具体实施方式

下面将参考附图描述根据本发明构思的实施方式的光学膜和显示装置，在附图中示出了一些实施方式。通过参考实施方式的以下详细描述和附图，可以更容易地理解本公开的特征和实现本公开的特征的方法。然而，本公开不限于下面描述的实施方式，而是可以以不同的形式实现。

在实施方式中，诸如“第一”和“第二”的术语用于将一个组件与其它组件区分开，但是这些组件不受这些术语限制。这些术语仅用于将一个元件与另一个元件区分开。

在实施方式中，除非另外清楚地使用，否则呈单数形式的表述包括复数含义。

在实施方式中，本文使用的诸如“包含(comprises)”、“包含(comprising)”、“包括(includes)”、“包括(including)”、“具有(have)”、“具有(having)”、“含有(contains)”和/或“含有(containing)”的术语指定所叙述的特征或元件的存在，但不排除一个或多个其它特征或元件的存在或添加。

在实施方式中，当诸如膜、区域或组件的元件被称为在另一元件“上”、“上方”或“下方”时，其可直接在另一元件上、上方或下方，或也可存在介于中间的元件。

为了便于描述，可以扩展或减小附图中的组件的尺寸。例如，为了便于描述，任意地示出了附图中所示的每个组件的尺寸和厚度，且因此本公开不一定限于附图中所示的尺寸和厚度。

在本说明书中，短语“A和/或B”可以理解为意指“A、B或A和B”。术语“和”和“或”可以以结合或分离的意义使用，并且可以理解为等同于“和/或”。在本公开全文中，表述“A、B和C中的至少一个”可以表示仅A、仅B、仅C、A和B两者、A和C两者、B和C两者、A、B和C全部或其变形。

本文所用的术语“约”或“近似”包括所述值和在由本领域普通技术人员考虑所讨论的测量和与特定量的测量相关的误差(即，测量系统的限制)所确定的特定值的可接受偏差范围内的平均值。例如，“约”可以意指在一个或多个标准偏差内，或在所述值的±20％、±10％或±5％内。

除非在本文中另外定义或暗示，否则所使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本公开所属领域的技术人员通常理解的含义相同的含义。还应当理解，术语，诸如在常用词典中定义的术语，应当被解释为具有与它们在相关技术的上下文中的含义一致的含义，并且除非在说明书中清楚地定义，否则不应当被解释为理想的或过于形式化的含义。

在下文中，将参考附图详细描述本公开的实施方式，并且相同或相应的组件将由相同的附图标记表示。

图1是示出根据实施方式的显示装置的示意性剖视图。

参照图1，显示装置包括面板部分PN、光学膜PL和保护窗WN。光学膜PL可以设置在面板部分PN的上表面上。例如，光学膜PL可以与面板部分PN的上表面结合。面板部分PN的上表面可以是光出射表面，在面板部分PN中产生的光可以通过该光出射表面向外射出。保护窗WN可以设置在光学膜PL的上表面上。例如，保护窗WN可以与光学膜PL的上表面结合。因此，光学膜PL可以设置在面板部分PN和保护窗WN之间。光学膜PL可以用作偏振器。

可以在面板部分PN和光学膜PL之间以及在光学膜PL和保护窗WN之间设置粘合层，以将面板部分PN和光学膜PL彼此结合并且将光学膜PL和保护窗WN彼此结合。例如，粘合层可以包括丙烯酸粘合剂或光学透明粘合剂。

例如，保护窗WN可以包括玻璃、聚合材料或其组合。在实施方式中，保护窗WN可以包括具有柔性的玻璃薄膜或聚合材料。

图2是示出根据实施方式的显示装置的面板部分的示意性剖视图。面板部分可以包括具有像素阵列的显示面板。在实施方式中，显示面板可以包括有机发光显示面板。

参照图2，面板部分PN的像素单元可以包括驱动元件和电连接到驱动元件的发光元件。在实施方式中，发光元件可以是有机发光二极管。驱动元件可包括至少一个薄膜晶体管。

在实施方式中，缓冲层220可以设置在基础衬底210上。有源图案AP可以设置在缓冲层220上。

例如，基础衬底210可以包括玻璃、石英、蓝宝石、聚合材料等。在实施方式中，基础衬底210可以是包括聚合材料的柔性衬底。例如，基础衬底210可以包括聚萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚醚酮、聚碳酸酯、聚芳酯、聚醚砜、聚酰亚胺或其组合。

