具体实施方式

为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本发明的各实施方式进行详细的阐述。然而，本领域的普通技术人员可以理解，在本发明各实施方式中，为了使读者更好地理解本申请而提出了许多技术细节。但是，即使没有这些技术细节和基于以下各实施方式的种种变化和修改，也可以实现本申请所要求保护的技术方案。

本发明的第一实施方式涉及一种发光背板，本实施方式中的发光背板的结构示意图如图1所示，包括：基板1，位于基板1上的反射层2；在反射层2远离基板1一侧依次层叠设置有平坦化层3、以及驱动电路层4；位于驱动电路层4远离基板1一侧的多个发光单元5。

具体地说，本实施方式中主要针对于发光单元5为micro LED的发光背板进行说明。基板1，可以是玻璃基板、硅晶圆或其他可用于micro LED驱动的承载基板。基板1上设置有反射层2，反射层2可以是金属银(Ag)、金属铝(Al)，或者其他可以反射光线的金属层，金属层的厚度范围在10纳米～1微米之间。本实施方式中反射层2也可为无机布拉格反射层(Distributed Bragg Reflector，DBR)，无机布拉格反射层是将不同折射率的薄膜交互周期性的堆叠在一起，当光经过这些不同折射率的薄膜的时候，由于各层反射回来的光线因相位角的改变而进行建设性干涉，然后互相结合在一起，能够得到强烈反射光。由于无机布拉格反射层相较于金属层来说具备良好的光线反射能力，因此可降低无机布拉格反射层的厚度，无机布拉格反射层的厚度范围在1微米～5微米之间。

反射层2远离基板1一侧依次层叠设置有平坦化层3、以及驱动电路层4。其中，平坦化层3为隔离层，材质一般为氧化硅和氮化硅，能够将驱动电路层4和反射层2以及基板1隔离开来。平坦化层3远离基板1一侧设置有驱动电路层4，驱动电路层4远离基板1一侧设置有多个发光单元5，驱动电路层4为多个发光单元5供电，点亮发光单元5。本实施方式中多个发光单元5可以为同一种颜色，也可为不同颜色。

值得说明的是，为了避免相邻两个发光单元5之间的光线产生干扰，驱动电路层4上方还设置有挡墙结构6，挡墙结构6位于相邻两个发光单元5之间。

与现有技术相比，本发明实施方式给出了一种发光背板，在基板1上设置反射层2，在反射层2远离基板1一侧依次层叠设置平坦化层3、以及驱动电路层4；位于驱动电路层4远离基板1一侧设置多个发光单元5，发光单元5背面出射的光线经反射层2反射，从而增加了发光单元5的光线利用率，且本实施方式中在制备发光背板结构时，可直接利用与制备平坦化层3相同的制备工艺来制备反射层2，无需在驱动电路层4上方单独制备反射杯，或在发光单元5背部或者侧壁单独制作反射层2，提高了反射层2与驱动背板(驱动背板包括：基板1、平坦化层3、以及驱动电路层4)的兼容性。

本发明的第二实施方式涉及一种发光背板。如图2和3所示，第二实施方式是对第一实施方式的改进，主要改进之处在于，本实施方式中反射层2远离基板1一侧的表面具有多个第一凹坑20，每个发光单元5与每个第一凹坑20相对设置，与发光单元5相对设置的第一凹坑20能够将发光单元5背部发射的光线集中反射后由发光单元5的正面射出，避免了将发光单元5的光线反射至其他发光单元5，而干扰其他发光单元5的出射光线，使得具有本实施方式中的发光背板的发光装置，由于反射的光线不会干扰到其他发光单元5的出射光线，因此能够降低像素之间的光串扰。

可选地，本实施方式中由于制备第一凹坑20的工艺不同，第一凹坑20的表面呈现如图3所示的阶梯状，或者如图2所示的圆弧状。本实施方式中第一凹坑20的表面呈阶梯状或圆弧状，从而能够将发光单元5背部发射出来的光线反射成垂直于发光单元5，能够进一步能够降低对其他发光单元5的出射光线的干扰，从而进一步降低像素之间的光串扰。值得说明的是，本实施方式中的第一凹坑20的表面也可以呈“V”字型，或其他形状。

