阅读说明：本技术 显示面板和包括显示面板的显示装置 (Display panel and display device including the same ) 是由 李俊杰 高京秀 金湘甲 崔新逸 于 2019-06-25 设计创作，主要内容包括：提供了显示面板和包括显示面板的显示装置。所述显示面板包括基底,所述基底具有开口区域和至少部分地围绕开口区域的显示区域。显示元件布置在显示区域中。显示元件包括像素电极、对电极和置于像素电极与对电极之间的中间层。多层膜包括在基底与像素电极之间的第一绝缘层和位于第一绝缘层上的具有不同材料的第二绝缘层。薄膜封装层覆盖显示元件并且包括至少一个有机封装层和至少一个无机封装层。所述多层膜包括设置在开口区域与显示区域之间的第一凹槽。第一凹槽具有底切结构,在所述底切结构中,第一凹槽的下宽度大于第一凹槽的上宽度。(A display panel and a display apparatus including the same are provided. The display panel includes a substrate having an opening region and a display region at least partially surrounding the opening region. The display element is arranged in the display area. The display element includes a pixel electrode, a counter electrode, and an intermediate layer interposed between the pixel electrode and the counter electrode. The multi-layer film includes a first insulating layer between the substrate and the pixel electrode and a second insulating layer having a different material on the first insulating layer. The thin film encapsulation layer covers the display element and includes at least one organic encapsulation layer and at least one inorganic encapsulation layer. The multilayer film includes a first groove disposed between an opening region and a display region. The first groove has an undercut structure in which a lower width of the first groove is greater than an upper width of the first groove.)

显示面板和包括显示面板的显示装置

本申请要求于2018年6月29日在韩国知识产权局提交的第10-2018-0076085号韩国专利申请的权益，该申请的公开内容通过引用全部包含于此。

技术领域

本公开涉及一种显示装置，更具体地，涉及一种显示面板和包括该显示面板的显示装置。

背景技术

近年来，显示装置正被用于更多种类的产品中。此外，显示装置正变得更薄且重量更轻，因此其使用范围正在增加。

当增大显示装置的显示区域时，广范围的传感器和其它元件正被集成到显示装置中。

发明内容

一种显示面板包括：基底，具有开口区域和至少部分地围绕开口区域的显示区域。多个显示元件布置在显示区域中。所述多个显示元件中的每个包括像素电极、对电极和置于像素电极与对电极之间的中间层。多层膜包括布置在基底与像素电极之间的第一绝缘层和布置在第一绝缘层上并且具有与第一绝缘层的材料不同的材料的第二绝缘层。薄膜封装层覆盖所述多个显示元件并且包括至少一个有机封装层和至少一个无机封装层。所述多层膜包括设置在开口区域与显示区域之间的第一凹槽。第一凹槽具有底切结构，在所述底切结构中，第一凹槽的下宽度大于第一凹槽的上宽度。

一种显示面板包括具有开口区域的基底。多个显示元件布置在基底上。所述多个显示元件围绕开口区域。所述多个显示元件中的每个包括像素电极、对电极和置于像素电极与对电极之间的中间层。多层膜包括布置在基底与像素电极之间的第一绝缘层和设置在第一绝缘层上的第二绝缘层。封装层覆盖所述多个显示元件。所述多层膜包括围绕开口区域并且相对于所述多层膜的深度方向凹入的第一凹槽。第一凹槽具有底切结构，在所述底切结构中，第一凹槽的下宽度大于第一凹槽的上宽度。

一种显示装置包括基底，基底具有开口区域和至少部分地围绕开口区域的显示区域。多个显示元件布置在显示区域中。每个显示元件包括像素电极、对电极和置于像素电极与对电极之间的中间层。多层膜包括设置在基底与像素电极之间的有机绝缘层和设置在有机绝缘层上的无机绝缘层。薄膜封装层覆盖所述多个显示元件并且包括至少一个有机封装层和至少一个无机封装层。所述多层膜包括位于开口区域与显示区域之间的第一凹槽。第一凹槽具有底切结构。

