具体实施方式

请参照图1，其是示出根据本发明实施例的芯片检测系统100。芯片检测系统100包含测试机台110以及电脑系统120。测试机台110是用以对晶圆112上的多个芯片进行测试，以获得每一芯片的测试数据。在本发明的实施例中，晶圆112上的体芯片为存储器芯片，例如动态随机存取存储器(Dynamic Random Access Memory，DRAM)芯片。电脑系统120是电性连接至测试机台110，以取得存储器芯片的测试数据，并对其进行分析。

在本实施例中，测试机台110包含探针装置114，其可施加电子信号至晶圆112的存储器芯片上，并获取这些存储器芯片的测试数据。测试数据可包含但不限定于存储器芯片的位置以及存储器芯片的电子特性值，例如电流值、电压值等具有连续性分布的电子特性值。

请参照图2，其是示出根据本发明一实施例的芯片检测方法200的流程示意图，其中芯片检测方法200是由电脑系统120所执行，以检测晶圆112上的目标芯片。在芯片检测方法200，首先进行步骤210，以根据晶圆112上的目标芯片的位置来决定此目标芯片的多个周边芯片，如图3所示。图3是示出根据本发明一实施例的晶圆112的部分区域中的芯片，其包含目标芯片CH_T及其周边芯片CH₁～CH₂₄。目标芯片CH_T为晶圆112的高风险芯片。在本实施例中，高风险芯片是通过动态零件平均测试法(Dynamic Part Average Testing；D-PAT)来决定，然而本发明的实施例并不受限于此。在本发明的其他实施例中，亦可使用其他方式来决定高风险芯片。

请参照图4，其是示出根据本发明一实施例的决定周边芯片的示意图。如图4所示，本实施例是从目标芯片CH_T上方出发按序绕圈选取目标芯片CH_T周围的24个芯片CH₁～CH₂₄来作为周边芯片。然而，本发明的实施例并不受限于选取24个芯片。在本发明的其他实施例中，周边芯片的数量可根据使用者的需求来进行调整。

请回到图2，在步骤210后，接着进行步骤220以计算每一周边芯片CH₁～CH₂₄的电子特性值与目标芯片CH_T的电子特性值的差值。例如，计算每一周边芯片CH₁～CH₂₄的电流值与目标芯片CH_T的电流值的差值。如此，可获得周边芯片CH₁～CH₂₄与目标芯片CH_T的24个电子特性差值，例如周边芯片CH₁～CH₂₄分别对应的24个电流差值i₁～i₂₄。

在步骤220后，接着进行步骤230，以根据电子特性差值的绝对值来排序，并根据排序结果来从周边芯片CH₁～CH₂₄中决定出多个特性相近芯片。请参照图5，其是示出根据本发明一实施例的8个特性相近芯片CH₁、CH₃、CH₄、CH₅、CH₆、CH₉、CH₁₅以及CH₂₁。在本实施例的步骤230中，首先将前述的24个电子特性差值取绝对值，并依绝对值大小进行排序。例如，此24个电子特性差值的绝对值由小至大排序为|i₁|、|i₃|、|i₄|、|i₅|、|i₆|、|i₉|、|i₁₅|、|i₂₁|…|i₂₄|。电子特性差值的绝对值越小代表电子特性越相近，因此|i₁|所对应的周边芯片CH₁与目标芯片CH_T的电子特性最为相近，而|i₂₄|所对应的周边芯片CH₂₄与目标芯片CH_T的电子特性相差最远。接着，根据排序的结果来决定出8个电子特性较为相近的特性相近芯片。由前述的排序结果可知|i₁|、|i₃|、|i₄|、|i₅|、|i₆|、|i₉|、|i₁₅|、|i₂₁|为值较小的8个电子特性差值，因此其对应的周边芯片CH₁、CH₃、CH₄、CH₅、CH₆、CH₉、CH₁₅以及CH₂₁即为特性相近芯片。

在步骤230后，接着进行步骤240，以根据目标芯片CH_T的位置来决定目标相关区域。请参照图6，其是示出根据本发明一实施例的目标相关区域600。在本实施例中，步骤240是取目标芯片CH_T位置周围的8个芯片位置来作为目标相关区域。另外，虽然本实施例的步骤240是继续于步骤230，但本发明的实施例并不受限于此。在本发明的其他实施例中，步骤240可于步骤210的前进行，或者于其他步骤之间进行。

在步骤240后，接着进行步骤250，以根据目标芯片相关区域600来从特性相近芯片CH₁、CH₃、CH₄、CH₅、CH₆、CH₉、CH₁₅以及CH₂₁中决定出至少一个目标相关芯片。在本实施例的步骤250中，首先判断特性相近芯片CH₁、CH₃、CH₄、CH₅、CH₆、CH₉、CH₁₅以及CH₂₁中的哪几个芯片落在目标相关区域600中，接着再决定落在落在目标相关区域600中的特性相近芯片为目标相关芯片。如图7所示，由于特性相近芯片CH₁、CH₃、CH₄、CH₅、CH₆落在目标相关区域600中，因此特性相近芯片CH₁、CH₃、CH₄、CH₅、CH₆被决定为目标相关芯片。

