具体实施方式

以下结合说明书附图详细说明本发明的优选实施例，以向本领域中的技术人员完整介绍本发明的技术内容，以举例证明本发明可以实施，使得本发明公开的技术内容更加清楚，使得本领域的技术人员更容易理解如何实施本发明。然而本发明可以通过许多不同形式的实施例来得以体现，本发明的保护范围并非仅限于文中提到的实施例，下文实施例的说明并非用来限制本发明的范围。

本发明所提到的方向用语，例如「上」、「下」、「前」、「后」、「左」、「右」、「内」、「外」、「侧面」等，仅是附图中的方向，本文所使用的方向用语是用来解释和说明本发明，而不是用来限定本发明的保护范围。

在附图中，结构相同的部件以相同数字标号表示，各处结构或功能相似的组件以相似数字标号表示。此外，为了便于理解和描述，附图所示的每一组件的尺寸和厚度是任意示出的，本发明并没有限定每个组件的尺寸和厚度。

如图1所示，本实施例提供一种显示面板100。所述显示面板100包括：基板1、第一电极2、第四电极3、薄膜晶体管器件4、保护层5、发光二极管器件6、第一邦定电极7、第二邦定电极8。

本实施例中，所述基板1的材质为玻璃。在其他实施例中，基板1的材质还可以包括二氧化硅、涤纶树脂、聚乙烯、聚丙烯、聚苯乙烯、聚乳酸、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚酰亚胺或聚氨酯中的一种或多种。

如图1所示，第一电极2设置于所述基板1的一侧的表面上。

如图1所示，第四电极3与所述第一电极2同层设置，且与所述第一电极2相互间隔设置。

如图1所示，所述显示面板100还包括：遮光单元9以及缓冲层10。

如图1所示，所述遮光单元9设置于所述第一电极2与所述第四电极3之间的基板1上，且与所述第一电极2及所述第四电极3相互间隔设置。所述遮光单元9与所述薄膜晶体管器件4对应设置，由此可以有效降低光照射薄膜晶体管器件4造成的阈值电压负偏。

如图1所示，缓冲层10覆盖于所述第一电极2、第四电极3、遮光单元9上，且延伸覆盖于所述基板1上。所述缓冲层10的厚度范围为300μm-500μm。本实施例优选的，所述缓冲层10的厚度为400μm。缓冲层10主要是起缓冲作用，缓冲层10的材质包括SiNx及SiOx中的一种或多种。

如图1所示，薄膜晶体管器件4设置于所述第一电极2远离所述基板1的一侧，具体的，所述薄膜晶体管器件4设置于所述缓冲层10远离所述基板1的一侧。

如图1所示，所述薄膜晶体管器件4包括：有源层41、第一绝缘层42、栅极层43、第二绝缘层44、源极45、漏极46、以及层间绝缘层47。

如图1所示，有源层41设置于所述缓冲层10远离所述基板1的一侧的表面上。有源层41的材质可以为ITZO或者IGZO。有源层41的材质可选用非晶硅，然后通过高温固化法、准分子激光退火法、金属诱导结晶法等方法使非晶硅转化为多晶硅层，然后经过图案化工艺形成有源层41。

如图1所示，第一绝缘层42设置于所述有源层41上远离所述基板1的一侧的表面上。第一绝缘层42主要是用于防止栅极层43与有源层41之间接触产生短路现象。第一绝缘层42的材质可以采用SiO2、SiNx中的一种或多种。

如图1所示，栅极层43设置于所述第一绝缘层42远离所述基板1的一侧的表面上。栅极层43的材质为金属，如铜Cu或钼Mo。

如图1所示，第二绝缘层44设置于所述栅极层43远离所述基板1的一侧的表面上，且延伸覆盖于所述第一绝缘层42、有源层41、缓冲层10上。第二绝缘层44主要是防止栅极层43与源极45、漏极46之间接触产生短路现象。第二绝缘层44的材质可以采用SiO2、SiNx中的一种或多种。

如图1所示，源极45与漏极46相互间隔设置于所述第二绝缘层44远离所述基板1的一侧的表面上。源极45与漏极46均电连接至所述有源层41。源极45与漏极46的材质均为金属，如铜Cu或钼Mo。

