一种富勒烯衍生物、其用途及包含其的oled器件

文档序号:1458307 发布日期:2020-02-21 浏览:35次 >En<

阅读说明:本技术 一种富勒烯衍生物、其用途及包含其的oled器件 (Fullerene derivative, application thereof and OLED (organic light emitting diode) device comprising fullerene derivative ) 是由 丁欢达 魏定纬 谢坤山 陈志宽 于 2019-11-27 设计创作,主要内容包括:本发明提供了一种富勒烯衍生物、其用途及包含其的OLED器件。所述富勒烯衍生物具有式I所示结构,由吸电子基团与富勒烯经加成反应得到。本发明提供的富勒烯衍生物可用作OLED器件的空穴传输层掺杂材料,其具有较低的最低未占有轨道能级,有利于接收空穴传输材料最高占有轨道能级上的电子,使其形成空穴,提高空穴浓度,提高空穴与电子的结合率,降低OLED器件的工作电压并提升发光效率;且本发明提供的富勒烯衍生物具有较高的结构稳定性,有助于提升OLED器件的寿命。(The invention provides a fullerene derivative, application thereof and an OLED device comprising the fullerene derivative. The fullerene derivative has a structure shown in a formula I and is obtained by an electron-withdrawing group and fullerene through an addition reaction. The fullerene derivative provided by the invention can be used as a hole transport layer doping material of an OLED device, has a lower lowest unoccupied orbital level, is beneficial to receiving electrons on the highest occupied orbital level of the hole transport material, so that holes are formed, the hole concentration is improved, the combination rate of the holes and the electrons is improved, the working voltage of the OLED device is reduced, and the luminous efficiency is improved; the fullerene derivative provided by the invention has higher structural stability, and is beneficial to prolonging the service life of an OLED device.)

一种富勒烯衍生物、其用途及包含其的OLED器件

技术领域

本发明属于有机光电材料技术领域,具体涉及一种富勒烯衍生物、其用途及包含其的OLED器件。

背景技术

1987年,美国Kodak公司的Tang等用有机小分子材料研制成功低电压、高亮度的有机发光二极管,自此,有机电致发光二极管(OLED)因其具有高效发光、制作工艺简单、大面积柔性等诸多优点而广受关注,在显示和照明领域有极大的应用前景。

一般认为,OLED发光机理为:在外加电压驱动下,载流子(电子及空穴)分别从两个电极注入,在有机层相遇,形成激子,释放并传递能量给有机发光材料,使有机发光材料从基态跃迁至激发态,激发态辐射失活,释放能量,产生电致发光。

有效的载流子注入、迁移、复合是影响OLED发光效率的重要因素。为此,有机材料需要具有良好的给电子能力或吸电子能力,能改变材料的最高占有轨道(HOMO)能级和最低未占有轨道(LUMO)能级,以利于空穴或电子的接收、迁移。但是,由于电子在器件中的迁移率大于空穴的迁移率,容易导致空穴猝息,降低器件的发光效率,因此,研发具有高效空穴、电子接收和传输能力的材料对OLED发展极为重要。

在空穴传输层中掺杂低LUMO能级的材料,有利于接收空穴传输材料HOMO能级上的电子,使其形成空穴,提高空穴浓度,提高空穴与电子的结合率,从而提高器件效率。

但是目前关于OLED器件的研究积累较少,可用的空穴传输层掺杂材料较少,新型的空穴传输层掺杂材料仍然亟待开发。

发明内容

针对现有技术存在的不足,本发明的目的在于提供一种富勒烯衍生物、其用途及包含其的OLED器件。该富勒烯衍生物具有较低的LUMO能级和较高的稳定性,可用作OLED器件的空穴传输层掺杂材料,有助于降低OLED器件的工作电压,提升发光效率,延长器件寿命。

为达此目的,本发明采用以下技术方案:

第一方面,本发明提供一种富勒烯衍生物,所述富勒烯衍生物具有如下式I所示结构:

Figure BDA0002291629510000021

式I中,R1、R2各自独立地选自氰基、取代或未取代的C1-C60烷基、取代或未取代的C2-C60烯基、取代或未取代的C2-C60炔基、取代或未取代的C3-C60环烷基、取代或未取代的C4-C60环烯基、取代或未取代的C5-C60环炔基、取代或未取代的C1-C60烷氧基、取代或未取代的C2-C60烯氧基、取代或未取代的C2-C60炔氧基、R3-S-、R4-S-、R5-S-中的任意一种;

Y1、Y2、Y3、Y4各自独立地选自氰基、取代或未取代的C1-C60烷基、取代或未取代的C2-C60烯基、取代或未取代的C2-C60炔基、取代或未取代的C1-C60烷胺基、取代或未取代的C2-C60烯胺基、取代或未取代的C2-C60炔胺基、取代或未取代的C1-C60烷氧基、取代或未取代的C2-C60烯氧基、取代或未取代的C2-C60炔氧基、R3-S-、R4-S-、R5-S-、取代或未取代的C1-C60硼烷基、取代或未取代的C2-C60硼烯基、取代或未取代的C2-C60硼炔基、取代或未取代的C6-C60芳基、取代或未取代的C5-C60杂芳基、取代或未取代的C6-C60芳胺基、取代或未取代的C6-C60芳氧基、R6-S-、取代或未取代的C6-C60硼芳基中的任意一种;

R3为取代或未取代的C1-C60烷基,R4为取代或未取代的C2-C60烯基,R5为取代或未取代的C2-C60炔基,R6为取代或未取代的C6-C60芳基;

且R1、R2、Y1、Y2、Y3和Y4中至少有一个为吸电子基团;

如上所述基团中含有取代基时,所述取代基为卤素原子或氰基;

n为1-30的整数。

需要说明的是,上述式I中

Figure BDA0002291629510000031

代表富勒烯,可以为C60、C70或本领域已知的其他种类的富勒烯。

富勒烯结构稳定,熔点较高,并具有一定的吸电子能力,本发明将其与具有吸电子能力的基团进行加成反应,合成了一类具有式I结构的富勒烯衍生物。该富勒烯衍生物具有较低的LUMO能级,具有较好的电子接收能力,可用作OLED的空穴传输层掺杂材料,接收空穴传输材料HOMO能级上的电子,促进空穴的形成,提高空穴与电子的结合率,从而降低OLED器件的工作电压并提升发光效率;且由于该富勒烯衍生物含有富勒烯结构,因此具有较高的结构稳定性和热稳定性,有助于提升OLED器件的寿命。

本发明中,所述C1-C60烷基可以是C1、C2、C3、C4、C5、C6、C7、C8、C9、C10、C12、C15、C18、C20、C25、C30、C35、C40、C45、C50、C55或C60等的烷基。

所述C2-C60烯基可以是C2、C3、C4、C5、C6、C7、C8、C9、C10、C12、C15、C18、C20、C25、C30、C35、C40、C45、C50、C55或C60等的烯基。

所述C2-C60炔基可以是C2、C3、C4、C5、C6、C7、C8、C9、C10、C12、C15、C18、C20、C25、C30、C35、C40、C45、C50、C55或C60等的炔基。

所述C3-C60环烷基可以是C3、C4、C5、C6、C7、C8、C9、C10、C12、C15、C18、C20、C25、C30、C35、C40、C45、C50、C55或C60等的环烷基。

所述C4-C60环烯基可以是C4、C5、C6、C7、C8、C9、C10、C12、C15、C18、C20、C25、C30、C35、C40、C45、C50、C55或C60等的环烯基。

所述C5-C60环炔基可以是C5、C6、C7、C8、C9、C10、C12、C15、C18、C20、C25、C30、C35、C40、C45、C50、C55或C60等的环炔基。

所述C1-C60烷氧基可以是C1、C2、C3、C4、C5、C6、C7、C8、C9、C10、C12、C15、C18、C20、C25、C30、C35、C40、C45、C50、C55或C60等的烷氧基。

所述C2-C60烯氧基可以是C2、C3、C4、C5、C6、C7、C8、C9、C10、C12、C15、C18、C20、C25、C30、C35、C40、C45、C50、C55或C60等的烯氧基。