附图说明

随着通过参照当结合附图考虑时的下面的详细描述，本公开及其许多附带方面变得更好理解，将更容易获得对本公开及其许多附带方面的更完整的理解，其中：

图1是示意性示出根据本公开的示例性实施例的显示装置的透视图；

图2A至图2D是示出根据本公开的示例性实施例的显示装置的示意性剖视图；

图3是示出根据本公开的示例性实施例的显示面板的示意性平面图；

图4是示意性示出根据本公开的示例性实施例的显示面板的像素的等效电路图；

图5是示出根据本公开的示例性实施例的显示面板的一部分并示出位于显示面板的第一非显示区域中的信号线的平面图；

图6是示出根据本公开的示例性实施例的显示面板的一部分并示出位于显示面板的第一非显示区域中的凹槽的平面图；

图7是示出根据本公开的示例性实施例的显示面板的示意性剖视图；

图8是示出图7的有机发光装置的放大剖视图；

图9A是示出第一凹槽的摘取剖视图，图9B是示出图9A的第一凹槽上的堆叠结构的剖视图；

图10是示出根据本公开的示例性实施例的显示面板的示意性剖视图；

图11是示出根据本公开的示例性实施例的显示面板的示意性局部平面图；

图12是示出围绕开口区域的***区域的平面图；

图13是沿图12的线XIII-XIII'截取的剖视图；

图14是示出根据本公开的示例性实施例的显示面板的示意性局部平面图；

图15是示出围绕开口区域的***区域的平面图；以及

图16是沿图15的线XVI-XVI'截取的剖视图。

具体实施方式

在描述附图中所示的本公开的示例性实施例时，为了清楚起见，使用了特定的术语。然而，本公开并不意图限于如此选择的特定术语，并且将理解的是，每个特定元件包括以类似方式操作的所有技术等同物。

贯穿说明书和附图，同样的元件可以通过同样的附图标记表示。在已经省略对特定元件的详细描述的程度上，可以假设未描述的元件至少类似于在说明书中其它地方已经描述的相应元件。

虽然如“第一”、“第二”等这样的术语可以用于描述各种组件，但是这样的组件不应限于上面的术语。上面的术语仅用于将一个组件与另一组件区分开。

在下面的实施例中，将理解的是，当诸如层、区域或元件的部分被称为“在”另一部分“上”或“上方”时，该部分可以直接在所述另一部分上或上方，或者也可以存在中间部分。

为了便于解释，可以夸大或缩小附图中的组件的尺寸。

如这里所描述的，当层、区域或元件被称为“连接”到另一结构时，不仅可以解释为所述层、区域或元件被直接连接，而且可以解释为所述层、区域或元件通过置于所述层、区域或元件与所述另一结构之间的其它组成元件被连接。例如，当层、区域、元件等被描述为被连接或电连接到另一结构时，所述层、区域、元件等不仅可以被直接连接或直接电连接，还可以通过置于所述层、区域或元件与所述另一结构之间的另一层、区域、元件等被连接。

图1是示意性示出根据本公开的示例性实施例的显示装置1的透视图。

参照图1，显示装置1包括多个区域，例如，第一区域、围绕第一区域的第二区域、在第一区域和第二区域之间的第三区域以及围绕第二区域的第四区域。第一区域可以对应于开口区域RA，第二区域可以对应于显示区域DA，第三区域可以对应于第一非显示区域NDA1，第四区域可以对应于第二非显示区域NDA2。显示装置1包括从其发射光的显示区域DA和不发射光的非显示区域NDA。显示装置1可以通过利用从布置在显示装置1的显示区域DA中的多个像素发射的光来显示图像。

显示装置1包括被显示区域DA至少部分地围绕的开口区域RA。图1示出了开口区域RA被显示区域DA完全地围绕。非显示区域NDA可以包括围绕开口区域RA(例如，位于开口区域RA与显示区域DA之间)的第一非显示区域NDA1和至少部分地围绕显示区域DA的外部的第二非显示区域NDA2。第一非显示区域NDA1可以完全地围绕开口区域RA，显示区域DA可以完全地围绕第一非显示区域NDA1，并且第二非显示区域NDA2可以完全围绕显示区域DA。

在下文中，根据本公开的示例性实施例，有机发光显示装置(有机电致发光(EL)显示器)将被描述为显示装置1的示例，但根据本公开的显示装置不限于此。例如，可以使用诸如无机电致发光(EL)显示器、量子点发光显示器等的各种类型的显示装置。

图2A至图2D是示意性示出根据本公开的示例性实施例的显示装置1的剖视图，并且可以与沿图1的线II-II'切割的剖面对应。

参照图2A，显示装置1可以包括显示面板10和与显示面板10的开口区域RA对应的电子元件20。还可以在显示面板10上布置诸如感测触摸输入的输入感测构件、包括偏振器和延迟器或者滤色器和黑矩阵的抗反射构件以及透明窗口的各种元件。

