线151的数据线DL被提供到主像素Pm中的每个。尽管图3示出了数据驱动电路150设置在PCB上，但是数据驱动电路150可以设置在基底100上。例如，数据驱动电路150可以设置在端子140与第一电源线160之间。

第一电源线160可以包括基本沿着x方向平行延伸的第一子线162和第二子线163，并且显示区域DA设置在第一子线162与第二子线163之间。第二电源线170可以具有一侧开口的环形形状，并且可以部分地围绕显示区域DA。

第一扫描驱动电路110和第二扫描驱动电路120以及数据驱动电路150可以提供信号或电压以驱动辅助像素Pa。此外，第一电力电压ELVDD和第二电力电压ELVSS可以被传输到辅助像素Pa。在本发明构思的一些示例性实施例中，用于传输第一扫描驱动电路110和第二扫描驱动电路120以及数据驱动电路150的信号的线可以连接到辅助薄膜晶体管TFT'以驱动辅助像素Pa。在本发明构思的一些示例性实施例中，第一扫描驱动电路110和第二扫描驱动电路120以及数据驱动电路150可以直接提供电压以驱动辅助像素Pa。

根据本发明构思的示例性实施例，设置在显示区域DA中的主像素Pm被构造为通过AM驱动来驱动，并且设置在传感器区域SA中的辅助像素Pa被构造为通过PM驱动来驱动。参照图4A和图4B描述主像素Pm的驱动和辅助像素Pa的驱动。

图4A和图4B是根据本发明构思的示例性实施例的显示面板10的示例性主像素Pm的等效电路图。

参照图4A，主像素Pm中的每个可以包括连接到扫描线SL和数据线DL的像素电路PC以及连接到像素电路PC的主有机发光二极管OLED。

像素电路PC可以包括驱动薄膜晶体管T1、开关薄膜晶体管T2和存储电容器Cst。开关薄膜晶体管T2连接到扫描线SL和数据线DL，并且响应于通过扫描线SL输入的扫描信号Sn，将通过数据线DL输入的数据信号Dm传输到驱动薄膜晶体管T1。

存储电容器Cst连接到开关薄膜晶体管T2和驱动电压线PL，并且存储与从开关薄膜晶体管T2接收的电压和提供给驱动电压线PL的第一电力电压(或驱动电压)ELVDD之间的差对应的电压。

驱动薄膜晶体管T1连接到驱动电压线PL和存储电容器Cst，并且可以响应于存储在存储电容器Cst中的电压值来控制来自驱动电压线PL的在主有机发光二极管OLED中流动的驱动电流。主有机发光二极管OLED可以发射具有如由驱动电流控制的期望的亮度的光。

尽管图4A示出了像素电路PC包括两个薄膜晶体管和一个存储电容器，但是本公开不限于此。如图4B中所示，像素电路PC可以包括七个薄膜晶体管和一个存储电容器。

参照图4B，主像素Pm中的每个可以包括像素电路PC和连接到像素电路PC的主有机发光二极管OLED。像素电路PC可以包括多个薄膜晶体管和一个存储电容器。薄膜晶体管和存储电容器可以连接到信号线SL、SL-1、EL和DL、初始化电压线VL以及驱动电压线PL。

尽管图4B示出了主像素Pm中的每个连接到信号线SL、SL-1、EL和DL、初始化电压线VL以及驱动电压线PL，但是本公开不限于此。根据本发明构思的示例性实施例，信号线SL、SL-1、EL和DL、初始化电压线VL以及驱动电压线PL中的至少一条可以由邻近像素共用。

多个薄膜晶体管可以包括驱动薄膜晶体管T1、开关薄膜晶体管T2、补偿薄膜晶体管T3、第一初始化薄膜晶体管T4、操作控制薄膜晶体管T5、发射控制薄膜晶体管T6和第二初始化薄膜晶体管T7。

信号线可以包括用于传输扫描信号Sn的扫描线SL、用于将前一扫描信号Sn-1传输到第一初始化薄膜晶体管T4和第二初始化薄膜晶体管T7的前一扫描线SL-1、用于将发射控制信号En传输到操作控制薄膜晶体管T5和发射控制薄膜晶体管T6的发射控制线EL以及用于传输数据信号Dm并与扫描线SL相交的数据线DL。驱动电压线PL将驱动电压ELVDD传输到驱动薄膜晶体管T1，并且初始化电压线VL传输用于使驱动薄膜晶体管T1和像素电极初始化的初始化电压Vint。