本实施方式中为将发光单元5背部发射的光线尽可能地反射出去，第一凹坑20的开口大小可以设置为发光单元5的尺寸的1～2倍。第一凹坑20的最底部与最高处的距离可以设置为预设像素尺寸的0.1～0.5倍。

与现有技术相比，本发明实施方式提供了一种发光背板，在反射层2远离基板1一侧的表面具有多个第一凹坑20，每个发光单元5与每个第一凹坑20相对设置，与发光单元5相对设置的第一凹坑20能够将发光单元5背部发射的光线集中反射后由发光单元5的正面射出，避免了将发光单元5的光线反射至其他发光单元5，而干扰其他发光单元5的出射光线，使得具有本实施方式中的发光背板的发光装置，由于反射的光线不会干扰到其他发光单元5的出射光线，因此能够降低像素之间的光串扰。

本发明的第三实施方式涉及一种发光背板。如图4所示，第三实施方式是第二施方式的进一步改进，主要改进之处在于：本实施方式中基板1与反射层2之间设置有磷硅玻璃层7；磷硅玻璃层7远离基板1一侧的表面具有多个第二凹坑70，第一凹坑20与第二凹坑70相嵌合，从而在制备反射层2时，无需制备较厚的反射层2后刻蚀形成第一凹坑20，可直接在具有第二凹坑70的磷硅玻璃层7远离基板1的一侧形成具有多个第一凹坑20的反射层2，节约了反射层2的材料成本、且简化了反射层2的制备工艺。

具体地说，在基板1上制备一层磷硅玻璃层7后，在磷硅玻璃层7上制备多个第二凹坑70，之后在具有第二凹坑70的磷硅玻璃层7上沉积反射层2，可直接形成的具有多个第一凹坑20的反射层2，第一凹坑20与所述第二凹坑70相嵌合，且形状相同。

可选地，第二凹坑70的表面呈圆弧状，或者呈阶梯状。第一凹坑20的表面与第二凹坑70的表面形状相同，也呈阶梯状或呈圆弧状。呈阶梯状或呈圆弧状的第一凹坑20能够将发光单元5背部发射出来的光线反射成垂直于发光单元5的光线，能够进一步降低对其他发光单元5的出射光线的干扰，从而进一步降低像素之间的光串扰。

进一步地，若第二凹坑70的表面呈圆弧状，第二凹坑70的曲率半径可设置为预设像素尺寸的0.5～5倍。

本实施方式中为将发光单元5背部发射的光线尽可能地反射出去，第一凹坑20的开口大小设置为发光单元5的尺寸的1～2倍。第一凹坑20的最底部与最高处的距离为预设像素尺寸的0.1～0.5倍。

与现有技术相比，本发明实施方式提供了一种发光背板，基板1与反射层2之间设置有磷硅玻璃层7；磷硅玻璃层7远离基板1一侧的表面具有多个第二凹坑70，第一凹坑20与第二凹坑70相嵌合，从而在制备反射层2时，无需制备较厚的反射层2后刻蚀形成第一凹坑20，可直接在具有第二凹坑70的磷硅玻璃层7远离基板1的一侧形成具有多个第一凹坑20的反射层2，节约了反射层2的材料成本、且简化了反射层2的制备工艺。

本发明的第四实施方式涉及一种发光背板的制备方法，本实施方式中发光背板的制备方法的流程示意图如图5所示，具体包括：

步骤101：在基板上制备反射层。

具体地说，提供基板，基板可以为玻璃基板、硅晶圆或其他可用于micro LED驱动的承载基板。之后，在基板上沉积反射层，反射层可以是银(Ag)、铝(Al)等金属，也可以是无机布拉格反射层DBR。金属层的厚度范围在10纳米～1微米之间，由于无机布拉格反射层相较于金属层来说具备良好的光线反射能力，因此可降低无机布拉格反射层的厚度，无机布拉格反射层的厚度范围可设置在1微米～5微米之间。