显示面板10可以包括基底100、布置在基底100上并且包括显示元件的显示元件层200以及覆盖显示元件层200的薄膜封装层300(例如，封装构件)。

基底100可以包括包含SiO₂作为主要组分的玻璃材料。显示元件层200包括布置在显示区域DA中的显示元件(诸如有机发光二极管OLED)。显示元件层200可以包括电连接到作为显示元件的有机发光二极管OLED的各种电路和布线。薄膜封装层300可以覆盖显示元件层200，从而防止湿气或其它外部污染物的渗透进入到显示元件层200中。薄膜封装层300可以包括至少一个无机封装层和至少一个有机封装层。

如图2A中所示，显示面板10可以包括与开口区域RA对应并贯穿显示面板10的开口10H。基底100、显示元件层200和薄膜封装层300可以分别包括与开口区域RA对应的第一开口100H、第二开口200H和第三开口300H。第一开口100H、第二开口200H和第三开口300H可以一起形成显示面板10的开口10H。第一开口100H可以从基底100的顶表面穿过或穿透到基底100的底表面。第二开口200H可以从显示元件层200的顶表面穿过或穿透到显示元件层200的底表面。第三开口300H可以从薄膜封装层300的顶表面穿过或穿透到薄膜封装层300的底表面。

开口区域RA可以与布置有电子元件20的位置对应，并且因此电子元件20可以布置成与基底100的第一开口100H、显示元件层200的第二开口200H和薄膜封装层300的第三开口300H对应。第一开口100H可以贯穿基底100的上表面和下表面，第二开口200H可以贯穿显示元件层200的最下层至最上层。第三开口300H可以贯穿薄膜封装层300。

电子元件20可以是检测和/或产生光和/或声音的电子元件。例如，电子元件可以包括诸如红外传感器的接收光的传感器、接收光以捕获图像的相机、通过输出或感测光或声音来测量距离或感测指纹的传感器、输出光的紧凑型灯、输出声音的扬声器等。检测和/或产生光的电子元件可以使用诸如可见光、红外光和/或紫外光的各种波段的光。开口区域RA可以被理解为透过区域，通过该透过区域可以透过从电子元件20输出到外部或者从外部行进到电子元件20中的光和/或声音。如图2A中所示，当去除了显示面板10的与开口区域RA对应的所有部分时(例如，当开口10H贯穿显示面板10时)，可以更有效地处理由电子元件20输出或接收的光或声音。

虽然图2A示出了电子元件20布置在基底100下方，但是本公开不限于此。根据本公开的示例性实施例，电子元件20可以位于显示面板10的开口10H内。

图2A示出了包括与开口区域RA对应的第一开口100H的基底100、包括与开口区域RA对应的第二开口200H的显示元件层200以及包括与开口区域RA对应的第三开口300H的薄膜封装层300。然而，在图2B中，基底100可以不包括第一开口100H。例如，在基底100中可以没有与电子元件20对应的开口。

参照图2B，虽然基底100不包括第一开口，但是显示元件层200和薄膜封装层300可以分别包括第二开口200H和第三开口300H，因此，可以确保由电子元件20所使用的光的透射率。根据本公开的示例性实施例，图2B中所示的显示面板10的开口区域RA中的透光率可以为约50％或更高，更优选地，为约70％或更高，为约75％或更高，为约80％或更高，为约85％或更高，或者为约90％或更高。

参照图2C和图2D，显示面板10的基底100可以包括聚合物树脂，从而与玻璃材料基底相比进一步提供柔性。例如，基底100可以包括顺序地堆叠的第一基体层101、第一无机层102、第二基体层103和第二无机层104。

第一基体层101和第二基体层103均可以包括透明的聚合物树脂。聚合物树脂可以是例如聚醚砜(PES)、聚芳酯(PAR)、聚醚酰亚胺(PEI)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚苯硫醚(PPS)、聚酰亚胺(PI)、聚碳酸酯(PC)、三乙酸纤维素(TAC)、乙酸丙酸纤维素(CAP)等。

第一无机层102和第二无机层104是防止外部异物的渗透的阻挡层，并且这些层中的每个层可以是包括诸如氮化硅(SiN_x)和/或氧化硅(SiO_x)的无机材料的单层结构或多层结构。

包括聚合物树脂的基底100可以包括与开口区域RA对应的第一开口100H(如图2C中所示)，或者可以不包括第一开口(如图2D中所示)。可选择地，如上所述，显示元件层200和薄膜封装层300可以分别仅具有第二开口200H和第三开口300H。

图3是示意性示出根据本公开的示例性实施例的显示面板10的平面图，图4是示意性示出显示面板10的像素的等效电路图。

参照图3，显示面板10包括布置在显示区域DA中的多个像素P。每个像素P可以包括有机发光二极管OLED(见图4)。每个像素P可以通过有机发光二极管OLED发射红色颜色的光、绿色颜色的光、蓝色颜色的光或白色颜色的光。

