阅读说明：本技术 形成磁阻式随机存取存储器单元的方法 (Method of forming a magnetoresistive random access memory cell ) 是由 洪庆文 李昆儒 于 2018-06-07 设计创作，主要内容包括：本发明公开一种形成磁阻式随机存取存储器单元的方法,包含有下述步骤。首先,形成一第一介电层于一基底上,其中第一介电层包含一第一金属线。接着,形成一图案化第二介电层覆盖第一介电层,其中图案化第二介电层包含一凹槽暴露出第一金属线。接续,形成一阻障层顺应覆盖凹槽以及图案化第二介电层。续之,一金属填满凹槽以及覆盖阻障层。继之,以阻障层为一停止层平坦化金属至暴露出阻障层。后续,形成一磁性隧穿接面以及一顶电极覆盖金属,因而形成一磁阻式随机存取存储器单元。(the invention discloses a method for forming a magnetoresistive random access memory unit, which comprises the following steps. First, a first dielectric layer is formed on a substrate, wherein the first dielectric layer includes a first metal line. Then, a patterned second dielectric layer is formed to cover the first dielectric layer, wherein the patterned second dielectric layer includes a recess to expose the first metal line. Then, a barrier layer is formed to conform to the covering groove and the second dielectric layer is patterned. Then, a metal is filled in the trench and covers the barrier layer. Then, the barrier layer is used as a stop layer to planarize the metal until the barrier layer is exposed. Subsequently, a magnetic tunneling junction and a top electrode covering the metal are formed, thereby forming a magnetoresistive random access memory cell.)

形成磁阻式随机存取存储器单元的方法

技术领域

本发明涉及一种形成随机存取存储器单元的方法，且特别是涉及一种形成磁阻式随机存取存储器单元的方法。

背景技术

磁阻式随机存取存储器(MRAM)是一种包含磁阻式随机存取存储器单元的存储器件，磁阻式随机存取存储器单元利用电阻值代替电荷存储数据。每个磁阻式随机存取存储器单元包含磁性隧穿接面(MTJ)单元，磁性隧穿接面单元的电阻可以被调节为代表逻辑状态“0”或“1”。

按照惯例，磁性隧穿接面单元由固定磁层、自由磁层、和配置在前两者之间的隧穿层组成。磁性隧穿接面单元的电阻可以通过根据固定磁层的磁矩改变自由磁层的磁矩来调节。当自由磁层的磁矩与固定磁层的磁矩平行时，磁性隧穿接面单元的电阻低，然而当自由磁层的磁矩与固定磁层的磁矩反平行时，磁性隧穿接面单元的电阻高。磁性隧穿接面单元连接在顶部电极和底部电极之间，并且从一个电极向另一个电极流经磁性隧穿接面的电流可以被检测以确定电阻，从而确定磁性隧穿接面的逻辑状态。

发明内容

本发明提出一种形成磁阻式随机存取存储器单元的方法，其以阻障层作为停止层，以防止阻障层下方的介电层因平坦化或蚀刻而产生局部缺陷。

本发明提供一种形成磁阻式随机存取存储器单元的方法，包含有下述步骤。首先，形成一第一介电层于一基底上，其中第一介电层包含一第一金属线。接着，形成一图案化第二介电层覆盖第一介电层，其中图案化第二介电层包含一凹槽暴露出第一金属线。接续，形成一阻障层顺应覆盖凹槽以及图案化第二介电层。续之，一金属填满凹槽以及覆盖阻障层。继之，以阻障层为一停止层平坦化金属至暴露出阻障层。后续，形成一磁性隧穿接面以及一顶电极覆盖金属，因而形成一磁阻式随机存取存储器单元。

基于上述，本发明提出一种形成磁阻式随机存取存储器单元的方法，其形成一图案化第二介电层覆盖第一介电层，其中图案化第二介电层包含一凹槽暴露出第一介电层的一第一金属线；形成一阻障层顺应覆盖凹槽以及图案化第二介电层；一金属填满凹槽以及覆盖阻障层。之后，本发明以阻障层为一停止层平坦化金属至暴露出阻障层，然后再形成一磁性隧穿接面以及一顶电极覆盖金属，以形成一磁阻式随机存取存储器单元。由于本发明以阻障层作为停止层，平坦化金属至阻障层，因而可避免直接蚀刻至图案化第二介电层所造成的图案化第二介电层局部凹陷等表面不平坦的缺陷。如此，可防止后续填入的铜等金属因填入不平坦的缺陷或者填入堆叠于不平坦的缺陷上方的介电层所产生的缺陷，而造成短路等问题。