驱动薄膜晶体管T1的驱动栅电极G1连接到存储电容器Cst的第一存储电容器板Cst1。驱动薄膜晶体管T1的驱动源电极S1经由操作控制薄膜晶体管T5连接到其下面的驱动电压线PL。驱动薄膜晶体管T1的驱动漏电极D1经由发射控制薄膜晶体管T6电连接到主有机发光二极管OLED的像素电极。驱动薄膜晶体管T1根据开关薄膜晶体管T2的开关操作接收数据信号Dm，并向主有机发光二极管OLED提供驱动电流I_OLED。

开关薄膜晶体管T2的开关栅电极G2连接到扫描线SL。开关薄膜晶体管T2的开关源电极S2连接到数据线DL。开关薄膜晶体管T2的开关漏电极D2连接到驱动薄膜晶体管T1的驱动源电极S1并且经由操作控制薄膜晶体管T5连接到驱动电压线PL。开关薄膜晶体管T2响应于通过扫描线SL接收到的扫描信号Sn而导通，并执行将通过数据线DL接收到的数据信号Dm传输到驱动薄膜晶体管T1的驱动源电极S1的开关操作。

补偿薄膜晶体管T3的补偿栅电极G3连接到扫描线SL。补偿薄膜晶体管T3的补偿源电极S3连接到驱动薄膜晶体管T1的驱动漏电极D1，并且经由发射控制薄膜晶体管T6连接到主有机发光二极管OLED的像素电极。补偿薄膜晶体管T3的补偿漏电极D3连接到存储电容器Cst的第一存储电容器板Cst1，并且连接到第一初始化薄膜晶体管T4的第一初始化漏电极D4和驱动薄膜晶体管T1的驱动栅电极G1。补偿薄膜晶体管T3响应于通过扫描线SL接收的扫描信号Sn而导通，并且将驱动薄膜晶体管T1的驱动栅电极G1和驱动漏电极D1电连接，从而使驱动薄膜晶体管T1二极管连接。

第一初始化薄膜晶体管T4的第一初始化栅电极G4连接到前一扫描线SL-1。第一初始化薄膜晶体管T4的第一初始化源电极S4连接到第二初始化薄膜晶体管T7的第二初始化漏电极D7并连接到初始化电压线VL。第一初始化薄膜晶体管T4的第一初始化漏电极D4连接到存储电容器Cst的第一存储电容器板Cst1、补偿薄膜晶体管T3的补偿漏电极D3和驱动薄膜晶体管T1的驱动栅电极G1。第一初始化薄膜晶体管T4响应于通过前一扫描线SL-1接收的前一扫描信号Sn-1而导通，并将初始化电压Vint传输到驱动薄膜晶体管T1的驱动栅电极G1，从而执行初始化操作，以使驱动薄膜晶体管T1的驱动栅电极G1的电压初始化。

操作控制薄膜晶体管T5的操作控制栅电极G5连接到发射控制线EL。操作控制薄膜晶体管T5的操作控制源电极S5连接到其下面的驱动电压线PL。操作控制薄膜晶体管T5的操作控制漏电极D5连接到驱动薄膜晶体管T1的驱动源电极S1和开关薄膜晶体管T2的开关漏电极D2。

发射控制薄膜晶体管T6的发射控制栅电极G6连接到发射控制线EL。发射控制薄膜晶体管T6的发射控制源电极S6连接到驱动薄膜晶体管T1的驱动漏电极D1和补偿薄膜晶体管T3的补偿源电极S3。发射控制薄膜晶体管T6的发射控制漏电极D6电连接到第二初始化薄膜晶体管T7的第二初始化源电极S7并电连接到主有机发光二极管OLED的像素电极。

当操作控制薄膜晶体管T5和发射控制薄膜晶体管T6响应于通过发射控制线EL接收的发射控制信号En而同时导通时，操作控制薄膜晶体管T5和发射控制薄膜晶体管T6将驱动电压ELVDD传输到主有机发光二极管OLED，从而允许驱动电流I_OLED在主有机发光二极管OLED中流动。

第二初始化薄膜晶体管T7的第二初始化栅电极G7连接到前一扫描线SL-1。第二初始化薄膜晶体管T7的第二初始化源电极S7连接到发射控制薄膜晶体管T6的发射控制漏电极D6，并连接到主有机发光二极管OLED的像素电极。第二初始化薄膜晶体管T7的第二初始化漏电极D7连接到第一初始化薄膜晶体管T4的第一初始化源电极S4和初始化电压线VL。第二初始化薄膜晶体管T7响应于通过前一扫描线SL-1接收的前一扫描信号Sn-1而导通，并使主有机发光二极管OLED的像素电极初始化。