所述C2-C60炔氧基可以是C2、C3、C4、C5、C6、C7、C8、C9、C10、C12、C15、C18、C20、C25、C30、C35、C40、C45、C50、C55或C60等的炔氧基。

所述C1-C60烷胺基可以是C1、C2、C3、C4、C5、C6、C7、C8、C9、C10、C12、C15、C18、C20、C25、C30、C35、C40、C45、C50、C55或C60等的烷胺基。

所述C2-C60烯胺基可以是C2、C3、C4、C5、C6、C7、C8、C9、C10、C12、C15、C18、C20、C25、C30、C35、C40、C45、C50、C55或C60等的烯胺基。

所述C2-C60炔胺基可以是C2、C3、C4、C5、C6、C7、C8、C9、C10、C12、C15、C18、C20、C25、C30、C35、C40、C45、C50、C55或C60等的炔胺基。

所述C1-C60硼烷基可以是C1、C2、C3、C4、C5、C6、C7、C8、C9、C10、C12、C15、C18、C20、C25、C30、C35、C40、C45、C50、C55或C60等的硼烷基。

所述C2-C60硼烯基可以是C2、C3、C4、C5、C6、C7、C8、C9、C10、C12、C15、C18、C20、C25、C30、C35、C40、C45、C50、C55或C60等的硼烯基。

所述C2-C60硼炔基可以是C2、C3、C4、C5、C6、C7、C8、C9、C10、C12、C15、C18、C20、C25、C30、C35、C40、C45、C50、C55或C60等的硼炔基。

所述C6-C60芳基可以是C6、C7、C8、C9、C10、C12、C15、C18、C20、C25、C30、C35、C40、C45、C50、C55或C60等的芳基。

所述C5-C60杂芳基可以是C5、C6、C7、C8、C9、C10、C12、C15、C18、C20、C25、C30、C35、C40、C45、C50、C55或C60等的杂芳基。

所述C6-C60芳胺基可以是C6、C7、C8、C9、C10、C12、C15、C18、C20、C25、C30、C35、C40、C45、C50、C55或C60等的芳胺基。

所述C6-C60芳氧基可以是C6、C7、C8、C9、C10、C12、C15、C18、C20、C25、C30、C35、C40、C45、C50、C55或C60等的芳氧基。

所述C6-C60硼芳基可以是C6、C7、C8、C9、C10、C12、C15、C18、C20、C25、C30、C35、C40、C45、C50、C55或C60等的硼芳基。

作为本发明的优选技术方案,式I中,R1、R2各自独立地选自氰基、取代或取代的C1-C10烷基、取代或未取代的C3-C10环烷基、取代或未取代的C1-C10烷氧基中的任意一种。

优选地,R1、R2各自独立地选自氰基、未取代或氟取代的C1-C5烷基、未取代或氟取代的C1-C5烷氧基中的任意一种。

作为本发明的优选技术方案,式I中,Y1、Y2、Y3、Y4各自独立地选自氰基、取代或未取代的C6-C12芳基、取代或未取代的C5-C12杂芳基、取代或未取代的C6-C12芳胺基、取代或未取代的C6-C12芳氧基中的任意一种。

优选地,Y1、Y2、Y3、Y4各自独立地为氰基、

Figure BDA0002291629510000061

其中虚线代表基团的连接位置。

作为本发明的优选技术方案,式I中,n为1-4的整数。

作为本发明的优选技术方案,式I中,R1、R2各自独立地选自未取代或氟取代的C1-C5烷基、未取代或氟取代的C1-C5烷氧基中的任意一种;

Y1、Y2、Y3、Y4各自独立地为氰基、

Figure BDA0002291629510000062

其中虚线代表基团的连接位置;

n为1-4的整数。

作为本发明的优选技术方案,所述富勒烯衍生物选自如下化合物1-n~19-n中的任意一种:

Figure BDA0002291629510000081

其中,n为1、2、3或4。

需要说明的是,上述化合物的编号中的n与结构式中的n数值相同,例如当化合物1-n的结构式中n=2时,则该化合物编号为1-2;编号为2-3的化合物,其结构式中n=3。

第二方面,本发明提供一种第一方面所述的富勒烯衍生物的用途,所述富勒烯衍生物用作OLED的空穴传输层掺杂材料。

第三方面,本发明提供一种OLED器件,包括空穴传输层,且所述空穴传输层包含空穴传输材料和掺杂材料;

所述掺杂材料选自本发明第一方面提供的富勒烯衍生物中的一种或至少两种的组合。

作为本发明的优选技术方案,所述OLED器件包括依次层叠的阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极。

作为本发明的优选技术方案,所述空穴传输层中掺杂材料的质量百分比为3-5%;例如可以是3%、3.2%、3.3%、3.5%、3.6%、3.8%、4%、4.2%、4.3%、4.5%、4.6%、4.8%或5%等。

与现有技术相比,本发明具有以下有益效果:

本发明提供的富勒烯衍生物的LUMO能级为-4.5~-5.8eV,具有较好的电子接收能力,可用作OLED的空穴传输层掺杂材料,接收空穴传输材料HOMO能级上的电子,促进空穴的形成,提高空穴与电子的结合率,从而降低OLED器件的工作电压并提升发光效率;且本发明提供的富勒烯衍生物含有富勒烯结构,其热分解温度为310-380℃,具有较高的结构稳定性和热稳定性,不易在OLED制备和使用过程中分解破坏,有助于提升OLED器件的寿命。

具体实施方式

下面通过具体实施方式来进一步说明本发明的技术方案。本领域技术人员应该明了,所述具体实施方式仅仅是帮助理解本发明,不应视为对本发明的具体限制。

制备例1

化合物1-1的制备,其合成路线如下:

Figure BDA0002291629510000091

具体合成步骤如下:

(1)在1000mL三口瓶中加入无水四氢呋喃(500mL),冰浴条件下加入氢化钠(28.8g,1.2mol),氮气保护下缓慢滴加丙二腈(66.1g,1.0mol),

滴加完毕后,冰浴搅拌1小时,再滴加乙酰氯(78.5g,1.0mol),滴加完毕,室温搅拌4小时,缓慢滴加甲醇(10mL),搅拌10分钟后,加入水(500mL),用乙酸乙酯萃取(300mL×2),合并有机相后,水洗一遍(200mL),饱和食盐水洗一遍(100mL),硫酸钠干燥,过滤,旋干,得到粗产品为黄色固体(98.5g),快速柱纯化(洗脱液:石油醚/乙酸乙酯=10:1-4:1,不同比例分段洗脱),得到米白色化合物A(91.3g),收率84.5%;

(2)在1000mL三口瓶中加入化合物A(54.0g,0.50mol)、对甲基苯磺酰肼(116.4g,0.625mol)和甲醇(600mL),充氮气保护,升温至75°回流7小时;反应结束后,将反应瓶置于冰箱中冷却过夜,过滤得黄色固体产物,滤饼用冷甲醇洗三次(100mL×3),干燥得化合物B(99.3g),产率为71.9%;

(3)在1000mL三口瓶中加入化合物B(13.8g,0.050mol),氮气保护,注入重蒸吡啶(150mL),搅拌溶解后加入甲醇钠(4.05g,0.075mol),然后升温至80℃;反应体系在80℃下搅拌10分钟后滴加富勒烯C60(25.2g,0.035mol)的邻二氯苯(500mL)溶液,滴加完毕后在80℃下继续反应24小时;反应结束后自然冷却至室温,之后将反应液倒入甲醇中静置4小时后过滤,滤饼重分散后进行柱分离(甲苯/石油醚=1:1),得到12.5g粗产品;将所得粗产品溶于三氯甲烷,经0.20μm聚四氟乙烯(PTFE)过滤膜过滤后,少量多次过凝胶排斥体积色谱柱(Bio-Rad Bio-Beads S-X1,三氯甲烷为洗脱液)除去溶剂,真空干燥得到化合物1-1(7.8g,产率24.7%)。