参照图4，每个像素P包括像素电路PC和连接到像素电路PC的有机发光二极管OLED。像素电路PC可以包括第一薄膜晶体管T1、第二薄膜晶体管T2和存储电容器Cst。

第二薄膜晶体管T2是开关薄膜晶体管并连接到扫描线SL和数据线DL，并且根据经由扫描线SL输入的开关电压将经由数据线DL输入的数据电压传输到第一薄膜晶体管T1。存储电容器Cst连接到第二薄膜晶体管T2和驱动电压线PL，并且存储与从第二薄膜晶体管T2接收的电压和供应到驱动电压线PL的第一电源电压ELVDD之间的差对应的电压。

第一薄膜晶体管T1是驱动薄膜晶体管并连接到驱动电压线PL和存储电容器Cst，并且可以根据存储在存储电容器Cst中的电压值来控制从驱动电压线PL流经有机发光二极管OLED的驱动电流。有机发光二极管OLED可以经由驱动电流发射具有预定亮度的光。有机发光二极管OLED的对电极(例如，阴极)可以接收第二电源电压ELVSS。

图4示出了包括两个薄膜晶体管和一个存储电容器的像素电路PC，但本公开不限于此。将理解的是，薄膜晶体管的数量和存储电容器的数量可以根据像素电路PC的设计而改变。

返回参照图3，第一非显示区域NDA1可以围绕开口区域RA。第一非显示区域NDA1是没有布置显示元件(诸如有机发光二极管OLED)的区域。将在下面进行详细描述的、包括在开口区域RA或凹槽周围的、信号经由其提供到像素P的信号线可以布置在第一非显示区域NDA1中。在第二非显示区域NDA2中，可以布置向每个像素P提供扫描信号的扫描驱动器1100、向每个像素P提供数据信号的数据驱动器1200、经由其提供第一电源电压和第二电源电压的主电源布线等。

图3可以被理解为示出包括在显示面板10中的基底100。例如，可以理解的是，基底100包括开口区域RA、显示区域DA、第一非显示区域NDA1和第二非显示区域NDA2。

图5是示出根据本公开的示例性实施例的显示面板的一部分的平面图，并且图5示出了位于第一非显示区域中的信号线。

参照图5，像素P布置在围绕开口区域RA的显示区域DA中，并且第一非显示区域NDA1可以布置在开口区域RA与显示区域DA之间。

像素P可以相对于开口区域RA彼此间隔开。像素P可以相对于图5的XY平面在开口区域RA的上方和下方彼此间隔开。可选择地，像素P可以相对于图5的XY平面在相对于开口区域RA的左侧上和右侧上彼此间隔开。

用于将信号供应到像素P并且与开口区域RA相邻的信号线可以围绕开口区域RA绕行。经过显示区域DA的一些数据线DL可以在y方向上延伸，以将数据信号提供到布置在开口区域RA上方和下方的像素P，并且可以同时在第一非显示区域NDA1中沿开口区域RA的边界绕行。经过显示区域DA的一些扫描线SL可以在x方向上延伸，以将扫描信号提供到布置在相对于开口区域RA的左侧或右侧上的像素P，并且可以同时在第一非显示区域NDA1中沿开口区域RA的边界绕行。

图6是示出根据本公开的示例性实施例的显示面板的一部分的平面图，并且示出了位于第一非显示区域中的凹槽。

凹槽位于开口区域RA与显示区域DA之间。在这方面，虽然图6示出了位于开口区域RA与显示区域DA之间的第一凹槽G1和第二凹槽G2，但是根据本公开的示例性实施例，除第一凹槽G1和第二凹槽G2之外还可以包括一个或更多个凹槽。

第一凹槽G1和第二凹槽G2均可以在第一非显示区域NDA1中具有完全地围绕开口区域RA的环形形状。第一凹槽G1和第二凹槽G2中的每个的直径可以大于开口区域RA的直径，并且第一凹槽G1和第二凹槽G2可以彼此间隔开预定距离。

图7是示出根据本公开的示例性实施例的显示面板的剖视图。图7与沿图6的线VII-VII'截取的剖面对应。图8是示出图7的有机发光装置的放大剖视图。图9A是示出第一凹槽G1的摘取视图的剖视图，图9B是示出图9A的第一凹槽G1上的堆叠结构的剖视图。

首先，参照图7中所示的显示区域DA，基底100可以包括如上面参照图2A和图2B描述的玻璃，或者可以包括如上面参照图2C和图2D描述的无机层和包含聚合物树脂的基体层。