尽管图4B示出了第一初始化薄膜晶体管T4和第二初始化薄膜晶体管T7连接到前一扫描线SL-1，但是本公开不限于此。根据本发明构思的示例性实施例，第一初始化薄膜晶体管T4连接到前一扫描线SL-1并由前一扫描信号Sn-1驱动，第二初始化薄膜晶体管T7连接到单独的信号线(例如，后一扫描线)并由通过信号线传输的信号驱动。

存储电容器Cst的第二存储电容器板Cst2连接到驱动电压线PL。主有机发光二极管OLED的对电极连接到传输共电压ELVSS的电压线。因此，主有机发光二极管OLED可以通过从驱动薄膜晶体管T1接收驱动电流I_OLED并相应地发光来显示图像。

尽管图4B示出了补偿薄膜晶体管T3和第一初始化薄膜晶体管T4具有双栅电极，但是补偿薄膜晶体管T3和第一初始化薄膜晶体管T4可以具有一个栅电极。

如此，针对AM驱动构造的主像素Pm中的每个包括至少一个薄膜晶体管，使得主像素Pm中的每个可以被至少一个薄膜晶体管控制。由AM驱动方法驱动的主像素Pm可以以低功耗实现高分辨率。

图5示出了根据本发明构思的示例性实施例的辅助像素Pa的布置。

参照图5，被构造为通过PM驱动来驱动的辅助像素Pa不包括驱动辅助像素Pa中的每个的薄膜晶体管。针对PM驱动构造的辅助像素Pa可以通过基本沿y方向延伸的多个竖直电极V1、…、Vn和基本沿x方向延伸的多个水平电极H1、…、Hn彼此相交来形成。竖直电极V1、…、Vn可以构成辅助有机发光二极管OLED'中的每个的像素电极的一部分。水平电极H1、…、Hn可以构成辅助有机发光二极管OLED'中的每个的对电极的一部分。包括有机发光层的中间层设置在竖直电极V1、…、Vn与水平电极H1、…、Hn之间。辅助像素Pa可以基于竖直电极V1、…、Vn与水平电极H1、…、Hn之间的电压差来发射光。

水平电极H1、…、Hn和竖直电极V1、…、Vn可以连接到辅助薄膜晶体管TFT'或驱动电路单元以驱动辅助像素Pa。因此，在顺序地选择水平电极H1、…、Hn之后，可以通过向包括在发射光的辅助像素Pa中的竖直电极V1、…、Vn提供电压来实现图像。

根据本发明构思的示例性实施例，诸如传感器的组件可以设置在基底100下面以对应于传感器区域SA。组件可以包括发射光(例如，940nm的波长的红外光)的发射单元。当薄膜晶体管设置在传感器区域SA中时，薄膜晶体管的性能可能变得不稳定，例如，通过从组件发射的光使光电流流动或驱动范围改变。

根据本发明构思的示例性实施例，针对PM驱动构造的辅助像素Pa设置在其中未设置薄膜晶体管的传感器区域SA中。其中可以设置传感器的传感器区域SA可以同时提供图像。

图6是示出根据本发明构思的示例性实施例的传感器区域SA和其外围区域的示意性平面图。图7是沿着图6的线I-I'截取的示意性剖视图。图8是沿着图6的线II-II'截取的示意性剖视图。

参照图6，基本沿x方向延伸的水平电极H1、…、Hn和基本沿y方向延伸的竖直电极V1、…、Vn设置在传感器区域SA中并且彼此相交。其中水平电极H1、…、Hn和竖直电极V1、…、Vn彼此相交的多个相交点可以实现为辅助像素Pa。

尽管图6示出了辅助像素Pa中的一个的面积大于主像素Pm中的一个的面积，但是本公开不限于此。当水平电极H1、…、Hn和竖直电极V1、…、Vn相对小时，结果，辅助像素Pa中的一个的面积可以小于主像素Pm中的一个的面积。当水平电极H1、…、Hn的宽度和/或竖直电极V1、…、Vn的宽度减小时，这样的减小可以增大传感器区域SA的透光率。

