外延炉吹扫冷却系统、方法、装置、电子设备及存储介质

文档序号:1827517 发布日期:2021-11-12 浏览:29次 >En<

阅读说明:本技术 外延炉吹扫冷却系统、方法、装置、电子设备及存储介质 (Purging and cooling system, method and device for epitaxial furnace, electronic equipment and storage medium ) 是由 盛飞龙 毛朝斌 罗骞 伍三忠 胡承 王鑫 于 2021-08-16 设计创作,主要内容包括:本发明涉及外延生长技术领域,具体公开了一种外延炉吹扫冷却系统、方法、装置、电子设备及存储介质,其中,系统包括:冷却室,用于放置外延片且内部充满用于对外延片进行吹扫冷却的吹扫气体;气体温度计,用于获取吹扫气体的第一温度信息;温度调节机构;测温计,用于获取外延片的第二温度信息;气体循环机构;控制器,用于控制吹扫气体进行循环流动而对外延片进行循环吹扫冷却,并根据第二温度信息控制温度调节机构调节吹扫气体的第一温度信息以使外延片逐渐降温;该系统根据第二温度信息控制温度调节机构调节吹扫气体的第一温度信息,防止吹扫气体和外延片之间的温度差值过大导致外延片冷却时产生范性形变和位错。(The invention relates to the technical field of epitaxial growth, and particularly discloses a purging and cooling system, a purging and cooling method, a purging and cooling device, electronic equipment and a storage medium for an epitaxial furnace, wherein the purging and cooling system comprises: the cooling chamber is used for placing an epitaxial wafer and filled with purging gas for purging and cooling the epitaxial wafer; the gas thermometer is used for acquiring first temperature information of the purge gas; a temperature adjustment mechanism; the temperature detector is used for acquiring second temperature information of the epitaxial wafer; a gas circulation mechanism; the controller is used for controlling the purge gas to circularly flow so as to circularly purge and cool the epitaxial wafer, and controlling the temperature regulating mechanism to regulate the first temperature information of the purge gas according to the second temperature information so as to gradually cool the epitaxial wafer; the system controls the temperature adjusting mechanism to adjust the first temperature information of the purging gas according to the second temperature information, and avoids generating plastic deformation and dislocation when the epitaxial wafer is cooled due to the fact that the temperature difference between the purging gas and the epitaxial wafer is too large.)

外延炉吹扫冷却系统、方法、装置、电子设备及存储介质

技术领域

本申请涉及外延生长技术领域,具体而言,涉及一种外延炉吹扫冷却系统、方法、装置、电子设备及存储介质。

背景技术

半导体材料制成的器件是电子工业的重要基础产品,广泛应用于卫星、火箭、汽车、通讯等领域。半导体材料生产过程工序复杂,外延工艺为半导体材料生产过程中的一项关键工艺;在外延生长工艺结束阶段,需要将外延片放置到冷却室内进行吹扫冷却。

现有的吹扫冷却方式一般是直接将吹扫气体持续送入冷却室内对外延片进行冷却,根据冷却经验定时取出冷却后的外延片。这种吹扫冷却方式中,吹扫气体温度不能根据外延片当前温度进行调节,外延片容易由于气体和外延片之间温差过大以及由于外延片的晶格和热膨胀系数不同等原因形成热收缩和应力,最终导致外延片出现范性形变和位错,造成外延片质量下降。

针对上述问题,目前尚未有有效的技术解决方案。

发明内容

本申请实施例的目的在于提供一种外延炉吹扫冷却系统、方法、装置、电子设备及存储介质,防止吹扫气体和外延片之间的温度差值过大导致外延片冷却时产生范性形变和位错。

第一方面,本申请实施例提供了一种外延炉吹扫冷却系统,用于吹扫冷却外延片,所述系统包括:

冷却室,用于放置外延片且内部充满用于对外延片进行吹扫冷却的吹扫气体;

气体温度计,用于获取吹扫气体的第一温度信息;

温度调节机构,用于调节吹扫气体的第一温度信息;

测温计,用于获取所述外延片的第二温度信息;

气体循环机构,用于驱动吹扫气体在冷却室内外循环流动;