缓冲层201可以形成在基底100上。缓冲层201可以防止杂质渗透到薄膜晶体管TFT的半导体层Act中。缓冲层201可以包括诸如氮化硅或氧化硅的无机绝缘材料，并且可以是包括上述无机绝缘材料的单层结构或多层结构。在本公开的一些示例性实施例中，参照图2C和图2D描述的第二无机层104可以理解为具有多层结构的缓冲层201的子层。

包括薄膜晶体管TFT、存储电容器Cst等的像素电路PC可以布置在缓冲层201上。薄膜晶体管TFT可以包括半导体层Act、栅电极GE、源电极SE和漏电极DE。如图7中所示的薄膜晶体管TFT可以对应于参照图4描述的驱动薄膜晶体管。根据本公开的示例性实施例，示出了其中栅电极GE布置在半导体层Act上并且在栅电极GE与半导体层Act之间包括栅极绝缘层203的顶栅型薄膜晶体管。可选择地，薄膜晶体管TFT也可以是底栅型。

半导体层Act可以包括多晶硅。可选择地，半导体层Act可以包括非晶硅、氧化物半导体、有机半导体等。栅电极GE可以包括低电阻金属材料。栅电极GE可以包括包含钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)、钛(Ti)等的导电材料，并且可以形成为具有上述材料的多层结构或单层结构。

栅极绝缘层203可以置于半导体层Act与栅电极GE之间，并且栅极绝缘层203可以包括氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化铝、氧化钛、氧化钽、氧化铪等。

源电极SE和漏电极DE均可以包括具有高导电率的材料。源电极SE和漏电极DE均可以包括诸如钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)、钛(Ti)等的导电材料，并且可以形成为具有上述材料的多层结构或单层结构。在一个本公开的示例性实施例中，源电极SE和漏电极DE均可以包括Ti/Al/Ti的多层结构。

存储电容器Cst包括彼此叠置的下电极CE1和上电极CE2以及置于下电极CE1与上电极CE2之间的第一层间绝缘层205。存储电容器Cst可以与薄膜晶体管TFT叠置。在这方面，图7示出了薄膜晶体管TFT的栅电极GE是存储电容器Cst的下电极CE1，但本公开不限于此。根据本公开的示例性实施例，存储电容器Cst可以不与薄膜晶体管TFT叠置。存储电容器Cst可以被第二层间绝缘层207覆盖。

第一层间绝缘层205和第二层间绝缘层207均可以包括诸如氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化铝、氧化钛、氧化钽、氧化铪等的无机绝缘材料。

包括薄膜晶体管TFT和存储电容器Cst的像素电路PC被第一绝缘层209覆盖。第一绝缘层209是平坦化绝缘层并且可以包括有机绝缘材料，诸如典型的通用聚合物(例如，聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)或聚苯乙烯(PS))、具有酚基的聚合物衍生物、丙烯酸类聚合物、酰亚胺类聚合物、芳醚类聚合物、酰胺类聚合物、氟类聚合物、对二甲苯基聚合物、乙烯醇基聚合物以及它们的共混物。根据本公开的示例性实施例，第一绝缘层209可以包括聚酰亚胺。根据本公开的示例性实施例，第一绝缘层209可以具有约1.7μm至约2.4μm的厚度。

有机发光二极管OLED布置在第一绝缘层209上。有机发光二极管OLED的像素电极221可以布置在第一绝缘层209上(即，接触第一绝缘层209的上表面)并且可以通过第一绝缘层209的接触孔连接到像素电路PC。

像素电极221可以包括诸如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟(In₂O₃)、氧化铟镓(IGO)或氧化铝锌(AZO)的导电氧化物。根据本公开的示例性实施例，像素电极221可以包括包含银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)或它们的复合物的反射层。根据本公开的示例性实施例，像素电极221还可以包括在上述反射层上或之下由ITO、IZO、ZnO或In₂O₃形成的膜。

第二绝缘层211可以包括使像素电极221的上表面暴露的开口并且可以覆盖像素电极221的边缘。第二绝缘层211包括无机绝缘材料。例如，第二绝缘层211可以包括氧化硅和/或氮化硅，并且可以是单层结构或多层结构。第二绝缘层211的厚度可以小于第一绝缘层209的厚度。

中间层222包括发射层222b。发射层222b可以包括发射预定颜色光的聚合物或低分子量有机材料。根据本公开的示例性实施例，中间层222可以包括布置在发射层222b之下的第一功能层222a和/或布置在发射层222b上的第二功能层222c。