用于辅助像素Pa的驱动的辅助薄膜晶体管TFT'可以设置在围绕传感器区域SA的第一非显示区域NDA1中。辅助薄膜晶体管TFT'可以包括连接到水平电极H1、…、Hn的多个第一辅助薄膜晶体管TFTa和连接到竖直电极V1、…、Vn的多个第二辅助薄膜晶体管TFTb。尽管图6示出了第一辅助薄膜晶体管TFTa位于传感器区域SA的左侧处且第二辅助薄膜晶体管TFTb位于传感器区域SA的下侧处，但是本公开不限于此。例如，各种改变是可能的，使得第一辅助薄膜晶体管TFTa可以位于传感器区域SA的右侧处，并且第二辅助薄膜晶体管TFTb可以位于传感器区域SA的上侧处。

第一辅助薄膜晶体管TFTa可以连接到从显示区域DA延伸的扫描线SL以接收扫描信号。响应于扫描信号，第二电力电压ELVSS可以提供给水平电极H1、…、Hn。在本发明构思的一些示例性实施例中，扫描线SL可以连接到设置在显示区域DA中的主像素Pm。在本发明构思的一些示例性实施例中，扫描线SL可以对应于连接到主像素Pm的扫描线SL、前一扫描线SL-1和发射控制线EL中的任何一条。然而，本公开不限于此。连接到第一辅助薄膜晶体管TFTa的扫描线SL可以是不连接到主像素Pm并且直接连接到第一扫描驱动电路110(见图3)和第二扫描驱动电路120(见图3)的线。

第一辅助薄膜晶体管TFTa的栅电极连接到用于传输扫描信号的扫描线SL。第一辅助薄膜晶体管TFTa的源电极或漏电极可以连接到包括在主像素Pm中的对电极，并且另一电极可以连接到水平电极H1、…、Hn。响应于扫描信号，第一辅助薄膜晶体管TFTa导通，并且因此被施加到包括在主像素Pm中的对电极的第二电力电压ELVSS可以被传输到水平电极H1、…、Hn。

第二辅助薄膜晶体管TFTb可以连接到从显示区域DA延伸的数据线DL以接收数据信号。响应于数据信号，第一电力电压ELVDD可以被提供给竖直电极V1、…、Vn。在本发明构思的一些示例性实施例中，数据线DL可以连接到设置在显示区域DA中的主像素Pm。然而，本公开不限于此。连接到第二辅助薄膜晶体管TFTb的数据线DL可以是不连接到主像素Pm并且直接连接到数据驱动电路150(见图3)的线。

第二辅助薄膜晶体管TFTb的栅电极可以连接到用于传输数据信号的数据线DL。第二辅助薄膜晶体管TFTb的源电极或漏电极可以连接到驱动电压线PL，并且另一电极可以连接到竖直电极V1、…、Vn。响应于数据信号，第二辅助薄膜晶体管TFTb导通，并且因此通过驱动电压线PL提供的第一电力电压ELVDD可以被传输到竖直电极V1、…、Vn。

多条线可以设置在第一非显示区域NDA1中。数据线DL可以基本沿y方向延伸，并且驱动电压线PL也可以基本沿y方向延伸。传感器区域SA周围的驱动电压线PL可以相对于传感器区域SA被短路。传感器区域SA的上侧处的被短路的驱动电压线PL可以连接到上面参照图3描述的第二子线163，而传感器区域SA的下侧处的被短路的驱动电压线PL可以连接到第一子线162。驱动电压线PL中的一些可以连接到第二辅助薄膜晶体管TFTb。

数据线DL中的一些可以绕过传感器区域SA。例如，数据线DL中的每条可以包括基本沿y方向延伸的部分和通过绕过传感器区域SA而沿传感器区域SA的边缘绕行的部分。数据线DL中的每条的绕行部分可以位于第一非显示区域NDA1中。设置在传感器区域SA的下侧处的数据线DL中的一些可以连接到第二辅助薄膜晶体管TFTb。数据线DL中的一些可以设置在连接到第二辅助薄膜晶体管TFTb的数据线DL之间，而不连接到第二辅助薄膜晶体管TFTb。这可能是因为显示区域DA的分辨率和传感器区域SA的分辨率被实现为彼此不同。例如，显示区域DA的分辨率可以实现为高于传感器区域SA的分辨率。

设置在传感器区域SA的上侧处和下侧处的主像素Pm可以电连接到绕过传感器区域SA的数据线DL，并且可以从与其对应的数据线DL接收信号。数据线DL中的一些可以沿着传感器区域SA的左边缘弯曲，并且其它数据线DL可以沿着传感器区域SA的右边缘弯曲。

