具体实施方式

以下描述提供具体细节，如材料成分、形状和大小，以便提供对本公开的实施例的充分描述。然而，本领域的普通技术人员将理解，可在不采用这些特定细节的情况下实践本公开的实施例。实际上，可结合行业中采用的常规微电子装置制作技术实践本公开的实施例。另外，下文提供的描述不形成用于制造微电子装置(例如，存储器装置，例如3D NAND快闪存储器装置)的完整过程流。下文描述的结构并不形成完整的微电子装置。下文仅详细地描述理解本公开的实施例所必需的那些过程动作和结构。用以从所述结构形成完整微电子装置的额外动作可通过常规制造技术执行。

本文中呈现的附图仅出于说明性目的，且并不意图为任何特定材料、组件、结构、装置或系统的实际视图。作为例如制造技术和/或公差的结果，将预期与附图中描绘的形状不同的变化。因此，本文中所描述的实施例不应解释为限于如所说明的特定形状或区域，而是包含例如由制造引起的形状偏差。举例来说，说明或被描述为箱形的区可具有粗糙和/或非线性特征，且说明或描述为圆形的区可包含一些粗糙和/或线性特征。此外，所说明的锐角可为圆角，且反之亦然。因此，图中所说明的区域在性质上是示意性的，且其形状并不意图说明区域的精确形状并且不限制本发明权利要求的范围。附图并不一定按比例绘制。另外，图式之间的共同元件可保留相同数字编号。

如本文中所使用，术语“存储器装置”意指并包含展现存储器功能性但不必限于存储器功能性的微电子装置。换句话说且仅借助于非限制性实例，术语“存储器装置”不仅包含常规存储器(例如，常规易失性存储器，例如常规动态随机存取存储器(DRAM)；常规非易失性存储器，例如常规NAND存储器)，而且包含专用集成电路(ASIC)(例如，芯片上系统(SoC))、微电子装置组合逻辑和存储器，以及并入有存储器的图形处理单元(GPU)。

如本文中所使用，术语“竖直”、“纵向”、“水平”和“侧向”是关于结构的主平面且未必由地球重力场界定。“水平”或“侧向”方向是基本上平行于结构的主平面的方向，而“竖直”或“纵向”方向是基本上垂直于结构的主平面的方向。结构的主平面是由与结构的其它表面相比具有相对大面积的结构的表面界定。

如本文中所使用，被描述为彼此“相邻”的特征(例如，区、结构、装置)是指并包含位于彼此最邻近(例如，最靠近)处的所公开身份(或多个身份)的特征。不匹配“相邻”特征的所公开身份(或多个身份)的额外特征(例如，额外区、额外结构、额外装置)可安置于“相邻”特征之间。换句话说，“相邻”特征可定位成直接彼此邻近，使得无其它特征介入于“相邻”特征之间；或“相邻”特征可定位成彼此间接邻近，使得具有除与至少一个“相邻”特征相关联的身份以外的身份的至少一个特征定位于“相邻”特征之间。因此，描述为彼此“竖直相邻”的特征是指并包含位于彼此竖直最邻近(例如，竖直最靠近)处的所公开身份(或多个身份)的特征。此外，描述为彼此“水平相邻”的特征是指并包含位于彼此水平最邻近(例如，水平最靠近)处的所公开身份(或多个身份)的特征。

如本文中所使用，术语“包括”、“包含”、“具有”和其语法等效物是包含性的或开放的术语，不排除额外的未列出元件或方法步骤，且还包含更具限制性的术语“由…组成”和“基本上由…组成”以及其语法等效物。如本文中所使用，关于材料、结构、特征或方法动作的术语“可”指示此类材料、结构、特征或方法动作设想用于实施本公开的实施例，且优选使用此类术语而非更具限制性的术语“是”，以便避免对于应该或必须排除可与之组合使用的其它可相容材料、结构、特征和方法的任何暗示。

如本文所使用，例如“下面”、“下方”、“下部”、“底部”、“上方”、“上部”、“顶部”、“前部”、“后部”、“左”、“右”及类似的空间相对术语可用于方便描述一个元件或特征与另一元件或特征的关系，如图中所图示。除非另外指定，否则除图中所描绘的定向之外，空间相对术语意图涵盖材料的不同定向。举例来说，如果图式中的材料反向，那么被描述为在其它元件或特征“下方”、“之下”、“下”或“底部上”的元件将定向于所述其它元件或特征的“上方”、或“顶部上”。因此，术语“在...以下”可取决于使用术语的上下文而涵盖上方和以下两种定向，这对于所属领域的一般技术人员将显而易见。材料可以其它方式定向(例如，旋转90度、倒置、翻转)，且本文中所用的空间相对描述词可相应地进行解释。

如本文中所使用，除非上下文另外清晰地指示，否则单数形式“一”和“所述”也意图包含复数形式。

如本文中所使用，“和/或”包含相关联的所列项中的一或多者的任何以及所有组合。

如本文中所使用，术语“经配置”是指至少一个结构和至少一个设备中的一或多个的为了以预先确定的方式促进所述结构和所述设备中的一或多个的操作的大小、形状、材料成分、定向和布置。

如本文中所使用，关于给定参数、性质或条件的术语“大体上”意指并包含在所属领域的一般技术人员将理解的给定参数、性质或条件满足方差度(如在可接受制造公差内)的程度。借助于实例，根据基本上满足的特定参数、特性或条件，参数、特性或条件可满足至少90.0％，可满足至少95.0％，可满足至少99.0％，可满足至少99.9％，或甚至满足100.0％。

如本文中所使用，参考特定参数的数值的“约”或“近似”包含所述数值，且所属领域的一般技术人员将理解的与所述数值的偏差度在特定参数的可接受公差内。举例来说，关于数值的“约”或“近似”可包含额外数值，所述额外数值在所述数值的百分之90.0到百分之110.0范围内，例如在所述数值的百分之95.0到百分之105.0范围内、在所述数值的百分之97.5到百分之102.5范围内、在所述数值的百分之99.0到百分之101.0范围内、在所述数值的百分之99.5到百分之100.5范围内或在所述数值的百分之99.9到百分之100.1范围内。

除非上下文另有指示，否则本文中所描述的材料可由任何适合的工艺形成，所述工艺包含但不限于旋转涂布、毯覆式涂布、化学气相沉积(“CVD”)、原子层沉积(“ALD”)、等离子增强型ALD、物理气相沉积(“PVD”)(包含溅镀、蒸镀、电离PVD和/或等离子增强CVD)或外延生长。取决于待形成的特定材料，用于沉积或生长所述材料的技术可由所属领域的一般技术人员选择。此外，除非上下文另有指示，否则本文中所描述的材料去除可由任何适合的工艺实现，所述工艺包含但不限于蚀刻(例如，干式蚀刻、湿式蚀刻、气相蚀刻)、离子铣削(ion milling)、碾磨平坦化或其它已知方法。

图1A至1L是说明形成微电子装置(例如，存储器装置，例如3D NAND快闪存储器装置)的方法的实施例的简化局部横截面图。结合下文提供的描述，所属领域的一般技术人员将显而易见本文所描述的方法和结构可用于各种装置和电子系统中。

参看图1A，微电子装置结构100可经形成为包含初步堆叠结构102，以及在初步堆叠结构102上或上方的经图案化掩模结构110。初步堆叠结构102包含布置成层108的第一绝缘结构104和第二绝缘结构106的竖直交替(例如，在Z方向上)序列。初步堆叠结构102的层108中的每一个可包含与第二绝缘结构106中的至少一个竖直相邻的第一绝缘结构104中的至少一个。初步堆叠结构102可经形成为包含任何所需数目的层108，例如大于或等于十六(16)个层108，大于或等于三十二(32)个层108，大于或等于六十四(64)个层108，大于或等于一百二十八(128)个层108，或大于或等于两百五十六(256)个层108。

初步堆叠结构102的层108的第一绝缘结构104可以由至少一种介电材料形成并且包含至少一种介电材料，如至少一种电介质氧化物材料(例如，氧化硅(SiO_x)、磷硅酸盐玻璃、硼硅玻璃、硼磷硅玻璃、氟硅酸盐玻璃、氧化铝(AlO_x)、氧化铪(HfO_x)、氧化铌(NbO_x)、氧化钛(TiO_x)、氧化锆(ZrO_x)、氧化钽(TaO_x)和氧化镁(MgO_x)中的一或多种)、至少一种电介质氮化物材料(例如，氮化硅(SiN_y))、至少一种电介质氮氧化物材料(例如，氮氧化硅(SiO_xN_y))和至少一种电介质碳氧氮化物材料(例如，碳氧氮化硅(SiO_xC_zN_y))中的一或多种。本文中包含“x”、“y”和“z”中的一或多个的化学式(例如，SiO_x，AlO_x，HfO_x，NbO_x，TiO_x，SiN_y，SiO_xN_y，SiO_xC_zN_y)表示含有一个元素的“x”个原子、另一元素的“y”个原子以及额外元素(如果存在)的“z”个原子针对另一元素(例如，Si、Al、Hf、Nb、Ti)的每一个原子的平均比的材料。由于化学式表示相对原子比与不严格的化学结构，因此绝缘结构104可包括一或多种化学计量化合物和/或一或多种非化学计量化合物，且“x”、“y”和“z”(如果存在)的值可为整数或可为非整数。如本文所用，术语“非化学计量化合物”意指并包含具有某一元素组成的化合物，所述元素组成无法由定义明确的自然数的比表示并且违反定比定律和倍比定律。第一绝缘结构104中的每一个可个别地包含大体均匀分布或明显不均匀分布的至少一种绝缘材料。如本文中所使用，术语“均质分布”意指材料的量不贯穿结构的不同部分(例如，不同水平部分、不同竖直部分)改变。相反地，如本文中所使用，术语“异质分布”意指材料的量贯穿结构的不同部分变化。在一些实施例中，第一绝缘结构104中的每一个展现电绝缘材料的大体上均质分布。在另外的实施例中，第一绝缘结构104中的至少一个展现至少一种电绝缘材料的大体上异质分布。第一绝缘结构104中的一或多个可例如由至少两种不同电绝缘材料(例如，至少两种不同电介质材料)的堆叠(例如，层压物)形成且包含所述堆叠。在一些实施例中，第一绝缘结构104中的每一个由电介质氮化物材料形成并且包含电介质氮化物材料，例如SiN_y(例如，Si₃N₄)。第一绝缘结构104可各自为大体平面的，并且可各自分别展现所要厚度。另外，第一绝缘结构104中的每一个可彼此大体相同(例如，展现大体相同的材料成分、材料分布、大小和形状)，或第一绝缘结构104中的至少一个可不同于第一绝缘结构104中至少一个其它绝缘结构(例如，展现不同材料成分、不同材料分布、不同大小和不同形状中的一或多个)。在一些实施例中，第一绝缘结构104中的每一个与第一绝缘结构104中的每一其它绝缘结构大体相同。

初步堆叠结构102的层108的第二绝缘结构106可以由至少一种额外电绝缘材料形成并且包含至少一种额外电绝缘材料。第二绝缘结构106和第一绝缘结构104的材料成分可经选择以使得第一绝缘结构104和第二绝缘结构106可相对于彼此选择性地被移除。第二绝缘结构106可相对于第一绝缘结构104在共同(例如，集体、相互)暴露于第一蚀刻剂期间选择性地可蚀刻，且第一绝缘结构104可相对于第二绝缘结构106在共同暴露于第二不同蚀刻剂期间选择性地可蚀刻。如本文中所使用，如果材料展现比另一种材料的蚀刻速率大至少约五倍(5x)，例如大约十倍(10x)、大约二十倍(20x)或大约四十倍(40x)的蚀刻速率，那么所述材料相对于所述另一种材料“选择性地可蚀刻”。第二绝缘结构106的材料成分不同于第一绝缘结构104的材料成分。第二绝缘结构106可包括额外电绝缘材料，例如至少一种电介质氧化物材料(例如，SiO_x、磷硅酸盐玻璃、硼硅玻璃、硼磷硅玻璃、氟硅酸盐玻璃、AlO_x、HfO_x、NbO_x、TiO_x、ZrO_x、TaO_x和MgO_x中的一或多种)、至少一种电介质氮化物材料(例如，SiN_y)、至少一种电介质氮氧化物材料(例如，SiO_xN_y)和至少一种电介质碳氧氮化物材料(例如，SiO_xC_zN_y)中的一或多种。在一些实施例中，第二绝缘结构106中的每一个由电介质氧化物材料形成并且包含电介质氧化物材料，例如SiO_x(例如，SiO₂)。第二绝缘结构106中的每一个可个别地包含所述至少一种额外电绝缘材料的大体上均质分布或所述至少一种额外电绝缘材料的大体上异质分布。在一些实施例中，初步堆叠结构102的第二绝缘结构106中的每一个展现额外电绝缘材料的大体上均质分布。在额外实施例中，初步堆叠结构102的第二绝缘结构106中的至少一个展现至少一种额外电绝缘材料的大体上异质分布。第二绝缘结构106可例如个别地由至少两种不同额外电绝缘材料的堆叠(例如，层压物)形成且包含所述堆叠。第二绝缘结构106可各自为大体平面的，并且可各自分别展现所要厚度。

继续参看图1A，经图案化掩模结构110可由适合用作刻蚀掩模的至少一种材料(例如，至少一种硬掩模材料)形成并且包含所述材料，以图案化初步堆叠结构102的部分(例如，层108的部分，包含第一绝缘结构104的部分和第二绝缘结构106的部分)以形成竖直延伸(例如，在Z方向上)进入初步堆叠结构102的孔隙(例如，开口、通孔、沟槽)，如下文进一步详细描述。借助于非限制性实例，经图案化掩模结构110可由相对于初步堆叠结构102(包含第一绝缘结构104和第二绝缘结构106)的材料具有蚀刻选择性的一或多种硬掩模材料形成并且包含所述硬掩模材料。在一些实施例中，经图案化掩模结构110包括多晶硅。经图案化掩模结构110可为均质的(例如，可包含仅一个材料层)，或可为异质的(例如，可包含展现至少两个不同材料层的堆叠)。另外，经图案化掩模结构110可展现准许使用经图案化掩模结构110对初步堆叠结构102进行所需图案化的任何厚度，例如处于从约1纳米(nm)到约1000nm的范围内的厚度。

如图1A所示，经图案化掩模结构110可包含竖直延伸穿过其的至少一个开口112(例如，孔口、通孔)。开口112可竖直延伸(例如，在Z方向上)完全穿过经图案化掩模结构110，从经图案化掩模结构110的上部表面到初步堆叠结构102的上部表面(例如，初步堆叠结构102的最上部层108的第二绝缘结构106的上部表面)。

经图案化掩模结构110可经形成为展现任何所需量的开口112。经图案化掩模结构110中包含的开口112的量可至少部分地取决于将使用经图案化掩模结构110在初步堆叠结构102中形成的沟槽的所需量和分布，其又可至少部分地取决于经图案化掩模结构110下方包含的层108的量。在一些实施例中，经图案化掩模结构110经形成为包含多个(例如，多于一个)开口112。

经图案化掩模结构110中的每一开口112的几何配置(例如，形状、尺寸)、水平位置(例如，沿X方向、沿Y方向)和水平间距至少部分地取决于随后将使用经图案化掩模结构110在初步堆叠结构102中形成的沟槽的几何配置、水平位置和水平间距，如下文进一步详细描述。在一些实施例中，每一开口112展现与每一其它开口112大体上相同的几何配置(例如，大体上相同的形状和大体上相同的尺寸)，与水平相邻的开口112规则地(例如，均匀地、不可变地)水平间隔开(例如，水平地分离、水平地相距)，且在至少一个水平方向上与水平相邻的开口112大体上水平对准。在额外实施例中，经图案化掩模结构110中的至少一个开口112展现与至少一个其它开口112不同的几何配置(例如，不同形状，例如非矩形水平横截面形状)、不同的水平尺寸和/或不同的水平间距中的一或多个。举例来说，至少一个开口112可展现与至少一个其它开口112不同(例如，更大、更小)的沿X方向的宽度和/或不同的沿Y方向的长度。作为另一实例，一些水平相邻的开口112可彼此水平地分离第一距离，且其它水平相邻的开口112可彼此水平地分离不同于(例如，小于、大于)第一距离的第二距离。

