具体实施方式

现在将详细参照示例实施方式，示例实施方式的示例在附图中被示出，其中相同的附图标记始终指代相同的元件。就这一点而言，本示例实施方式可以具有不同的形式，而不应被解释为限于在这里阐述的描述。因此，下面仅通过参照附图描述示例实施方式以解释各方面。当在这里使用时，术语“和/或”包括一个或更多个相关所列项目的任何和所有组合。诸如“……中的至少一个”的表述，当在一列元素之后时，修饰整列元素而不修饰该列中的个别元素。

在下文中，将参照附图描述示例实施方式。在附图中，相同的附图标记指代相同的元件，并且为了图示的清楚和方便，元件的尺寸可以被夸大。在这里描述的示例实施方式仅用于说明目的，并且可以在其中进行各种各样的修改。

在下面的描述中，当一元件被称为在另一元件“上方”或“上”时，它可以在与所述另一元件接触的同时直接在所述另一元件上，或者可以在所述另一元件上方而不与所述另一元件接触。

除非另外提及，否则单数形式的术语可以包括复数形式。将进一步理解，这里使用的术语“包含”和/或“包含……的”表明所陈述的特征或元件的存在，但是不排除一个或更多个其它特征或元件的存在或添加。

图1是根据示例实施方式的氧化物半导体晶体管1的透视图。图2是沿图1的线A-A'截取的剖视图。

参照图1和图2，可以如下提供氧化物半导体晶体管1。氧化物半导体晶体管1可以包括绝缘基板100、氧化物半导体层200、栅极绝缘层300、栅电极400、源电极510和/或漏电极520。绝缘基板100可以包括电绝缘材料。例如，绝缘基板100可以包括硅氧化物、硅氮化物或硅氮氧化物。

绝缘基板100可以包括沟槽102。沟槽102可以是通过使绝缘基板100的顶表面100u凹入而形成的区域。沟槽102可以在平行于绝缘基板100的顶表面100u的第一方向DR1上具有一宽度。沟槽102可以在与第一方向DR1交叉并且平行于绝缘基板100的顶表面100u的第二方向DR2上延伸。

氧化物半导体层200可以提供在绝缘基板100上。氧化物半导体层200可以提供在绝缘基板100的通过沟槽102暴露的表面上以及在绝缘基板100的顶表面100u上。氧化物半导体层200可以沿着绝缘基板100的通过沟槽102暴露的表面和绝缘基板100的顶表面100u延伸。例如，氧化物半导体层200可以共形地延伸。氧化物半导体层200的厚度可以根据需要确定。氧化物半导体层200可以包括氧化物半导体。例如，氧化物半导体层200可以包括选自第12、13和14族金属元素(诸如锌(Zn)、铟(In)、镓(Ga)、锡(Sn)、镉(Cd)、锗(Ge)、铪(Hf)或其组合)的材料的氧化物。例如，氧化物半导体层200可以包括基于Zn氧化物的材料，诸如Zn氧化物、In-Zn氧化物或Ga-In-Zn氧化物等。例如，氧化物半导体层200可以包括In-Ga-Zn-O(IGZO)半导体，其中诸如铟(In)和镓(Ga)的金属包含在ZnO中。氧化物半导体层200可以提供在其中形成氧化物半导体晶体管1的沟道的区域。

氧化物半导体层200可以包括源极区210和漏极区220。源极区210和漏极区220可以在第一方向DR1上彼此间隔开，并且沟槽102在其间。可以通过将n型或p型掺杂剂注入到提供在绝缘基板100的顶表面100u上的氧化物半导体层200中来形成源极区210和漏极区220。源极区210和漏极区220可以具有导电类型。例如，源极区210和漏极区220可以具有n型导电性。源极区210和漏极区220可以与绝缘基板100的顶表面100u直接接触。

栅电极400可以提供在沟槽102中。栅电极400可以在垂直于绝缘基板100的顶表面100u的第三方向DR3上延伸。栅电极400可以突出到沟槽102的外部。栅电极400的顶表面404可以高于绝缘基板100的顶表面100u。栅电极400可以在第二方向DR2上延伸。栅电极400的第一侧表面401、第二侧表面402和底表面403可以面对氧化物半导体层200。栅电极400可以与氧化物半导体层200电断开。栅电极400可以与氧化物半导体层200分开。栅电极400可以包括导电材料。例如，栅电极400可以包括金属或金属化合物。