扫描线SL可以沿与数据线DL相交的x方向延伸。扫描线SL中的一些可以绕过传感器区域SA。例如，扫描线SL中的一些可以沿着传感器区域SA的上边缘弯曲，并且其它扫描线SL可以沿着传感器区域SA的下边缘弯曲。扫描线SL中的每条可以包括基本沿x方向从显示区域DA延伸的部分和通过在第一非显示区域NDA1中绕过传感器区域SA而沿传感器区域SA的边缘绕行的部分或弯曲部分。位于传感器区域SA的左侧处和右侧处的主像素Pm可以电连接到绕过传感器区域SA的扫描线SL。

扫描线SL中的设置在传感器区域SA左侧处的一些可以连接到第一辅助薄膜晶体管TFTa。扫描线SL中的一些可以设置在连接到第一辅助薄膜晶体管TFTa的扫描线SL之间，而不连接到第一辅助薄膜晶体管TFTa。这可能是因为显示区域DA的分辨率和传感器区域SA的分辨率被实现为彼此不同。例如，显示区域DA的分辨率可以实现为高于传感器区域SA的分辨率。

参照图7和图8描述根据本发明构思的示例性实施例的显示装置1的堆叠结构。

基底100可以包括玻璃材料、陶瓷材料、金属材料和/或具有柔性或可弯曲特性的材料。当基底100具有柔性或可弯曲特性时，基底100可以包括诸如PES、PAR、PEI、PEN、PET、PPS、聚芳酯、PI、PC和/或CAP的聚合物树脂。基底100可以具有所述材料的单层结构或多层结构。对于多层结构，基底100还可以包括无机层。在本发明构思的一些示例性实施例中，基底100可以具有有机材料/无机材料/有机材料的结构。

缓冲层111可以设置在基底100上，并且可以减少或防止异物、湿气或外部空气从基底100的下部侵入，并且在基底100上提供平坦化的表面。缓冲层111可以包括诸如氧化物或氮化物的无机材料、有机材料或有机/无机复合物，并且可以具有无机材料和有机材料的单层结构或多层结构。

阻挡层还可以设置在基底100与缓冲层111之间。阻挡层可以防止或减少杂质从基底100侵入到半导体层A1、AA2和AA3中。阻挡层可以包括诸如氧化物或氮化物的无机材料、有机材料或有机/无机复合物，并且可以具有无机材料和有机材料的单层结构或多层结构。

基底100可以被分为显示区域DA、第一非显示区域NDA1和传感器区域SA。用于驱动主像素Pm的主薄膜晶体管TFT可以设置在显示区域DA中。用于驱动辅助像素Pa的辅助薄膜晶体管TFT'可以设置在第一非显示区域NDA1中。

半导体层A1、AA2和AA3可以设置在缓冲层111上。半导体层A1、AA2和AA3可以包括非晶硅或多晶硅。根据本发明构思的示例性实施例，半导体层A1、AA2和AA3可以包括铟(In)、镓(Ga)、锡(Sn)、锆(Zr)、钒(V)、铪(Hf)、镉(Cd)、锗(Ge)、铬(Cr)、钛(Ti)、铝(Al)、铯(Cs)、铈(Ce)和/或锌(Zn)的氧化物。在本发明构思的一些示例性实施例中，半导体层A1、AA2和AA3可以包括Zn氧化物基材料(例如，Zn氧化物、In-Zn氧化物或Ga-In-Zn氧化物)。根据本发明构思的示例性实施例，半导体层A1、AA2和AA3可以均包括其中诸如In、Ga和/或Sn的金属被包括在ZnO中的IGZO(In-Ga-Zn-O)、ITZO(In-Sn-Zn-O)和/或IGTZO(In-Ga-Sn-Zn-O)半导体。半导体层A1、AA2和AA3可以包括沟道区、源区和漏区。源区和漏区设置在沟道区的相对侧处。半导体层A1、AA2和AA3可以被构造为单层或多层。

栅电极G1、GG2和GG3设置在半导体层A1、AA2和AA3上，与半导体层A1、AA2和AA3至少部分地叠置，第一栅极绝缘层112置于栅电极G1、GG2和GG3与半导体层A1、AA2和AA3之间。栅电极G1、GG2和GG3均可以包括钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)和/或钛(Ti)，并且可以形成为单层或多层。作为示例，栅电极G1、GG2和GG3均可以以Mo的单层形成。扫描线SL可以包括与栅电极G1、GG2和GG3的材料相同的材料并与栅电极G1、GG2和GG3位于同一层上。

