一种用于气体沉积工艺的自公转基座
阅读说明：本技术 一种用于气体沉积工艺的自公转基座 (Self-revolution base for gas deposition process ) 是由 张海涛 山本晓 许彬 于 2021-07-15 设计创作，主要内容包括：本发明涉及GaN制备相关技术领域,且公开了一种用于气体沉积工艺的自公转基座,包括设备安装台和驱动机构,所述设备安装台的顶部安装有安装基座,安装基座的上方设置有自转基座,驱动机构的输出轴贯穿设备安装台和安装基座并与自转基座的底部相连接。该用于气体沉积工艺的自公转基座,使得设备达到自公转的目的,结构简单易于装配,内密封圈和外密封圈的设置,有效的避免工艺气体沉积时,通过沉积基座溢入自转基座的倾斜面凹槽内侧,保证工艺气体沉积的反应效率,啮合齿轮座与自转基座之间通过配合密封圈密封配合,有效的保证自转基座的倾斜面凹槽内结构之间配合的密封性,保证结构之间长期配合的稳定性。(The invention relates to the technical field related to GaN preparation, and discloses a self-revolution base for a gas deposition process. This a revolution base for gas deposition technology for equipment reaches the purpose of revolution, simple structure easily assembles, the setting of inner seal circle and external seal circle, when effectual avoiding the process gas deposit, it is inboard to overflow the inclined plane recess of rotation base through the deposition base, guarantee process gas deposit's reaction efficiency, through the sealed cooperation of cooperation sealing washer between meshing gear seat and the rotation base, the leakproofness of complex between the effectual inclined plane recess inner structure of assurance rotation base, long-term complex stability between the assurance structure.)
技术领域
本发明涉及GaN制备相关技术领域，具体为一种用于气体沉积工艺的自公转基座。
背景技术
GaN是第三代宽禁带半导体的典型代表，已被广泛应用于半导体照明、微波功率器件和电力电子器件等方面，展现出巨大的应用前景。用于氮化镓生长的最理想衬底自然是氮化镓单晶材料，这样的同质外延(即外延层和衬底是同一种材料)可以大大提高外延膜的晶体质量，降低位错密度，提高器件工作寿命，提高发光效率，提高器件工作电流密度。
GaN半导体材料的生长方法主要有金属有机物气相外延沉积法(MOCVD)、氢化物气相外延沉积法(HVPE)和气相反应(CAD)等方法。其中MOCVD是最常用的技术之一，具有晶体质量高、均匀性好、操作简单、容易控制等优点，HVPE法具有很高的生长速度，可达每小时几十甚至上百微米，十分适于生长厚膜GaN衬底，但由于生长速率快，外延薄膜容易产生裂纹，而且均匀性也有待提高。
采用气相外延反应的GaN制备方法，工艺气体在衬底基板上沉积，为保障GaN晶体的沉积质量，反应腔结构的旋转基座进行匀速自公转运动，以保障GaN晶体沉积生长的均匀性，但现有的气体沉积工艺的自公转基座在使用时，内部配合结构较为繁琐，结构之间配合精度要求较高，支撑成本较高，因此发明人设计了一种用于气体沉积工艺的自公转基座，解决上述技术问题。
发明内容
(一)解决的技术问题
针对现有技术的不足，本发明提供了一种用于气体沉积工艺的自公转基座，解决了自公转基座结构配合精度要求较高的问题。
(二)技术方案
为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：一种用于气体沉积工艺的自公转基座，包括设备安装台和驱动机构，所述设备安装台的顶部安装有安装基座，安装基座的上方设置有自转基座，驱动机构的输出轴贯穿设备安装台和安装基座并与自转基座的底部相连接；
