阅读说明：本技术 存储装置及其操作方法 (storage device and operation method thereof ) 是由 张全仁 李文明 于 2018-10-31 设计创作，主要内容包括：本发明公开了一种存储装置及其操作方法,存储装置的操作方法包含：侦测存储装置的第一温度；依据第一温度判定第一更新率；以及以第一更新率更新存储装置；其中第一更新率低于更新率上限阈值。本发明的存储装置及其操作方法中的控制器判定的更新率低于JEDEC规格下的更新率,可使功耗降低。(the invention discloses a storage device and an operation method thereof, wherein the operation method of the storage device comprises the following steps: detecting a first temperature of the storage device; determining a first update rate according to the first temperature; and updating the storage device at a first update rate; wherein the first update rate is below an update rate upper threshold. The refresh rate determined by the controller in the memory device and the operation method thereof of the present invention is lower than that under the JEDEC specification, power consumption can be reduced.)

存储装置及其操作方法

技术领域

本案是有关于一种存储装置，且特别是一种存储装置及其操作方法。

背景技术

储存于存储器阵列中的数据在存储装置的温度较高时有较高的机率遗失。因此，当存储装置的温度较高时，需要较高的更新率。然而，较高的更新率会造成较高的能量耗损。

发明内容

本发明的目的在于提供一种可降低功耗的存储装置的操作方法。

本发明的一方面是在提供一种存储装置的操作方法。此操作方法包含：侦测存储装置的第一温度；依据第一温度判定第一更新率；以及以第一更新率更新存储装置；其中第一更新率低于更新率上限阈值。

在部分实施例中，存储装置的操作方法还包含：以数字指令传送第一温度至控制器。

在部分实施例中，存储装置的操作方法还包含：依据第二温度判定第二更新率；其中第二温度高于第一温度，且第二更新率高于第一更新率。

在部分实施例中，还包含：以第一更新率传送更新指令至存储装置。

在部分实施例中，存储装置的操作方法还包含：接收振荡器信号；以及依据振荡器信号的脉波数以及第一更新率产生更新指令。

本发明的另一方面是在提供一种存储装置。此存储装置包含温度感测器、存储器阵列以及控制器。温度感测器用以侦测存储装置的第一温度。控制器用以依据第一温度判定第一更新率并以第一更新率更新存储器阵列；其中第一更新率低于更新率上限阈值。

在部分实施例中，其中温度感测器还用于以数字指令传送第一温度至控制器。

在部分实施例中，其中控制器还用于依据第二温度判定第二更新率，其中第二温度高于第一温度，且第二更新率高于第一更新率。

在部分实施例中，其中控制器还用于以第一更新率传送一更新指令至存储器阵列。

在部分实施例中，其中控制器还包含：计数器，用以接收振荡器信号；其中控制器还用于依据振荡器信号的脉波数以及第一更新率产生更新指令。

因此，在部分实施例中，无论温度，控制器判定的更新率低于JEDEC规格下的更新率。因此，在部分实施例中，功耗降低。

附图说明

为让本发明的上述和其他目的、特征、优点与实施例能更明显易懂，结合附图说明如下：

图1是根据本发明的一些实施例所绘示的一种存储装置的示意图；

图2是根据本发明的一些实施例所绘示的一种存储装置的实验数据图；

图3是根据本发明的一些实施例所绘示的一种存储装置的脉波图；以及

图4是根据本发明的一些实施例所绘示的一种存储装置的操作方法。

具体实施方式

以下揭示提供许多不同实施例或例证用以实施本发明的不同特征。特殊例证中的元件及配置在以下讨论中被用来简化本发明。所讨论的任何例证只用来作解说的用途，并不会以任何方式限制本发明或其例证的范围和意义。此外，本发明在不同例证中可能重复引用数字符号且/或字母，这些重复皆为了简化及阐述，其本身并未指定以下讨论中不同实施例且/或配置之间的关系。

在全篇说明书与权利要求所使用的用词(terms)，除有特别注明外，通常具有每个用词使用在此领域中、在此公开的内容中与特殊内容中的平常意义。某些用以描述本发明的用词将于下或在此说明书的别处讨论，以提供本领域技术人员在有关本发明的描述上额外的引导。

关于本文中所使用的“耦接”或“连接”，均可指二个或多个元件相互直接作实体或电性接触，或是相互间接作实体或电性接触，而“耦接”或“连接”还可指二个或多个元件相互步骤或动作。