控制器,用于控制吹扫气体进行所述循环流动而对所述外延片进行循环吹扫冷却,并根据所述第二温度信息控制所述温度调节机构调节吹扫气体的第一温度信息以使外延片逐渐降温。

本申请实施例的一种外延炉吹扫冷却系统,利用控制器控制气体循环机构运行,使得吹扫气体循环流动而对外延片进行循环吹扫冷却,吹扫气体在循环流动的过程中带走外延片上的热量使外延片冷却,而控制器根据第二温度信息控制温度调节机构调节吹扫气体的第一温度信息以实现第一温度信息的实时调节,即根据外延片的温度调节基于循环流动而进入冷却室的吹扫气体的温度,使得进入冷却室内的吹扫气体的温度略低于外延片的温度,而对外延片进行吹扫冷却处理,防止吹扫气体和外延片之间的温度差值过大导致外延片冷却时产生范性形变和位错,从而提高外延片产出质量。

所述的一种外延炉吹扫冷却系统,其中,所述温度调节机构包括:

加热机构,用于加热吹扫气体;

冷却机构,用于冷却吹扫气体;

所述控制器用于在第一温度信息高于常温时,根据所述第二温度信息控制所述加热机构调节吹扫气体的第一温度信息以使外延片逐渐降温,所述控制器还用于在第一温度信息低于或等于常温时,根据所述第二温度信息控制所述冷却机构调节吹扫气体的第一温度信息以使外延片逐渐降温。

所述的一种外延炉吹扫冷却系统,其中,所述加热机构和冷却机构均设于所述冷却室外。

所述的一种外延炉吹扫冷却系统,其中,所述系统还包括:

供气机构,用于为冷却室提供吹扫气体;

废气处理机构,用于处理杂质气体;

所述控制器用于控制所述供气机构产生吹扫气体充满所述冷却室,而将所述冷却室内杂质气体排放至废气处理机构中进行处理。

所述的一种外延炉吹扫冷却系统,其中,所述控制器存储有吹扫时间信息,所述控制器根据所述吹扫时间信息设定所述温度调节机构调节第一温度信息的调节幅度和/或气体循环机构驱动吹扫气体循环流动的流动速度。

所述的一种外延炉吹扫冷却系统,其中,所述冷却室上设有用于反映外延片冷却进度的塔灯。

第二方面,本申请实施例还提供了一种外延炉吹扫冷却方法,用于吹扫冷却外延片,所述外延炉设有冷却室,所述冷却室用于放置外延片且内部充满用于对外延片进行吹扫冷却的吹扫气体,所述方法包括以下步骤:

获取吹扫气体的第一温度信息;

获取外延片的第二温度信息;

控制吹扫气体在所述冷却室内外循环流动;

根据所述第二温度信息调节吹扫气体的第一温度信息以使外延片逐渐降温。

本申请实施例的一种外延炉吹扫冷却方法,利用吹扫气体循环流动而对外延片进行循环吹扫冷却,在冷却过程中根据第二温度信息调节吹扫气体的第一温度信息,使得进入冷却室内的吹扫气体的温度能略低于外延片的温度,而对外延片进行吹扫冷却处理,防止吹扫气体和外延片之间的温度差值过大导致外延片冷却时产生范性形变和位错,从而提高外延片产出质量。

第三方面,本申请实施例还提供了一种外延炉吹扫冷却装置,用于吹扫冷却外延片,所述冷却室用于放置外延片且内部充满用于对外延片进行吹扫冷却的吹扫气体,所述装置包括:

获取模块,用于获取吹扫气体的第一温度信息和外延片的第二温度信息;

循环模块,用于控制吹扫气体在所述冷却室内外循环流动;

调节模块,用于根据所述第二温度信息调节吹扫气体的第一温度信息以使外延片逐渐降温。

本申请实施例的一种外延炉吹扫冷却装置,利用循环模块控制吹扫气体循环流动而对外延片进行循环吹扫冷却,在冷却过程中根据获取模块获取的第二温度信息来控制调节模块调节吹扫气体的第一温度信息,使得进入冷却室内的吹扫气体的温度能略低于外延片的温度,而对外延片进行吹扫冷却处理,防止吹扫气体和外延片之间的温度差值过大导致外延片冷却时产生范性形变和位错,从而提高外延片产出质量。

第四方面,本申请实施例还提供了一种电子设备,包括处理器以及存储器,所述存储器存储有计算机可读取指令,当所述计算机可读取指令由所述处理器执行时,运行如上述第二方面提供的所述方法中的步骤。