所述自转基座的倾斜面凹槽内安装有与其内腔相适配的定位轴承座，定位轴承座的轴承内圈安装有公转基座，公转基座上设置有公转齿轮，公转基座与定位轴承座内侧壁配合部分夹设有外密封圈和内密封圈，公转基座的基座端面连接有衬底基座，衬底基座的表面连接有沉积衬底；
所述安装基座上安装有与公转基座的公转齿轮相啮合的啮合齿轮座，所述自转基座的底部表面开设有与啮合齿轮座相配合的环形契合槽，啮合齿轮座的齿轮端在环形契合槽内与公转基座的公转齿轮相啮合。
优选的，所述驱动机构的输出轴中心线与自转基座的底部表面中心线相重合。
优选的，所述啮合齿轮座与自转基座的底部之间装配有配合密封圈，避免自转基座的倾斜面凹槽内腔收到外界环境的影响。
优选的，所述啮合齿轮座的齿轮外圈与环形契合槽内侧壁之间留有配合活动间隙。
优选的，所述沉积衬底的表面与自转基座的倾斜面相平齐，保证工艺气体能够在沉积衬底的表面平稳沉积生长。
优选的，所述衬底基座的环形外侧壁与自转基座的倾斜面凹槽内侧壁之间留有活动间隙，保证结构之间配合的稳定性，避免结构活动配合产生摩擦。
优选的，所述公转基座的中心线与衬底基座、沉积衬底和定位轴承座的中心线相重合，使得公转基座能够带动衬底基座和沉积衬底在定位轴承座的内侧稳定公转。
(三)有益效果
本发明提供了一种用于气体沉积工艺的自公转基座。具备以下有益效果：
该用于气体沉积工艺的自公转基座，通过驱动机构带动自转基座进行转动，公转基座上的公转齿轮在自转基座的带动下进行旋转，使得公转齿轮与啮合齿轮座进行啮合传动，公转齿轮带动公转基座进行转动，从而使得沉积基座带动沉积基座进行转动，使得设备达到自公转的目的，结构简单易于装配，内密封圈和外密封圈的设置，有效的避免工艺气体沉积时，通过沉积基座溢入自转基座的倾斜面凹槽内侧，保证工艺气体沉积的反应效率，啮合齿轮座与自转基座之间通过配合密封圈密封配合，有效的保证自转基座的倾斜面凹槽内结构之间配合的密封性，保证结构之间长期配合的稳定性。
附图说明
图1为本发明结构示意图。
图中：1设备安装台、2驱动机构、3安装基座、4自转基座、5啮合齿轮座、6定位轴承座、7内密封圈、8公转基座、9衬底基座、10沉积衬底、11外密封圈、12配合密封圈。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
如图1所示，本发明提供一种技术方案：一种用于气体沉积工艺的自公转基座，包括设备安装台1和驱动机构2，设备安装台1的顶部安装有安装基座3，安装基座3的上方设置有自转基座4，驱动机构2的输出轴贯穿设备安装台1和安装基座3并与自转基座4的底部相连接，驱动机构2的输出轴中心线与自转基座4的底部表面中心线相重合。
自转基座4的倾斜面凹槽内安装有与其内腔相适配的定位轴承座6，定位轴承座6的轴承内圈安装有公转基座8，公转基座8上设置有公转齿轮，公转基座8与定位轴承座6内侧壁配合部分夹设有外密封圈11和内密封圈7，公转基座8的基座端面连接有衬底基座9，衬底基座9的表面连接有沉积衬底10，沉积衬底10的表面与自转基座4的倾斜面相平齐，保证工艺气体能够在沉积衬底10的表面平稳沉积生长，衬底基座9的环形外侧壁与自转基座4的倾斜面凹槽内侧壁之间留有活动间隙，保证结构之间配合的稳定性，避免结构活动配合产生摩擦，衬底基座9的环形外侧壁与自转基座4的倾斜面凹槽内侧壁之间留有活动间隙，保证结构之间配合的稳定性，避免结构活动配合产生摩擦。
安装基座3上安装有与公转基座8的公转齿轮相啮合的啮合齿轮座5，自转基座4的底部表面开设有与啮合齿轮座5相配合的环形契合槽，啮合齿轮座5的齿轮端在环形契合槽内与公转基座8的公转齿轮相啮合，啮合齿轮座5的齿轮外圈与环形契合槽内侧壁之间留有配合活动间隙，啮合齿轮座5与自转基座4的底部之间装配有配合密封圈12，避免自转基座4的倾斜面凹槽内腔收到外界环境的影响。
综上可得，在设备使用时，通过驱动机构2带动自转基座4进行转动，公转基座8上的公转齿轮在自转基座4的带动下进行旋转，使得公转齿轮与啮合齿轮座5进行啮合传动，公转齿轮带动公转基座8进行转动，从而使得沉积基座9带动沉积基座10进行转动，使得设备达到自公转的目的。
需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个引用结构”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。
尽管已经示出和描述了本发明的实施例，对于本领域的普通技术人员而言，可以理解在不脱离本发明的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本发明的范围由所附权利要求及其等同物限定。