在本文中，使用第一、第二与第三等等的词汇，是用于描述各种元件、组件、区域、层与/或区块是可以被理解的。但是这些元件、组件、区域、层与/或区块不应该被这些术语所限制。这些词汇只限于用来辨别单一元件、组件、区域、层与/或区块。因此，在下文中的第一元件、组件、区域、层与/或区块也可被称为第二元件、组件、区域、层与/或区块，而不脱离本发明的本意。如本文所用，词汇“与/或”包含了列出的关联项目中的一个或多个的任何组合。本发明文件中提到的“及/或”是指表列元件的任一个、全部或至少一个的任意组合。

请参阅图1。图1是根据本发明的一些实施例所绘示的一种存储装置100的示意图。存储装置100包含存储器阵列120，温度感测器130以及控制器150。在一些实施例中，温度感测器130耦接于控制器150。控制器150耦接于存储器阵列120。

在操作关系上，温度感测器130用以侦测存储装置100的温度。控制器150用以依据侦测温度判定更新率。接着，控制器150以判定的更新率更新存储器阵列120。判定的更新率低于更新率上限阈值。在一些实施例中，更新率上限阈值是以JEDEC(Joint ElectronDevice Engineering Council，JEDEC)规格判定的更新率。

请参照图2。图2是根据本发明的一些实施例所绘示的一种存储装置100的实验数据图200。曲线210代表依据JEDEC规格下的更新率与温度之间的关系。曲线230代表依据本发明的一些实施例的更新率与温度之间的关系。

如图2所绘示，当侦测温度低于T3并高于T1时，JEDEC规格的更新率是f4。然而，在本发明的部分实施例中，当侦测温度低于T2且高于T1时，更新率是f2，低于f4。此外，在部分实施例中，当侦测温度低于T3且高于T2时，更新率为f3，亦低于f4。

如图2所绘示，当侦测温度较高，判定的更新率较高。

需注意的是在部分实施例中，判定的更新率位于存储装置100的数据保存能力之内。

请再次参阅图1。在一些实施例中，温度感测器130还用于以数字指令传送温度至控制器150。举例而言，当侦测温度低于20摄氏度时，温度感测器130传送包含0000的数字指令至控制器150。当侦测温度低于25摄氏度并高于20摄氏度时，温度感测器130传送包含0001的数字指令至控制器150。如上所述的数字指令仅作为例示说明之用，本发明的实施方式不以上述为限。

在一些实施例中，控制器150还用于以更新率传送更新指令至存储器阵列120，且当存储器阵列120于接收到更新指令时进行更新。举例而言，若是控制器150判定的更新率为f1赫兹(Hertz)，控制器150每1/f1秒传送更新指令至存储器阵列120。每当存储器阵列120接收更新指令，存储器阵列120进行更新。

在一些实施例中，控制器150还包含计数器155。计数器155用以接收振荡器信号，并依据振荡器信号的脉波数以及判定的更新率产生更新指令。

请一并参阅图1以及图3。图3为根据本发明的一些实施例所绘示的存储装置100的脉波图300。P1为振荡器(未绘示)产生的包含f1的频率的脉波曲线。假设计数器155接收脉波曲线P1振荡器信号，且由控制器150依据侦测温度判定的更新率为包含f2的频率的更新率，其中f2是f1的1/4。P2为控制器150于判定的更新率是f2时所产生的脉波曲线。

详细而言，计数器155计数振荡器信号的脉波数，且每当计数器155接收振荡器信号的四个脉冲时，控制器150产生更新指令。也就是说，当计数器155接收到第一，第五，第九脉冲时，控制器150产生更新指令，其余依此类推，如P2所示。由于当更新指令产生时，控制器150传送更新指令至存储器阵列120，存储器阵列120以f2的更新率接收更新指令，且存储器阵列120以f2的更新率进行更新。

同样地，假设计数器155接收脉波曲线P1的振荡器信号，并且控制器150依据侦测温度判定的更新率为包含f1的频率的更新率，其中f4是f1的1/2。P3是当判定的更新率为f4时由控制器150产生的脉波曲线。

详细而言，计数器155计数振荡器信号的脉波数，且每当计数器155接收振荡器信号的两个脉冲时，控制器150产生更新指令。也就是说，当计数器155接收第一，第三，第五，第七，第九脉冲时，控制器150产生更新指令，其余依此类推，如P3所绘示。由于控制器150于产生更新指令时传送更新指令至存储器阵列120，存储器阵列120以f4的更新率接收更新指令，且存储器阵列120以f4的更新率进行更新。