第一功能层222a可以是单层结构或多层结构。例如，当第一功能层222a由聚合物材料形成时，第一功能层222a可以是具有单层结构的空穴传输层(HTL)，并且可以包括聚(3,4-乙撑二氧噻吩)(PEDOT)或聚苯胺(PANI)。当第一功能层222a由低分子量材料形成时，第一功能层222a可以包括空穴注入层(HIL)和空穴传输层(HTL)。

第二功能层222c是可选的并且可以被省略。例如，当第一功能层222a和发射层222b由聚合物材料形成时，可以形成第二功能层222c。第二功能层222c可以是单层结构或多层结构。第二功能层222c可以包括电子传输层(ETL)和/或电子注入层(EIL)。

构成中间层222的多个层中的一些(例如，功能层)不仅可以布置在显示区域DA中，而且可以布置在第一非显示区域NDA1中，并且这些层可以在第一非显示区域NDA1中被第一凹槽G1和第二凹槽G2切断，这将在后面描述。

对电极223设置成面对像素电极221，并且中间层222置于对电极223与像素电极221之间。对电极223可以包括具有低逸出功的导电材料。例如，对电极223可以包括包含Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、锂(Li)、钙(Ca)或它们的合金的透明层或半透明层。可选择地，对电极223还可以在透明层或半透明层上包括包含诸如ITO、IZO、ZnO或In₂O₃的层。

有机发光二极管OLED被薄膜封装层300覆盖。薄膜封装层300可以包括至少一个有机封装层和至少一个无机封装层。图7示出了薄膜封装层300包括第一无机封装层310、第二无机封装层330以及置于第一无机封装层310与第二无机封装层330之间的有机封装层320。可选择地，可以改变封装层的堆叠顺序和数量。

第一无机封装层310和第二无机封装层330可以包括诸如氧化铝、氧化钛、氧化钽、氧化铪、氧化锌、氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅的无机绝缘材料，并且可以通过例如化学气相沉积(CVD)形成。有机封装层320可以包括聚合物类材料。聚合物类材料的示例可以包括丙烯酸树脂、环氧树脂、聚酰亚胺和聚乙烯。

参照图7的第一非显示区域NDA1，第一非显示区域NDA1可以包括离开口区域RA相对远的第一子非显示区域SNDA1和与开口区域RA相对接近的第二子非显示区域SNDA2。

第一子非显示区域SNDA1是信号线通过其而经过的区域，并且图7中所示的数据线DL与参照图5描述的绕过开口区域RA的数据线DL对应。

数据线DL可以交替地布置，并且绝缘层置于数据线DL之间。相邻的数据线DL可以分别布置在绝缘层(例如，第二层间绝缘层207)之下和之上，从而减小相邻的数据线DL之间的距离(间距)。当减小距离(间距)时，可以减小第一非显示区域NDA1的宽度。尽管在图7中的第一子非显示区域SNDA1中仅示出了数据线DL，但是也可以在第一子非显示区域SNDA1中形成上面参照图5描述的绕过开口区域RA的扫描线。

第二子非显示区域SNDA2可以防止通过开口10H在显示元件层200的横向(x方向)上行进的外部湿气的渗透，第一凹槽G1和第二凹槽G2布置在第二子非显示区域SNDA2中。

参照图9A，第一凹槽G1形成在多层膜210中。这里，多层膜210可以包括作为下绝缘层的第一绝缘层209和作为上绝缘层的第二绝缘层211。其它绝缘层(例如，缓冲层201至第二层间绝缘层207)可以布置在多层膜210之下。

第一凹槽G1可以沿多层膜210的厚度方向具有预定深度。可以通过去除第二绝缘层211的一部分和第一绝缘层209的一部分来形成第一凹槽G1。可以通过蚀刻工艺去除第二绝缘层211的所述部分和第一绝缘层209的所述部分。根据本公开的示例性实施例，可以单独地执行蚀刻第一绝缘层209以形成第一孔209H的操作和蚀刻第二绝缘层211以形成第二孔211H的操作。

第一绝缘层209的第一孔209H的第一宽度W1可以大于第二绝缘层211的第二孔211H的第二宽度W2，并且第一凹槽G1可以具有其下宽度大于上宽度的底切结构。在这方面，如图9A中所示，在第二绝缘层211与第一绝缘层209之间的界面处，第二绝缘层211的面对第二孔211H的内侧211IE比第一绝缘层209的内侧209IE在横向方向(x方向)上朝向第一凹槽G1的中心突出第一距离d。第一距离d可以小于第一绝缘层209的厚度t1，或者可以等于或大于第一绝缘层209的厚度t1。第一距离d可以大于第一无机封装层310的厚度或者大于第一无机封装层310和第二无机封装层330的厚度之和。根据本公开的示例性实施例，第一距离d可以是约2μm或更大。