第一栅极绝缘层112可以包括氧化硅(SiO₂)、氮化硅(SiN_x)、氮氧化硅(SiON)、氧化铝(Al₂O₃)、氧化钛(TiO₂)、氧化钽(Ta₂O₅)、氧化铪(HfO₂)或氧化锌(ZnO₂)。

第二栅极绝缘层113可以覆盖栅电极G1、GG2和GG3以及扫描线SL。第二栅极绝缘层113可以包括SiO₂、SiN_x、SiON、Al₂O₃、TiO₂、Ta₂O₅、HfO₂或ZnO₂。

设置在显示区域DA中的存储电容器Cst的第一存储电容器板Cst1可以与TFT至少部分地叠置。例如，TFT的栅电极G1可以执行作为存储电容器Cst的第一存储电容器板Cst1的功能。

存储电容器Cst的第二存储电容器板Cst2与第一存储电容器板Cst1至少部分地叠置，并且第二栅极绝缘层113位于第二存储电容器板Cst2与第一存储电容器板Cst1之间。在这种情况下，第二栅极绝缘层113可以用作存储电容器Cst的介电层。第二存储电容器板Cst2可以包括包含Mo、Al、Cu和/或Ti的导电材料，并且可以形成为包括上面的材料的多层或单层。作为示例，第二存储电容器板Cst2可以是Mo的单层或Mo/Al/Mo的多层。

尽管图7示出了存储电容器Cst与TFT叠置，但是本公开不限于此。在这方面，各种修改可以是可用的，例如，存储电容器Cst可以设置为不与TFT叠置。

层间绝缘层115可以覆盖存储电容器Cst的第二存储电容器板Cst2。层间绝缘层115可以包括SiO₂、SiN_x、SiON、Al₂O₃、TiO₂、Ta₂O₅、HfO₂和/或ZnO₂。

源电极S1、SS2和SS3、漏电极D1、DD2和DD3、数据线DL以及驱动电压线PL可以布置在层间绝缘层115上。源电极S1、SS2和SS3、漏电极D1、DD2和DD3、数据线DL以及驱动电压线PL可以包括包含Mo、Al、Cu和/或Ti的导电材料，并且可以是包括上面的材料的多层或单层。作为示例，源电极S1、SS2和SS3以及漏电极D1、DD2和DD3可以具有Ti/Al/Ti的多层结构。

过孔层117可以设置在源电极S1、SS2和SS3、漏电极D1、DD2和DD3、数据线DL和驱动电压线PL上。主有机发光二极管OLED和辅助有机发光二极管OLED'可以设置在过孔层117上。

过孔层117可以具有平坦的上表面，使得像素电极210是平坦的。过孔层117可以是由有机材料形成为单层或多层的膜。过孔层117可以包括用于一般用途的通用聚合物(诸如苯并环丁烯(BCB)、聚酰亚胺、六甲基二硅氧烷(HMDSO)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)或聚苯乙烯(PS))，具有酚基的聚合物衍生物、丙烯酸聚合物、酰亚胺聚合物、芳基醚聚合物、酰胺聚合物、氟聚合物、对二甲苯聚合物、乙烯醇聚合物或它们的共混物。过孔层117可以包括无机材料。过孔层117可以包括SiO₂、SiN_x、SiON、Al₂O₃、TiO₂、Ta₂O₅、HfO₂或ZnO₂。当过孔层117包括无机材料时，在一些情况下，可以执行化学平坦化抛光。过孔层117可以包括有机材料和无机材料两者。

在基底100的显示区域DA中，主有机发光二极管OLED设置在过孔层117上。主有机发光二极管OLED可以包括像素电极210、包括有机发光层的中间层220和对电极230。

在基底100的传感器区域SA中，辅助有机发光二极管OLED'设置在过孔层117上。辅助有机发光二极管OLED'可以包括竖直电极V1、包括有机发光层的中间层220和水平电极H1。