元素分析:C70H6N4,理论值:C,93.12;H,0.67;N,6.21;实测值:C,93.33;H,0.69;N,5.98。

HRMS(ESI)m/z(M+):理论值:902.0593;实测值:902.0537。

制备例2

化合物1-2

Figure BDA0002291629510000101

的制备,具体合成步骤如下:

(1)在1000mL三口瓶中加入化合物B(13.8g,0.050mol),氮气保护,注入重蒸吡啶(150mL),搅拌溶解后加入甲醇钠(4.05g,0.075mol),然后升温至80℃;反应体系在80℃下搅拌10分钟后滴加富勒烯C60(12.5g,0.017mol)的邻二氯苯(500mL)溶液,滴加完毕后在80℃下继续反应24小时;反应结束后自然冷却至室温,之后将反应液倒入甲醇中静置4小时后过滤,滤饼重分散后进行柱分离(甲苯/石油醚=1:1),得到6.7g粗产品;将所得粗产品溶于三氯甲烷,经0.20μm聚四氟乙烯(PTFE)过滤膜过滤后,少量多次过凝胶排斥体积色谱柱(Bio-Rad Bio-Beads S-X1,三氯甲烷为洗脱液)除去溶剂,真空干燥得到化合物1-2(4.1g,产率22.2%)。

元素分析:C80H12N8,理论值:C,88.56;H,1.11;N,10.33;实测值:C,88.65;H,1.13;N,10.22。

HRMS(ESI)m/z(M+):理论值:1084.1185;实测值:1084.1235。

制备例3

化合物16-1的制备,其合成路线如下:

Figure BDA0002291629510000111

具体合成步骤如下:

(1)在1000mL三口瓶中加入无水四氢呋喃(500mL),冰浴条件下加入氢化钠(14.4g,0.60mol),氮气保护下缓慢滴加4-氰甲基-2,3,5,6-四氟苯甲腈(化合物C,107.1g,0.50mol),滴加完毕后,冰浴搅拌1小时,再滴加乙酰氯(39.25g,0.5mol),滴加完毕,室温搅拌4小时,缓慢滴加甲醇(10mL),搅拌10分钟后,加入水(500mL),用乙酸乙酯萃取(300mL×2),合并有机相后,水洗一遍(200mL),饱和食盐水洗一遍(100mL),硫酸钠干燥,过滤,旋干,得到粗产品为黄色固体(123.7g),快速柱纯化(洗脱液:石油醚/乙酸乙酯=10:1-4:1,不同比例分段洗脱),得到米白色化合物D(112.3g),收率87.7%;

(2)在1000mL三口瓶中加入化合物D(51.2g,0.20mol)、对甲基苯磺酰肼(46.6g,0.25mol)和甲醇(600mL),充氮气保护,升温至75°回流7小时;反应结束后,将反应瓶置于冰箱中冷却过夜,过滤得黄色固体产物,滤饼用冷甲醇洗三次(100mL×3),干燥得化合物E(61.3g),产率为72.3%;

(3)在1000mL三口瓶中加入化合物B(11.0g,0.040mol)和化合物E(17.0g,0.040mol)氮气保护,注入重蒸吡啶(150mL),搅拌溶解后加入甲醇钠(5.4g,0.10mol),然后升温至80℃;反应体系在80℃下搅拌10分钟后滴加富勒烯C60(20.2g,0.028mol)的邻二氯苯(400mL)溶液,滴加完毕后在80℃下继续反应24小时;反应结束后自然冷却至室温,之后将反应液倒入甲醇中静置4小时后过滤,滤饼重分散后进行柱分离(甲苯/石油醚=1:1),得到11.3g粗产品;将所得粗产品溶于三氯甲烷,经0.20μm聚四氟乙烯(PTFE)过滤膜过滤后,少量多次过凝胶排斥体积色谱柱(Bio-Rad Bio-Beads S-X1,三氯甲烷为洗脱液)除去溶剂,真空干燥得到化合物16-1(7.3g,产率25.4%)。