第五方面,本申请实施例还提供了一种存储介质,其上存储有计算机程序,所述计算机程序被处理器执行时运行如上述第二方面提供的所述方法中的步骤。

由上可知,本申请实施例提供了一种外延炉吹扫冷却系统、方法、装置、电子设备及存储介质,其中,系统利用吹扫气体在循环流动的过程中带走外延片上的热量使外延片冷却,并根据第二温度信息控制温度调节机构调节吹扫气体的第一温度信息以实现第一温度信息的实时调节,使得进入冷却室内的吹扫气体的温度略低于外延片的温度,而对外延片进行吹扫冷却处理,防止吹扫气体和外延片之间的温度差值过大导致外延片冷却时产生范性形变和位错,从而提高外延片产出质量。

附图说明

图1为本申请实施例提供的一种外延炉吹扫冷却系统的结构示意图。

图2为本申请实施例提供的一种外延炉吹扫冷却系统实施例1的结构示意图。

图3为本申请实施例提供的一种外延炉吹扫冷却方法的流程图。

图4为本申请实施例提供的一种外延炉吹扫冷却装置的结构示意图。

图5为本申请实施例提供的电子设备的结构示意图。

附图标记:100、冷却室;200、气体温度计;300、温度调节机构;400、测温计;500、气体循环机构;600、控制器;700、电子设备;101、外延片;102、塔灯;301、冷却排;302、水温计;303、冷却水循环机构;304、电加热器;501、过滤器;502、第一气动阀;503、流量计;504、循环泵;505、第二气动阀;601、获取模块;602、循环模块;603、调节模块;701、处理器;702、存储器;703、通信总线;801、供气机构;802、第三气动阀;803、第四气动阀;804、废气处理装置。

具体实施方式

下面将结合本申请实施例中附图,对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例,而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本申请实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。因此,以下对在附图中提供的本申请的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本申请的范围,而是仅仅表示本申请的选定实施例。基于本申请的实施例,本领域技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例,都属于本申请保护的范围。

应注意到:相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项,因此,一旦某一项在一个附图中被定义,则在随后的附图中不需要对其进行进一步定义和解释。同时,在本申请的描述中,术语“第一”、“第二”等仅用于区分描述,而不能理解为指示或暗示相对重要性。

第一方面,请参照图1,图1是本申请一些实施例中的一种外延炉吹扫冷却系统,用于吹扫冷却外延片,系统包括:

冷却室100,用于放置外延片101且内部充满用于对外延片101进行吹扫冷却的吹扫气体;

气体温度计200,用于获取吹扫气体的第一温度信息;

温度调节机构300,用于调节吹扫气体的第一温度信息;

测温计400,用于获取外延片101的第二温度信息;

气体循环机构500,用于驱动吹扫气体在冷却室100内外循环流动;

控制器600,用于控制吹扫气体进行循环流动而对外延片101进行循环吹扫冷却,并根据第二温度信息控制温度调节机构300调节吹扫气体的第一温度信息以使外延片101逐渐降温。

具体地,第一温度信息为吹扫气体进入冷却室100时的温度,因此,控制器600控制温度调节机构300调节吹扫气体的第一温度信息为调节吹扫气体进入冷却室100时的温度。

具体地,第二温度信息为放置于冷却室100内的外延片101的实时温度。

本申请实施例的一种外延炉吹扫冷却系统,利用控制器600控制气体循环机构500运行,使得吹扫气体循环流动而对外延片101进行循环吹扫冷却,吹扫气体在循环流动的过程中带走外延片101上的热量使外延片101冷却,而控制器600根据第二温度信息控制温度调节机构300调节吹扫气体的第一温度信息以实现第一温度信息的实时调节,即根据外延片101的温度调节基于循环流动而进入冷却室100的吹扫气体的温度,使得进入冷却室100内的吹扫气体的温度略低于外延片101的温度,而对外延片101进行吹扫冷却处理,防止吹扫气体和外延片101之间的温度差值过大导致外延片101冷却时产生范性形变和位错,从而提高外延片101产出质量。

另外,采用气体循环机构500驱动吹扫气体在冷却室100内外循环流动,可使吹扫气体基于循环流动而具备自然冷却能力,减少温度调节机构300的调节负荷,也利于吹扫气体带走外延片101热量而对外延片101进行冷却,还可使吹扫气体循环使用以节省气体成本;此外,吹扫气体进行循环流动时基于气体自身的流动混合也使得吹扫气体本身温度更均匀有序,避免具有较大温差分布的吹扫气体接触外延片101表面而影响外延片101冷却效果。