在沟槽102中，栅极绝缘层300可以在栅电极400和氧化物半导体层200之间。在沟槽102外部，栅极绝缘层300可以提供在氧化物半导体层200和栅电极400上。栅极绝缘层300可以围绕栅电极400的顶表面404、第一侧表面401、第二侧表面402和底表面403。栅极绝缘层300可以沿着氧化物半导体层200的顶表面延伸。在下面的描述中，氧化物半导体层200的顶表面可以指与氧化物半导体层200的面对绝缘基板100的表面相反的氧化物半导体层200的表面。在下面的描述中，氧化物半导体层200的面对绝缘基板100的表面可以被称为氧化物半导体层200的底表面。栅极绝缘层300可以暴露源极区210和漏极区220。换句话说，栅极绝缘层300可以包括通过其分别暴露源极区210和漏极区220的开口。栅极绝缘层300可以使栅电极400和氧化物半导体层200彼此分离。栅极绝缘层300可以使栅电极400和氧化物半导体层200彼此电断开。栅极绝缘层300的厚度可以根据需要确定。

在一示例中，栅极绝缘层300可以包括铁电材料。铁电材料是指呈现自发极化的非导体或电介质，并且与呈现两种或更多种铁性性质(诸如铁电性、铁弹性、铁磁性、反铁磁性等)的多铁性材料区分开。例如，铁电材料可以包括选自由氧化物铁电材料、聚合物铁电材料、诸如(BMF)BaMgF₄的氟化物铁电材料和铁电材料半导体组成的组中的至少一种。氧化物铁电材料的示例可以包括：钙钛矿铁电体，诸如(PZT)PbZr_xTi_1-xO₃、BaTiO₃和PbTiO₃；伪钛铁矿(pseudo-ilmenite)铁电体，诸如LiNbO₃和LiTaO₃；钨青铜(TB)铁电体，诸如PbNb₃O₆和Ba₂NaNb₅O₁₅；铋层结构铁电体，诸如SBT(SrBi₂Ta₂O₉)、BLT((Bi,La)₄Ti₃O₁₂)和Bi₄Ti₃O₁₂；烧绿石(pyrochlore)铁电体，诸如La₂Ti₂O₇；这些铁电体的固溶体；包括稀土元素(R)诸如钇(Y)、铒(Er)、钬(Ho)、铥(Tm)、镱(Yb)和镥(Lu)的RMnO₃；PGO(Pb₅Ge₃O₁₁)。例如，聚合物铁电材料可以包括选自由聚偏二氟乙烯(PVDF)、含PVDF的聚合物、含PVDF的共聚物、含PVDF的三元共聚物、氰基聚合物以及其聚合物和/或共聚物组成的组中的至少一种。铁电材料半导体的示例可以包括诸如CdZnTe、CdZnS、CdZnSe、CdMnS、CdFeS、CdMnSe和CdFeSe的2-6族化合物。例如，铁电材料可以包括HfO、Hf_xZr_1-xO、ZrO或具有萤石结构并掺有硅(Si)、铝(Al)、锆(Zr)、钇(Y)、镧(La)、钆(Gd)、锶(Sr)或铪(Hf)的铁电体。

在一示例中，栅极绝缘层300可以包括高k电介质材料。高k电介质材料可以指具有比硅氧化物的介电常数大的介电常数的材料。例如，栅极绝缘层300可以包括ZrO₂、HfO₂、La₂O₃、Ta₂O₅、BaO或TiO₂。

在一示例中，栅极绝缘层300可以包括不是高k电介质材料的电介质材料。例如，栅极绝缘层300可以包括SiO₂、SiN、AlO或其组合。

源电极510和漏电极520可以分别提供在源极区210和漏极区220上。源电极510和漏电极520可以分别电连接到源极区210和漏极区220。源电极510和漏电极520可以穿透栅极绝缘层300，并且可以分别与源极区210和漏极区220直接接触。源电极510和漏电极520可以包括导电材料。例如，源电极510和漏电极520可以包括金属或金属化合物。

氧化物半导体晶体管1的沟道长度可以与氧化物半导体层200在源极区210和漏极区220之间的长度相同或基本相同。当栅电极400布置在没有沟槽102的绝缘基板100的顶表面100u上时，沟道长度可以与源极区210和漏极区220之间在第一方向DR1上的距离相同或基本相同。由于本示例实施方式的氧化物半导体层200沿着绝缘基板100的通过沟槽102暴露的表面延伸，所以沟道长度可以大于源极区210和漏极区220之间在第一方向DR1上的距离。本示例实施方式的氧化物半导体晶体管1可以具有大的沟道长度。因此，氧化物半导体晶体管1可以具有改善的电特性。