像素电极210以及竖直电极V1和V2可以设置在同一层上并且可以包括相同的材料。像素电极210以及竖直电极V1和V2可以是(半)透射电极或反射电极。在一些实施例中，像素电极210以及竖直电极V1和V2可以包括包含Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr和/或它们的混合物的反射膜以及形成在反射膜上的透明或半透明电极层。透明或半透明电极层可以包括诸如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟(In₂O₃)、氧化铟镓(IGO)和/或氧化铝锌(AZO)的氧化物。在一些实施例中，像素电极210以及竖直电极V1和V2可以具有ITO/Ag/ITO的堆叠结构。然而，本公开不限于此。

在另一示例性实施例中，竖直电极V1和V2可以设置在与像素电极210不同的层上，并且可以包括不同的材料。在这方面，各种修改可以是可用的，例如，竖直电极V1和V2可以仅包括透明电极层，以与像素电极210相比改善半透明度。

像素限定膜119可以设置在过孔层117上。像素限定膜119可以在显示区域DA中具有与像素电极210中的每个对应的主开口部分(例如，至少暴露像素电极210的中心部分的主开口部分119OPm)，从而限定主像素Pm的发光区域。像素限定膜119可以在传感器区域SA中具有暴露竖直电极V1的对应于辅助像素Pa中的每个的一部分的辅助开口部分119OPa，从而限定辅助像素Pa的发光区域。

主开口部分119OPm的宽度Wm可以小于辅助开口部分119OPa的宽度Wa(Wm<Wa)。这是因为设置在显示区域DA中的主像素Pm的分辨率大于设置在传感器区域SA中的辅助像素Pa的分辨率。

此外，像素限定膜119可以通过增大像素电极210的边缘与像素电极210上方的对电极230之间的距离来防止像素电极210的边缘处形成电弧。像素限定膜119可以通过诸如旋涂的方法包括诸如聚酰亚胺、聚酰胺、丙烯酸树脂、BCB、HMDSO和/或酚醛树脂的有机绝缘材料。

主有机发光二极管OLED和辅助有机发光二极管OLED'的中间层220可以包括有机发光层。有机发光层可以包括包含发射红色、绿色、蓝色或白色的光的荧光材料或磷光材料的有机材料。有机发光层可以包括低分子有机材料或聚合物有机材料。诸如空穴传输层(HTL)、空穴注入层(HIL)、电子传输层(ETL)和电子注入层(EIL)的功能层还可以选择性地布置在有机发光层下面和上面。中间层220可以设置为对应于像素限定膜119的主开口部分119OPm和辅助开口部分119OPa中的每个。然而，本公开不限于此。在这方面，各种修改可以是可用的，例如，中间层220可以包括横跨基底100的一体层。

对电极230以及水平电极H1、Hn-1和Hn可以包括彼此相同的材料，并且可以设置在同一层上。对电极230以及水平电极H1、Hn-1和Hn可以是透射电极或反射电极。在本发明构思的一些示例性实施例中，对电极230以及水平电极H1、Hn-1和Hn可以均是透明或半透明电极，并且可以形成为具有低逸出功并包括Li、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、Al、Ag、Mg和/或它们的混合物的金属薄膜。此外，诸如ITO、IZO、ZnO和/或In₂O₃的透明导电氧化物(TCO)膜还可以设置在金属薄膜上。

对电极230可以设置为横跨显示区域DA并且在中间层220和像素限定膜119上面。对电极230可以相对于主有机发光二极管OLED一体形成以对应于像素电极210。水平电极H1、Hn-1和Hn可以在传感器区域SA中彼此间隔开并且还可以与对电极230间隔开。

当像素电极210被设置为反射电极并且对电极230被设置为透射电极时，从中间层220发射的光朝向对电极230发射，并且因此显示装置1可以被实现为顶发射型。当像素电极210被设置为透明或半透明电极并且对电极230被设置为反射电极时，从中间层220发射的光朝向基底100发射，并且因此显示装置1可以被实现为底发射型。然而，本公开不限于此，并且根据本实施例的显示装置1可以实现为在顶表面和底表面的两个方向上发射光的双发射型。

第一辅助薄膜晶体管TFTa可以包括半导体层AA2、栅电极GG2、源电极SS2和漏电极DD2。第一辅助薄膜晶体管TFTa的栅电极GG2可以电连接到扫描线SL，并且可以接收扫描信号的施加。

第一辅助薄膜晶体管TFTa的源电极SS2可以电连接到对电极230。例如，第一辅助薄膜晶体管TFTa的源电极SS2可以经由穿透像素限定膜119和过孔层117的通孔连接到对电极230。在该状态下，第一连接电极CM1可以被设置作为中间元件。例如，对电极230可以经由像素限定膜119中限定的通孔连接到第一连接电极CM1，并且第一连接电极CM1可以经由过孔层117中限定的通孔连接到源电极SS2。