面板部分PN还可以包括设置在基础衬底210下方的支撑衬底。

缓冲层220可以防止或减少杂质、湿气或外部气体从基础衬底210的下面渗透，并且可以减小基础衬底210的上表面的粗糙度。例如，缓冲层220可以包括诸如氧化物、氮化物等的无机材料。

包括栅电极GE的第一栅极金属图案可以设置在有源图案AP上。第一绝缘层230可以设置在有源图案AP和栅电极GE之间。

包括电容器电极图案CE的第二栅金属图案可以设置在栅电极GE上。第二栅极金属图案还可以包括用于传输各种信号等的布线。

第二绝缘层240可以设置在栅电极GE和电容器电极图案CE之间。第三绝缘层250可以设置在电容器电极图案CE上。

例如，有源图案AP可以包括硅或金属氧化物半导体。在实施方式中，有源图案AP可以包括可掺杂有n型杂质或p型杂质的多晶的硅(多晶硅)。

在未示出的另一实施方式中或者在未示出的另一个晶体管中，有源图案AP可以包括金属氧化物半导体。例如，有源图案AP可以包括可包含铟(In)、锌(Zn)、镓(Ga)、锡(Sn)、钛(Ti)、铝(Al)、铪(Hf)、锆(Zr)或镁(Mg)的双组分化合物(AB_x)、三元化合物(AB_xC_y)或四组分化合物(AB_xC_yD_z)。例如，有源图案AP可以包括氧化锌(ZnO_x)、氧化镓(GaO_x)、氧化钛(TiO_x)、氧化锡(SnO_x)、氧化铟(InO_x)、氧化铟镓(IGO)、氧化铟锌(IZO)、氧化铟锡(ITO)、氧化镓锌(GZO)、氧化锌镁(ZMO)、氧化锌锡(ZTO)、氧化锌锆(ZnZr_xO_y)、氧化铟镓锌(IGZO)、氧化铟锌锡(IZTO)、氧化铟镓铪(IGHO)、氧化锡铝锌(TAZO)、氧化铟镓锡(IGTO)等。

第一绝缘层230、第二绝缘层240和第三绝缘层250可以各自独立地包括氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、碳化硅或其组合。第一绝缘层230、第二绝缘层240和第三绝缘层250可以各自包括绝缘金属氧化物，诸如氧化铝、氧化钽、氧化铪、氧化锆、氧化钛等。例如，第一绝缘层230、第二绝缘层240和第三绝缘层250可以各自具有包括氮化硅和/或氧化硅的多层结构或单层结构，或者可以具有彼此不同的结构。

栅电极GE和电容器电极图案CE可以包括金属、金属合金、金属氮化物、导电金属氧化物等。例如，栅电极GE和电容器电极图案CE可以各自独立地包括金(Au)、银(Ag)、铝(Al)、铜(Cu)、镍(Ni)、铂(Pt)、镁(Mg)、铬(Cr)、钨(W)、钼(Mo)、钛(Ti)、钽(Ta)或其合金，并且可以具有单层结构或包括不同金属层的多层结构。

第一源极金属图案可以设置在第三绝缘层250上。第一源极金属图案可以包括与有源图案AP电接触的源极图案SE和漏极图案DE。源极图案SE和漏极图案DE可分别穿过设置在其下方的绝缘层以接触有源图案AP。

第一源极金属图案可以包括金属、金属合金、金属氮化物、导电金属氧化物等。例如，第一源极金属图案可以包括金(Au)、银(Ag)、铝(Al)、铜(Cu)、镍(Ni)、铂(Pt)、镁(Mg)、铬(Cr)、钨(W)、钼(Mo)、钛(Ti)、钽(Ta)或其合金，并且可以具有单层结构或包括不同金属层的多层结构。在实施方式中，第一源极金属图案可以具有包括铝层的多层结构。

第四绝缘层260可以设置在第一源极金属图案上。第四绝缘层260可以包括有机材料。例如，第四绝缘层260可以包括有诸如酚醛树脂、丙烯酸树脂、聚酰亚胺树脂、聚酰胺树脂、硅氧烷树脂、环氧树脂等的机绝缘材料。

有机发光二极管280可以设置在第四绝缘层260上。有机发光二极管280可以包括与漏极图案DE电接触的第一电极282、设置在第一电极282上的有机发光层284以及设置在有机发光层284上的第二电极286。有机发光二极管280的有机发光层284可以至少设置在像素限定层270的开口中，其中，像素限定层270设置在第四绝缘层260上。第一电极282可以是有机发光二极管280的下电极，且第二电极286可以是有机发光二极管280的上电极。