进一步地，在反射层远离基板的一侧制备平坦化层之前，还包括：刻蚀反射层远离基板的一侧以形成多个第一凹坑。具体地，可多次蚀刻，第一次蚀刻先蚀刻出一个小口，但是深度最深；第二次蚀刻的开口相较于第一次刻蚀的开口大点，但深度相较于第一次较浅；第三次蚀刻的开口相较于第二次刻蚀的开口再大点，但深度相较于第二次较浅，以此种方式进行多次刻蚀，便能够蚀刻出表面呈阶梯状的凹坑。

进一步地，在基板上制备反射层之前，还包括：在基板上制备磷硅玻璃层；在磷硅玻璃层上形成多个第二凹坑，第一凹坑与第二凹坑相嵌合。

具体地说，在基板上制备一层磷硅玻璃层后，在磷硅玻璃层上制备多个第二凹坑，之后在具有第二凹坑的磷硅玻璃层上沉积反射层，可直接形成的具有多个第一凹坑的反射层，第一凹坑与所述第二凹坑相嵌合，且形状相同。无需制备较厚的反射层后刻蚀形成第一凹坑，可直接在具有第二凹坑的磷硅玻璃层远离基板的一侧形成具有多个第一凹坑的反射层，节约了反射层的材料成本、且简化了反射层的制备工艺。

值得说明的是，在磷硅玻璃层上形成多个第二凹坑之后，且在基板上制备反射层之前，还包括：对具有第二凹坑的磷硅玻璃层进行高温回流以使第二凹坑的表面呈圆弧状。

具体地说，磷硅玻璃在高温下具有一定的流动性，通过上述刻蚀方法得到表面呈阶梯状的凹坑后，可将表面呈阶梯状的凹坑进行高温回流，形成具有光滑的圆弧状表面的第二凹坑。值得说明的是，回流温度为1100摄氏度、回流时间为20分钟。

步骤102：在反射层远离基板的一侧依次制备平坦化层、以及驱动电路层。

具体地说，在反射层远离基板的一侧依次制备平坦化层、以及驱动电路层，平坦化层为隔离层，能够将驱动电路层与基板以及反射层隔离开来，平坦化层的材质一般为氧化硅和氮化硅。平坦化层远离基板一侧设置有驱动电路层。

步骤103：在驱动电路层远离基板的一侧制备多个发光单元。

具体地说，驱动电路层远离基板一侧设置有多个发光单元，驱动电路层为多个发光单元供电，点亮发光单元。本实施方式中多个发光单元可以为同一种颜色，也可为不同颜色。值得说明的是，为了避免相邻两个发光单元之间的光线产生干扰，驱动电路层上方还设置有挡墙结构，挡墙结构位于相邻两个发光单元之间。

与现有技术相比，本发明实施方式提供了一种发光背板的制备方法，在基板上制备反射层；在反射层远离基板的一侧依次制备平坦化层、以及驱动电路层，在驱动电路层远离基板的一侧制备多个发光单元。发光单元背面出射的光线经反射层反射，从而增加了发光单元的光线利用率，且本实施方式中在制备发光背板结构时，可直接利用与制备平坦化层相同的制备工艺来制备反射层，无需在驱动电路层上方单独制备反射杯，或在发光单元背部或者侧壁单独制作反射层，提高了反射层与驱动背板(驱动背板包括：基板、平坦化层、以及驱动电路层)的兼容性。

上面各种方法的步骤划分，只是为了描述清楚，实现时可以合并为一个步骤或者对某些步骤进行拆分，分解为多个步骤，只要包括相同的逻辑关系，都在本专利的保护范围内；对算法中或者流程中添加无关紧要的修改或者引入无关紧要的设计，但不改变其算法和流程的核心设计都在该专利的保护范围内。

不难发现，本实施例为与第一实施例、第二实施例以及第三实施例相关的方法实施例，本实施例可与第一实施例、第二实施例以及第三实施例互相配合实施。第一实施例、第二实施例以及第三实施例中提到的相关技术细节在本实施例中依然有效，为了减少重复，这里不再赘述。相应地，本实施例中提到的相关技术细节也可应用在第一实施例、第二实施例以及第三实施例中。

本领域的普通技术人员可以理解，上述各实施方式是实现本发明的具体实施例，而在实际应用中，可以在形式上和细节上对其作各种改变，而不偏离本发明的精神和范围。