在一些优选的实施方式中,温度调节机构300包括:

加热机构,用于加热吹扫气体;

冷却机构,用于冷却吹扫气体;

控制器600用于在第一温度信息高于常温时,根据第二温度信息控制加热机构调节吹扫气体的第一温度信息以使外延片101逐渐降温,控制器600还用于在第一温度信息低于或等于常温时,根据第二温度信息控制冷却机构调节吹扫气体的第一温度信息以使外延片101逐渐降温。

具体地,由于外延片101从外延炉反应室内取放至冷却室100进行吹扫冷却时,具有较高的温度,因此需利用加热机构将吹扫气体预热至与外延片101相近的温度再逐步进行冷却。

更具体地,在外延片101吹扫冷却的过程中,外延片101起始温度远远高于常温,此时通入的吹扫气体也远高于常温,吹扫气体在对外延片101进行吹扫冷却时会因循环流动而自然降温,此时需要利用加热机构对吹扫气体进行持续加热,从而实现根据第二温度信息控制加热机构调节吹扫气体的第一温度信息以使外延片101逐渐降温,避免吹扫气体降温速度过快而与外延片101之间产生过大温差。

更具体地,加热机构调节第一温度信息的过程为逐步降低加热效率,使得第一温度信息能逐步降低,即吹扫气体能匹配外延片101的温度逐步下降且其温度一直保持在外延片101温度之下,使得本申请实施例的吹扫冷却系统能在避免吹扫气体与外延片101之间产生过大温差的前提下持续利用吹扫气体对外延片101进行吹扫冷却。

更具体地,当第一温度信息降低至常温程度时,表明加热器已暂停加热,无法将吹扫气体调节至更低温度,此时,控制器600控制冷却机构启动而对吹扫气体进行温度调节,使其温度能调节至低于常温而对外延片101进行继续吹扫冷却,使得外延片101能继续进行低于常温的低温吹扫冷却处理。

具体地,冷却机构为利用冷却液对吹扫气体进行冷却,冷却液可以是冷却水、冷却油等常用的冷却液体。

更具体地,冷却机构调节第一温度信息的过程为逐步增加冷却效率,使得第一温度信息能逐步降低,即吹扫气体能匹配外延片101的温度逐步下降且其温度一直保持在外延片101温度之下,使得本申请实施例的吹扫冷却系统能在吹扫冷却温度低于常温的情况下,且在避免吹扫气体与外延片101之间产生过大温差的前提下持续利用吹扫气体对外延片101进行低温吹扫冷却。

具体地,常温为该外延炉吹扫系统外的环境温度,不同材质的外延片101的吹扫冷却具有不同的冷却温度要求,因此,设置加热机构和冷却机构可使得本申请的吹扫冷却系统能无视室外常温将外延片101降温至指定温度,扩大了本申请实施例的吹扫冷却系统的使用范围;另外,对一般的外延片101进行适当的低温吹扫处理也利于稳定外延片101结构。

具体地,温度调节机构300包括加热机构和冷却机构,能够使得吹扫气体的第一温度信息的调节过程能无缝过渡,即能在高于室温的情况下平滑调节到低于室温,优化外延片101的冷却效果。

在一些优选的实施方式中,加热机构和冷却机构均设于冷却室100外。

具体地,加热机构和冷却机构设于冷却室100外而对循环流动至冷却室100外的吹扫气体进行温度调节,使得吹扫气体温度稳定后再流动至冷却室100内对外延片101进行吹扫冷却,确保吹扫气体温度均匀,避免对冷却室100内吹扫气体直接进行温度调节而产生温度不均或气体紊流的问题。

在一些优选的实施方式中,气体循环机构500包括两端连通于反应室的循环管道,加热机构和冷却机构均设于循环管道上,分别通过加热和冷却循环管道外壁的方式以调整吹扫气体的第一温度信息,可在确保吹扫气体流通区域具有气密性的情况下实现对吹扫气体的温度调节。

在一些优选的实施方式中,系统还包括:

供气机构801,用于为冷却室100提供吹扫气体;

废气处理机构,用于处理杂质气体;