第一电极282可以用作阳极。例如，根据显示装置的发射类型，第一电极282可以形成为透射电极或反射电极。当第一电极282是透射电极时，第一电极282可以包括氧化铟锡、氧化铟锌、氧化锌锡、氧化铟、氧化锌、氧化锡等。当第一电极282是反射电极时，第一电极282可以包括金(Au)、银(Ag)、铝(Al)、铜(Cu)、镍(Ni)、铂(Pt)、镁(Mg)、铬(Cr)、钨(W)、钼(Mo)、钛(Ti)或其组合，并且可以具有还包括可用于透射电极的材料的堆叠结构。

像素限定层270可以具有与第一电极282的至少一部分重叠的开口。例如，像素限定层270可以包括有机绝缘材料。

有机发光层284可以至少包括发光层，并且可以进一步包括空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、电子传输层(ETL)和电子注入层(EIL)中的至少一种。例如，有机发光层284可以包括低分子量有机化合物或高分子量有机化合物。

在实施方式中，有机发光层284可以发射红光、绿光或蓝光。在另一实施方式中，有机发光层284可以发射白光。发射白光的有机发光层284可以具有包括红发射层、绿发射层和蓝发射层的多层结构，或者它可以具有包括红发射材料、绿发射材料和蓝发射材料的混合物的单层结构。

根据显示装置的发射类型，第二电极286可以形成为透射电极或反射电极。例如，第二电极286可以包括金属、金属合金、金属氮化物、金属氟化物、导电金属氧化物或其组合。

例如，第二电极286和有机发光层284中的至少一层可以形成为在显示区域中的像素上连续延伸的公共层。然而，实施方式不限于此。例如，有机发光层284可以形成为对应于像素区域的图案并且彼此分离。

封装层290可以设置在有机发光二极管280上。封装层290可以具有无机薄膜和有机薄膜的堆叠结构。例如，封装层290可以包括第一无机薄膜292、设置在第一无机薄膜292上的有机薄膜294和设置在有机薄膜294上的第二无机薄膜296。然而，实施方式不限于此。例如，封装层290可以包括至少两个有机薄膜和至少三个无机薄膜。

触摸感测部分TP可以设置在封装层290上。例如，触摸感测部分TP可以通过检测电容的变化来感测外部输入，从而获得外部输入的坐标信息。然而，实施方式不限于此。触摸感测部分TP可以通过检测压力来感测外部输入。

例如，触摸感测部分TP可以包括下触摸绝缘层212、感测导电图案214和保护层216。

感测导电图案214可包括在第一方向上布置的第一感测电极和在垂直于第一方向的第二方向上布置的第二感测电极。例如，第一感测电极可以通过设置在与第一感测电极相同的层中的连接部分彼此电连接。第二感测电极可以通过设置在与第二感测电极不同的层中的桥接图案彼此电连接。

下触摸绝缘层212和保护层216可以各自独立地包括无机绝缘材料。例如，下触摸绝缘层212和保护层216可以各自独立地包括氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、碳化硅或其组合。下触摸绝缘层212和保护层216可以各自独立地包括诸如氧化铝、氧化钽、氧化铪、氧化锆、氧化钛等的绝缘金属氧化物。

感测导电图案214可以包括导电材料。例如，感测导电图案214可以包括金属、导电金属氧化物、导电聚合物、石墨烯、碳纳米管或其组合。例如，金属可以包括钼、银、钛、铜、铝或其合金。例如，金属可以设置为具有连续薄膜或纳米线的形状。例如，导电金属氧化物可以包括氧化铟锡、氧化铟锌、氧化锌锡、氧化铟、氧化锌、氧化锡或其组合。感测导电图案214可以具有包括不同材料的多层结构或单层结构。

桥接图案可以包括与感测导电图案214相同的材料或不同的材料。

图3是示出根据实施方式的光学膜的示意性剖视图。

参照图3，根据实施方式的光学膜PL可以包括偏振层110、保护层150、无机阻挡层120、第一相位延迟层130a、第二相位延迟层130b、第一粘合层140a和第二粘合层140b。

偏振层110可以用作将入射光转换为线偏振光的偏振器。例如，偏振层110可以通过例如用碘对包括聚乙烯基酒精(PVA)等的聚合物膜进行染色并拉伸(例如，拉拔)染色的膜而获得。在实施方式中，偏振层110还可以包括硼酸、水分等。