接下来参考图1B，初步堆叠结构102的至少一个上部层108(例如，在Z方向上的最高层、顶部层、最上部层)的由经图案化掩模结构110中的开口112暴露的部分可经移除以暴露初步堆叠结构102的竖直下伏(例如，竖直相邻)于上部层108的相对较低层108(例如，在Z方向上的第二高的层)的部分。移除过程可部分地移除上部层108的第二绝缘结构106和第一绝缘结构104的由经图案化掩模结构110中的开口112暴露的部分，以露出(例如，暴露)竖直下伏于上部层108的相对较低层108的第二绝缘结构106的部分。

如图1B所示，在移除过程后，初步堆叠结构102的上部层108的在开口112内暴露的剩余部分可终止(例如，结束)于经图案化掩模结构110中的开口112的水平中心线114(例如，沿X方向)处或大体上接近处。因此，相对较低层108的新暴露部分可从经图案化掩模结构110中的开口112的水平中心线114和外部水平边界(例如，沿X方向)且在其之间水平延伸(例如，沿X方向)。换句话说，在移除过程后，初步堆叠结构102的上部层108的在开口112内暴露的剩余部分的第一宽度W₁可大体上等于竖直下伏于上部层108的相对较低层108的新暴露部分的第二宽度W₂。在额外实施例中，初步堆叠结构102的上部层108的在开口112内暴露的剩余部分可终止于从经图案化掩模结构110中的开口112的水平中心线114(例如，沿X方向)水平偏移(例如，沿X方向)的位置。在此类实施例中，初步堆叠结构102的上部层108的在开口112内暴露的剩余部分的第一宽度W₁可不同于(例如，大于、小于)竖直下伏于上部层108的相对较低层108的新暴露部分的第二宽度W₂。

初步堆叠结构102的上部层108的在经图案化掩模结构110中的开口112内暴露的部分可使用常规材料移除工艺(例如，常规光刻图案化工艺；常规刻蚀工艺，例如常规各向异性刻蚀工艺)移除，这在本文中不进行详细地描述。

接下来参考图1C，微电子装置结构100可经受一或多个材料移除过程(例如，一或多个切削过程)以形成竖直延伸(例如，在Z方向上)进入初步堆叠结构102的至少一个沟槽116(例如，开口、盲通孔)。如图1C所示，初步堆叠结构102内的沟槽116可大体上受限于经图案化掩模结构110内的开口112的水平边界内。在其中经图案化掩模结构110包含多个开口112的实施例中，不同沟槽116可经形成为在初步堆叠结构102内延伸到彼此不同的竖直深度。举例来说，沟槽116中的至少一个可比沟槽116中的至少一个其它沟槽竖直延伸到初步堆叠结构102内的相对更低深度。沟槽116相对于彼此的竖直深度可至少部分地取决于初步堆叠结构102的层108的量、初步堆叠结构102内的沟槽116的量以及沟槽116的水平尺寸。沟槽116可经配置以促进与初步堆叠结构102的层108中的至少一些(例如，每一个)物理接触的竖直延伸绝缘结构的后续形成，如下文进一步详细描述。

如图1C所示，沟槽116可包含第一区116A和第二区116B。沟槽116的第二区116B可比沟槽116的第一区116A竖直延伸(例如，在Z方向上)到初步堆叠结构102内的相对更低深度。举例来说，沟槽116的第一区116A竖直延伸到且终止于初步堆叠结构102的相对较高层108；且沟槽116的第二区116B可竖直延伸到且终止于初步堆叠结构102的相对较低层108。初步堆叠结构102的相对较高层108和初步堆叠结构102的相对较低层108可在初步堆叠结构102内彼此竖直相邻。沟槽116的第一区116A可具有先前参考图1B描述的第一宽度W₁(例如，在X方向上)，且沟槽116的第二区116B可具有先前参考图1B描述的第二宽度W₂(例如，在X方向上)。沟槽116的第一区116A可水平地相邻于沟槽116的第二区116B。

沟槽116可包含下部竖直边界118(例如，底层)和水平边界120(例如，侧面)。沟槽116的下部竖直边界118可具有产生于沟槽116的第一区116A和沟槽116的第二区116B的不同竖直深度的非平面表面形态。举例来说，沟槽116的下部竖直边界118的第一部分118A可由沟槽116的第一区116A的竖直深度界定，且沟槽116的下部竖直边界118的第二部分118B可由沟槽116的第一区116A的竖直深度界定。沟槽116的下部竖直边界118的第一部分118A和第二部分118B可各自为大体上水平地平坦的，但可彼此竖直偏移(例如，在Z方向上)。沟槽116的下部竖直边界118的第二部分118B可水平地相邻于(例如，在X方向上)沟槽116的下部竖直边界118的第一部分118A。另外，如图1C中所描绘，沟槽116的水平边界120可为大体上竖直平坦的。

如图1C所示，沟槽116可经形成为竖直终止(例如，竖直结束)于初步堆叠结构102的两个不同层108(例如，初步堆叠结构102的两个竖直相邻层108)的第二绝缘结构106处。举例来说，沟槽116的第一区116A可竖直终止于初步堆叠结构102的相对较高层108的第二绝缘结构106处；且沟槽116的第二区116B可竖直终止于初步堆叠结构102的相对较低层108的第二绝缘结构106处。换句话说，沟槽116的下部竖直边界118的第一部分118A可由初步堆叠结构102的相对较高层108的第二绝缘结构106的暴露部分界定；且沟槽116的下部竖直边界118的第二部分118B可由初步堆叠结构102的相对较低层108的第二绝缘结构106的暴露部分界定。在额外实施例中，沟槽116可经形成为竖直终止于初步堆叠结构102的两个不同层108(例如，初步堆叠结构102的两个竖直相邻层108)的第一绝缘结构104处。举例来说，沟槽116的第一区116A可竖直终止于初步堆叠结构102的相对较高层108的第一绝缘结构104处；且沟槽116的第二区116B可竖直终止于初步堆叠结构102的相对较低层108的第一绝缘结构104处。换句话说，沟槽116的下部竖直边界118的第一部分118A可由初步堆叠结构102的相对较高层108的第一绝缘结构104的暴露部分界定；且沟槽116的下部竖直边界118的第二部分118B可由初步堆叠结构102的相对较低层108的第一绝缘结构104的暴露部分界定。

接下来参考图1D，第一电介质间隔物结构122-1可形成于经图案化掩模结构110中的开口112和初步堆叠结构102中的沟槽116内。第一电介质间隔物结构122-1可部分地(例如，少于完全)填充开口112和沟槽116中的每一个，且可在经图案化掩模结构110和初步堆叠结构102的暴露表面上形成于沟槽116(且因此经图案化掩模结构110中的开口112)的水平边界内(例如，在X方向和Y方向上)。举例来说，如图1D所示，第一电介质间隔物结构122-1可直接水平相邻(例如，水平地在其上)于经图案化掩模结构110和初步堆叠结构102的侧表面形成在沟槽116的水平边界120处(例如，与其共面)，且也可直接竖直相邻(例如，竖直地在其上)初步堆叠结构102的层108的上部表面从而界定沟槽116的下部竖直边界118(图1C，包含其第一部分118A和第二部分118B)。第一电介质间隔物结构122-1可在沟槽116的水平边界120处(例如，与其共面)大体上竖直延伸跨越(例如，在Z方向上)且覆盖经图案化掩模结构110和初步堆叠结构102的侧表面，且可仅部分地水平延伸跨越(例如，在X方向和Y方向上)且覆盖初步堆叠结构102的层108的上部表面从而界定沟槽116的下部竖直边界118(图1C)。

如图1D所示，第一电介质间隔物结构122-1可包含第一部分122-1A和第二部分122-1B。第一部分122-1A可形成于沟槽116的第一区116A的水平边界内，且第二电介质间隔物结构122-2可形成于沟槽116的第二区116B的水平边界内。第二部分122-1B可比第一部分122-1A竖直延伸(例如，在Z方向上)到更低的竖直深度。第一部分122-1A的竖直深度可对应于(例如，大体上相同于)沟槽116的第一区116A的竖直深度；且第二部分122-1B的竖直深度可对应于(例如，大体上相同于)沟槽116的第二区116B的竖直深度。举例来说，第一部分122-1A可竖直延伸到且终止于相对较高层108处从而界定沟槽116的下部竖直边界118(图1C)的第一部分118A(图1C)；且第二部分122-1B可竖直延伸到且终止于相对较低层108从而界定沟槽116的下部竖直边界118(图1C)的第二部分118B(图1C)。

第一电介质间隔物结构122-1可经形成为展现第三宽度W₃(例如，在X方向上)。第三宽度W₃可至少部分地取决于沟槽116的总宽度(例如，先前参考图1C描述的第一宽度W₁和第二宽度W₂的组合)，以及将形成于沟槽116的水平边界内的低洼结构的所需配置，如下文进一步详细描述。借助于非限制性实例，第三宽度W₃可处于从约25纳米(nm)到约500nm的范围内。

第一电介质间隔物结构122-1可由具有与初步堆叠结构102的第一绝缘结构104不同的蚀刻选择性的至少一种电介质材料形成且包含所述至少一种电介质材料。第一电介质间隔物结构122-1可例如具有大体上类似于初步堆叠结构102的第二绝缘结构106的选择性蚀刻。第一电介质间隔物结构122-1的部分可用以在后续处理动作(例如，后续材料移除动作，例如后续蚀刻动作)期间保护(例如，遮蔽)初步堆叠结构102的部分，如下文进一步详细描述。借助于非限制性实例，第一电介质间隔物结构122-1可由至少一种含氧电介质材料形成且包含所述含氧电介质材料，例如以下各项中的一或多种：电介质氧化物材料(例如，SiO_x、磷硅酸盐玻璃、硼硅酸盐玻璃、硼磷硅玻璃、氟硅酸盐玻璃、AlO_x、HfO_x、NbO_x和TiO_x中的一或多种)、电介质氮氧化物材料(例如，SiO_xN_y)，和电介质碳氧氮化物材料(例如，SiO_xC_zN_y)。第一电介质间隔物结构122-1的材料成分可不同于初步堆叠结构102的第一绝缘结构104的材料成分。第一电介质间隔物结构122-1的材料成分可大体上相同于或可不同于初步堆叠结构102的第二绝缘结构106的材料成分。在一些实施例中，第一电介质间隔物结构122-1由SiO_x(例如，SiO₂)形成且包含SiO_x。

可通过在初步堆叠结构102和经图案化掩模结构110的表面上或上方在沟槽116内部和外部保形地形成(例如，通过常规ALD工艺和常规保形CVD工艺中的一或多个)电介质材料(例如，电介质氧化物材料)来形成第一电介质间隔物结构122-1。随后，微电子装置结构100可经受至少一个材料移除(例如，蚀刻，例如各向异性干式蚀刻)工艺以形成第一电介质间隔物结构122-1(包含其第一部分122-1A和第二部分122-1B)。所述材料移除工艺可大体上(例如，完全)移除经图案化掩模结构110的上部表面上或上方的在沟槽116外部的电介质材料的部分，且可部分地移除初步堆叠结构102的表面上或上方的在沟槽116的下部竖直边界118(图1C)处的电介质材料的部分。如图1D所示，所述材料移除工艺还可移除界定沟槽116的下部竖直边界118(图1C)的初步堆叠结构102的层108的第二绝缘结构106的部分以暴露(例如，露出)沟槽116的水平边界内的层108的第一绝缘结构104的部分。层108的第一绝缘结构104的暴露部分可受到沟槽116的水平边界内的第一电介质间隔物结构122-1水平地限界。

接下来参考图1E，第一电介质衬里结构124-1可形成于经图案化掩模结构110中的开口112和初步堆叠结构102中的沟槽116的剩余(例如，未填充)部分内。第一电介质衬里结构124-1可部分地(例如，少于完全)填充开口112和沟槽116中的每一个的剩余部分，且可在第一电介质间隔物结构122-1和初步堆叠结构102的暴露表面上形成于沟槽116(且因此经图案化掩模结构110中的开口112)的水平边界内(例如，在X方向和Y方向上)。举例来说，第一电介质衬里结构124-1可直接水平相邻(例如，水平地在其上)于第一电介质间隔物结构122-1(包含其第一部分122-1A和第二部分122-1B)的内侧表面形成，且也可直接竖直相邻(例如，竖直地在其上)初步堆叠结构102的层108的第一绝缘结构104的上部表面形成在先前参考图1D描述的处理阶段中形成的沟槽116的经修改下部竖直边界处。第一电介质衬里结构124-1可大体上竖直延伸跨越(例如，在Z方向上)且覆盖第一电介质间隔物结构122-1的内侧表面。

如图1E所示，第一电介质衬里结构124-1可包含第一部分124-1A和第二部分124-1B。第一部分124-1A可形成于沟槽116的第一区116A的水平边界内，且第二电介质衬里结构124-2可形成于沟槽116的第二区116B的水平边界内。第一部分124-1A可直接水平相邻于(例如，水平地在其上)第一电介质间隔物结构122-1的第一部分122-1A形成，且第二部分124-1B可直接水平相邻于(例如，水平地在其上)第一电介质间隔物结构122-1的第二部分122-1B形成。第一电介质衬里结构124-1的第二部分124-1B可竖直延伸(例如，在Z方向上)到初步堆叠结构102内相对低于第一电介质衬里结构124-1的第一部分124-1A的竖直深度的竖直深度。第一电介质衬里结构124-1的第一部分124-1A的竖直深度可大于或等于第一电介质间隔物结构122-1的第一部分122-1A的竖直深度；且第一电介质衬里结构124-1的第二部分124-1B的竖直深度可大于或等于第一电介质间隔物结构122-1的第二部分122-1B的竖直深度。举例来说，第一电介质衬里结构124-1的第一部分124-1A可竖直延伸到且终止于竖直相邻于第一电介质间隔物结构122-1的第一部分122-1A的下部竖直边界的初步堆叠结构102的层108的第一绝缘结构104处；且第一电介质衬里结构124-1的第二部分124-1B可竖直延伸到且终止于竖直相邻于第一电介质间隔物结构122-1的第二部分122-1B的下部竖直边界的初步堆叠结构102的另一相对较低层108的第一绝缘结构104处。

第一电介质衬里结构124-1可经形成为展现第四宽度W₄(例如，在X方向上)。第四宽度W₄可例如大体上等于初步堆叠结构102的第一绝缘结构104中的每一个的竖直高度(例如，在Z方向上)。在额外实施例中，第四宽度W₄不同于(例如，小于、大于)初步堆叠结构102的第一绝缘结构104中的一或多个(例如，每一个)的竖直高度。

第一电介质衬里结构124-1可由具有与初步堆叠结构102的第二绝缘结构106不同的蚀刻选择性的至少一种电介质材料形成并且包含所述至少一种电介质材料。第一电介质衬里结构124-1可例如具有选择性地大体上类似于初步堆叠结构102的第一绝缘结构104的蚀刻。借助于非限制性实例，如果形成，那么第一电介质衬里结构124-1可由至少一种电介质氮化物材料(例如，SiN_y)形成并且包含所述至少一种电介质氮化物材料。第一电介质衬里结构124-1的材料成分可不同于第一电介质间隔物结构122-1(图1D)和初步堆叠结构102的第二绝缘结构106的材料成分。第一电介质衬里结构124-1的材料成分可大体上相同于或可不同于初步堆叠结构102的第一绝缘结构104的材料成分。在一些实施例中，第一电介质衬里结构124-1由SiN_y(例如，Si₃N₄)形成并且包含SiN_y。