在一些实施例中，振荡器(未绘示)可被实施于存储装置100之中。

请参阅图4。图4系根据本发明的一些实施例所绘示的存储装置100的操作方法400。操作方法400包含以下步骤：

S410：侦测存储装置的温度；

S430：依据温度判定更新率；以及

S450：以更新率更新存储器阵列。

为了便于说明与例示，请参阅图1至图4。这些步骤是作为例示说明之用。其他附加步骤均在本发明的实施方式的预期范围之内。

在步骤S410，侦测存储装置的温度。在一些实施例中，温度感测器130执行步骤S410。举例而言，温度感测器130侦测存储装置100的温度。在一些实施例中，温度感测器130以数字指令传送侦测温度至控制器150。举例而言，当侦测温度低于20摄氏度时，温度感测器130传送包含0000的数字指令至控制器150。

在步骤S430中，依据温度判定更新率。在一些实施例中，控制器150执行步骤S430。举例而言，控制器150依据温度感测器130传送的侦测温度判定更新率。判定的更新率低于更新率上限阈值。在一些实施例中，更新率上限阈值是依据JEDEC规格判定的更新率。在一些实施例中，当侦测温度较高时，判定的更新率较高。需注意的是，在部分实施例中，判定的更新率位于存储装置100的数据保存能力之内。也就是说，判定的更新率不应太低。

在一些实施例中，在判定更新率之后，控制器150以判定的更新率传送更新指令至存储器阵列120。

在步骤S450中，以更新率更新存储器阵列。在一些实施例中，控制器150执行步骤S450。举例而言，若控制器150判定的更新率为f1赫兹(Hertz)，控制器150每1/f1秒传送更新指令至存储器阵列120。每当存储器阵列120接收到更新指令，存储器阵列120进行更新。

在一些实施例中，操作步骤400还包含以下步骤：接收振荡器信号；并依据振荡器信号的脉波数以及更新率产生更新指令。举例而言，计数器155接收振荡器信号并依据振荡器信号的脉波数以及判定的更新率产生更新指令。

请一并参阅图3。P1是由振荡器(未绘示)产生的包含f1的频率的脉波曲线。假设计数器155接收脉波曲线P1的振荡器信号，且由控制器150依据侦测温度判定的更新率为包含f2的频率的更新率，其中f2是f1的1/4。P2是当判定的更新为f2时，控制器150产生的脉波曲线。计数器155计数振荡器信号的脉波数，且每当计数器155接收振荡器信号的四个脉冲时，控制器150产生更新指令。也就是说，当计数器155接收第一，第五，第九脉冲时，控制器150产生更新指令，其余依此类推，如P2所绘示。由于当产生更新指令时，控制器150传送更新指令至存储器阵列120，存储器阵列120以f2的更新率接收更新指令，且存储器阵列120以f2的更新率进行更新。

须注意的是，任何低于JEDEC规格所判定的更新率并位于存储器阵列120的数据保存能力之内的更新率均为本发明实施方式的考量范围之内。

因此，在部分实施例中，无论温度，控制器150判定的更新率低于JEDEC规格的更新率。因此，在部分实施例中，能量消耗较低。

在一些实施例中，控制器150可以是电路、中央处理单元(CPU)、微处理器(MCU)或其他具有储存、计算、数据读取、信号或信息接收、信号或信息传送功能或其他等效功能的装置。

在一些实施例中，温度侦测器130可以是具有温度侦测功能或其他等效功能的电路或元件。在一些实施例中，存储器阵列120可以是具有数据存储功能或其他等效功能的电路或元件。在一些实施例中，存储器阵列120包含用以储存数据的多个行及多个列。在一些实施例中，计数器155可以是具有计数、信号或信息接收，信号或信息传送功能或其他等效功能的电路或元件。在一些实施例中，存储装置100可以实现为唯读存储器、闪存、软碟、硬碟、光碟、闪存装置、磁带、数据库或其他本领预的技术人员能轻易思及的具有相同功能的储存介质。

另外，上述例示包含依序的示范步骤，但这些步骤不必依所显示的顺序被执行。以不同顺序执行这些步骤皆在本发明的考量范围内。在本发明的实施例的精神与范围内，可视情况增加、取代、变更顺序及/或省略这些步骤。

虽然本发明已以实施方式揭示如上，然其并非用以限定本发明，任何本领域的技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作各种的更动与润饰，因此本发明的保护范围当视权利要求所界定的为准。