图3是示出根据示例实施方式的氧化物半导体晶体管2的剖视图，该剖视图对应于图1的线A-A'。为了图示的清楚，与参照图1和图2描述的结构相同或基本相同的结构在这里可以不被描述。

参照图3，可以如下提供氧化物半导体晶体管2。氧化物半导体晶体管2可以包括绝缘基板100、氧化物半导体层200、电介质层600、栅极绝缘层300、栅电极400、源电极510和/或漏电极520。绝缘基板100、氧化物半导体层200、栅电极400、源电极510和漏电极520可以与参照图1和图2描述的绝缘基板100、氧化物半导体层200、栅电极400、源电极510和漏电极520相同或基本相同。

与参照图1和图2给出的描述中不同，栅极绝缘层300可以是铁电层。换句话说，栅极绝缘层300可以不包括电介质材料或高k电介质材料。

电介质层600可以提供在氧化物半导体层200和栅极绝缘层300之间。电介质层600可以沿着氧化物半导体层200的顶表面延伸。电介质层600可以暴露源极区210和漏极区220。源电极510和漏电极520可以穿透电介质层600，并且可以分别与源极区210和漏极区220直接接触。电介质层600的厚度可以根据需要确定。电介质层600可以包括用于获得期望电容的材料。作为包括在电介质层600中的材料，可以使用具有高介电常数的电介质来应对集成电路器件的高度集成。电介质层600可以包括具有高介电常数的材料。高介电常数可以指大于硅氧化物的介电常数的介电常数。在示例实施方式中，电介质层600可以包括金属氧化物，该金属氧化物包含选自由钙(Ca)、锶(Sr)、钡(Ba)、钪(Sc)、钇(Y)、镧(La)、钛(Ti)、铪(Hf)、锆(Zr)、铌(Nb)、钽(Ta)、铈(Ce)、镨(Pr)、钕(Nd)、钆(Gd)、镝(Dy)、镱(Yb)和镥(Lu)组成的组中的至少一种金属。例如，电介质层600可以包括HfO₂、ZrO₂、CeO₂、La₂O₃、Ta₂O₃或TiO₂。

由于电介质层600，栅极绝缘层300(也就是，铁电层)可以具有负电容特性。根据本示例实施方式，氧化物半导体晶体管2可以具有大的沟道长度并且可以使用负电容特性。因此，氧化物半导体晶体管2可以具有改善的电特性。

图4是示出根据示例实施方式的氧化物半导体晶体管3的剖视图，该剖视图对应于图1的线A-A'。为了图示的清楚，与参照图1和图2描述的结构相同或基本相同的结构在这里可以不被描述。

参照图4，可以如下提供氧化物半导体晶体管3。氧化物半导体晶体管3可以包括绝缘基板100、下扩散阻挡件710、氧化物半导体层200、上扩散阻挡件720、栅极绝缘层300、栅电极400以及源电极510和/或漏电极520。绝缘基板100、氧化物半导体层200、栅电极400、源电极510和漏电极520可以与参照图1和图2描述的绝缘基板100、氧化物半导体层200、栅电极400、源电极510和漏电极520相同或基本相同。

下扩散阻挡件710可以提供在绝缘基板100和氧化物半导体层200之间。下扩散阻挡件710可以沿着氧化物半导体层200的底表面延伸。下扩散阻挡件710可以在源极区210和绝缘基板100之间延伸。下扩散阻挡件710可以使源极区210和绝缘基板100彼此分离。下扩散阻挡件710可以与源极区210直接接触。下扩散阻挡件710可以在漏极区220和绝缘基板100之间延伸。下扩散阻挡件710可以使漏极区220和绝缘基板100彼此分离。下扩散阻挡件710可以与漏极区220直接接触。下扩散阻挡件710可以防止，例如减少或防止氢渗透到氧化物半导体层200的下部中。例如，下扩散阻挡件710可以包括Al₂O₃、SiN、SiON或其组合。下扩散阻挡件710的厚度可以根据需要确定。