第一相位延迟层130a和第二相位延迟层130b可以各自用作将线偏振光转换为圆偏振光(包括椭圆偏振光)的圆偏振器。例如，第一相位延迟层130a和第二相位延迟层130b可以各自独立地用作半波片或四分之一波片。

在实施方式中，第一相位延迟层130a和第二相位延迟层130b中的至少一个可以各自独立地包括环烯烃聚合物、聚丙烯酸酯、聚碳酸酯(PC)、聚苯乙烯(PS)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、纤维素基聚合物、液晶分子或其组合。例如，第一相位延迟层130a可以包括环烯烃聚合物，且第二相位延迟层130b可以包括聚丙烯酸酯。在另一实施方式中，第一相位延迟层130和第二相位延迟层130b可以包括相同的材料。

例如，第一相位延迟层130a可以包括具有表示拉伸方向上的最大折射系数的慢轴的正双折射材料。例如，第一相位延迟层130a可以包括环烯烃聚合物、PC、PET和纤维素基聚合物中的至少一种。在实施方式中，可以制备并卷起包括正双折射材料的未拉伸的膜以形成卷起的膜。卷起的膜可以展开并行进。行进的膜可以基本上在倾斜于行进方向的方向上拉伸，并且可以再次卷起以形成具有倾斜的慢轴(光轴)的第一相位延迟层130a的卷。

例如，第二相位延迟层130b可以包括具有表示在基本上垂直于拉伸方向的方向上的最大折射系数的慢轴的负双折射材料。例如，第二相位延迟层130b可以包括PS、聚丙烯酸酯、PC和丙烯酸酯-苯乙烯共聚物中的至少一种。在实施方式中，可以制备并卷起包括负双折射材料的未拉伸的膜以形成卷起的膜。卷起的膜可以展开并行进。行进的膜可以在基本上垂直于行进方向的方向上拉伸，并且可以再次卷起以形成具有基本上平行于行进的膜的行进方向的慢轴的第二相位延迟层130b的卷。

保护层150可以设置在偏振层110上以保护偏振层110。例如，保护层150可以与偏振层110结合。

例如，保护层150可以包括聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、三乙酰基纤维素(TAC)、环烯烃聚合物、PET或其组合。在实施方式中，保护层150可以包括TAC。

第一粘合层140a可以将第一相位延迟层130a与偏振层110结合。第二粘合层140b可以将第一相位延迟层130a与第二相位延迟层130b结合。例如，第一粘合层140a可以设置在无机阻挡层120和第一相位延迟层130a之间，无机阻挡层120可以直接设置在偏振层110的表面上。例如，无机阻挡层120可以直接与偏振层110的表面和第一相位延迟层130a结合。

例如，第一粘合层140a和第二粘合层140b可以各自独立地包括丙烯酸粘合剂、UV胶、PVA基粘合剂等。在实施方式中，第一粘合层140a和第二粘合层140b可以各自包括UV胶。由UV胶形成的第一粘合层140a和第二粘合层140b可以具有较小的厚度和较大的抵抗诸如弯曲力的外力的耐久性。

在实施方式中，第一粘合层140a可以包括硅烷偶联剂和粘合粘结剂，以增加对无机阻挡层120的粘合。

无机阻挡层120可以阻止来自偏振层110的离子的迁移。

无机阻挡层120可以包括非极性无机材料。例如，无机阻挡层120可以包括NaF、Na₃AlF₃、LiF、MgF₂、CaF₂、BaF₂、SiO₂、LaF₃、CeF、Al₂O₃、ZrO_x(氧化锆)、NbO_x(氧化铌)、ATO(氧化锑锡)、SiN_x(氮化硅)或其组合。

无机阻挡层120可以包括这样的材料，该材料不具有双折射，具有约1.5的折射率，具有大于或等于约90％的透光率，并且具有等于或小于约100g/天·m²的水蒸气透过率(WVTR)。例如，WVTR可根据ASTM F 1249进行测量。考虑到上述情况，无机阻挡层120可以包括例如SiO₂。

无机阻挡层120的厚度可以等于或小于约5μm，并且高厚度均匀性可以是期望的品质，以防止或减少干涉图案。例如，无机阻挡层120的厚度可以在约0.1μm至约5μm的范围内。

在具有高湿度的条件下，偏振层110中的碘离子可以被作为极性溶剂的水溶解。当碘离子进入面板部分PN时，触摸感测部分TP的导电图案可能被腐蚀，从而降低触摸感测部分TP的可靠性。