附图说明

图1为本发明优选实施例中形成磁阻式随机存取存储器单元的方法的剖面示意图；

图2为本发明优选实施例中形成磁阻式随机存取存储器单元的方法的剖面示意图；

图3为本发明优选实施例中形成磁阻式随机存取存储器单元的方法的剖面示意图；

图4为本发明优选实施例中形成磁阻式随机存取存储器单元的方法的剖面示意图；

图5为本发明优选实施例中形成磁阻式随机存取存储器单元的方法的剖面示意图；

图6为本发明优选实施例中形成磁阻式随机存取存储器单元的方法的剖面示意图；

图7为本发明优选实施例中形成磁阻式随机存取存储器单元的方法的剖面示意图；

图8为本发明另一实施例中形成磁阻式随机存取存储器单元的方法的剖面示意图。

主要元件符号说明

10：盖层

110：基底

120：第一介电层

130：第一金属内连线结构

132：第一金属线

132a、134a、152、152a、192a、194a：阻障层

134：第二金属线

140、140a：图案化第二介电层

140’：第二介电层

154、154a、154b、192b、194b：金属

162：晶种层

164：磁性隧穿接面

164’：磁性隧穿接面层

166：顶电极

166’：顶电极层

170：盖层

180：第三介电层

190：第二金属内连线结构

192、194：插塞

A：磁阻式随机存取存储器区

B：逻辑区

D、D1：凹陷

P1：平坦化制作工艺

R：凹槽

S：表面

U：磁阻式随机存取存储器单元

具体实施方式

图1-图7绘示本发明优选实施例中形成磁阻式随机存取存储器单元的方法的剖面示意图。如图1所示，一基底110例如是一硅基底、一含硅基底、一三五族覆硅基底(例如GaN-on-silicon)、一石墨烯覆硅基底(graphene-on-silicon)或一硅覆绝缘(silicon-on-insulator，SOI)基底等半导体基底。在本实施例中，基底110可还包含一层间介电层位于硅基底等半导体基底上，且晶体管等元件位于层间介电层中及硅基底上，但本发明不以此为限。并且，基底110可又包含其他金属层间介电层等。在本实施例中，基底110可包含一磁阻式随机存取存储器区A以及一逻辑区B。磁阻式随机存取存储器区A可包含本发明的磁阻式随机存取存储器单元位于其中。

接着，形成一第一介电层120于基底110上，其中第一介电层120可例如为一氧化层，其可例如为一金属层间介电层，但本发明不以此为限。第一介电层120可包含一第一金属内连线结构130位于其中。第一金属内连线结构130可包含一第一金属线132于磁阻式随机存取存储器区A，以及一第二金属线134于逻辑区B。阻障层132a/134a可再围绕第一金属线132及第二金属线134。阻障层132a/134a可例如为一氮化坦层，而第一金属线132及第二金属线134可例如为铜，但本发明不限于此。

选择性形成一盖层10于第一介电层120上。盖层10可例如为一含碳的氮化硅层，但本发明不以此为限。请参阅图1-图2，形成一图案化第二介电层140覆盖第一介电层120。图案化第二介电层140包含一凹槽R暴露出第一金属线132。图案化第二介电层140可例如为一氧化层。形成图案化第二介电层140覆盖第一介电层120的步骤，可例如为：形成一第二介电层140’全面覆盖第一介电层120(如图1所示)；接着图案化第二介电层140’及盖层10，以暴露出第一金属线132，而形成图案化第二介电层140(如图2所示)。

如图3所示，形成一阻障层152顺应覆盖凹槽R以及图案化第二介电层140。一金属154则填满凹槽R以及覆盖阻障层152。阻障层152可例如为一钛层、一氮化钛层或一钛/氮化钛层，金属154可包含钨，但本发明不限于此。

以阻障层152为一停止层，平坦化金属154至暴露出阻障层152，因而形成一金属154a，如图4所示。本实施例可例如以一平坦化制作工艺P1平坦化金属154，且平坦化制作工艺P1对于金属154及阻障层152具有高选择比。意即，平坦化制作工艺P1对于金属154的移除率远大于对于阻障层152的移除率，因而可完全移除阻障层152上方的金属154，但保留阻障层152。例如，平坦化制作工艺P1对于金属154的移除率大于对于阻障层152的移除率的45倍，视实际需求而定。本发明由于将阻障层152作为停止层，因而可避免现有如图8所示直接蚀刻至一图案化第二介电层140a所造成的图案化第二介电层140a局部凹陷D等表面S不平坦的缺陷，进而防止后续填入的铜等金属因填入不平坦的缺陷或者填入堆叠于不平坦的缺陷上方的介电层所产生的缺陷，而造成短路等问题。