可通过在初步堆叠结构102、第一电介质间隔物结构122-1和经图案化掩模结构110的表面上或上方在沟槽116的内部和外部保形地形成(例如，通过常规ALD工艺和常规保形CVD工艺中的一或多个)额外电介质材料(例如，电介质氮化物材料)来形成第一电介质衬里结构124-1。随后，微电子装置结构100可经受至少一种材料移除(例如，蚀刻，例如各向异性干式蚀刻)工艺以形成第一电介质衬里结构124-1(包含其第一部分124-1A和第二部分124-1B)。所述材料移除工艺可大体上(例如，完全)移除经图案化掩模结构110和第一电介质间隔物结构122-1的上部表面上或上方的额外电介质材料的部分，且可部分地移除初步堆叠结构102的表面上或上方在沟槽116的经修改下部竖直边界处的额外电介质材料的部分。如图1E所示，材料移除工艺还可移除竖直相邻于第一电介质间隔物结构122-1的第一部分122-1A和第二部分122-1B的下部竖直边界的初步堆叠结构102的层108的第一绝缘结构104的部分，以暴露(例如，露出)沟槽116的水平边界内的相对竖直较低层108的第二绝缘结构106的部分。相对竖直较低层108的第二绝缘结构106的暴露部分可受到沟槽116的水平边界内的第一电介质衬里结构124-1水平地限界。

接下来参考图1F，微电子装置结构100可经受至少一个额外材料移除(例如，蚀刻，例如各向异性干式蚀刻)工艺以增加沟槽116的剩余(例如，未填充)部分的竖直深度(例如，在Z方向上)。额外材料移除工艺可增加沟槽116的第一区116A的剩余部分的竖直深度，且还可增加沟槽116的第二区116B的剩余部分的竖直深度。在额外材料移除工艺后，沟槽116的第二区116B的剩余部分可竖直延伸到初步堆叠结构102内比沟槽116的第一区116A的剩余部分相对更低的深度。在额外材料移除工艺结束时可大体上维持沟槽116的第一区116A的下部竖直边界与沟槽116的第二区116B的下部竖直边界之间的竖直偏移的量值。举例来说，额外材料移除工艺可使沟槽116的第一区116A的剩余部分和沟槽116的第二区116B的剩余部分中的每一个的竖直深度增加一个距离(例如，在Z方向上)，所述距离大体上等于初步堆叠结构102的单个(例如，仅一个)层108的高度(例如，在Z方向上)。换句话说，额外材料移除工艺可移除竖直相邻于在图1E中描绘的处理阶段结束时沟槽116的第一区116A的经修改下部竖直边界的初步堆叠结构102的单个(例如，仅一个)层108的暴露部分；且还可移除竖直相邻于在图1E中描绘的处理阶段结束时沟槽116的第二区116B的经修改下部竖直边界的初步堆叠结构102的另一单个(例如，仅一个)层108的暴露部分。

如图1F所示，在额外材料移除工艺后，沟槽116的剩余(例如，未填充)部分(包含其第一区116A和第二区116B的剩余部分)可竖直终止(例如，竖直结束)于初步堆叠结构102的两个不同层108(例如，初步堆叠结构102的两个竖直相邻层108)的第二绝缘结构106处。举例来说，沟槽116的第一区116A的剩余部分可竖直终止于初步堆叠结构102的相对较高层108的第二绝缘结构106处；且沟槽116的第二区116B的剩余部分可竖直终止于初步堆叠结构102的相对较低层108的第二绝缘结构106处。在额外实施例中，在额外材料移除工艺后，沟槽116的剩余(例如，未填充)部分可竖直终止于初步堆叠结构102的两个不同层108(例如，初步堆叠结构102的两个竖直相邻层108)的第一绝缘结构104处。举例来说，沟槽116的第一区116A可竖直终止于初步堆叠结构102的相对较高层108的第一绝缘结构104处；且沟槽116的第二区116B可竖直终止于初步堆叠结构102的相对较低层108的第一绝缘结构104处。

接下来参考图1G，第二电介质间隔物结构122-2可形成于经图案化掩模结构110中的开口112的剩余(例如，未填充)部分内和初步堆叠结构102中的沟槽116的剩余加深部分中。第二电介质间隔物结构122-2可部分地(例如，少于完全)填充开口112的剩余部分和沟槽116的剩余加深部分；且可在第一电介质衬里结构124-1(图1F)和初步堆叠结构102的暴露表面上形成于沟槽116(并且因此经图案化掩模结构110中的开口112)的水平边界(例如，在X方向和Y方向上)内。举例来说，第二电介质间隔物结构122-2可直接水平相邻于(例如，水平地在其上)第一电介质衬里结构124-1(图1F，其包含图1G中示出的第一部分124-1A和第二部分124-1B)和初步堆叠结构102的暴露内侧表面在沟槽116内形成，且也可直接竖直相邻(例如，竖直地在其上)初步堆叠结构102的层108的第二绝缘结构106的上部表面形成在先前参考图1G描述的处理阶段中形成的沟槽116的经修改下部竖直边界处。第二电介质间隔物结构122-2可大体上竖直延伸跨越(例如，在Z方向上)且覆盖第一电介质衬里结构124-1的内侧表面(图1F)。

如图1G所示，第二电介质间隔物结构122-2可包含第一部分122-2A和第二部分122-2B。第一部分122-2A可形成于沟槽116的第一区116A的水平边界内，且第二部分122-2B可形成于沟槽116的第二区116B的水平边界内。第二电介质间隔物结构122-2的第一部分122-2A可直接水平相邻于(例如，水平地在其上)第一电介质衬里结构124-1的第一部分124-1A形成，且第二部分122-2B可直接水平相邻于(例如，水平地在其上)第一电介质衬里结构124-1的第二部分124-1B形成。第二电介质间隔物结构122-2的第二部分122-2B可竖直延伸(例如，在Z方向上)到初步堆叠结构102内比第二电介质间隔物结构122-2的第一部分122-2A更低的竖直深度。第二电介质间隔物结构122-2的第一部分122-2A的竖直深度可大于第一电介质衬里结构124-1的第一部分124-1A的竖直深度；且第二电介质间隔物结构122-2的第二部分122-2B的竖直深度可大于第一电介质衬里结构124-1的第二部分124-1B的竖直深度。举例来说，第二电介质间隔物结构122-2的第一部分122-2A可竖直延伸到且终止于初步堆叠结构102的相对较高层108的第一绝缘结构104处；且第二电介质间隔物结构122-2的第二部分122-2B可竖直延伸到且终止于竖直相邻于初步堆叠结构102的相对较高层108的初步堆叠结构102的另一相对较低层108的第一绝缘结构104处。

在一些实施例中，第二电介质间隔物结构122-2经形成为展现大体上等于第一电介质间隔物结构122-1(图1D，包含图1G中示出的第一部分122-1A和第二部分122-1B)的第三宽度W₃的宽度(例如，在X方向上)。在额外实施例中，第二电介质间隔物结构122-2经形成为展现不同于(例如，大于、小于)第三宽度W₃的宽度。

第二电介质间隔物结构122-2可由具有与初步堆叠结构102的第一绝缘结构104和第一电介质衬里结构124-1(图1F)不同的蚀刻选择性的至少一种电介质材料形成并且包含所述至少一种电介质材料。第二电介质间隔物结构122-2可例如具有选择性地大体上类似于初步堆叠结构102的第二绝缘结构106和第一电介质间隔物结构122-1(图1D)的蚀刻。借助于非限制性实例，第二电介质间隔物结构122-2可由至少一种含氧电介质材料形成且包含所述含氧电介质材料，例如以下各项中的一或多种：电介质氧化物材料(例如，SiO_x、磷硅酸盐玻璃、硼硅酸盐玻璃、硼磷硅玻璃、氟硅酸盐玻璃、AlO_x、HfO_x、NbO_x和TiO_x中的一或多种)、电介质氮氧化物材料(例如，SiO_xN_y)，和电介质碳氧氮化物材料(例如，SiO_xC_zN_y)。第二电介质间隔物结构122-2的材料成分可不同于初步堆叠结构102的第一绝缘结构104和第一电介质衬里结构124-1(图1F)的材料成分。第二电介质间隔物结构122-2的材料成分可大体上相同于或可不同于初步堆叠结构102的第二绝缘结构106和第一电介质间隔物结构122-1(图1D)的材料成分。在一些实施例中，第二电介质间隔物结构122-2由SiO_x(例如，SiO₂)形成且包含SiO_x。

可通过在初步堆叠结构102、第一电介质间隔物结构122-1、第一电介质衬里结构124-1和经图案化掩模结构110的表面上或上方在沟槽116内部和外部保形地形成(例如，通过常规ALD工艺和常规保形CVD工艺中的一或多个)电介质材料(例如，电介质氧化物材料)来形成第二电介质间隔物结构122-2。随后，微电子装置结构100可经受至少一个材料移除(例如，蚀刻，例如各向异性干式蚀刻)工艺以形成第二电介质间隔物结构122-2(包含其第一部分122-2A和第二部分122-2B)。材料移除工艺可大体上(例如，完全)移除经图案化掩模结构110、第一电介质间隔物结构122-1和第一电介质衬里结构124-1的上部表面上或上方的电介质材料的部分；且可部分地移除初步堆叠结构102的表面上或上方在沟槽116的经修改下部竖直边界处的电介质材料的部分。如图1G所示，材料移除工艺还可移除界定沟槽116的经修改下部竖直边界的初步堆叠结构102的层108的第二绝缘结构106的部分以暴露(例如，露出)沟槽116的水平边界内的层108的第一绝缘结构104的部分。层108的第一绝缘结构104的暴露部分可受到沟槽116的水平边界内的第二电介质间隔物结构122-2水平地限界。

接下来参考图1H，在参考图1G所描述的处理阶段后，微电子装置结构100可经受类似于先前参考图1E至1G描述的那些动作的额外处理动作，以用较多电介质衬里结构124(例如，除第一电介质衬里结构124-1之外)和较多介电间隔结构122(例如，除第一电介质间隔物结构122-1和第二电介质间隔物结构122-2之外)填充沟槽116的剩余部分(图1G)，且形成竖直地下伏于且接触电介质衬里结构124和介电间隔结构122的低洼结构126。如图1H所示，低洼结构126可包含：正向阶梯结构128，其包含包括初步堆叠结构102的成对的层108的水平末端的台阶132；反向阶梯结构130，其包含包括初步堆叠结构102的额外对的层108的水平末端的额外台阶134；以及中心区136，其水平地插入于正向阶梯结构128与反向阶梯结构130之间。低洼结构126的中心区136可例如构成用于正向阶梯结构128和反向阶梯结构130的相交区和竖直终止位置。如下文进一步详细描述，不同介电间隔结构122和不同电介质衬里结构124可经形成为物理接触正向阶梯结构128的彼此不同的台阶132和反向阶梯结构130的彼此不同的额外台阶134。

如图1H所示，形成于沟槽116的水平边界120内的电介质衬里结构124(图1G)可包含：第一电介质衬里结构124-1(包括其第一部分124-1A和第二部分124-1B)；第二电介质衬里结构124-2(包括其第一部分124-2A和第二部分124-2B)，其竖直延伸进入初步堆叠结构102比第一电介质衬里结构124-1相对更深；第三电介质衬里结构124-3(包括其第一部分124-3A和第二部分124-3B)，其竖直延伸进入初步堆叠结构102比第二电介质衬里结构124-2相对更深；以及第四电介质衬里结构124-4(包括其第一部分124-4A和第二部分124-4B)，其竖直延伸进入初步堆叠结构102比第三电介质衬里结构124-3相对更深。在额外实施例中，不同量的电介质衬里结构124形成于沟槽116的水平边界120内(图1G)。举例来说，电介质衬里结构124中的大于四(4)个(例如，大于或等于十(10)个、大于或等于二十(20)个、大于或等于五十(50)个)可形成于沟槽116的水平边界120内(图1G)，或电介质衬里结构124中的小于四(4)个可形成于沟槽116的水平边界120内(图1G)。形成于沟槽116的水平边界内的电介质衬里结构124的量(例如，通过类似于先前参考图1E描述的那些动作的处理动作)可至少部分地取决于沟槽116(图1G)、电介质间隔物结构122和电介质衬里结构124的水平尺寸。

仍参看图1H，电介质衬里结构124可在低洼结构126的台阶132和额外台阶134处物理接触初步堆叠结构102的不同层108的第一绝缘结构104。如图1H所示，不同电介质衬里结构124(例如，第一电介质衬里结构124-1、第二电介质衬里结构124-2、第三电介质衬里结构124-3、第四电介质衬里结构124-4)的第一部分124-1A、124-2A、124-3A、124-4A可物理接触低洼结构126的反向阶梯结构130的额外台阶134中的至少一些；且不同电介质衬里结构124(例如，第一电介质衬里结构124-1、第二电介质衬里结构124-2、第三电介质衬里结构124-3、第四电介质衬里结构124-4)的第二部分124-1B、124-2B、124-3B、124-4B可物理接触低洼结构126的正向阶梯结构128的台阶132中的至少一些。

如图1H中所描绘，形成于沟槽116的水平边界120内的电介质衬里结构124(图1G)可个别地水平地定位于电介质衬里结构124物理接触的低洼结构126的台阶132和额外台阶134的水平边界(例如，在X方向上、在Y方向上)处。换句话说，每一电介质衬里结构124的水平边界(例如，比另一外部水平边界相对更接近低洼结构126的中心区136定位的内部水平边界)可与电介质衬里结构124物理接触的低洼结构126的台阶132和额外台阶134的水平边界(例如，比其它外部水平边界相对更接近低洼结构126的中心区136水平地定位的内部水平边界)大体上共面。

电介质衬里结构124可与电介质间隔物结构122在沟槽116的水平边界120内水平地交替(图1G)。借助于非限制性实例，如图1H所示，第一电介质衬里结构124-1可水平地插入于第一电介质间隔物结构122-1与第二电介质间隔物结构122-2之间；第二电介质衬里结构124-2可水平地插入于第二电介质间隔物结构122-2与第三电介质间隔物结构122-3之间；第三电介质衬里结构124-3可水平地插入于第三电介质间隔物结构122-3与第四电介质间隔物结构122-4之间；且第四电介质衬里结构124-4可水平地插入于第四电介质间隔物结构122-4与第五电介质间隔物结构122-5之间。每一电介质衬里结构124可从水平相邻于电介质衬里结构124的电介质间隔物结构122且在其之间水平延伸。

电介质衬里结构124中的每一个可展现与电介质衬里结构124中的每一其它者大体上相同的宽度(例如，在X方向上)，或电介质衬里结构124 124中的至少一个可展现与电介质衬里结构124中的至少一个其它电介质衬里结构不同的宽度。在一些实施例中，电介质衬里结构124各自分别展现大体上等于电介质衬里结构124物理接触的初步堆叠结构102的第一绝缘结构104中的一或多个的竖直高度(例如，在Z方向上)的宽度。作为非限制性实例，电介质衬里结构124可各自分别展现先前参考第一电介质衬里结构124-1描述的第四宽度W₄(图1G)。在额外实施例中，至少一个电介质衬里结构124展现不同于(例如，小于、大于)电介质衬里结构124物理接触的初步堆叠结构102的第一绝缘结构104中的一或多个的竖直高度的宽度。

仍参看图1H，形成于沟槽116的水平边界120内的电介质间隔物结构122(图1G)可包含：第一电介质间隔物结构122-1(包括其第一部分122-1A和第二部分122-1B)；第二电介质间隔物结构122-2(包括其第一部分122-2A和第二部分122-2B)，其竖直延伸进入初步堆叠结构102比第一电介质间隔物结构122-1相对更深；第三电介质间隔物结构122-3(包括其第一部分122-3A和第二部分122-3B)，其竖直延伸进入初步堆叠结构102比第二电介质间隔物结构122-2相对更深；第四电介质间隔物结构122-4(包括其第一部分122-4A和第二部分122-4B)，其竖直延伸进入初步堆叠结构102比第三电介质间隔物结构122-3相对更深；以及第五电介质间隔物结构122-5，其竖直延伸进入初步堆叠结构102比第四电介质间隔物结构122-4相对更深。在额外实施例中，不同量的电介质间隔物结构122形成于沟槽116的水平边界120内(图1G)。举例来说，大于五(5)个(例如，大于或等于十(10)个、大于或等于二十(20)个、大于或等于五十(50)个)电介质间隔物结构122可形成于沟槽116的水平边界120内(图1G)，或小于五(5)个电介质间隔物结构122可形成于沟槽116的水平边界120内(图1G)。形成于沟槽116的水平边界120内的电介质间隔物结构122的量(例如，通过类似于先前参考图1E描述的那些动作的处理动作)可至少部分地取决于沟槽116(图1G)、电介质间隔物结构122和电介质衬里结构124的水平尺寸。