无机阻挡层120可以阻止极性溶剂或被极性溶剂溶解的离子的迁移。因此，可以防止从偏振层110出来的碘离子损坏面板部分PN的金属图案等。

在实施方式中，无机阻挡层120可以通过沉积形成。如图3所示，无机阻挡层120可以直接形成在偏振层110的表面上。由于用于形成无机阻挡层120的沉积工艺可以在高温下进行，因此无机阻挡层120可以随着冷却而收缩。与包括直接形成在第一相位延迟层130a和第二相位延迟层130b上的无机阻挡层的光学膜相比，包括直接形成在偏振层110上的无机阻挡层120的光学膜PL可以具有增加的可靠性。因此，可以减少或防止无机阻挡层120的破裂，并且可以提高光学膜PL的可靠性。

图4是示出根据实施方式的形成光学膜的工艺的立体图。

根据实施方式的光学膜可以包括设置在偏振层上的无机阻挡层。例如，无机阻挡层可以与偏振层结合。图4可以示出在偏振层上形成无机阻挡层的工艺。

在实施方式中，卷到卷沉积设备可用于在偏振层上形成无机阻挡层。

在实施方式中，卷到卷沉积设备可以包括膜提供辊22、冷却鼓50、沉积部分40、检查部分30和卷绕辊24。

膜提供辊22可以提供膜10。例如，膜10可以是偏振层。在另一实施方式中，膜10可以包括偏振层和设置在偏振层上的保护层。例如，膜10可以包括与偏振层结合的保护层。在另一实施方式中，膜10可以包括相位延迟层。

冷却鼓50可以冷却膜10，以防止膜10被在沉积工艺中施加到其的热损坏。可以向冷却鼓50提供冷却剂等，使得冷却鼓50可以冷却膜10。冷却鼓50可以用作在沉积工艺中支撑膜10的台。

膜10可以沿着冷却鼓50的表面传送，该表面可以是外周表面。沉积部分40可以设置在冷却鼓50的表面上方。例如，沉积部分40可以沿着冷却鼓50的表面设置。膜10可以设置在冷却鼓50和沉积部分40之间。膜10可以接触冷却鼓50的表面，并且可以通过冷却鼓50的旋转来传送。

沉积部分40可以通过溅射、化学气相沉积等向膜10提供沉积源。因此，可以在膜10的表面上形成无机阻挡层。在实施方式中，沉积部分40可以提供相同的沉积源。在另一实施方式中，沉积部分40可以根据无机阻挡层的成分提供不同的沉积源。

沉积部分40和冷却鼓50的组合可以根据无机阻挡层的所需厚度适当地重复。

检查部分30可以检查无机阻挡层的缺陷，或者可以测量无机阻挡层的厚度。基于检查的结果，可以调整沉积条件，或者可以识别具有缺陷的产品。

卷绕辊24可以卷绕具有无机阻挡层的膜10以形成膜卷。

在实施方式中，膜10可以是偏振层。设置在无机阻挡层上的偏振层可以通过粘合层设置在相位延迟层上以形成光学膜。例如，光学膜可以由与无机阻挡层和相位延迟层结合的偏振层形成。

图5是示出根据实施方式的显示装置的示意性剖视图。

参考图5，显示装置包括面板部分PN、光学膜PL、金属功能层ML和保护窗WN。光学膜PL可以设置在面板部分PN的上表面上。例如，光学膜PL可以与面板部分PN的上表面结合。光学膜PL可以用作偏振器。

金属功能层ML可以设置在保护窗WN和光学膜PL之间。

金属功能层ML可以包括至少一个金属层。例如，金属功能层ML可以包括金属层和无机层、可以包括金属层和有机层或者可以包括金属层、无机层和有机层。在实施方式中，金属功能层ML可以包括指纹感测部分、压力感测部分和天线中的至少一个。

如图5所示，当金属功能层ML设置在光学膜PL上时，光学膜PL可以具有合适的配置以防止光学膜PL中的离子或极性溶剂进入金属功能层ML。例如，可以参考图6至图8所示的实施方式来说明实施方式。

参照图6，根据实施方式的光学膜PL可以包括偏振层110、保护层150、无机阻挡层120、第一相位延迟层130a、第二相位延迟层130b、第一粘合层140a和第二粘合层140b。

在实施方式中，无机阻挡层120可以设置在偏振层110的上表面上。例如，无机阻挡层120可以与偏振层110的上表面结合。因此，无机阻挡层120可以设置在偏振层110和保护层150之间。光学膜PL可以防止光学膜PL中的离子或极性溶剂进入设置在光学膜PL上的金属功能层。