如图1所示，源极45电连接至所述遮光单元9，由此增加薄膜晶体管器件4的信号传递稳定性。

如图1所示，本实施例中，所述漏极46电连接至所述第四电极3，所述第四电极3电连接至所述第二邦定电极8。在其他实施例中，可以去除第四电极3，即所述漏极46直接电连接至所述第二邦定电极8。

如图1所示，层间绝缘层47覆盖于所述源极45、漏极46以及第二绝缘层44上。

如图1所示，保护层5设置于所述薄膜晶体管器件4远离所述基板1的一侧的表面上。其中，所述保护层5包括：封装阻隔层、遮光层、平坦层中的一层或多层。

如图1所示，发光二极管器件6设置于所述基板1远离所述薄膜晶体管器件4的一侧。

如图1所示，发光二极管器件6包括：第二电极61以及第三电极62。其中，第二电极61电连接至所述第一电极2；第三电极62电连接至所述漏极46。

如图1所示，第一邦定电极7设置于所述基板1与所述发光二极管器件6之间。具体的，所述第一邦定电极7一端电连接至所述第一电极2，另一端电连接至所述第二电极61。

如图1所示，第二邦定电极8与所述第一邦定电极7同层设置，且与所述第一邦定电极7相互间隔设置。具体的，所述第二邦定电极8一端电连接至所述漏极46，另一端电连接至所述第三电极62。

如图1所示，所述基板1上贯穿设有第一通孔11及第二通孔12。所述第一邦定电极7通过所述第一通孔11电连接至所述第一电极2；所述第二邦定电极8通过所述第二通孔12电连接至所述漏极46。

如图1所示，显示面板100还包括封装层13。封装层13覆盖于所述发光二极管器件6远离所述基板1的一侧的表面上，且延伸覆盖于所述基板1上。所述封装层13可以包括有机层、无机层或有机层与无机层的组合。其中无机层主要是起阻水氧作用，其中的有机层主要是对封装层13受到的应力进行缓冲及释放，增加显示面板100的可弯折性能。

综上，通过将所述薄膜晶体管器件4与所述发光二极管器件6设置于所述基板1的两侧，由此避免将发光二极管器件6转移至薄膜晶体管器件4之上，一方面，避免对薄膜晶体管器件4造成压力，导致薄膜晶体管器件4损伤短路；另一方面，消除现有技术中薄膜晶体管器件4与发光二极管器件6之间的高度差，由此避免影响薄膜晶体管器件4的封装性能，防止水氧侵蚀薄膜晶体管器件4；最后，发光二极管器件6不必与薄膜晶体管器件4错开设置，且发光二极管器件6与薄膜晶体管器件4间有基板1阻隔，电容耦合影响低，可以极大的节省的设计空间。

如图2-图4所示，本实施例还提供了上述显示面板100的制备方法，其包括以下步骤：S1，提供一基板1；S2，在所述基板1的一侧的表面上制备第一电极2；S3，在所述第一电极2远离所述基板1的一侧制备薄膜晶体管器件4；所述薄膜晶体管器件4内设有漏极46；S4，在所述薄膜晶体管器件4远离所述基板1的一侧制备第一临时保护层14；S5，在所述基板1远离所述薄膜晶体管器件4的一侧间隔制备第一邦定电极7及第二邦定电极8，所述第一邦定电极7与所述第二邦定电极8同层设置；S6，在所述第一邦定电极7及所述第二邦定电极8远离所述基板1的一侧制备第二临时保护层15；S7，去除所述第一临时保护层14，在所述薄膜晶体管器件4远离所述基板1的一侧制备保护层5；S8，在所述基板1远离所述薄膜晶体管器件4的一侧设置发光二极管器件6；所述发光二极管器件6包括：第二电极61，电连接至所述第一电极2；以及第三电极62，电连接至所述漏极46；S9，在所述发光二极管器件6远离所述基板1的一侧的表面上制备封装层13，所述封装层13还延伸覆盖于所述基板1上。

S8具体包括：去除所述第二临时保护层15，将所述发光二极管器件6的第二电极61电连接至所述第一邦定电极7，所述第三电极62电连接至所述第二邦定电极8。

以上对本申请所提供的一种显示面板及其制备方法进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的方法及其核心思想；同时，对于本领域的技术人员，依据本申请的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本申请的限制。