电介质间隔物结构122可在低洼结构126的不同台阶132和额外台阶134上方水平邻近于电介质间隔物结构122形成。如图1H所示，不同电介质间隔物结构122(例如，第一电介质间隔物结构122-1、第二电介质间隔物结构122-2、第三电介质间隔物结构122-3、第四电介质间隔物结构122-4)的第一部分122-1A、122-2A、122-3A、122-4A可形成于低洼结构126的反向阶梯结构130的额外台阶134中的至少一些的水平边界上方和水平边界内；且不同电介质间隔物结构122(例如，第一电介质间隔物结构122-1、第二电介质间隔物结构122-2、第三电介质间隔物结构122-3、第四电介质间隔物结构122-4)的第二部分122-1B、122-2B、122-3B、122-4B可形成于低洼结构126的正向阶梯结构128的台阶132中的至少一些的水平边界上方和水平边界内。第五电介质间隔物结构122-5可形成于低洼结构126的中心区136的水平边界上方和水平边界内。

如先前描述，电介质间隔物结构122可与电介质间隔物结构122在沟槽116的水平边界120内水平地交替(图1G)。借助于非限制性实例，如图1H所示，第一电介质间隔物结构122-1可水平地插入于第一电介质衬里结构124-1与初步堆叠结构102和经图案化掩模结构110的在沟槽116(图1G)的水平边界120处的部分之间；第二电介质间隔物结构122-2可水平地插入于第一电介质衬里结构124-1与第二电介质衬里结构124-2之间；第三电介质间隔物结构122-3可水平地插入于第二电介质衬里结构124-2与第三电介质衬里结构124-3之间；第四电介质间隔物结构122-4可水平地插入于第三电介质衬里结构124-3与第四电介质衬里结构124-4之间；且第五电介质间隔物结构122-5可水平地插入于第四电介质衬里结构124-4的第一部分124-4A与第四电介质衬里结构124-4的第二部分124-4B之间。

电介质间隔物结构122中的每一个可展现与电介质间隔物结构122中的每一其它者大体上相同的宽度(例如，在X方向上)，或电介质间隔物结构122中的至少一个可展现与电介质间隔物结构122中的至少一个其它电介质间隔物结构不同的宽度。在一些实施例中，定位在低洼结构126的中心区136的水平边界内的电介质间隔物结构122(例如，第五电介质间隔物结构122-5)展现与电介质间隔物结构122中的一个或多个(例如，每一)其它电介质间隔物结构不同的宽度(例如，更大宽度、更小宽度)。在额外实施例中，定位在低洼结构126的中心区136的水平边界内的电介质间隔物结构122(例如，第五电介质间隔物结构122-5)展现与电介质间隔物结构122中的每一其它者大体上相同的宽度(例如，第三宽度W₃(图1G))。

继续参看图1H，低洼结构126的正向阶梯结构128和反向阶梯结构130可彼此水平地相对(例如，在X方向上)且可在沟槽116(图1G)的水平边界120内彼此部分地竖直偏移(例如，在Z方向上)。从正向阶梯结构128的顶部(例如，台阶132中的竖直最上部一个)延伸到正向阶梯结构128的底部(例如，台阶132中的竖直最下部一个)的影线可具有正斜度，且从反向阶梯结构130的顶部(例如，额外台阶134中的竖直最上部一个)延伸到反向阶梯结构130的底部(例如，额外台阶134中的竖直最下部一个)的另一影线可具有负斜度。另外，正向阶梯结构128的台阶132的上部边界(例如，上部表面)可从反向阶梯结构130的额外台阶134的上部边界(例如，上部表面)竖直地偏移。在一些实施例中，正向阶梯结构128的台阶132的上部边界从与其竖直地最接近的反向阶梯结构130的额外台阶134的上部边界竖直偏移(例如，竖直位于其之下)一个距离，所述距离等于初步堆叠结构102的层108中的一个的厚度。

低洼结构126的正向阶梯结构128的个别台阶132可包括初步堆叠结构102的两个竖直相邻层108的水平末端。另外，低洼结构126的反向阶梯结构130的个别额外台阶134还可包括初步堆叠结构102的两个竖直相邻层108的水平末端。竖直相邻于低洼结构126的个别额外台阶134的低洼结构126的个别台阶132可与个别额外台阶134共享初步堆叠结构102的层108。举例来说，与个别台阶132相关联(例如，界定所述个别台阶)的初步堆叠结构102的两个竖直相邻层108中的一个也可为与竖直相邻于个别台阶132的个别额外台阶134相关联的初步堆叠结构102的两个竖直相邻层108中的一个。由个别台阶132和竖直相邻于个别台阶132的个别额外台阶134共享的层108可个别台阶132的竖直上部部分和个别额外台阶134的竖直下部部分，或反之亦然。作为非限制性实例，反向阶梯结构130的最上部额外台阶134可包括初步堆叠结构102的两个竖直相邻层108的水平末端；且正向阶梯结构128的最上部台阶132可包括初步堆叠结构102的两个额外竖直相邻层108的水平末端，其中所述两个额外竖直相邻层108中的一个是与所述两个竖直相邻层108中的一个相同的层108。两个竖直相邻层108中的第一个可形成最上部额外台阶134的上部部分且可物理接触第一电介质衬里结构124-1的第一部分124-1A；且两个竖直相邻层108中的第二个可形成最上部额外台阶134的下部部分且可不物理接触第一电介质衬里结构124-1的第一部分124-1A。形成上部额外台阶134的下部部分的层108又可构成两个额外竖直相邻层108中的第一个且可形成与第一电介质衬里结构124-1的第二部分124-1B物理接触的最上部台阶132的上部部分；且两个额外竖直相邻层108中的第二个可形成最上部台阶132的下部部分且可不物理接触第一电介质衬里结构124-1的第二部分124-1B。

接下来参考图1I，经图案化掩模结构110(图1H)和电介质间隔物结构122和电介质衬里结构124的在沟槽116(图1C)的竖直边界外部的部分(例如，上部部分)可经移除，同时保持电介质间隔物结构122和电介质衬里结构124的在沟槽116(图1C)的竖直边界内的其它部分(例如，下部部分)。如图1I所示，移除工艺可暴露微电子装置结构100的初步堆叠结构102的最上部表面。电介质间隔物结构122和电介质衬里结构124的剩余部分(例如，下部部分)的最上部边界(例如，最上部表面)可与初步堆叠结构102的暴露最上部表面大体上共面。换句话说，在移除工艺后，电介质间隔物结构122、电介质衬里结构124和初步堆叠结构102的最上部边界(例如，最上部表面)可形成微电子装置结构100的大体上平坦最上部表面138。

经图案化掩模结构110(图1H)以及电介质间隔物结构122和电介质衬里结构124在沟槽116(图1C)的竖直边界外部的部分(例如，上部部分)可使用常规工艺(例如，常规刻蚀工艺、常规平坦化工艺)移除，这在本文中不进行详细地描述。举例来说，经图案化掩模结构110(图1H)以及电介质间隔物结构122和电介质衬里结构124的在沟槽116(图1C)的竖直边界外部的部分(例如，上部部分)可使用蚀刻工艺(例如，湿式刻蚀工艺)和化学机械平坦化(CMP)工艺中的一或多个来移除。

接下来参考图1J，封盖材料140可形成于微电子装置结构100的大体上平坦最上部表面138(图1I)上或上方。封盖材料140可连续地跨越微电子装置结构100的大体上平坦最上部表面138(图1I)水平延伸。封盖材料140可覆盖(例如，封盖)电介质衬里结构124的最上部表面，且可促进通过所谓的“替换栅极”或“栅极持续”处理动作用一或多种导电材料替换电介质衬里结构124和初步堆叠结构102的第一绝缘结构104中的至少一些的电介质材料，如下文进一步详细描述。

封盖材料140可由具有与初步堆叠结构102的第一绝缘结构104和电介质衬里结构124不同的蚀刻选择性的至少一种电介质材料形成并且包含所述至少一种电介质材料。封盖材料140可例如具有选择性地大体上类似于初步堆叠结构102的第二绝缘结构106和电介质间隔物结构122的蚀刻。借助于非限制性实例，封盖材料140可由至少一种含氧电介质材料形成且包含所述含氧电介质材料，例如以下各项中的一或多种：电介质氧化物材料(例如，SiO_x、磷硅酸盐玻璃、硼硅酸盐玻璃、硼磷硅玻璃、氟硅酸盐玻璃、AlO_x、HfO_x、NbO_x和TiO_x中的一或多种)、电介质氮氧化物材料(例如，SiO_xN_y)，和电介质碳氧氮化物材料(例如，SiO_xC_zN_y)。封盖材料140的材料成分可不同于初步堆叠结构102的第一绝缘结构104和电介质衬里结构124的材料成分。封盖材料140的材料成分可大体上相同于或可不同于初步堆叠结构102的第二绝缘结构106和电介质间隔物结构122的材料成分。在一些实施例中，封盖材料140由SiO_x(例如，SiO₂)形成并且包含SiO_x。

封盖材料140可使用常规工艺(例如，常规沉积工艺，例如一或多个PVD、CVD、ALD和旋涂；常规材料移除工艺，例如常规抛光工艺)形成。此类工艺是此项技术中已知的且因此在本文中不进行详细地描述。在一些实施例中，电介质材料常规地沉积于微电子装置结构100的大体上平坦最上部表面138(图1I)上或上方以形成封盖材料140，并且接着封盖材料140经受至少一种抛光工艺(例如，至少一种磨光工艺)以减轻(例如，大体上移除)其最上部表面处的不合意的不规则性(例如，从平坦度的偏离)。封盖材料140的最上部表面可为大体上平坦的。

接下来参考图1K，电介质衬里结构124(例如，图1J中示出的电介质衬里结构124-1、124-2、124-3、124-4)的第一部分(例如，图1J中示出的第一部分124-1A、124-2A、124-3A、124-4A)可与电介质衬里结构124(图1J)的第二部分(例如，图1J中示出的第二部分124-1B、124-2B、124-3B、124-4B)物理上分离(例如，物理上分隔)；且电介质衬里结构124(图1J)和初步堆叠结构102(图1J)的第一绝缘结构104(图1J)中的至少一些的电介质材料可至少部分地被导电材料替换以从第一绝缘结构104(图1J)形成导电结构142，从电介质衬里结构124(图1J)的第一部分形成导电触点结构144，且从电介质衬里结构124(图1J)的第二部分形成额外导电触点结构146。如图1K所示，工艺可修改初步堆叠结构102(图1J)的层108(图1J)以形成堆叠结构148，其包含布置于经修改层152中的导电结构142和绝缘结构150的竖直交替(例如，在Z方向上)序列。绝缘结构150可对应于初步堆叠结构102(图1J)的第二绝缘结构106(图1J)的剩余部分(例如，剩余部分、未移除部分)。堆叠结构148的经修改层152可由初步堆叠结构102(图1J)的层108(图1J)形成且对应于所述层。堆叠结构148的经修改层152可各自分别包含竖直相邻于绝缘结构150的导电结构142。在其中初步堆叠结构102(图1J)的第一绝缘结构104(图1J)的仅部分(例如，少于全部)被导电结构142替换的实施例中，堆叠结构148的经修改层152还可包含水平相邻于导电结构142的第一绝缘结构104(图1J)的剩余部分(例如，剩余部分、未移除部分)。

通过移除(例如，蚀刻)电介质衬里结构124在其第一部分和第二部分的相交点处的区，并且接着用具有与电介质衬里结构124和初步堆叠结构102(图1J)的第一绝缘结构104(图1J)不同的蚀刻选择性的至少一种电绝缘材料填充所得开口，电介质衬里结构124(例如，图1J中示出的电介质衬里结构124-1、124-2、124-3、124-4)的第一部分(例如，图1J中示出的第一部分124-1A、124-2A、124-3A、124-4A)可与电介质衬里结构124(图1J)的第二部分(例如，图1J中示出的第二部分124-1B、124-2B、124-3B、124-4B)物理上分离。电绝缘材料可例如具有选择性地大体上类似于初步堆叠结构102(图1J)的第二绝缘结构106(图1J)和电介质间隔物结构122的蚀刻。电绝缘材料的材料成分可大体上相同于或可不同于第二绝缘结构106(图1J)的材料成分和电介质间隔物结构122(图1J)。在一些实施例中，电绝缘材料由SiO_x(例如，SiO₂)形成并且包含SiO_x。

在一些实施例中，用于物理上分离个别电介质衬里结构124(图1J)的第一部分(例如，图1J中示出的第一部分124-1A、124-2A、124-3A、124-4A)和第二部分(例如，图1J中示出的第二部分124-1B、124-2B、124-3B、124-4B)的材料移除工艺受控制以大体上仅使电介质衬里结构124的第一部分和第二部分彼此物理上分离。材料移除工艺可例如形成竖直延伸穿过个别电介质衬里结构124但不穿过水平相邻于电介质衬里结构124的电介质间隔物结构122的离散开口。随后可用电绝缘材料填充离散开口以形成离散柱结构(例如，离散圆柱结构)，其在第一水平方向上水平地插入于电介质衬里结构124的经分离部分之间，且在正交于第一水平方向的第二水平方向上水平地插入于水平相邻的电介质间隔物结构122之间。

在额外实施例中，用以物理上分离个别电介质衬里结构124(图1J)的第一部分(例如，图1J中示出的第一部分124-1A、124-2A、124-3A、124-4A)和第二部分(例如，图1J中示出的第二部分124-1B、124-2B、124-3B、124-4B)的材料移除工艺受控制以还使个别电介质间隔物结构122(例如，图1J中示出的电介质间隔物结构122-1、122-2、122-3、122-4)的第一部分(例如，图1J中示出的第一部分122-1A、122-2A、122-3A、122-4A)和第二部分(例如，图1J中示出的第二部分122-1B、122-2B、122-3B、122-4B)彼此物理上分离。材料移除工艺可例如形成竖直地延伸穿过个别电介质衬里结构124以及水平相邻于个别电介质衬里结构124的个别电介质间隔物结构122的至少一个线性开口(例如，至少一个沟槽)。随后可用电绝缘材料填充线性开口以形成至少一个线性柱结构(在下文参考图2进一步详细描述)(例如，水平地细长矩形柱结构)，其在第一水平方向上水平地插入于个别电介质衬里结构124的经分离部分和个别电介质间隔物结构122的经分离部分之间；且在正交于第一水平方向的第二水平方向上连续地水平延伸穿过彼此水平相邻的电介质衬里结构124和电介质间隔物结构122。

除了物理分离个别电介质衬里结构124(图1J)的至少第一部分(例如，图1J中示出的第一部分124-1A、124-2A、124-3A、124-4A)和第二部分(例如，图1J中示出的第二部分124-1B、124-2B、124-3B、124-4B)之外，形成于个别电介质衬里结构124的经分离部分之间的结构(例如，柱结构、线性柱结构)还可在所谓的“替换栅极”或“栅极持续”处理动作期间对初步堆叠结构102(图1J)提供结构支撑，以形成导电结构142、导电触点结构144和额外导电触点结构146。所述结构可例如在导电结构142、导电触点结构144和额外导电触点结构146的形成期间防止不合意的层变形(例如，层扭曲)和/或层塌缩。可在替换栅极处理动作之前在初步堆叠结构102(图1J)内的所需位置处形成一或多个额外支撑结构(例如，柱结构，例如电介质柱结构)，以在导电结构142、导电触点结构144和额外导电触点结构146的形成期间对初步堆叠结构102(图1J)提供进一步结构支撑。