第一辅助薄膜晶体管TFTa的漏电极DD2可以电连接到水平电极H1。例如，第一辅助薄膜晶体管TFTa的漏电极DD2可以经由穿透像素限定膜119和过孔层117的通孔连接到水平电极H1。在该状态下，第二连接电极CM2可以被设置为中间元件。例如，对电极230可以经由像素限定膜119中限定的通孔连接到第二连接电极CM2，并且第二连接电极CM2可以经由过孔层117中限定的通孔连接到漏电极DD2。

第一辅助薄膜晶体管TFTa可以响应于施加到栅电极GG2的扫描信号，将施加到对电极230的第二电力电压ELVSS传输到水平电极H1。

第二辅助薄膜晶体管TFTb可以包括半导体层AA3、栅电极GG3、源电极SS3和漏电极DD3。第二辅助薄膜晶体管TFTb的栅电极GG3可以电连接到数据线DL，并且可以接收数据信号的施加。

第二辅助薄膜晶体管TFTb的源电极SS3可以连接到驱动电压线PL。源电极SS3可以设置为驱动电压线PL的一部分。

第二辅助薄膜晶体管TFTb的漏电极DD3可以电连接到竖直电极V1。例如，第二辅助薄膜晶体管TFTb的漏电极DD3可以经由穿透过孔层117的通孔连接到竖直电极V1。

第二辅助薄膜晶体管TFTb可以响应于施加到栅电极GG3的数据信号，将通过驱动电压线PL传输的第一电力电压ELVDD传输到竖直电极V1。

下保护膜175可以设置在基底100的下表面上。下保护膜175可以包括保护膜基体173和粘合层180。保护膜基体173可以通过粘合层180附着到基底100的下表面。

保护膜基体173可以包括PET和/或PI。粘合层180可以包括压敏粘合剂(PSA)。

下保护膜175可以包括对应于传感器区域SA的开口175OP，并且布置为对应于传感器区域SA的组件可以至少部分地设置在开口175OP中。

用于密封主有机发光二极管OLED和辅助有机发光二极管OLED'的密封构件还可以设置在主有机发光二极管OLED和辅助有机发光二极管OLED'上方，诸如触摸传感器层、偏振层、滤色器层或窗的组件还可以设置在密封构件上面。

尽管在图6至图8中用于驱动设置在传感器区域SA中的辅助像素Pa的辅助薄膜晶体管TFT'设置在第一非显示区域NDA1中，但是本公开不限于此。辅助薄膜晶体管TFT'可以不设置在第一非显示区域NDA1中。

例如，如在图9中所示的另一实施例中，辅助扫描驱动电路120'和辅助数据驱动电路150'设置在显示区域DA外的第二非显示区域NDA2中，驱动电压和信号可以被传输到传感器区域SA。

根据本发明构思的示例性实施例，针对PM驱动构造的辅助像素Pa设置在传感器区域SA中，并且辅助像素Pa位于其中基本沿第一方向延伸的多个水平电极和基本沿与第一方向交叉的第二方向延伸的多个竖直电极彼此相交的区域中。

辅助扫描驱动电路120'的辅助扫描线SL'可以直接连接到设置在传感器区域SA中的水平电极。辅助数据驱动电路150'的辅助数据线DL'可以直接连接到设置在传感器区域SA中的竖直电极。

根据本发明构思的示例性实施例，用于将电压和/或信号传输到设置在显示区域DA中的主像素的线可以通过沿传感器区域SA绕行而设置在第一非显示区域NDA1中。

如上所述，根据上述实施例，由于针对PM驱动构造的辅助像素设置在与诸如传感器的组件对应的传感器区域中，因此可以建立用于传感器的操作的环境，并且同时可以在与传感器叠置的区域中实现图像。

因此，可以提供能够实现各种功能并提供增强的质量的显示装置。

每个实施例内的特征或方面的描述可以被认为可用于其它实施例中的其它类似特征或方面，并且因此本发明构思考虑了遍及在此描述的几个示例性实施例的元件和特征的任何可能组合。

虽然已经参照图描述了一个或更多个实施例，但是本领域的普通技术人员将理解的是，在不脱离本发明构思的精神和范围的情况下，可以在其中进行形式和细节上的各种改变。