请参阅图5-图6，形成选择性的一晶种层162、一磁性隧穿接面164以及一顶电极166覆盖一金属154b。形成晶种层162、磁性隧穿接面164以及顶电极166覆盖金属154b的方法可例如包含下述步骤。首先，全面沉积一晶种层162’、一磁性隧穿接面层164’以及一顶电极层166’覆盖金属154a以及阻障层152；然后，图案化顶电极层166’、磁性隧穿接面层164’以及晶种层162’，以形成晶种层162、磁性隧穿接面164以及顶电极166，因而形成一磁阻式随机存取存储器单元U。晶种层162可例如为一氮化坦层；磁性隧穿接面164可包含多层，其例如是由两个铁磁材料中间夹着一层绝缘材料而成的三明治结构来构成，称为磁性隧穿接合(MTJ)。而此接合的电阻值主要由两铁磁层的相对磁化方向来做决定，当两磁化方向成平行排列时，元件具有较低的电阻值，相反地当两层的磁化方向是反平行排列时，元件电阻值较高；顶电极166则可例如为钨等金属。

在此强调，本发明在图案化顶电极层166’、磁性隧穿接面层164’以及晶种层162’的同时，移除晶种层162、磁性隧穿接面164以及顶电极166暴露出的阻障层152，因而仅剩环绕金属154b的一阻障层152a。或者，也可在如图4以阻障层152为一停止层，平坦化金属154至暴露出阻障层152之后，再进行一回蚀刻制作工艺，移除(图2的凹槽R外)金属154a旁及图案化第二介电层140上的阻障层152。更甚者，本发明可在图案化顶电极层166’、磁性隧穿接面层164’以及晶种层162’的同时，又再进一步移除晶种层162、磁性隧穿接面164以及顶电极166暴露出的金属154a，因而形成金属154b，其顶部具有凹陷D1。金属154b及阻障层152a较佳平缓连接晶种层162/磁性隧穿接面164以及图案化第二介电层140。

如图6所示，形成一盖层170顺应覆盖晶种层162、磁性隧穿接面164、顶电极166以及图案化第二介电层140。盖层170可例如为一氮化层，但本发明不限于此。

如图7所示，形成一第三介电层180覆盖图案化第二介电层140并暴露出顶电极166，以及形成一第二金属内连线结构190于第三金属层180以及图案化第二介电层140中。详细而言，可先全面沉积一第三介电层(未绘示)并平坦化第三介电层(未绘示)及盖层170而暴露出顶电极166，并形成第三介电层180。可再以例如一双镶嵌制作工艺形成第二金属内连线结构190于第三金属层180以及图案化第二介电层140中。第二金属内连线结构190直接接触第二金属线134。第二金属内连线结构190可例如包含二插塞192/194，且各插塞192/194可包含一阻障层192a/194a围绕一金属192b/194b。阻障层192a/1944a可例如为一氮化坦层，而金属192b/194b可例如为铜，但本发明不限于此。

综上所述，本发明提出一种形成磁阻式随机存取存储器单元的方法，其形成一图案化第二介电层覆盖第一介电层，其中图案化第二介电层包含一凹槽暴露出第一介电层的一第一金属线；形成一阻障层顺应覆盖凹槽以及图案化第二介电层；一金属填满凹槽以及覆盖阻障层。之后，本发明以阻障层为一停止层平坦化金属至暴露出阻障层，然后再形成一磁性隧穿接面以及一顶电极覆盖金属，以形成一磁阻式随机存取存储器单元。由于本发明以阻障层作为停止层，平坦化金属至阻障层，因而可避免直接蚀刻至图案化第二介电层所造成的图案化第二介电层局部凹陷等表面不平坦的缺陷。如此，可防止后续填入的铜等金属因填入不平坦的缺陷或者填入堆叠于不平坦的缺陷上方的介电层所产生的缺陷，而造成短路等问题。

再者，本发明可在图案化磁性隧穿接面层以及顶电极层以形成磁性隧穿接面以及顶电极的同时，移除磁性隧穿接面以及顶电极暴露出的阻障层及金属，因而金属及阻障层较佳可平缓连接磁性隧穿接面以及图案化第二介电层。另外，本发明也可改为在平坦化金属至暴露出阻障层之后，进行一回蚀刻制作工艺，移除金属旁及图案化第二介电层上的阻障层。

以上所述仅为本发明的优选实施例，凡依本发明权利要求所做的均等变化与修饰，都应属本发明的涵盖范围。