控制器600用于控制供气机构801产生吹扫气体充满冷却室100,而将冷却室100内杂质气体排放至废气处理机构中进行处理。

具体地,外延片101在外延炉反应室内完成外延生长后转移至冷却室100中会使冷却室100内带入杂质气体,因此,需要利用供气机构801产生吹扫气体供应给冷却室100,使冷却室100内充满吹扫冷却用的吹扫气体,而将原本存在于冷却室100内的杂质气体挤出至废气处理机构中,由废气处理机构对杂质气体进行废气处理,避免外延片101在吹扫冷却过程中吹扫气体混合杂质气体而影响外延片101吹扫冷却效果,从而提高外延片101产出质量。

更具体地,在外延片101置入冷却室100后,控制器600控制供气机构801和废气处理机构启动进行杂质气体处理,在冷却室100排出所有杂质气体后,控制器600控制供气机构801和废气处理机构对应阀门关闭,再启动温度调节机构300、气体循环机构500对外延片101进行循环吹扫冷却处理。

更具体地,控制器600根据冷却室100体积和供气机构801产生的吹扫气体总流量判断杂质气体是否完全排放至废气处理机构中。

更具体地,供气机构801连接于循环管道,供气机构801为冷却室100供应吹扫气体时,加热机构对供气机构801产生的吹扫气体进行加热,使得率先进入冷却室100的吹扫气体的温度与外延片101温度相近,即保证排放杂质气体的过程中吹扫气体的温度与外延片101温度之差在工艺范围内,避免外延片101出现范性形变和位错。

在一些优选的实施方式中,控制器600存储有吹扫时间信息,控制器600根据吹扫时间信息设定温度调节机构300调节第一温度信息的调节幅度和/或气体循环机构500驱动吹扫气体循环流动的流动速度。

具体地,吹扫时间信息为整个吹扫冷却工序的持续时间,即为使外延片101吹扫冷却至预定最终冷却温度的用时,吹扫时间信息通过用户在控制器600上输入设定。

具体地,控制器600根据起始时外延片101的第二温度信息和外延片101最终冷却温度制定冷却曲线,该冷却曲线为外延片101基于时间的温度变化曲线,控制器600根据冷却曲线动态调节吹扫气体的第一温度信息的调节幅度和/或气体循环机构500的气体流速以使得第二温度信息的变化符合冷却曲线,使得外延片101在设定时间中平稳地完成吹扫冷却过程,使外延片101吹扫冷却效果更好。

具体地,第一温度信息的调节幅度和气体循环机构500的气体流速的动态调节基于第二温度信息与冷却曲线之间的偏差进行,如一时刻中,第二温度信息高于冷却曲线上对应的点,证明此时外延片101冷却速度低于预期值,此时控制器600会按照预设调节量将第一温度信息调低和/或适当将吹扫气体循环流动速度调高,以略微加快外延片101的冷却速度,使外延片101的第二温度信息的变化情况回归至冷却曲线上。

更具体地,气体循环机构500的循环管道上设有流量计,用于获取吹扫气体在循环流动中的流量信息,该流量信息包括吹扫气体循环管道中的流速、流量,控制器600获取流量计测取的流量信息后能更精确地调节吹扫气体的循环流动速度。

此外,控制器600内设有流速阈值,当吹扫气体的流速达到流速阈值上,控制器600控制气体循环机构500使得吹扫气体的流速不再增加,防止吹扫气体流速过快影响第一温度信息的调节以及防止反应室内吹扫气体吹扫力度过大而影响外延片101吹扫冷却效果。

在一些优选的实施方式中,冷却室100上设有用于反映外延片101冷却进度的塔灯102。

具体地,塔灯102由控制器600控制运行,其上设有用于反映吹扫冷却阶段的多个指示灯。

更具体地,多个指示灯至少包括用于反映冷却室100空载、高于室温冷却、低于室温冷却、冷却完成阶段的指示灯,使得用户可从冷却室100外部直观查看外延片101的吹扫冷却情况。

实施例1

如图2所示为一种外延炉吹扫冷却系统,包括冷却室100、气体循环机构500、供气机构801、加热机构、冷却机构、废气处理机构、气体温度计200、测温计400、塔灯102和控制器(图示未画出)。

其中,冷却室100内设有托盘,该托盘用于放置外延片101使外延片101进行吹扫冷却,测温计400连接于托盘以获取托盘温度而获取外延片101的温度。

其中,气体循环机构500包括两端均与冷却室100连接的循环管道,以及依次设于循环管道上的过滤器501、第一气动阀502、流量计503、循环泵504、第二气动阀505,气体温度计200设于循环管道上,且位于第二气动阀505靠近冷却室100的一端。