元素分析:C74H6F4N4,理论值:C,86.55;H,0.59;N,5.46;实测值:C,86.59;H,0.57;N,5.46。

HRMS(ESI)m/z(M+):理论值:1026.05286;实测值:1026.0416。

制备例4

化合物16-3

Figure BDA0002291629510000131

的制备,具体合成步骤如下:

(1)在1000mL三口瓶中加入化合物B(24.9g,0.090mol)和化合物E(38.2g,0.090mol)氮气保护,注入重蒸吡啶(350mL),搅拌溶解后加入甲醇钠(11.7g,0.216mol),然后升温至80℃;反应体系在80℃下搅拌10分钟后滴加富勒烯C60(21.6g,0.030mol)的邻二氯苯(300mL)溶液,滴加完毕后在80℃下继续反应24小时;反应结束后自然冷却至室温,之后将反应液倒入甲醇中静置4小时后过滤,滤饼重分散后进行柱分离(甲苯/石油醚=1:1),得到13.2g粗产品;将所得粗产品溶于三氯甲烷,经0.20μm聚四氟乙烯(PTFE)过滤膜过滤后,少量多次过凝胶排斥体积色谱柱(Bio-Rad Bio-Beads S-X1,三氯甲烷为洗脱液)除去溶剂,真空干燥得到化合物16-3(9.7g,产率18.9%)。

元素分析:C108H18F12N12,理论值:C,75.80;H,1.06;N,9.82;实测值:C,75.81;H,1.04;N,9.81。

HRMS(ESI)m/z(M+):理论值:1711.1619;实测值:1711.2152。

制备例5

化合物18-1

Figure BDA0002291629510000132

的制备,具体合成步骤如下:

(1)在1000mL三口瓶中加入化合物E(25.4g,0.060mol)氮气保护,注入重蒸吡啶(250mL),搅拌溶解后加入甲醇钠(3.9g,0.072mol),然后升温至80℃;反应体系在80℃下搅拌10分钟后滴加富勒烯C60(21.6g,0.03mol)的邻二氯苯(300mL)溶液,滴加完毕后在80℃下继续反应24小时;反应结束后自然冷却至室温,之后将反应液倒入甲醇中静置4小时后过滤,滤饼重分散后进行柱分离(甲苯/石油醚=1:1),得到15.1g粗产品;将所得粗产品溶于三氯甲烷,经0.20μm聚四氟乙烯(PTFE)过滤膜过滤后,少量多次过凝胶排斥体积色谱柱(Bio-Rad Bio-Beads S-X1,三氯甲烷为洗脱液)除去溶剂,真空干燥得到化合物16-1(10.9g,产率30.3%)。

元素分析:C82H8F8N4,理论值:C,82.01;H,0.67;N,4.67;实测值:C,82.03;H,0.66;N,4.59。

HRMS(ESI)m/z(M+):理论值:1200.0621;实测值:1200.0561。

制备例6

化合物18-4的制备,具体合成步骤如下:

(1)在1000mL三口瓶中加入化合物E(33.9g,0.080mol)氮气保护,注入重蒸吡啶(350mL),搅拌溶解后加入甲醇钠(5.2g,0.096mol),然后升温至80℃;反应体系在80℃下搅拌10分钟后滴加富勒烯C60(7.2g,0.01mol)的邻二氯苯(100mL)溶液,滴加完毕后在80℃下继续反应24小时;反应结束后自然冷却至室温,之后将反应液倒入甲醇中静置4小时后过滤,滤饼重分散后进行柱分离(甲苯/石油醚=1:1),得到6.9g粗产品;将所得粗产品溶于三氯甲烷,经0.20μm聚四氟乙烯(PTFE)过滤膜过滤后,少量多次过凝胶排斥体积色谱柱(Bio-Rad Bio-Beads S-X1,三氯甲烷为洗脱液)除去溶剂,真空干燥得到化合物16-1(4.8g,产率18.3%)。

元素分析:C149H30F31N15,理论值:C,68.33;H,1.15;F,22.49;N,8.02;实测值:C,68.22;H,1.21;N,8.12。

HRMS(ESI)m/z(M+):理论值:2619.23806;实测值:2619.30543。

热分解温度测试:

使用热重分析仪(TGA)对上述制备例合成的化合物进行热分解温度测试,测试范围为25-600℃,升温速率10℃/min,氮气氛围下,以重量损失0.5%的温度定义为分解温度(Td)。

LUMO能级测试:

使用电化学工作站利用循环伏安法(CV)对上述制备例合成的化合物的LUMO能级和能带宽度进行测试。以铂丝(Pt)为对电极,银/氯化银(Ag/AgCl)为参比电极,在氮气氛围下,在含有0.1mol/L四丁基六氟磷酸铵的二氯甲烷电解液中以100mV/s的扫描速率进行测试,以二茂铁进行电位标定,设定二茂铁的电位在真空状态下的绝对能级为-4.8eV,根据如下公式计算得到LUMO能级:

Figure BDA0002291629510000151

其中,

Figure BDA0002291629510000152

为还原电压,EFc/Fc+为二茂铁还原电压。根据LUMO能级和能带宽度,计算得到HOMO值。

上述测试的结果如下表1所示:

表1

Figure BDA0002291629510000153

由表1的结果可以看出,本发明提供的富勒烯衍生物具有较高的热分解温度,在OLED器件制备过程中不易分解破坏,保证器件具有良好的热稳定性;且这些化合物的LUMO能级较低(-4.5~-5.8eV),可与常见空穴传输材料相匹配,有助于促进空穴产生,提高空穴传输层的空穴浓度,提高电子与空穴的结合率,降低OLED器件的工作电压并提升其发光效率。

实施例1

本实施例提供一种OLED器件,包括依次层叠的ITO阳极、空穴传输层(HTL)、有机发光层(EML)、电子传输层(ETL)、电子注入层(EIL)、和阴极;其制备方法如下:

预处理:将涂布了ITO透明电极基板在商用清洗剂中超声处理,在去离子水中冲洗,在丙酮和乙醇的混合溶剂(体积比1:1)中超声除油,在洁净环境下烘烤至完全除去水分,然后用紫外光和臭氧清洗;

OLED制备:将预处理后的ITO透明基板放置在蒸镀设备中,依次蒸镀40nm HTL层、40nm EML层、40nm ETL层、1nm EIL层和150nm铝阴极;其中,HTL层系由95wt%的NPB和5wt%化合物1-1组成,EML层系由1,4-双(2,2-二苯基乙烯基)苯组成,ETL层系由TPBI组成,EIL层由LiF组成。

上述各化合物的结构式如下:

Figure BDA0002291629510000171

实施例2

提供一种OLED器件,与实施例1的区别在于,将化合物1-1替换为等量的化合物1-2。

实施例3

提供一种OLED器件,与实施例1的区别在于,将化合物1-1替换为等量的化合物16-1。

实施例4

提供一种OLED器件,与实施例1的区别在于,将化合物1-1替换为等量的化合物16-3。

实施例5

提供一种OLED器件,与实施例1的区别在于,将化合物1-1替换为等量的化合物18-1。

实施例6

提供一种OLED器件,与实施例1的区别在于,将化合物1-1替换为等量的化合物18-4。

对比例1

提供一种OLED器件,与实施例1的区别在于,将化合物1-1替换为等量的NDP-9。

采用PR 650光谱扫描亮度计和Keithley K 2400数字源表系统,在电流密度为20mA/cm2条件下,下对实施例1-6和对比例1提供的OLED器件的器件的工作电压、电流效率、寿命、发光光谱特性进行测试,结果如下表2所示:

表2

由表2的数据可以看出,相较于对比例1,实施例1-6提供的OLED器件采用本发明提供的富勒烯衍生物作为空穴传输层掺杂材料,其在相同电流密度下,具有更低的工作电压、更长的寿命和更高的发光效率。

申请人声明,以上所述仅为本发明的具体实施方式,但本发明的保护范围并不局限于此,所属技术领域的技术人员应该明了,任何属于本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内,可轻易想到的变化或替换,均落在本发明的保护范围和公开范围之内。

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