继续参看图1K，导电触点结构144的量和位置(例如，水平位置、竖直位置)可对应于用于形成导电触点结构144的电介质衬里结构124(图1J)的第一部分的量和位置；且额外导电触点结构146的量和位置(例如，水平位置、竖直位置)可对应于用于形成额外导电触点结构146的电介质衬里结构124(图1J)的第二部分的量和位置。作为非限制性实例，如图1K所示，导电触点结构144可包含导电触点结构144-1、第二导电触点结构144-2、第三导电触点结构144-3和第四导电触点结构144-4，其分别对应于第一电介质衬里结构124-1(图1J)的第一部分124-1A(图1J)、第二电介质衬里结构124-2(图1J)的第一部分124-2A(图1J)、第三电介质衬里结构124-3(图1J)的第一部分124-3A(图1J)，和第四电介质衬里结构124-4(图1J)的第一部分124-4A(图1J)。作为另一非限制性实例，还如图1K中所示，额外导电触点结构146可包含第一额外导电触点结构146-1、第二额外导电触点结构146-2、第三额外导电触点结构146-3和第四额外导电触点结构146-4，其分别对应于第一电介质衬里结构124-1(图1J)的第二部分124-1B(图1J)、第二电介质衬里结构124-2(图1J)的第二部分124-2B(图1J)、第三电介质衬里结构124-3(图1J)的第二部分124-3B(图1J)和第四电介质衬里结构124-4(图1J)的第二部分124-4B(图1J)。

如图1K所示，导电触点结构144可与经修改堆叠结构148的导电结构142中的一些成一体式且连续，且额外导电触点结构146可与经修改堆叠结构148的导电结构142中的一些其它导电结构成一体式且连续。举例来说，个别导电触点结构144可在低洼结构126的反向阶梯结构130的额外台阶134处与经修改堆叠结构148的个别导电结构142成一体式且连续，且个别额外导电触点结构146可在低洼结构126的正向阶梯结构128的台阶132处与经修改堆叠结构148的其它个别导电结构142成一体式且连续。个别导电触点结构144和与其物理接触的个别导电结构142可构成个别单片结构的不同部分。作为非限制性实例，第一导电触点结构144-1和与其物理接触(例如，在反向阶梯结构130的最上部额外台阶134处)的经修改堆叠结构148的导电结构142中的一个可一起形成包括第一导电触点结构144-1和导电结构142中的所述一个的第一单片结构。另外，个别额外导电触点结构146和与其物理接触的其它个别导电结构142可构成其它个别单片结构的不同部分。作为非限制性实例，第一额外导电触点结构146-1和与其物理接触(例如，在正向阶梯结构128的最上部台阶132处)的经修改堆叠结构148的导电结构142中的另一个可一起形成包括第一额外导电触点结构146-1和导电结构142中的另一个的第一额外单片结构。

导电结构142、导电触点结构144和额外导电触点结构146可各自分别由至少一种导电材料形成且包含所述导电材料，例如金属、合金、导电金属氧化物、导电金属氮化物、导电金属硅化物和经导电掺杂的半导体材料中的一或多种。借助于非限制性实例，导电结构142、导电结构142、导电触点结构144和额外导电触点结构146可各自分别由以下各项中的一或多种形成且包含以下各项中的一或多种：钨(W)、氮化钨(WN_y)、镍(Ni)、钽(Ta)、氮化钽(TaN_y)、硅化钽(TaSi_x)、铂(Pt)、铜(Cu)、银(Ag)、金(Au)、铝(Al)、钼(Mo)、钛(Ti)、氮化钛(TiN_y)、硅化钛(TiSi_x)、氮化钛硅(TiSi_xN_y)、氮化钛铝(TiAl_xN_y)、氮化钼(MoN_x)、铱(Ir)、氧化铱(IrO_z)、钌(Ru)、氧化钌(RuO_z)，和经导电掺杂的硅。在一些实施例中，导电结构142、导电触点结构144和额外导电触点结构146各自由钨(W)形成且包含钨。

继续参看图1K，为了形成经修改堆叠结构148(包含其导电结构142和绝缘结构150)、导电触点结构144和额外导电触点结构146，可形成狭槽(例如，狭缝、沟槽)竖直地延伸穿过电介质间隔物结构122、电介质衬里结构124(图1J)和初步堆叠结构102(图1J)以形成离散块。所述狭槽和块可各自在第一水平方向(例如，X方向)上延伸；且所述狭槽和块可在正交于第一水平方向的第二水平方向(例如，Y方向)上彼此交替。可随后通过所述狭槽完全或部分地选择性地移除(例如，选择性地蚀刻和挖掘)电介质衬里结构124(图1J)和初步堆叠结构102(图1J)的第一绝缘结构104(图1J)。随后，可用导电材料(例如，钨)填充通过电介质衬里结构124(图1J)和第一绝缘结构104(图1J)的选择性移除形成的开放体积(例如，空隙空间)以形成导电结构142、导电触点结构144和额外导电触点结构146。随后可用至少一种电介质材料填充狭槽。

接下来参考图1L，电介质结构154可形成于封盖材料140上或上方；可移除(例如，蚀刻)电介质结构154和封盖材料140的部分以形成曝露导电触点结构144和额外导电触点结构146的部分的开口(例如，通孔、孔隙)；且随后可在开口内形成与导电触点结构144和额外导电触点结构146接触(例如，物理接触、电接触)的导电插塞结构156。导电插塞结构156可促进将形成于低洼结构126上方的额外导电结构(例如，导电线结构，例如存取线结构)(以及因此，将电耦合到所述额外导电结构的额外结构和/或装置，例如一或多个控制装置)与导电触点结构144和额外导电触点结构146之间的电连通。

电介质结构154可由具有与封盖材料140不同的蚀刻选择性的至少一种电介质材料形成并且包含所述至少一种电介质材料。电介质结构154可充当用于图案化封盖材料140的掩模。电介质结构154可在相互暴露于第一蚀刻剂期间相对于封盖材料140选择性地蚀刻，且封盖材料140可在相互暴露于第二不同蚀刻剂期间相对于电介质结构154选择性地蚀刻。电介质结构154的材料成分不同于封盖材料140的材料成分，且可包括至少一种电介质氧化物材料(例如，SiO_x、磷硅酸盐玻璃、硼硅酸盐玻璃、硼磷硅玻璃、氟硅酸盐玻璃、AlO_x、HfO_x、NbO_x、TiO_x、ZrO_x、TaO_x和MgO_x中的一或多种)、至少一种电介质氮化物材料(例如，SiN_y)、至少一种电介质氮氧化物材料(例如，SiO_xN_y)和至少一种电介质碳氧氮化物材料(例如，SiO_xC_zN_y)中的一或多种。在一些实施例中，电介质结构154由SiN_y(例如，Si₃N₄)形成并且包含SiN_y。电介质结构154可为大体上均质的，或可为大体上异质的。在一些实施例中，电介质结构154是大体上均质的。在额外实施例中，电介质结构154是大体上异质的。电介质结构154可为大体上平坦的，且可展现所需厚度(例如，在Z方向上的高度)。

导电插塞结构156可以由至少一种导电材料形成并且包含至少一种导电材料，例如金属(例如，W、Ti、Mo、Nb、V、Hf、Ta、Cr、Zr、Fe、Ru、Os、Co、Rh、Ir、Ni、Pa、Pt、Cu、Ag、Au、Al)、合金(例如，Co基合金、Fe基合金、Ni基合金、Fe和Ni基合金、Co和Ni基合金、Fe和Co基于合金、Co和Ni和Fe基合金、Al基合金、Cu基合金、Mg基合金、Ti基合金、钢、低碳钢、不锈钢)、含导电金属的材料(例如，导电金属氮化物、导电金属硅化物、导电金属碳化物、导电金属氧化物)、导电掺杂半导体材料(例如，导电掺杂Si、导电掺杂Ge、导电掺杂SiGe)中的一或多种。导电插塞结构156中的每一个可具有大体上相同的材料成分，或导电插塞结构156中的至少一个可具有与导电插塞结构156中的至少一个其它导电插塞结构不同的材料成分。

导电插塞结构156可各自分别提供在导电触点结构144中的一个或额外导电触点结构146中的一个上或上方的所需水平位置(例如，在X方向和Y方向上)。导电插塞结构156可各自分别接触单个(例如，仅一个)导电触点结构144或单个(例如，仅一个)额外导电触点结构146。在一些实施例中，导电插塞结构156中的每一个个别地在导电触点结构144中的一个或额外导电触点结构146中的一个上大体水平居中。在额外实施例中，导电插塞结构156中的一或多个个别地从与其接触的导电触点结构144或额外导电触点结构146的水平中心水平偏移(例如，在X方向上和/或在Y方向上)。另外，如图1L所示，在一些实施例中，导电插塞结构156中的至少一些彼此大体上水平对准。举例来说，在第一水平方向(例如，X方向)上彼此水平相邻的至少一些(例如，所有)导电插塞结构156可在正交于第一水平方向的第二水平方向(例如，Y方向)上彼此大体上对准。在额外实施例中，导电插塞结构156中的至少一些在多个水平方向(例如，X方向和Y方向)上彼此偏移。举例来说，在第一水平方向(例如，X方向)上彼此水平相邻的至少一些(例如，所有)导电插塞结构156可在正交于第一水平方向的第二水平方向(例如，Y方向)上彼此偏移。

可使用常规工艺(例如，常规材料沉积工艺、常规光刻工艺、常规材料移除工艺)和常规处理设备形成电介质结构154和导电插塞结构156，这在本文中不进行详细地描述。

因此，根据本公开的实施例，一种形成微电子装置的方法包括形成初步堆叠结构，所述初步堆叠结构包括布置于层中绝缘结构和额外绝缘结构的竖直交替序列。层中的每一个包括绝缘结构中的一个和额外绝缘结构中的一个。沟槽经形成为竖直延伸进入初步堆叠结构。电介质间隔物结构和电介质衬里结构的水平交替序列形成于沟槽的水平边界内。电介质衬里结构中的至少一些物理接触彼此不同的初步堆叠结构的绝缘结构。电介质衬里结构的电介质材料和初步堆叠结构的绝缘结构至少部分地被导电材料替换。

此外，根据本公开的实施例，一种微电子装置包括堆叠结构、堆叠结构内的低洼结构，和导电触点结构。堆叠结构包括布置于层中的导电结构和绝缘结构的竖直交替序列。层中的每一个包括导电结构中的一个和绝缘结构中的一个。低洼结构包括：正向阶梯结构，其具有包括层的边缘的台阶；以及反向阶梯结构，其与正向阶梯结构相对且具有包括层的额外边缘的额外台阶。导电触点结构在正向阶梯结构的台阶和反向阶梯结构的额外台阶处竖直延伸到堆叠结构的导电结构中的至少一些的上部竖直边界。导电触点结构各自与导电结构中的一个成一体式且连续。

根据本公开的实施例的微电子装置结构(例如，先前参考图1L描述的微电子装置结构100)可包含于本公开的微电子装置(例如，存储器装置，例如3D NAND快闪存储器装置)的实施例中。举例来说，图2说明包含微电子装置结构201的微电子装置200的简化局部俯视图。微电子装置结构201可大体上类似于在先前参考图1L描述的处理阶段的微电子装置结构100。

参看图2，微电子装置200包含堆叠结构202，其包含布置于层中的导电结构和绝缘结构的竖直交替(例如，在Z方向上)序列。堆叠结构202可大体上类似于先前参考图1K描述的经修改堆叠结构148。如图2所示，堆叠结构202可在Y方向上由狭槽203分隔。狭槽203可填充有电介质材料，且对应于关于通过所谓的“替换栅极”或“栅极持续”处理动作形成导电结构142、导电触点结构144和额外导电触点结构146先前参考图1K描述的狭槽。狭槽203可将堆叠结构202划分(例如，在Y方向上)为多个块205。另外，堆叠结构202包含存储器阵列区207，和水平相邻(例如，在X方向上)于存储器阵列区207的分布式低洼区209。如下文进一步详细描述，微电子装置200还包含在堆叠结构202的不同水平区(例如，存储器阵列区207、分布式低洼区209)的边界内的额外组件(例如，特征、结构、装置)。

在堆叠结构202的存储器阵列区207的水平边界内，微电子装置200可包含竖直延伸的柱结构211。竖直延伸的柱结构211可例如从数据线215(例如，数字线、位线)或接近所述数据线竖直延伸(例如，在Z方向上)，穿过堆叠结构202的存储器阵列区207，且到源极结构217(例如，源极板)或接近所述源极结构。在图2中，以虚线表示源极结构217以指示源极结构217可竖直地位于堆叠结构202之下。竖直延伸的柱结构211中的每一个可包含半导电柱(例如，多晶硅柱、硅锗柱)，其至少部分地被一或多个电荷存储结构(例如，电荷捕集结构，例如包括氧化物-氮化物-氧化物(“ONO”)材料d电荷捕集结构；浮动栅极结构)包围。堆叠结构202的层(例如，对应于先前参考图1K描述的经修改层152)的竖直延伸的柱结构211和导电结构(例如，对应于先前参考图1K描述的导电结构142)的相交点可界定在堆叠结构202的存储器阵列区207内彼此串联耦合的竖直延伸(例如，在Z方向上)存储器单元串223。在一些实施例中，形成于堆叠结构202的层的导电结构和竖直延伸柱结构的相交点处的存储器单元223包括所谓的“MONOS”(金属-氧化物-氮化物-氧化物-半导体)存储器单元。在额外实施例中，存储器单元223包括所谓的“TANOS”(氮化钽-氧化铝-氮化物-氧化物-半导体)存储器单元，或所谓的“BETANOS”(带/势垒工程化TANOS)存储器单元，其中的每一个是MONOS存储器单元的子组。在另外的实施例中，存储器单元223包括所谓的“浮动栅极”存储器单元，其包含浮动栅极(例如，金属浮动栅极)作为电荷存储结构。浮动栅极可水平介于堆叠结构202的不同层的竖直延伸柱结构211和导电结构的中心结构之间。微电子装置200可在堆叠结构202的存储器阵列区207内包含竖直延伸柱结构211的任何所需量和分布。

继续参看图2，在堆叠结构202的分布式低洼区209的水平边界内，微电子装置200可包含分布于堆叠结构202内的低洼结构226。低洼结构226可个别地具有大体上类似于先前相对于低洼结构126描述的几何配置(例如，形状和尺寸)(包含其正向阶梯结构128、反向阶梯结构130和中心区136的几何配置)(图1H至1L)，不同之处在于低洼结构226中的至少一些可在堆叠结构202内定位于彼此不同的高程(例如，在Z方向上的竖直位置)处。除堆叠结构202内的至少一些不同高程以外，低洼结构226中的每一个可具有与低洼结构226中的每一其它者大体上相同的几何配置(例如，大体上相同的形状和大小，包含其个别组件的大体上相同形状和大小，以及产生于其不同组件的组合的大体上相同形状和大小)。在额外实施例中，低洼结构226中的至少一个具有与低洼结构226中的至少一个其它低洼结构不同的几何配置(例如，不同形状和/或一或多个不同尺寸，包含其一或多个个别组件的大体上不同形状和/或一或多个不同尺寸，和/或产生于其不同组件的组合的不同形状和/或一或多个不同尺寸)。

如图2所示，堆叠结构202的分布式低洼区209内的堆叠结构202的个别块205的部分可包含通过狭槽203与个别低洼结构226的其它区段分离(例如，划分、分段、隔离)的个别低洼结构226的区段。举例来说，个别(例如，单个、一个)低洼结构226的第一区段226A可位于堆叠结构202的块205中的第一个内且部分地(例如，少于完全)跨越其水平延伸(例如，在Y方向上)，且个别低洼结构226的第二区段226B可位于水平相邻于(例如，在Y方向上)块205中的第一个的块205中的第二个内且部分地(例如，少于完全)跨越其水平延伸(例如，在Y方向上)。狭槽203中的一个可水平地插入于(例如，在Y方向上)个别低洼结构226的第一区段226A与个别低洼结构226的第二区段226B之间。堆叠结构202的个别块205可包含低洼结构226中的多个的第一区段226A，和低洼结构226中的多个其它低洼结构的第二区段226B。如图2所示，在堆叠结构202的个别块205内，低洼结构226中的多个的第一区段226A可在第一水平方向(例如，X方向)上彼此大体上水平对准，低洼结构226中的多个其它低洼结构的第二区段226B也可在第一水平方向(例如，X方向)上彼此大体上水平对准，且低洼结构226中的多个的第一区段226A可在正交于第一水平方向的第二水平方向(例如，Y方向)上水平地相邻于低洼结构226中的多个其它低洼结构的第二区段226B。