参照图7，根据实施方式的光学膜PL可以包括偏振层110、保护层150、第一无机阻挡层120a、第二无机阻挡层120b、第一相位延迟层130a、第二相位延迟层130b、第一粘合层140a和第二粘合层140b。

在实施方式中，第一无机阻挡层120a可以设置在偏振层110的下表面上。例如，第一无机阻挡层120a可以与偏振层110的下表面结合。第二无机阻挡层120b可以设置在偏振层110的上表面上。例如，第二无机阻挡层120b可以与偏振层110的上表面结合。因此，第一无机阻挡层120a设置在偏振层110和第一粘合层140a之间，且第二无机阻挡层120b设置在偏振层110和保护层150之间。

第一无机阻挡层120a和第二无机阻挡层120b可以各自防止光学膜PL中的离子或极性溶剂在两个方向上迁移。

参照图8，根据实施方式的光学膜PL可以包括偏振层110、保护层150、无机阻挡层120、第一相位延迟层130a、第二相位延迟层130b、第一粘合层140a和第二粘合层140b。

在实施方式中，保护层150设置在偏振层110上，并且无机阻挡层120设置在保护层150上。因此，光学膜PL可以防止光学膜PL中的离子或极性溶剂进入设置在光学膜PL上的金属功能层ML。

图9是示出根据实施方式的光学膜的示意性剖视图。

参照图9，根据实施方式的光学膜PL可以包括偏振层110、保护层150、无机阻挡层120、第一相位延迟层130a、第二相位延迟层130b、第一粘合层140a和第二粘合层140b。

在实施方式中，无机阻挡层120可以设置在第一相位延迟层130a和第二相位延迟层130b中的至少一个上。例如，无机阻挡层120可以设置在第一相位延迟层130a上，使得其可以设置在第一相位延迟层130a和第一粘合层140a之间。例如，无机阻挡层120可以与第一相位延迟层130a结合。

例如，如图4所示，无机阻挡层120可以通过在包括第一相位延迟层130a的膜上沉积无机材料来形成。

图10是示出根据实施方式的显示装置的示意性剖视图。

参照图10，显示装置包括面板部分PN、光学膜PL和保护窗WN。光学膜PL可以设置在面板部分PN的上表面上。面板部分PN的上表面可以是光出射表面，在面板部分PN中产生的光可以通过该光出射表面向外射出。保护窗WN可以设置在光学膜PL的上表面上。例如，保护窗WN可以与光学膜PL的上表面结合。因此，光学膜PL可以设置在面板部分PN和保护窗WN之间。

光学膜PL可以包括起偏振器作用的偏振层。例如，光学膜PL可以包括偏振层、设置在偏振层的上表面上的保护层以及设置在偏振层的下表面上的至少一个相位延迟层。例如，在光学膜PL中，保护层可以与偏振层的上表面结合，并且至少一个相位延迟层可以与偏振层的下表面结合。例如，如图2所示，面板部分PN可以包括触摸感测部分。

显示装置可以包括设置在光学膜PL和面板部分PN之间的无机阻挡层BL。因此，无机阻挡层BL可以设置在光学膜PL的偏振层和面板部分PN的触摸感测部分之间。例如，无机阻挡层BL可以沉积在光学膜PL的下表面上或沉积在触摸感测部分的上表面上。

无机阻挡层BL可以防止光学膜PL中的离子或极性溶剂进入面板部分PN的触摸感测部分。

上述实施方式提供了一种有机发光显示装置。然而，实施方式不限于此。例如，实施方式可以应用于各种显示装置，诸如液晶显示装置、电致发光显示装置、微型LED显示装置等。

实施方式可以应用于各种显示装置。在实施方式中，例如，实施方式可以应用于车辆显示装置、船只显示装置、飞机显示装置、便携式通信装置、用于显示或用于信息传输的显示装置、医疗显示装置等。

上文是对实施方式的说明，而不应被解释为对实施方式的限制。尽管已经描述了实施方式，但是本领域的技术人员将容易理解，在实质上不脱离本发明构思的新颖教导和方面的情况下，可以在实施方式中进行许多修改。因此，所有这些修改都旨在包括在本发明构思的范围内。因此，应当理解，上文是对多个实施方式的说明，而不应被解释为限于所公开的具体实施方式，并且对所公开的实施方式的修改以及其它实施方式旨在包括在如所附权利要求及其等同中阐述的本发明构思的范围内。