在步骤250后，接着进行步骤260，以根据目标相关芯片CH₁、CH₃、CH₄、CH₅、CH₆来决定目标芯片CH_T是否合格。在本实施例的步骤260中，判断目标相关芯片的个数是否大于预设阈值，若目标相关芯片的个数大于预设阈值则代表目标芯片CH_T具有潜在的风险，故将其判断为不合格的芯片。在本实施例中，预设阈值为3，由于目标相关芯片的个数为5，故判定目标芯片CH_T不合格。在本发明的另一实施例中，步骤260更判断目标相关芯片的个数是否为0。若目标相关芯片的个数为0，也代表目标芯片CH_T具有潜在的风险，故将其判断为不合格的芯片。

由上述实施例可知，本发明实施例的芯片检测方法200考虑了芯片的电性及位置信息，因此可提高异常芯片被检出的机会，进而提高芯片的检测效率。

请参照图8，其是示出根据本发明另一实施例的步骤210选取周边芯片的示意图。在本实施例中，考虑到并非所有芯片都是正常可读出电子特性值，因此在选取周边芯片时，这些无法读出数值的芯片(以下称为失效芯片)会被跳过，并以其他芯片来取代。如图8所示，在本实施例中，芯片CH₁₃、CH₁₆、CH₁₈、CH₂₂为失效芯片，故再从芯片CH₉上方按序绕圈选取4个替代芯片CH₂₅、CH₂₆、CH₂₇、CH₂₈来取代失效芯片CH₁₃、CH₁₆、CH₁₈、CH₂₂。如此，本实施例的步骤210依然可提供24个周边芯片。

请参照图9a，其是示出根据本发明另一实施例的步骤210选取周边芯片的示意图。本实施例选取周边芯片的方式与前述实施例类似，但不同的处在于选取替代芯片的方式并非按序一个芯片接着一个芯片选取，而是选取一个芯片后，略过一定数量的芯片后在选取另一个替代芯片。例如，从芯片CH₉上方选取替代芯片CH₂₅后按序略过5个芯片再选取替代芯片CH₂₉，接着再按序略过5个芯片选取替代芯片CH₃₀，接着再按序略过5个芯片选取替代芯片CH₃₁。如此，本实施例的步骤210利用替代芯片CH₂₅、CH₂₉、CH₃₀、CH₃₁来取代失效芯片CH₁₃、CH₁₆、CH₁₈、CH₂₂。

请参照图9b，其是示出根据本发明又一实施例的步骤210选取周边芯片的示意图。若晶圆上有更多的失效芯片时，在前述实施例中按序选取替代芯片CH₂₅、CH₂₉、CH₃₀、CH₃₁之后，再接着选取芯片CH₉右上方的芯片CH₃₂，然后按序略过5个芯片选取替代芯片CH₃₃，接着再按序略过5个芯片选取替代芯片CH₃₄，接着再按序略过5个芯片选取替代芯片CH₃₅。如此，本实施例的步骤210是利用替代芯片CH₂₅、CH₂₉、CH₃₀、CH₃₁、CH₃₂ CH₃₃、CH₃₄、CH₃₅来取代失效芯片CH₁₀、CH₁₃、CH₁₅、CH₁₆、CH₁₈、CH₂₀、CH₂₂、CH₂₃。

请参照图9c，其是示出根据本发明再一实施例的步骤210选取周边芯片的示意图。若晶圆上有更多的失效芯片时，在前述实施例中按序选取替代芯片CH₃₂ CH₃₃、CH₃₄、CH₃₅之后，再接着选取芯片CH₉左上方的芯片CH₃₆，然后按序略过5个芯片选取替代芯片CH₃₇，接着再按序略过5个芯片选取替代芯片CH₃₈，接着再按序略过5个芯片选取替代芯片CH₃₉。如此，本实施例的步骤210是利用替代芯片CH₂₅、CH₂₉、CH₃₀、CH₃₁、CH₃₂ CH₃₃、CH₃₄、CH₃₅、CH₃₆、CH₃₇、CH₃₈、CH₃₉来取代失效芯片CH₁₀、CH₁₁、CH₁₂、CH₁₃、CH₁₅、CH₁₆、CH₁₈、CH₁₉、CH₂₀、CH₂₂、CH₂₃、CH₂₄。

虽然本发明已以实施例公开如上，然其并非用以限定本发明，任何所属技术领域中技术人员，在不脱离本发明的构思和范围内，当可作些许的变动与润饰，故本发明的保护范围当视权利要求所界定者为准。