继续参看图2，在堆叠结构202的个别块205内，字线桥接区213可从位于堆叠结构202的块205的水平边界(例如，在X方向和Y方向上)内的不同低洼结构226的区段且在所述区段之间连续地水平延伸。如图2所示，对于堆叠结构202的给定块205，其字线桥接区213可从位于块205的水平边界内的不同低洼结构226的第一区段226A和第二区段226B且在其之间连续地水平延伸。字线桥接区213可包含从不同低洼结构226的区段且在所述区段之间连续地水平延伸的堆叠结构202的导电结构(例如，对应于先前参考图1K描述的导电结构142)的部分，且可在用于形成堆叠结构202的导电结构的所谓的“替换栅极”或“栅极持续”处理动作期间建立。字线桥接区213促进使用裸片中心阶梯位置和配置进行适当的字线驱动。

仍参看图2，在堆叠结构202的个别块205内，导电触点结构244和额外导电触点结构246可在低洼结构226的区段(例如，第一区段226A、第二区段226B)的台阶(例如，对应于先前参考图1H至1L描述的台阶132)和额外台阶(例如，对应于先前参考图1H至1L描述的额外台阶134)处与堆叠结构202的导电结构成一体式且连续。导电触点结构244和额外导电触点结构246可对应于先前参考图1K描述的导电触点结构144和额外导电触点结构146。如图2所示，电介质间隔物结构222可水平介于水平相邻的导电触点结构244和水平相邻的额外导电触点结构246之间且将其分离；且额外电介质结构245可水平介于水平相邻于额外导电触点结构246的导电触点结构244之间且将其分离。电介质间隔物结构222可对应于先前参考图1I至1L描述的电介质间隔物结构122；且额外电介质结构245可对应于先前参考图1K描述的离散柱结构和/或线性柱结构。

另外，在堆叠结构202的个别块205内，导电插塞结构256可接触(例如，物理接触、电接触)导电触点结构244和额外导电触点结构246。导电插塞结构256可对应于先前参考图1L描述的导电插塞结构156。导电插塞结构256可例如连接(例如，物理连接、电连接)到微电子装置200的存取线219(例如，字线)。存取线219可以由至少一种导电材料形成并且包含至少一种导电材料，例如金属(例如，W、Ti、Mo、Nb、V、Hf、Ta、Cr、Zr、Fe、Ru、Os、Co、Rh、Ir、Ni、Pa、Pt、Cu、Ag、Au、Al)、合金(例如，Co基合金、Fe基合金、Ni基合金、Fe和Ni基合金、Co和Ni基合金、Fe和Co基于合金、Co和Ni和Fe基合金、Al基合金、Cu基合金、Mg基合金、Ti基合金、钢、低碳钢、不锈钢)、含导电金属的材料(例如，导电金属氮化物、导电金属硅化物、导电金属碳化物、导电金属氧化物)、以及导电掺杂半导体材料(例如，导电掺杂Si、导电掺杂Ge、导电掺杂SiGe)中的一或多种。

仍参看图2，微电子装置200还可包含至少一个控制单元221(例如，控制装置)。控制单元221可包含串驱动器电路、导通门、用于选择栅极的电路、用于选择导电线的电路、用于放大信号的电路以及用于感测信号的电路中的一或多个。控制单元221可例如电耦合到数据线215、源极结构217和存取线219。在一些实施例中，控制单元221竖直地位于堆叠结构202的存储器阵列区207之下(例如，在Z方向上)且大体上受限于所述存储器阵列区的水平边界内。在图2中，以虚线表示控制单元221以指示控制单元221可竖直地位于堆叠结构202之下。控制单元221可竖直地位于微电子装置200的源极结构217之下。在一些实施例中，控制单元221包含CMOS电路。在一些此类实施例中，控制单元221的特征可为具有“阵列下CMOS”(“CuA”)配置。

接下来参考图3，根据本公开的实施例的微电子装置结构(例如，先前参考图1L描述的微电子装置结构100)可包含于本公开的微电子装置(例如，额外存储器装置，例如额外3D NAND快闪存储器装置)的额外实施例中。举例来说，图3说明包含微电子装置结构301的微电子装置300的简化局部俯视图。微电子装置结构301可大体上类似于在先前参考图1L描述的处理阶段的微电子装置结构100。贯穿图3和下文的相关联描述，功能上类似于先前参考图2描述的微电子装置200的特征的特征(例如，结构、材料、区)以相似附图标记递增100来指代。以避免重复，并非在本文中详细地描述图3中所展示的全部特征。而是除非下文另外描述，否在在图3中，由先前参考图2描述的特征的附图标记递增100的附图标记表示的特征将理解为大体上类似于先前描述的特征。

如图3所示，在堆叠结构302的分布式低洼区309的水平边界内，微电子装置300可包含低洼结构326，其具有与先前参考图2描述的微电子装置200的低洼结构226不同的水平几何配置(例如，不同水平形状、不同水平尺寸)。举例来说，分布式低洼区309内的个别低洼结构326可经配置以使得个别低洼结构326的不同区段在第一水平方向(例如，Y方向)上大体上(例如，完全)跨越堆叠结构302的个别块305水平延伸，且通过在正交于第一水平方向的第二水平方向(例如，X方向)上水平延伸的狭槽303彼此分离。举例来说，个别(例如，单个、一个)低洼结构326的第一区段326A可位于堆叠结构302的块305中的第一个内且跨越其大体上水平延伸(例如，在Y方向上)，且个别低洼结构226的第二区段326B可位于水平相邻于(例如，在Y方向上)块205中的第一个的块205中的第二个内且跨越其大体上水平延伸(例如，在Y方向上)。狭槽303中的一个可水平地插入于(例如，在Y方向上)个别低洼结构326的第一区段326A与个别低洼结构326的第二区段326B之间。堆叠结构302的第一块305可包含在X方向上彼此分离且在Y方向上各自跨越第一块305大体上水平延伸的低洼结构326中的多个的第一区段326A；且在Y方向上水平相邻于第一块305的第二块305可包含在X方向上彼此分离且在Y方向上各自跨越第二块305大体上水平延伸的低洼结构326中的多个的第二区段326B。

如图3所示，给定微电子装置300的低洼结构326相对于微电子装置200(图2)的低洼结构226(图2)的那些水平几何配置的不同水平几何配置，堆叠结构302的个别块305不含大体上类似于先前参考图2描述的字线桥接区213的字线桥接区。而是，由于个别低洼结构326的不同区段(例如，第一区段326A、第二区段326B)跨越与其相关联的堆叠结构302的个别块305大体上水平延伸(例如，在Y方向上)，因此堆叠结构302的块305中可不存在(例如，省略)此类字线桥接区。图3所示的微电子装置300的配置有助于使用裸片末端阶梯位置和配置进行适当的字线驱动。

因此，根据本公开的实施例，一种存储器装置包括堆叠结构、低洼结构、导电触点结构和存储器单元串。堆叠结构具有若干层，其各自包括导电结构和竖直相邻于所述导电结构的绝缘结构。低洼结构在堆叠结构内定位于彼此不同的竖直深度处。低洼结构中的每一个包括：正向阶梯结构，其具有包括层的群组的水平末端的台阶；以及反向阶梯结构，其与正向阶梯结构相对且具有包括所述层的群组的额外水平末端的额外台阶。导电触点结构在低洼结构的台阶和额外台阶处从堆叠结构的导电结构中的至少一些竖直延伸。导电触点结构各自与导电结构中的一个成一体式且连续。存储器单元串竖直延伸穿过堆叠结构。

返回参考图1L，在额外实施例中，本公开的微电子装置结构经形成为具有与在图1L中描绘的处理阶段的微电子装置结构100不同的配置。借助于非限制性实例，图4A至4C是根据本公开的额外实施例的说明形成微电子装置结构400的方法的简化局部横截面图。直到图4A中描绘的处理阶段的形成微电子装置结构400的方法并入有先前直到且包含先前图1E参考描述的处理阶段关于微电子装置结构100的形成描述的处理动作和特征。图4A至4C中描绘且在下文进一步详细描述的处理阶段可例如包含代替和/或组合先前参考图1F至1L描述的用以形成先前参考图1L描述的微电子装置结构100的处理动作执行的处理动作。贯穿图4A至4C和下文的相关联描述，功能上类似于先前参考图1A至1L中的一或多个描述的微电子装置结构100的特征的特征(例如，结构、材料、区)以相似附图标记递增100来指代。为避免重复，不会在本文中详细地描述图4A至4C中示出的全部特征。而是，除非下文另外描述，否则在图4A至4C中，由先前参考图1A至1L中的一或多个描述的特征的参考标号递增100的参考标号表示的特征将理解为大体上类似于先前描述的特征。

如图4A所示，在第一电介质衬里结构424-1的形成(例如，通过大体上类似于先前参考图1E描述的那些处理动作的处理动作)后，微电子装置结构400可经受至少一个额外材料移除(例如，蚀刻，例如各向异性干式蚀刻)工艺以增加形成于初步堆叠结构402中的沟槽416的剩余(例如，未填充)部分的竖直深度(例如，在Z方向上)。如下文进一步详细描述，与对先前参考图1F描述的沟槽116的剩余部分的竖直深度的增加相比，额外材料移除工艺可将沟槽416的剩余部分的竖直深度增加相对更大的量值。额外材料移除工艺可增加沟槽416的第一区416A的剩余部分的竖直深度，且还可增加沟槽416的第二区416B的剩余部分的竖直深度。在额外材料移除工艺后，沟槽416的第二区416B的剩余部分可竖直延伸到初步堆叠结构402内比沟槽416的第一区416A的剩余部分相对更低的深度。在额外材料移除工艺结束时可大体上维持沟槽416的第一区416A的下部竖直边界与沟槽416的第二区416B的下部竖直边界之间的竖直偏移的量值。举例来说，额外材料移除工艺可将沟槽416的第一区416A的剩余部分和沟槽416的第二区416B的剩余部分中的每一个的竖直深度增加一个距离(例如，在Z方向上)，所述距离大于或等于初步堆叠结构402的至少两个(例如，至少三个)层408的组合高度(例如，在Z方向上)。如图4A所示，在一些实施例中，额外材料移除工艺将沟槽416的第一区416A的剩余部分和沟槽416的第二区416B的剩余部分中的每一个的竖直深度增加一个距离，所述距离大体上等于初步堆叠结构402的层408中的三(3)个的组合高度。

接下来参考图4B，在参考图4A所描述的处理阶段后，微电子装置结构400可经受大体上类似于先前参考图1D、1E和4A描述的那些额外处理动作的额外处理动作，以用更多的电介质衬里结构424(例如，除第一电介质衬里结构424-1之外)和更多的电介质间隔物结构422(例如，除第一电介质间隔物结构422-1之外)填充沟槽416(图4A)的剩余部分，且形成竖直地下伏于且接触电介质衬里结构424和电介质间隔物结构422的低洼结构426。如图4B所示，低洼结构426可包含：正向阶梯结构428，其包含各自分别包括初步堆叠结构402的层408中的多个(例如，大于或等于三(3)个、大于或等于四(4)个)的水平末端的台阶432；反向阶梯结构430，其包含各自分别包括层408中的多个(例如，大于或等于三(3)个、大于或等于四(4)个)的水平末端的额外台阶434；以及中心区436，其水平地插入于正向阶梯结构428与反向阶梯结构430之间。低洼结构426的中心区436可例如构成用于正向阶梯结构428和反向阶梯结构430的相交区和竖直终止位置。以与先前参考图1H针对电介质间隔物结构122和不同电介质衬里结构124描述的大体上相同方式，不同电介质间隔物结构422和不同电介质衬里结构424可经形成为物理接触正向阶梯结构428的彼此不同的台阶432和反向阶梯结构430的彼此不同的额外台阶434。

如图4B所示，在一些实施例中，低洼结构426的正向阶梯结构428的个别台阶432经形成为包括初步堆叠结构402的层408中的四(4)个的水平末端；且低洼结构426的反向阶梯结构430的个别额外台阶434也经形成为包括初步堆叠结构402的层408中的四(4)个的水平末端。竖直相邻于低洼结构426的个别额外台阶434的低洼结构426的个别台阶432可与个别额外台阶434共享初步堆叠结构402的多个(例如，三(3)个)层408。举例来说，与个别台阶432相关联的初步堆叠结构402的四(4)个层408中的三(3)个也可以是与竖直相邻于个别台阶432的个别额外台阶434相关联的初步堆叠结构402的四(4)个层408中的三(3)个。由个别台阶432和竖直相邻于个别台阶432的个别额外台阶434共享的三(3)个层408中的一个可形成个别台阶432的竖直上部部分和个别额外台阶434的竖直下部部分，或反之亦然。作为非限制性实例，反向阶梯结构430的最上部额外台阶434可包括初步堆叠结构402的第一群组四(4)个层408的水平末端；且正向阶梯结构428的最上部台阶432可包括初步堆叠结构102的第二群组四(4)个层408的水平末端，其中第二群组的四(4)个层408中的三(3)个相同于第一群组的四(4)个层408中的三(3)个。第一群组四(4)个层408中的相对最高层408可形成最上部额外台阶434的上部部分且可物理接触第一电介质衬里结构424-1的第一部分424-1A；且第一群组四(4)个层408的三(3)个相对较低层408可形成最上部额外台阶434的下部部分且可不物理接触第一电介质衬里结构424-1的第一部分424-1A。又，形成上部额外台阶434的下部部分的三(3)个相对较低层408中的相对最高层408可构成第二群组四(4)个层408中的相对最高层408且可形成与第一电介质衬里结构424-1的第二部分424-1B物理接触的最上部台阶432的上部部分；且第二群组四(4)个层408中的三(3)个相对较低层408可形成最上部台阶432的下部部分且可不物理接触第一电介质衬里结构424-1的第二部分424-1B。

接下来参考图4C，在图4B中描绘的处理阶段后，微电子装置结构400可经受大体上类似于先前参考图1I至1L描述的那些额外处理动作的额外处理动作以达到图4C中描绘的微电子装置结构400的配置。因此，在图4B中描绘的处理阶段后的形成微电子装置结构400的方法并入有先前从先前参考图1I描述的处理阶段到先前参考图1L描述的处理阶段关于微电子装置结构100的形成描述的处理阶段和特征。

参考图4C所描述的微电子装置结构400可包含于本公开的微电子装置(例如，存储器装置，例如3D NAND快闪存储器装置)的实施例中。作为非限制性实例，在图4C中描绘的处理阶段的微电子装置结构400可包含于先前参考图2描述的微电子装置200中作为微电子装置结构201(图2)。在一些此类实施例中，低洼结构226(图2)可个别地具有大体上类似于先前相对于低洼结构426描述的几何配置(例如，形状和尺寸)(包含其正向阶梯结构428、反向阶梯结构430和中心区436的几何配置)(图4B和4C)，不同之处在于低洼结构226(图2)中的至少一些可在堆叠结构202内定位于彼此不同的高程(例如，在Z方向上的竖直位置)处。另外，在堆叠结构202(图2)的个别块205(图2)内，导电触点结构244(图2)、额外导电触点结构246(图2)和电介质间隔物结构222(图2)可分别对应于在图4C中描绘的处理阶段的微电子装置结构400的导电触点结构444、额外导电触点结构446和电介质间隔物结构422。在堆叠结构202(图2)的个别块205(图2)内，个别(例如，单个、一个)低洼结构226(图2)的第一区段226A(图2)可包含从额外个别低洼结构226(图2)的第二区段226B(图2)的台阶432和额外台阶434竖直偏移(例如，竖直上方、竖直下方)的台阶432和额外台阶434。低洼结构226(图2)的第一区段226A(图2)的正向阶梯结构428的台阶432可从额外低洼结构226(图2)的第二区段226B(图2)的正向阶梯结构428的台阶432竖直偏移(例如，竖直上方或竖直下方)一(1)个层408；且低洼结构226(图2)的第一区段226A(图2)的反向阶梯结构440的额外台阶434可从额外低洼结构226(图2)的第二区段226B(图2)的反向阶梯结构430的额外台阶434竖直偏移(例如，竖直上方或竖直下方)一(1)个层408。