在多层膜210中形成第一凹槽G1之后(如图9A中所示)，形成中间层222和对电极223，并且中间层222和对电极223可以被第一凹槽G1切割(例如，分开)。在这方面，图9B示出了第一功能层222a和第二功能层222c以及对电极223被第一凹槽G1切割。

如图7中所示，中间层222和对电极223形成在其上布置有第一凹槽G1的基底100上。构成中间层222的多个层中的一些层(例如，第一功能层222a和/或第二功能层222c)中的每个层可以像对电极223一样一体地形成在显示区域DA和第一非显示区域NDA1中，当第一凹槽G1形成在第一非显示区域NDA1中时，第一功能层222a和/或第二功能层222c可以相对于第一凹槽G1被切断。类似地，对电极223相对于第一凹槽G1被切断。

来自薄膜封装层300之中的第一无机封装层310具有比中间层222和对电极223好的台阶覆盖能力，因此，第一无机封装层310可以完全地覆盖第一凹槽G1的内表面(如图9B中所示)。第一无机封装层310作为单一结构连续地形成，而没有被第一凹槽G1的底切结构切断。例如，第一无机封装层310可以覆盖第二绝缘层211的内侧211IE和底表面以及第一绝缘层209的内侧209IE和底表面。这里，第一无机封装层310可以与第二层间绝缘层207的通过第一凹槽G1暴露的上表面直接接触。

在形成在基底100上的层之中的包含有机材料的层可以用作诸如湿气或氧的异物的传输路径。然而，当为有机绝缘层的第一绝缘层209被第一凹槽G1切断时，可以防止湿气在横向(x方向)上的传输。此外，当第一无机封装层310与作为通过第一凹槽G1暴露的无机绝缘层的第二层间绝缘层207直接接触时，因为包括有机材料的所有层被覆盖，因此可以防止通过具有有机材料的层在横向方向上的湿气传输。此外，如上所述，由于第一功能层222a和/或第二功能层222c可以相对于第一凹槽G1和第二凹槽G2被切断，因此可以防止湿气在横向方向(x方向)上的传输。

第一无机封装层310的厚度(例如，在垂直于基底100的方向(z方向)上的厚度)可以小于第一绝缘层209的厚度t1。第一凹槽G1的一部分可以用第一无机封装层310上的有机封装层320填充。

虽然图9A和图9B示出了聚焦于第一凹槽G1的结构，但第二凹槽G2也可以具有等同于第一凹槽G1的结构的结构。

参照图7，第二凹槽G2也具有下宽度大于上宽度的底切结构，并且第二凹槽G2的详细结构与上面参照图9A描述的结构相同。中间层222和对电极223不仅可以被第一凹槽G1切断而且可以被第二凹槽G2切断。如上面参照第一凹槽G1描述的，由于第二凹槽G2的内表面被第一无机封装层310完全地覆盖，并且第一无机封装层310与通过第二凹槽G2暴露的第二层间绝缘层207直接接触，因此通过使用第二凹槽G2也可以有效地阻挡通过有机材料的传输路径。

与第一凹槽G1的上部分(其中第一无机封装层310和有机封装层320例如在第二绝缘层211的第二孔211H中)不同，可以从第二凹槽G2省略有机封装层320。

可以通过在基底100上敷设例如单体然后使其硬化来形成有机封装层320，当有机封装层320形成开口10H的侧面时，会通过有机封装层320发生湿气传输。为了防止这种情况，可以通过灰化等去除有机封装层320的一部分(例如，与在开口区域RA和第一凹槽G1之间的区域HA对应的部分)，因此，有机封装层320的端部320E可以布置在第一凹槽G1与第二凹槽G2之间。由于有机封装层320的端部320E被布置得比第一无机封装层310的端部和第二无机封装层330的端部靠近显示区域DA，所以第一无机封装层310和第二无机封装层330可以在上述区域HA中彼此直接接触。例如，第一无机封装层310和第二无机封装层330也可以在第二绝缘层211的上表面之上和第二凹槽G2内彼此接触。

在形成有机封装层320的操作期间，当去除区域HA中的有机材料时，存在于第二凹槽G2中的有机材料也在灰化工艺中被去除。然而，有机残留物325可能在第二凹槽G2的底切结构中保留在第二绝缘层211的檐部(例如，悬突部)之下。根据本公开的示例性实施例，根据灰化工艺等的条件，如图10中所示，可以没有有机残留物被留在第二凹槽G2中。

