阅读说明：本技术 一种采用硅橡胶制备电缆局部放电缺陷模型的方法 (Method for preparing cable partial discharge defect model by adopting silicon rubber ) 是由 肖睿 张云朋 胡海燕 张磊 曲奎龙 辛超 于 2018-06-06 设计创作，主要内容包括：本发明公开了一种采用硅橡胶制备电缆局部放电缺陷模型的方法,属于高压电缆绝缘材料局部放电检测技术领域,采用硅橡胶作为电缆局部放电缺陷模型的主绝缘材料,通过在铜芯及模具套中浇注硅橡胶,高温硫化后一次成型,局部放电缺陷直接在加工过程中制作完成,通过控制硅橡胶温度、流速及混入杂质可制作不同的局部放电缺陷。本发明可实现将局部放电缺陷在模型加工过程中制作完成,能模拟生产过程中产生的气泡、杂质等缺陷,具有透明易观察等特点,具有重要的现实意义。(The invention discloses a method for preparing a cable partial discharge defect model by adopting silicon rubber, which belongs to the technical field of partial discharge detection of high-voltage cable insulation materials. The invention can realize the completion of the manufacture of the partial discharge defect in the model processing process, can simulate the defects of bubbles, impurities and the like generated in the production process, has the characteristics of transparency, easy observation and the like, and has important practical significance.)

一种采用硅橡胶制备电缆局部放电缺陷模型的方法

技术领域

本发明属于高压电缆绝缘材料局部放电检测技术领域，具体涉及一种采用硅橡胶制备电缆局部放电缺陷模型的方法。

背景技术

电力电缆的运行可靠性直接关系电力系统的安全稳定，据统计资料显示，电力电缆的运行事故主要由其绝缘缺陷引起局部放电故障造成，因此电缆的运行寿命很大程度上取决于绝缘材料的运行状态。在电缆运行过程中，绝缘材料长期承受热、电、机械、化学等多种外部应力作用，导致自身绝缘和机械性能逐渐下降并可能引起局部放电造成电缆事故。因此，准确测量电缆绝缘材料局部放电情况，诊断电缆绝缘材料的运行状态，对预测电缆的寿命至关重要，也是实现电缆状态维护的前提和基础。

现有技术中，对于电缆局部放电缺陷模型的制作，一般是在制作好的电缆上制作缺陷，具有一定的局限性，不能模拟生产过程中产生的气泡、杂质等缺陷模型。综上所述，现有的缺陷模型不足以全面的反映电缆在制造、安装和运行过程中暴露出来的问题。

发明内容

针对现有技术中存在的上述技术问题，本发明提出了一种采用硅橡胶制备电缆局部放电缺陷模型的方法，设计合理，克服了现有技术的不足，具有良好的效果。

为了实现上述目的，本发明采用如下技术方案：

一种采用硅橡胶制备电缆局部放电缺陷模型的方法，采用硅橡胶作为电缆局部放电缺陷模型的主绝缘材料，通过在铜芯及模具套中浇注硅橡胶，高温硫化后一次成型，局部放电缺陷直接在加工过程中制作完成，通过控制硅橡胶温度、流速及混入杂质可制作不同的局部放电缺陷；具体包括以下步骤：

步骤1：对铜芯表面进行光滑处理；

步骤2：在铜芯上均匀喷涂半导电材料，待至半导电材料完全干透；

步骤3：将喷涂有半导电材料的铜芯放入模具中进行硅橡胶主绝缘材料浇注，在硅橡胶主绝缘材料中分散混入金属颗粒，浇注过程中注意控制温度和流速；

步骤4：将浇注有硅橡胶主绝缘材料的铜芯放入烘箱中烘干，温度控制在120℃左右；

步骤5：将步骤4得到的模型进行脱模，在硅橡胶主绝缘材料的外层均匀喷涂半导电材料，待至半导电材料完全干透；

步骤6：手缠制作应力锥，外部缠绕铜编织带作为外屏蔽层；

步骤7：制备成电缆局部放电缺陷模型。

本发明所带来的有益技术效果：

本发明可实现将局部放电缺陷在模型加工过程中制作完成，能模拟生产过程中产生的气泡、杂质等缺陷，具有透明易观察等特点，具有重要的现实意义。

附图说明

图1为金属颗粒缺陷模型示意图。

图2为气泡缺陷模型示意图。

其中，1-铜芯；2-内半导电涂层；3-硅橡胶绝缘；4-外半导电涂层；5-铜编织带；6-屏蔽罩；7-拔插式接头；8-外壳；9-金属颗粒；10-气泡。

具体实施方式

下面结合附图以及具体实施方式对本发明作进一步详细说明：

实施例1：

制作金属颗粒缺陷模型，具体包括如下步骤(如图1所示)：

步骤1：对铜芯表面进行光滑处理；

步骤2：在铜芯上均匀喷涂半导电材料，待至半导电材料完全干透；

步骤3：将喷涂有半导电材料的铜芯放入模具中进行硅橡胶主绝缘材料浇注，在硅橡胶主绝缘材料中分散混入金属颗粒，浇注过程中注意控制温度和流速；

步骤4：将浇注有硅橡胶主绝缘材料的铜芯放入烘箱中烘干，温度控制在120℃左右；

步骤5：将步骤4得到的模型进行脱模，在硅橡胶主绝缘材料的外层均匀喷涂半导电材料，待至半导电材料完全干透；

步骤6：手缠制作应力锥，外部缠绕铜编织带作为外屏蔽层；

步骤7：制备成金属颗粒缺陷模型。

实施例2：

制作气泡缺陷模型，具体包括如下步骤(如图2所示)：

步骤1：对铜芯表面进行光滑处理；

步骤2：在铜芯上均匀喷涂半导电材料，待至半导电材料完全干透；

步骤3：将喷涂有半导电材料的铜芯放入模具中进行硅橡胶主绝缘材料浇注，浇注过程中注意控制温度和流速，要求放慢流速，有助于形成气泡；

步骤4：将浇注有硅橡胶主绝缘材料的铜芯放入烘箱中烘干，温度控制在120℃左右；

步骤5：将步骤4得到的模型进行脱模，在硅橡胶主绝缘材料的外层均匀喷涂半导电材料，待至半导电材料完全干透；

步骤6：手缠制作应力锥，外部缠绕铜编织带作为外屏蔽层；

步骤7：制备成气泡缺陷模型。

当然，上述说明并非是对本发明的限制，本发明也并不仅限于上述举例，本技术领域的技术人员在本发明的实质范围内所做出的变化、改型、添加或替换，也应属于本发明的保护范围。