且低洼结构226的第一区段226A的额外台阶434可各自分别从额外低洼结构226的第二区段226B的竖直相邻的台阶432和额外台阶434竖直偏移。

在另外的实施例中，本公开的微电子装置结构经形成为具有与在图1L中描绘的处理阶段的微电子装置结构100和在图4C中描绘的处理阶段的微电子装置结构400中的每一个不同的配置。借助于非限制性实例，图5A至5G是根据本公开的额外实施例的说明形成微电子装置结构500的方法的简化局部横截面图。图5A至5G中描绘且在下文进一步详细描述的处理阶段可例如包含代替和/或组合先前参考图1A至1L描述的用以形成先前参考图1L描述的微电子装置结构100的处理动作执行的处理动作。贯穿图5A至5G和下文的相关联描述，功能上类似于先前参考图1A至1L中的一或多个描述的微电子装置结构100的特征的特征(例如，结构、材料、区)以相似附图标记递增100来指代。为避免重复，不会在本文中详细地描述图5A至5G中示出的全部特征。而是，除非下文另外描述，否则在图5A至5G中，由先前参考图1A至1L中的一或多个描述的特征的参考标号递增100的参考标号表示的特征将理解为大体上类似于先前描述的特征。

参看图5A，微电子装置结构500可经形成为包含初步堆叠结构502和初步堆叠结构502上或上方的经图案化掩模结构510。初步堆叠结构502包含布置于层508中的第一绝缘结构504和第二绝缘结构506的竖直交替(例如，在Z方向上)序列。经图案化掩模结构510可包含竖直延伸穿过其的至少一个开口512(例如，孔口、通孔)。初步堆叠结构502(包含其第一绝缘结构504和第二绝缘结构506)和经图案化掩模结构510(其中包含开口512)可经形成为分别大体上类似于先前本文参考图1A所描述的初步堆叠结构102(包含其第一绝缘结构104恶第二绝缘结构106)和经图案化掩模结构110(其中包含开口112)。

接下来参考图5B，微电子装置结构500可经受一或多个材料移除过程(例如，一或多个切削过程)以形成竖直延伸(例如，在Z方向上)进入初步堆叠结构502的至少一个沟槽516(例如，开口、盲通孔)。如图5B所示，初步堆叠结构502内的沟槽516可大体上受限于经图案化掩模结构510内的开口512的水平边界内。在其中经图案化掩模结构510包含多个开口512的实施例中，不同沟槽516可经形成为在初步堆叠结构502内延伸到彼此不同的竖直深度。举例来说，沟槽516中的至少一个可比沟槽516中的至少一个其它沟槽竖直延伸到初步堆叠结构502内的相对更低深度。沟槽516相对于彼此的竖直深度可至少部分地取决于初步堆叠结构502的层508的量、初步堆叠结构502内的沟槽516的量以及沟槽516的水平尺寸。沟槽516可经配置以促进与初步堆叠结构502的层508中的至少一些(例如，每一个)物理接触的竖直延伸绝缘结构的后续形成，如下文进一步详细描述。

如图5B所示，沟槽516可经形成为包含下部竖直边界518(例如，底层)和水平边界520(例如，侧面)。沟槽516的下部竖直边界518可经形成为大体上水平平坦的。举例来说，在形成沟槽516之前，可省略先前参考图1B描述的处理阶段(关于微电子装置结构100的形成)。因此，沟槽516的不同水平区可全部竖直延伸(例如，在Z方向上)到初步堆叠结构502内的大体上相同竖直高度。另外，如图5B中所描绘，沟槽516的水平边界520可为大体上竖直平坦的。

初步堆叠结构502中的沟槽516可经形成为竖直地终止(例如，竖直地结束)于初步堆叠结构502的单个(例如，仅一个)层508的第二绝缘结构506处。在额外实施例中，初步堆叠结构502中的沟槽516可经形成为竖直地终止于初步堆叠结构502的单个(例如，仅一个)层508的第一绝缘结构504处。

接下来参考图5C，第一电介质间隔物结构522-1可形成于经图案化掩模结构510中的开口512和初步堆叠结构502中的沟槽516内。第一电介质间隔物结构522-1可部分地(例如，少于完全)填充开口512和沟槽516中的每一个，且可在经图案化掩模结构510和初步堆叠结构502的暴露表面上形成于沟槽516(且因此经图案化掩模结构510中的开口512)的水平边界内(例如，在X方向和Y方向上)。举例来说，如图5C所示，第一电介质间隔物结构522-1可直接水平邻近于(例如，水平地在其上)经图案化掩模结构510和初步堆叠结构502的侧表面形成于沟槽516的水平边界520处(例如，与其共面)，且也可直接竖直邻近于(例如，竖直地在其上)界定沟槽516的下部竖直边界518(图5B)的初步堆叠结构502的层508的上部表面形成。第一电介质间隔物结构522-1可在沟槽516的水平边界520处(例如，与其共面)大体上竖直延伸跨越(例如，在Z方向上)且覆盖经图案化掩模结构510和初步堆叠结构502的侧表面，且可仅部分地水平延伸跨越(例如，在X方向和Y方向上)且覆盖界定沟槽516的下部竖直边界518(图5B)的初步堆叠结构502的层508的上部表面。如图5C所示，第一电介质间隔物结构522-1可包含第一部分522-1A和第二部分522-1B。第一部分522-1A和第二部分522-1B可竖直延伸(例如，在Z方向上)到初步堆叠结构502内的彼此大体上相同的深度。

第一电介质间隔物结构522-1可具有与先前参考图1D描述的第一电介质间隔物结构122-1大体上相同的水平尺寸(例如，宽度)和材料成分。另外，第一电介质间隔物结构522-1可以与先前参考图1D描述的第一电介质间隔物结构122-1大体上相同的方式形成。

接下来参考图5D，第一电介质衬里结构524-1可形成于经图案化掩模结构510中的开口512和初步堆叠结构502中的沟槽516的剩余(例如，未填充)部分内。第一电介质衬里结构524-1可部分地(例如，少于完全)填充开口512和沟槽516中的每一个的剩余部分，且可在第一电介质间隔物结构522-1(图5D)和初步堆叠结构502的暴露表面上形成于沟槽516(且因此经图案化掩模结构510中的开口512)的水平边界内(例如，在X方向和Y方向上)。举例来说，第一电介质衬里结构524-1可直接水平邻近于(例如，水平地在其上)第一电介质间隔物结构522-1的内侧表面形成，且也可以直接竖直邻近于(例如，竖直地在其上)初步堆叠结构502的层508的第一绝缘结构504的上部表面形成在先前参考图5C描述的处理阶段中形成的沟槽516的经修改下部竖直边界处。第一电介质衬里结构524-1可大体上竖直延伸跨越(例如，在Z方向上)且覆盖第一电介质间隔物结构522-1的内侧表面。

如图5D中所示，第一电介质衬里结构524-1可包含第一部分524-1A和第二部分524-1B。第一部分524-1A可直接水平邻近于(例如，水平地在其上)第一电介质间隔物结构522-1的第一部分522-1A形成，且第二部分524-1B可直接水平邻近于(例如，水平地在其上)第一电介质间隔物结构522-1的第二部分522-1B形成。第一部分524-1A和第二部分524-1B可竖直延伸(例如，在Z方向上)到初步堆叠结构502内的彼此大体上相同的深度。第一电介质衬里结构524-1的第一部分524-1A和第二部分524-1B中的每一个的竖直深度可大于或等于第一电介质间隔物结构522-1(包含其第一部分522-1A和第二部分522-1B)的竖直深度。举例来说，第一电介质衬里结构524-1的第一部分524-1A和第二部分524-1B可各自竖直延伸到且终止于竖直相邻于第一电介质间隔物结构522-1的下部竖直边界的初步堆叠结构502的层508的第一绝缘结构504处。

第一电介质衬里结构524-1可具有与先前参考图1E描述的第一电介质衬里结构124-1大体上相同的水平尺寸(例如，宽度)和材料成分。另外，第一电介质衬里结构524-1可以与先前参考图1E描述的第一电介质衬里结构124-1大体上相同的方式形成。

接下来参考图5E，第二电介质间隔物结构522-2可形成于经图案化掩模结构510中的开口512的剩余(例如，未填充)部分内和初步堆叠结构502中的沟槽516的剩余加深部分中。第二电介质间隔物结构522-2可部分地(例如，少于完全)填充开口512的剩余部分和沟槽516的剩余加深部分；且可在第一电介质衬里结构524-1和初步堆叠结构502的暴露表面上形成于沟槽516(并且因此经图案化掩模结构510中的开口512)的水平边界(例如，在X方向和Y方向上)内。举例来说，第二电介质间隔物结构522-2可直接水平邻近于(例如，水平地在其上)第一电介质衬里结构524-1和初步堆叠结构502的暴露内侧表面形成于沟槽516内。第二电介质间隔物结构522-2且也可直接竖直邻近于(例如，竖直地在其上)初步堆叠结构502的层508的第二绝缘结构506的上部表面形成在先前参考图5D描述的处理阶段中形成的沟槽516的经修改下部竖直边界处。第二电介质间隔物结构522-2可大体上竖直延伸跨越(例如，在Z方向上)且覆盖第一电介质衬里结构524-1的内侧表面。

如图5E所示，第二电介质间隔物结构522-2可包含第一部分522-2A和第二部分522-2B。第二电介质间隔物结构522-2的第一部分522-2A可直接水平邻近于(例如，水平地在其上)第一电介质衬里结构524-1的第一部分524-1A形成，且第二部分522-2B可直接水平邻近于(例如，水平地在其上)第一电介质衬里结构524-1的第二部分524-1B形成。第一部分522-2A和第二部分522-2B可竖直延伸(例如，在Z方向上)到初步堆叠结构502内的彼此大体上相同的深度。第二电介质间隔物结构522-2的第一部分522-2A和第二部分522-2B中的每一个的竖直深度可大于或等于第一电介质衬里结构524-1(包含其第一部分524-1A和第二部分524-1B)的竖直深度。举例来说，第二电介质间隔物结构522-2的第一部分522-2A和第二部分522-2B可各自竖直延伸到且终止于竖直相邻于第一电介质衬里结构524-1的下部竖直边界的初步堆叠结构502的层508的第二绝缘结构506处。

第二电介质间隔物结构522-2可具有与先前参考图1G描述的第二电介质间隔物结构122-2大体上相同的水平尺寸(例如，宽度)和材料成分。另外，第二电介质间隔物结构522-2可以与先前参考图1G描述的第二电介质间隔物结构122-2大体上相同的方式形成。

接下来参考5F，在参考图5E所描述的处理阶段后，微电子装置结构500可经受类似于先前参考图5D和5E描述的那些处理动作的额外处理动作，以用更多电介质衬里结构524和更多电介质间隔物结构522填充沟槽516(图5E)的剩余部分，且形成竖直地下伏于且接触电介质衬里结构524和电介质间隔物结构522的低洼结构526。如图5F所示，低洼结构526可包含：正向阶梯结构528，其包含包括初步堆叠结构502的层508的水平末端的台阶532；反向阶梯结构530，其包含包括初步堆叠结构502的层508的额外水平末端的额外台阶534；以及中心区536，其水平地插入于正向阶梯结构528与反向阶梯结构530之间。低洼结构526的中心区536可例如构成用于正向阶梯结构528和反向阶梯结构530的相交区域和竖直终止位置。如下文进一步详细描述，不同电介质间隔物结构522和不同电介质衬里结构524可经形成为物理接触正向阶梯结构528的彼此不同的台阶532和反向阶梯结构530的彼此不同的额外台阶534。

如图5F所示，电介质衬里结构524可在低洼结构526的台阶532和额外台阶534处物理接触初步堆叠结构502的不同层508的第一绝缘结构504。如图5F所示，不同电介质衬里结构524(例如，第一电介质衬里结构524-1、第二电介质衬里结构524-2、第三电介质衬里结构524-3、第四电介质衬里结构524-4)的第一部分524-1A、524-2A、524-3A、524-4A可物理接触低洼结构526的反向阶梯结构530的额外台阶534中的至少一些；且不同电介质衬里结构524(例如，第一电介质衬里结构524-1、第二电介质衬里结构524-2、第三电介质衬里结构524-3、第四电介质衬里结构524-4)的第二部分524-1B、524-2B、524-3B、524-4B可物理接触低洼结构526的正向阶梯结构528的台阶532中的至少一些。电介质衬里结构524可具有大体上类似于先前参考图1H描述的电介质衬里结构124的那些水平位置和水平尺寸的水平位置和水平尺寸。

电介质间隔物结构522可水平邻近于电介质间隔物结构522形成于低洼结构526的不同台阶532和额外台阶534上方。如图5F所示，不同电介质间隔物结构522(例如，第一电介质间隔物结构522-1、第二电介质间隔物结构522-2、第三电介质间隔物结构522-3、第四电介质间隔物结构522-4)的第一部分522-1A、522-2A、522-3A、522-4A可形成于低洼结构526的反向阶梯结构530的额外台阶534中的至少一些的水平边界上方和内部；且不同电介质间隔物结构522(例如，第一电介质间隔物结构522-1、第二电介质间隔物结构522-2、第三电介质间隔物结构522-3、第四电介质间隔物结构522-4)的第二部分522-1B、522-2B、522-3B、522-4B可形成于低洼结构526的正向阶梯结构528的台阶532中的至少一些的水平边界上方和内部。第五电介质间隔物结构522-5可形成于低洼结构526的中心区536的水平边界上方和内部。电介质间隔物结构522可具有大体上类似于先前参考图1H描述的电介质间隔物结构122的那些水平位置和水平尺寸的水平位置和水平尺寸。

仍参看图5F，低洼结构526的正向阶梯结构528的台阶532可各自分别包括初步堆叠结构502的一(1)个层508的水平末端。另外，低洼结构526的反向阶梯结构530的额外台阶534还可各自分别包括初步堆叠结构502的一(1)个层508的水平末端。在初步堆叠结构502内的大体上相同高程(例如，在Z方向上)的低洼结构526的个别台阶532和个别额外台阶534可彼此共享初步堆叠结构502的层508。举例来说，正向阶梯结构528的个别台阶532(例如，最上部台阶532)可包括初步堆叠结构502的个别层508的第一水平末端；且反向阶梯结构530的个别额外台阶534(例如，最上部额外台阶534)可位于与正向阶梯结构528的个别台阶532大体上相同的竖直位置，且可包括初步堆叠结构502的个别层508的第二水平末端。

接下来参考图5G，在图5F中描绘的处理阶段后，微电子装置结构500可经受大体上类似于先前参考图1I至1L描述的那些额外处理动作的额外处理动作以达到图5G中描绘的微电子装置结构500的配置。因此，在图5F中描绘的处理阶段后的形成微电子装置结构500的方法并入有先前从先前参考图1I描述的处理阶段到先前参考图1L描述的处理阶段关于微电子装置结构100的形成描述的处理阶段和特征。

参考图5G所描述的微电子装置结构500可包含于本公开的微电子装置(例如，存储器装置，例如3D NAND快闪存储器装置)的实施例中。借助于非限制性实例，在图5G中描绘的处理阶段的微电子装置结构500可包含于微电子装置200(图2)中作为微电子装置结构201(图2)，或可包含于微电子装置300(图3)中作为微电子装置结构301(图3)。在一些此类实施例中低洼结构226(图2)或低洼结构326(图3)可个别地具有大体上类似于先前相对于低洼结构526描述的几何配置(例如，形状和尺寸)(包含其正向阶梯结构528、反向阶梯结构530和中心区536的几何配置)(图5F和5G)，不同之处在于低洼结构226(图2)中的至少一些或低洼结构326(图3)中的至少一些可在堆叠结构202(图2)或堆叠结构302(图3)内定位于彼此不同的高程处(例如，在Z方向上的竖直位置)。另外，在堆叠结构202(图2)的个别块205(图2)或堆叠结构302(图3)的个别块305(图3)内，导电触点结构244(图2)或导电触点结构344(图3)、额外导电触点结构246(图2)或额外导电触点结构346(图3)以及电介质间隔物结构222(图2)或电介质间隔物结构322(图3)可分别对应于在图5G中描绘的处理阶段的微电子装置结构500的导电触点结构544、额外导电触点结构546和电介质间隔物结构522。