虽然图7至图10示出了在基底100中形成开口的结构，但是本公开不限于如上所述的结构。参照图7至图10述的结构以及下面将参照图11至图16描述的结构也可以应用于在基底100中没有形成开口的示例性实施例，例如，应用于图2B和图2D中所示的显示面板10以及由此衍生的实施例。

图11是示出根据本公开的示例性实施例的显示面板10'的示意性局部平面图。图12是示出围绕图11的开口区域RA的***区域的平面图。图13是示出沿图12的线XIII-XIII'截取的围绕开口区域的***区域的剖视图。在省略对本实施例的显示面板10'的元件和结构的详细描述的程度上，可以假设所省略的细节至少类似于上面关于图3描述的显示面板10的细节。

参照图11和图12，显示面板10'的开口区域RA可以被显示区域DA部分地围绕。像素P可以在相对于开口区域RA的左侧和右侧上彼此间隔开。将扫描信号传输到开口区域RA的左侧上的像素P和开口区域RA的右侧上的像素P的扫描线SL可以在第一非显示区域NDA1中围绕开口区域RA绕行。

开口区域RA可以被第一凹槽G1和第二凹槽G2(至少部分地)围绕。根据本公开的示例性实施例，图12示出了第一凹槽G1围绕开口区域RA的一部分，并且第二凹槽G2完全地围绕开口区域RA。第一凹槽G1可以围绕开口区域RA的一部分，并且第一凹槽G1的两个端部可以连接到包括在第二非显示区域NDA2中的第三凹槽G3。第二凹槽G2可以完全地围绕开口区域RA，并且可以连接到包括第二非显示区域NDA2中的第四凹槽G4。第三凹槽G3和第四凹槽G4可以沿基底100的边界延伸。

图13中所示的第一子非显示区域SNDA1的扫描线SL对应于上面参照图12描述的绕过开口区域RA的扫描线。第一凹槽G1和第二凹槽G2包括在扫描线SL与开口区域RA之间。在已经省略了关于第一凹槽G1和第二凹槽G2的布置的细节的程度上，可以假设未描述的细节至少类似于已在说明书中的其它地方描述的相应元件的细节。

图14是示出根据本公开的示例性实施例的显示面板10”的示意性局部平面图。图15是示出围绕图14的开口区域RA的***区域的平面图。图16是沿图15的线XVI-XVI'截取的围绕开口区域的***区域的剖视图。在省略了对显示面板10”的具体元件和结构的详细描述的程度上，可以假设未描述的元件和结构至少类似于已在说明书中的其它地方参照图3至图10描述的显示面板10的相应元件和结构。

参照图14和图15，显示面板10”的开口区域RA可以被显示区域DA部分地围绕。像素P可以相对于图14和图15的XY平面在相对于开口区域RA的上方和下方彼此间隔开。经由其将数据信号传输到开口区域RA上方的像素P和开口区域RA下方的像素P的数据线DL可以在第一非显示区域NDA1中围绕开口区域RA绕行。

开口区域RA可以被第一凹槽G1和第二凹槽G2至少部分地围绕。根据本公开的示例性实施例，图15示出了第一凹槽G1围绕开口区域RA的一部分，并且第二凹槽G2完全地围绕开口区域RA。第一凹槽G1可以围绕开口区域RA的一部分，并且第一凹槽G1的两个端部可以连接到包括在第二非显示区域NDA2中的第三凹槽G3。第二凹槽G2可以完全地围绕开口区域RA，并且可以连接到包括第二非显示区域NDA2中的第四凹槽G4。第三凹槽G3和第四凹槽G4可以沿基底100的边界延伸。

图16中所示的第一子非显示区域SNDA1的数据线DL对应于上面参照图15描述的绕过开口区域RA的数据线。第一凹槽G1和第二凹槽G2包括在数据线DL与开口区域RA之间。第一凹槽G1和第二凹槽G2的结构以及围绕第一凹槽G1和第二凹槽G2的元件至少类似于上面描述的第一凹槽G1和第二凹槽G2的结构以及围绕第一凹槽G1和第二凹槽G2的元件。

根据本公开的示例性实施例，可以通过形成在围绕开口区域的多层膜中并且具有底切结构的凹槽来有效地阻挡和防止在横向方向上朝向显示区域中的显示元件的湿气传输，并且无论基底类型如何，都可以实现防止湿气传输。

虽然这里已经参照图描述了本公开的各种示例性实施例，但是本领域普通技术人员将理解的是，在不脱离本公开的精神和范围的情况下，可以在其中作出形式和细节上的各种改变。