其中,冷却机构设于循环管道上,并位于循环泵504和第二气动阀505之间,其包括设于循环管道上的冷却排301、用于提供冷却水给冷却排301的冷却水循环机构303以及用于检测冷却水温度的水温计302。

其中,加热机构为电加热器304,设于循环管道上,且位于第二气动阀505和气体温度计200之间。

其中,供气机构801为外部气源,其通过第三气动阀802与循环管道连接,且连接位置在加热机构的安装位置上。

其中,废气处理机构包括连接于冷却室100的废气管道,以及依次设置在废气管道上的第四气动阀803和废气处理装置804。

具体地,冷却室100具有密封门,将外延片101置于冷却室100托盘上后关闭冷却室100的密封门,然后控制器600控制各部件配合运行而对外延片101进行吹扫冷却,吹扫冷却的过程如下:

控制器关闭第一气动阀502和第二气动阀505,打开第三气动阀802和第四气动阀803,启动供气机构801产生吹扫气体,启动塔灯102中的排气指示灯,控制器通过测温计400获取托盘温度即获取外延片101当前温度,吹扫气体流经电加热器304加热进行加热,控制器通过气体温度计200获取吹扫气体温度调节电加热器304的加热功率,使得吹扫气体温度上升至与外延片101温度相近程度,由供气机构801产生的吹扫气体加热后持续输入冷却室100内,并将冷却室100内原本存在的杂质气体排挤废气管道中,由废气处理装置804对杂质气体进行处理,控制器根据供气机构801输入的气体总量判断冷却室100内是否完全排除杂质气体,若已完全排除,总控制供气机构801停止、关闭第三气动阀802和第四气动阀803、打开第一气动阀502和第二气动阀505,然后控制循环泵504启动进行吹扫气体的循环流动,启动塔灯102中的冷却指示灯。

用户根据外延片101的冷却工艺在控制器中设置冷却时间,控制器根据冷却时间调节循环泵504的输入功率,结合流量计503准确调节吹扫气体的循环流动速度,在起始的气体循环流动对外延片101的进行吹扫冷却的过程中,电加热器304持续对吹扫气体进行加热,控制器通过气体温度计200和测温计400分别获取吹扫气体和外延片101的温度,按一定斜率逐步调低电加热器304输出功率,使得吹扫气体温度逐渐下降且略低于外延片101温度,使得外延片101与吹扫气体之间的温差较小而逐步进行冷却,当吹扫气体下降至室温(炉外温度)时,吹扫气体循环流动的过程中也不会自然冷却,此时控制器控制电加热器304关闭,启动冷却机构,利用含有循环流动的冷却水的冷却排301对循环管路进行冷却,使得吹扫气体能继续降温,控制器通过气体温度计200、测温计400和水温计302分别获取吹扫气体温度、外延片101温度和冷却水温度,按一定斜率逐步降低冷却水的温度,使得吹扫气体温度等于或低于室温后,仍能逐渐下降且略低于外延片101温度,使得外延片101与吹扫气体之间的温差较小而逐步进行低温冷却,使得外延片101能降温到工艺指定的冷却温度。

外延片101冷却至指定温度后,控制器关闭第一气动阀502和第二气动阀505,启动塔灯102中的完成指示灯,完成整个外延片101吹扫冷却过程。

第二方面,请参照图3,图3是本申请一些实施例中提供的一种外延炉吹扫冷却方法,用于吹扫冷却外延片101,外延炉设有冷却室100,冷却室100用于放置外延片101且内部充满用于对外延片101进行吹扫冷却的吹扫气体,方法包括以下步骤:

S1、获取吹扫气体的第一温度信息;

S2、获取外延片101的第二温度信息;

S3、控制吹扫气体在冷却室100内外循环流动;

S4、根据第二温度信息调节吹扫气体的第一温度信息以使外延片101逐渐降温。

本申请实施例的一种外延炉吹扫冷却方法,利用吹扫气体循环流动而对外延片101进行循环吹扫冷却,在冷却过程中根据第二温度信息调节吹扫气体的第一温度信息,使得进入冷却室100内的吹扫气体的温度能略低于外延片101的温度,而对外延片101进行吹扫冷却处理,防止吹扫气体和外延片101之间的温度差值过大而导致外延片101冷却时产生范性形变和位错,从而提高外延片101产出质量。

在一些优选的实施方式中,还包括执行于步骤S2和S3之间的步骤:

S2’、根据第二温度信息加热位于冷却室100外部的吹扫气体,将加热后的吹扫气体通入冷却室100内排除杂质气体。

具体地,将冷却室100内杂质气体排除后,再利用吹扫气体对外延片101进行循环的吹扫冷却,能避免杂质气体影响外延片101的冷却质量。

第三方面,请参照图4,图4为本申请实施例提供的一种外延炉吹扫冷却装置,用于吹扫冷却外延片101,冷却室100用于放置外延片101且内部充满用于对外延片101进行吹扫冷却的吹扫气体,装置包括:

获取模块601,用于获取吹扫气体的第一温度信息和外延片101的第二温度信息;

循环模块602,用于控制吹扫气体在冷却室100内外循环流动;

调节模块603,用于根据第二温度信息调节吹扫气体的第一温度信息以使外延片101逐渐降温。

本申请实施例的一种外延炉吹扫冷却装置,利用循环模块602控制吹扫气体循环流动而对外延片101进行循环吹扫冷却,在冷却过程中根据获取模块601获取的第二温度信息来控制调节模块603调节吹扫气体的第一温度信息,使得进入冷却室100内的吹扫气体的温度能略低于外延片101的温度,而对外延片101进行吹扫冷却处理,防止吹扫气体和外延片101之间的温度差值过大导致外延片101冷却时产生范性形变和位错,从而提高外延片101产出质量。

第四方面,请参照图5,图5为本申请实施例提供的一种电子设备的结构示意图,本申请提供一种电子设备700,包括:处理器701和存储器702,处理器701和存储器702通过通信总线703和/或其他形式的连接机构(未标出)互连并相互通讯,存储器702存储有处理器701可执行的计算机程序,当计算设备运行时,处理器701执行该计算机程序,以执行时执行上述实施例的实现方式中的方法。

第五方面,本申请实施例提供一种存储介质,所述计算机程序被处理器执行时,执行上述实施例的实现方式中的方法。其中,存储介质可以由任何类型的易失性或非易失性存储设备或者它们的组合实现,如静态随机存取存储器(Static Random Access Memory,简称SRAM),电可擦除可编程只读存储器(Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory, 简称EEPROM),可擦除可编程只读存储器(Erasable Programmable ReadOnly Memory, 简称EPROM),可编程只读存储器(Programmable Red-Only Memory, 简称PROM),只读存储器(Read-Only Memory, 简称ROM),磁存储器,快闪存储器,磁盘或光盘。

综上,本申请实施例提供了一种外延炉吹扫冷却系统、方法、装置、电子设备及存储介质,其中,系统利用吹扫气体在循环流动的过程中带走外延片101上的热量使外延片101冷却,并根据第二温度信息控制温度调节机构300调节吹扫气体的第一温度信息实现第一温度信息的实时调节,使得进入冷却室100内的吹扫气体的温度略低于外延片101的温度,而对外延片101进行吹扫冷却处理,防止吹扫气体和外延片101之间的温度差值过大导致外延片101冷却时产生范性形变和位错,从而提高外延片101产出质量。

在本申请所提供的实施例中,应该理解到,所揭露装置和方法,可以通过其它的方式实现。以上所描述的装置实施例仅仅是示意性的,例如,所述单元的划分,仅仅为一种逻辑功能划分,实际实现时可以有另外的划分方式,又例如,多个单元或组件可以结合或者可以集成到另一个系统,或一些特征可以忽略,或不执行。另一点,所显示或讨论的相互之间的耦合或直接耦合或通信连接可以是通过一些通信接口,装置或单元的间接耦合或通信连接,可以是电性,机械或其它的形式。

另外,作为分离部件说明的单元可以是或者也可以不是物理上分开的,作为单元显示的部件可以是或者也可以不是物理单元,即可以位于一个地方,或者也可以分布到多个网络单元上。可以根据实际的需要选择其中的部分或者全部单元来实现本实施例方案的目的。

再者,在本申请各个实施例中的各功能模块可以集成在一起形成一个独立的部分,也可以是各个模块单独存在,也可以两个或两个以上模块集成形成一个独立的部分。

在本文中,诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来,而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。

以上所述仅为本申请的实施例而已,并不用于限制本申请的保护范围,对于本领域的技术人员来说,本申请可以有各种更改和变化。凡在本申请的精神和原则之内,所作的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本申请的保护范围之内。

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