根据本公开的实施例的微电子装置结构(例如，先前参考图1L描述的微电子装置结构100；先前参考图4C描述的微电子装置结构400；先前参考图5G描述的微电子装置结构500)和微电子装置(例如，先前参考图2描述的微电子装置200；先前参考图3描述的微电子装置300)可用于本公开的电子系统的实施例中。举例来说，图6是根据本公开的实施例的说明性电子系统600的框图。电子系统600可包括例如计算机或计算机硬件组件、服务器或其它网络连接硬件组件、蜂窝式电话、数码相机、个人数字助理(PDA)、便携式媒体(例如，音乐)播放器、具有Wi-Fi或蜂窝功能的平板计算机(例如或平板计算机)、电子书、导航装置等。电子系统600包含至少一个存储器装置602。存储器装置602可包括例如本文中先前所描述的微电子装置结构和微电子装置中的一或多个的实施例。电子系统600可进一步包含至少一个电子信号处理器装置604(常常被称为“微处理器”)。电子信号处理器装置604可任选地包含本文中先前所描述的微电子装置结构和微电子装置中的一或多个的实施例。虽然存储器装置602和电子信号处理器装置604描绘为图6中的两(2)个单独装置，但在额外实施例中，具有存储器装置602和电子信号处理器装置604的功能性的单个(例如，仅一个)存储器/处理器装置包含在电子系统600中。在此类实施例中，存储器/处理器装置可包含本文中先前所描述的微电子装置结构和微电子装置中的一或多个。电子系统600可进一步包含用于由用户将信息输入到电子系统600中的一或多个输入装置606，例如鼠标或其它指向装置、键盘、触控板、按钮或控制面板。电子系统600可另外包含用于将信息(例如，视觉或音频输出)输出到用户的一或多个输出装置608，例如监视器、显示器、打印机、音频输出插口和扬声器。在一些实施例中，输入装置606和输出装置608可包括可用以将信息输入到电子系统600并将视觉信息输出给用户的单个触摸屏装置。输入装置606和输出装置608可与存储器装置602和电子信号处理器装置604中的一或多个电连通。

因此，根据本发明的实施例，电子系统包括输入装置、输出装置、以可操作方式耦合到所述输入装置和所述输出装置的处理器装置，以及以可操作方式耦合到所述处理器装置的存储器装置。存储器装置包括微电子装置结构，其包括堆叠结构、低洼结构和导电接触结构。堆叠结构包括布置于层中的导电结构和绝缘结构的竖直交替序列。低洼结构在堆叠结构内且包括各自具有包括层中的至少一些的边缘的台阶的相对阶梯结构。导电触点结构在低洼结构的相对阶梯结构的台阶处与堆叠结构的导电结构中的至少一些成一体式且连续。导电触点结构中的每一个个别地具有与相对阶梯结构的台阶中的一个的内部水平边界大体上共面的内部水平边界。

本公开的方法、结构(例如，微电子装置结构100、400、500)、装置(例如，微电子装置200、300)和系统(例如，电子系统600)与常规结构、常规装置和常规系统相比有利地促进改进的性能、可靠性和耐久性、较低成本、增加的组件小型化、改进的图案质量和较大封装密度中的一或多个。本公开的方法和结构可缓解与形成和处理包含在其边缘处具有阶梯结构的堆叠结构的常规微电子装置相关的问题。举例来说，本公开的方法和结构并不存在与正确地形成常规微电子装置结构的阶梯结构以接纳其上的触点结构相关联的相对小的尺寸和间距误差容限。另外，与常规方法和常规结构相比，本公开的方法和结构可减少不合意的损坏(例如，触点穿通)以及不合意的电流泄漏和短路的风险。

下文阐述本公开的额外非限制性实例实施例。

实施例1：一种微电子装置，其包括：堆叠结构，其包括布置于层中的导电结构和绝缘结构的竖直交替序列，所述层中的每一个包括所述导电结构中的一个和所述绝缘结构中的一个；低洼结构，其在所述堆叠结构内且包括：正向阶梯结构，其具有包括所述层的边缘的台阶；以及反向阶梯结构，其与所述正向阶梯结构相对且具有包括所述层的额外边缘的额外台阶；以及导电触点结构，其在所述正向阶梯结构的所述台阶和所述反向阶梯结构的所述额外台阶处竖直延伸到所述堆叠结构的所述导电结构中的至少一些的上部竖直边界，所述导电触点结构各自与所述导电结构中的一个成一体式且连续。

实施例2：根据实施例1所述的微电子装置，其中所述导电触点结构包括：第一导电触点结构，其在所述正向阶梯结构的所述台阶处与所述堆叠结构的所述导电结构中的一些成一体式且连续，所述第一导电触点结构中的每一个个别地具有与所述台阶中的一个的水平边界大体上共面的水平边界；以及第二导电触点结构，其在所述反向阶梯结构的所述额外台阶处与所述堆叠结构的所述导电结构中的一些其它导电结构成一体式且连续，所述第一导电触点结构中的每一个个别地具有与所述额外台阶中的一个的水平边界大体上共面的水平边界。

实施例3：根据实施例1和2中的一个所述的微电子装置，其中所述导电触点结构中的一或多个的水平宽度大体上等于与所述导电触点结构中的所述一或多个成一体式且连续的所述导电结构中的一或多个的竖直高度。

实施例4：根据实施例1至3中的任一个所述的微电子装置，其进一步包括在所述正向阶梯结构的所述台阶和所述反向阶梯结构的所述额外台阶上的电介质间隔物结构，所述电介质间隔物结构与所述导电触点结构水平地交替。

实施例5：根据实施例4所述的微电子装置，其中所述电介质间隔物结构包括：第一电介质间隔物结构，其在所述正向阶梯结构的所述台阶上且个别地水平插入于所述导电触点结构的水平相邻对之间；以及第二电介质间隔物结构，其在所述反向阶梯结构的所述额外台阶上且个别地水平插入于所述导电触点结构的额外水平相邻对之间。

实施例6：根据实施例1至5中的任一个所述的微电子装置，其中所述正向阶梯结构的所述台阶中的每一个的上部竖直边界从所述反向阶梯结构的所述额外台阶中的每一个的上部竖直边界竖直地偏移。

实施例7：根据实施例1至6中的任一项所述的微电子装置，其中所述正向阶梯结构的所述台阶的上部表面从与其竖直最接近的所述反向阶梯结构的所述额外台阶的上部表面竖直地偏移一个距离，所述距离大体上等于所述堆叠结构的所述层中的一个的竖直高度。

实施例8：根据实施例1至7中的任一个所述的微电子装置，其中所述低洼结构进一步包括水平地插入于所述正向阶梯结构与所述反向阶梯结构之间的中心区，所述中心区具有从所述正向阶梯结构的底部和所述反向阶梯结构的底部且在所述两个底部之间水平延伸的部分非平面下部竖直边界。

实施例9：根据实施例1至8中的任一个所述的微电子装置，其中：所述正向阶梯结构的所述台阶中的每一个个别地包括所述堆叠结构的一对所述层的水平末端；且所述反向阶梯结构的所述额外台阶中的每一个个别地包括所述堆叠结构的额外对所述层的水平末端。

实施例10：根据实施例1至8中的任一个所述的微电子装置，其中：所述正向阶梯结构的所述台阶中的每一个个别地包括所述堆叠结构的所述层中的至少四个的群组的水平末端；且所述反向阶梯结构的所述额外台阶中的每一个个别地包括所述堆叠结构的所述层中的至少四个的额外群组的水平末端。

实施例11：根据实施例1至5和8至10中的任一个所述的微电子装置，其中所述正向阶梯结构的所述台阶中的至少一些的上部竖直边界与所述反向阶梯结构的所述额外台阶中的至少一些的上部竖直边界大体上共面。

实施例12：根据实施例1至5和9至11中的任一个所述的微电子装置，其中所述低洼结构进一步包括水平地插入于所述正向阶梯结构与所述反向阶梯结构之间的中心区，所述中心区具有从所述正向阶梯结构的底部水平延伸到所述反向阶梯结构的底部的大体上平坦下部竖直边界。

实施例13：根据实施例1至5和9至12中的任一个所述的微电子装置，其中：所述正向阶梯结构的所述台阶中的一个包括所述堆叠结构的所述层中的一个的水平末端；且所述反向阶梯结构的所述额外台阶中的一个包括所述堆叠结构的所述层中的所述一个的额外水平末端。

实施例14：一种形成微电子装置的方法，其包括：形成包括布置于层中的绝缘结构和额外绝缘结构的竖直交替序列的初步堆叠结构，所述层中的每一个包括所述绝缘结构中的一个和所述额外绝缘结构中的一个；形成竖直延伸进入所述初步堆叠结构的沟槽；在所述沟槽的水平边界内形成电介质间隔物结构和电介质衬里结构的水平交替序列，所述电介质衬里结构中的至少一些物理接触所述初步堆叠结构的彼此不同的绝缘结构；以及用导电材料至少部分地替换所述初步堆叠结构的所述电介质衬里结构和所述绝缘结构的电介质材料。

实施例15：根据实施例14所述的方法，其中在所述沟槽的水平边界内形成电介质间隔物结构和电介质衬里结构的水平交替序列包括：在所述沟槽内形成第一电介质间隔物结构；在所述沟槽内且在所述第一电介质间隔物结构的水平内侧形成第一电介质衬里结构，所述第一电介质衬里结构物理接触所述初步堆叠结构的所述绝缘结构中的至少一个；在所述沟槽内且在所述第一电介质衬里结构的水平内侧形成第二电介质间隔物结构；以及在所述沟槽内且在所述第二电介质间隔物结构的水平内侧形成第二电介质衬里结构，所述第二电介质衬里结构在所述初步堆叠结构内比所述绝缘结构中的所述至少一个相对更低的竖直位置处物理接触所述绝缘结构中的至少一个其它绝缘结构。

实施例16：根据实施例15所述的方法，其中：在所述沟槽内形成第一电介质衬里结构包括：形成所述第一电介质衬里结构的第一部分以物理接触所述绝缘结构中的第一个；以及形成所述第一电介质衬里结构的第二部分以物理接触竖直相邻于所述绝缘结构中的所述第一个的所述绝缘结构中的第二个；且在所述沟槽内形成第二电介质衬里结构包括：形成所述第二电介质衬里结构的第一部分以物理接触竖直地下伏于所述绝缘结构中的所述第二个的所述绝缘结构中的第三个；以及形成所述第二电介质衬里结构的第二部分以物理接触竖直相邻于所述绝缘结构中的所述第三个的所述绝缘结构中的第四个。

实施例17：根据实施例15和16中的任一个所述的方法，其中：在所述沟槽内形成第一电介质间隔物结构包括：形成所述第一电介质间隔物结构的第一部分以物理接触所述额外绝缘结构中的第一个；以及形成所述第一电介质间隔物结构的第二部分以物理接触竖直相邻于所述额外绝缘结构中的所述第一个的所述额外绝缘结构中的第二个；且在所述沟槽内形成第二电介质间隔物结构包括：形成所述第二电介质间隔物结构的第一部分以物理接触竖直地下伏于所述额外绝缘结构中的所述第二个的所述额外绝缘结构中的第三个；以及形成所述第二电介质间隔物结构的第二部分以物理接触竖直相邻于所述额外绝缘结构中的所述第三个的所述额外绝缘结构中的第四个。

实施例18：根据实施例14所述的方法，其中在所述沟槽的水平边界内形成电介质间隔物结构和电介质衬里结构的水平交替序列包括在所述初步堆叠结构内和所述沟槽的水平边界内形成低洼结构，所述低洼结构包括：正向阶梯结构，其具有包括所述层的水平末端的台阶，所述电介质衬里结构的一些部分在所述正向阶梯结构的所述台阶处与所述初步堆叠结构的所述绝缘结构中的一些物理接触；以及反向阶梯结构，其与所述正向阶梯结构相对且具有包括所述层的额外水平末端的额外台阶，所述电介质衬里结构的一些其它部分在所述反向阶梯结构的所述额外台阶处与所述初步堆叠结构的所述绝缘结构中的一些其它绝缘结构物理接触。

实施例19：根据实施例18所述的方法，其中形成低洼结构包括将所述正向阶梯结构的所述台阶中的每一个的上部表面形成为从所述反向阶梯结构的所述额外台阶中的每一个的上部表面竖直地偏移。

实施例20：根据实施例18所述的方法，其中形成低洼结构包括将所述正向阶梯结构的所述台阶中的一些的上部表面形成为与所述反向阶梯结构的所述额外台阶中的一些的上部表面大体上共面。

实施例21：根据实施例18至20中的任一个所述的方法，其中形成低洼结构包括：将所述正向阶梯结构的所述台阶中的每一个形成为个别地包括所述初步堆叠结构的所述层中的至少两个的群组的水平末端；以及将所述反向阶梯结构的所述额外台阶中的每一个形成为包括所述初步堆叠结构的所述层中的至少两个的额外群组的水平末端，所述额外群组与所述群组共享所述初步堆叠结构的所述层中的至少一个。

实施例22：一种存储器装置，其包括：堆叠结构，其具有各自包括导电结构和竖直相邻于所述导电结构的绝缘结构的层；低洼结构，其在所述堆叠结构内定位于彼此不同的竖直深度处，所述低洼结构中的每一个包括：正向阶梯结构，其具有包括所述层的群组的水平末端的台阶；以及反向阶梯结构，其与所述正向阶梯结构相对且具有包括所述层的所述群组的额外水平末端的额外台阶；导电触点结构，其在所述低洼结构的所述台阶和所述额外台阶处从所述堆叠结构的所述导电结构中的至少一些竖直延伸，所述导电触点结构各自与所述导电结构中的一个成一体式且连续；以及存储器单元串，其竖直地延伸穿过所述堆叠结构。

实施例23：根据实施例22所述的存储器装置，其中：所述堆叠结构经划分成块阵列，所述块阵列的相邻块在第一水平方向上经电介质填充的狭槽彼此分离且各自在正交于所述第一水平方向的第二水平方向上延伸；且所述低洼结构在所述块阵列的所述相邻块中的两个或更多个之间个别地划分，所述经电介质填充的狭槽水平地插入于所述低洼结构的不同区段之间。

实施例24：根据实施例23所述的存储器装置，其中所述块阵列的至少一些块个别地包括字线桥接区，所述字线桥接区从在所述第一水平方向上彼此水平相邻的所述低洼结构中的一些的区段且在所述区段之间水平延伸。

实施例25：根据实施例22至24中的任一个所述的存储器装置，其进一步包括：数据线，其上覆于所述堆叠结构且电耦合到所述存储器单元串；源极结构，其下伏于所述堆叠结构且电耦合到所述存储器单元串；存取线，其电耦合到所述导电触点结构；以及控制装置，其电耦合到所述源极结构、所述数据线和所述存取线。

实施例26：一种电子系统，其包括：输入装置；输出装置；处理器装置，其以可操作方式耦合到所述输入装置和所述输出装置；以及存储器装置，其以可操作方式耦合到所述处理器装置且包括至少一个微电子装置结构，所述微电子装置结构包括：堆叠结构，其包括布置于层中的导电结构和绝缘结构的竖直交替序列；低洼结构，其在所述堆叠结构内且包括各自具有包括所述层中的至少一些的边缘的台阶的相对阶梯结构；以及导电触点结构，其在所述低洼结构的所述相对阶梯结构的所述台阶处与所述堆叠结构的所述导电结构中的至少一些成一体式且连续，所述导电触点结构中的每一个个别地具有与所述相对阶梯结构的所述台阶中的一个的内部水平边界大体上共面的内部水平边界。

尽管本公开可以易有各种修改以及替代形式，但特定实施例已经在附图中借助于实例示出并且已经在本文中详细描述。然而，本公开不限于所公开的特定形式。实际上，本公开涵盖落入所附权利要求书的范围内的所有修改、等效物和替代方案以及其合法等效物。