上扩散阻挡件720可以提供在氧化物半导体层200和栅极绝缘层300之间。上扩散阻挡件720可以沿着氧化物半导体层200的顶表面延伸。上扩散阻挡件720可以暴露源极区210和漏极区220。源电极510和漏电极520可以穿透上扩散阻挡件720，并且可以分别与源极区210和漏极区220直接接触。上扩散阻挡件720可以防止，例如减少或防止氢渗透到氧化物半导体层200的上部中。例如，上扩散阻挡件720可以包括Al₂O₃、SiN、SiON或其组合。上扩散阻挡件720的厚度可以根据需要确定。在其它示例中，可以仅设置下扩散阻挡件710和上扩散阻挡件720之一。在本示例实施方式中，下扩散阻挡件710和上扩散阻挡件720可以防止，例如减少或防止氢渗透到氧化物半导体层200中，并且氧化物半导体晶体管3可以具有大的沟道长度。因此，氧化物半导体晶体管3可以具有改善的电特性。

图5是示出根据示例实施方式的氧化物半导体晶体管4的剖视图，该剖视图对应于图1的线A-A'。为了图示的清楚，与参照图1和图2描述的结构相同或基本相同的结构在这里可以不被描述。

参照图5，可以如下提供氧化物半导体晶体管4。氧化物半导体晶体管4可以包括绝缘基板100、氧化物半导体层200、栅极绝缘层300、栅电极400、源电极510、漏电极520、第一附加栅电极410和/或第一附加栅极绝缘层310。

绝缘基板100、氧化物半导体层200、栅极绝缘层300、栅电极400、源电极510和漏电极520可以与参照图1和图2描述的绝缘基板100、氧化物半导体层200、栅极绝缘层300、栅电极400、源电极510和漏电极520相同或基本相同。

第一附加栅电极410可以提供在绝缘基板100的通过沟槽102暴露的表面上。第一附加栅电极410可以沿着绝缘基板100的通过沟槽102暴露的表面延伸。第一附加栅电极410的在第一附加栅电极410的延伸方向上彼此相反的端表面可以与绝缘基板100的顶表面100u共面。第一附加栅电极410的在第一附加栅电极410的延伸方向上彼此相反的端表面可以基本上位于与绝缘基板100的顶表面100u相同的水平处。第一附加栅电极410可以与氧化物半导体层200电断开。第一附加栅电极410可以与氧化物半导体层200隔开。第一附加栅电极410可以包括导电材料。例如，第一附加栅电极410可以包括金属或金属化合物。

第一附加栅极绝缘层310可以提供在第一附加栅电极410和氧化物半导体层200之间以及在绝缘基板100和氧化物半导体层200之间。第一附加栅极绝缘层310可以沿着氧化物半导体层200的底表面延伸。第一附加栅极绝缘层310可以使第一附加栅电极410和氧化物半导体层200彼此电断开。第一附加栅极绝缘层310可以使第一附加栅电极410和氧化物半导体层200彼此分离。第一附加栅极绝缘层310可以在源极区210和绝缘基板100之间延伸，以使源极区210和绝缘基板100彼此分离。第一附加栅极绝缘层310可以在漏极区220和绝缘基板100之间延伸，以使漏极区220和绝缘基板100彼此分离。第一附加栅极绝缘层310的厚度可以根据需要确定。第一附加栅极绝缘层310可以包括铁电材料、电介质材料或高k电介质材料。铁电材料、电介质材料和高k电介质材料可以与参照图1和图2描述的那些相同或基本相同。在一示例中，第一附加栅极绝缘层310可以具有与栅极绝缘层300相同或基本相同的厚度和材料。

栅电极400和第一附加栅电极410可以是双栅结构的栅电极。本示例实施方式的氧化物半导体晶体管4可以具有双栅结构和大的沟道长度。因此，氧化物半导体晶体管4可以具有改善的电特性。

图6是示出根据示例实施方式的氧化物半导体晶体管5的剖视图，该剖视图对应于图1的线A-A'。为了图示的清楚，与参照图1和图2描述的结构相同或基本相同的结构在这里可以不被描述。

参照图6，可以如下提供氧化物半导体晶体管5。氧化物半导体晶体管5可以包括绝缘基板100、氧化物半导体层200、栅极绝缘层300、栅电极400、源电极510、漏电极520、第二附加栅极绝缘层320和/或第二附加栅电极420。

绝缘基板100、氧化物半导体层200、栅极绝缘层300、栅电极400、源电极510和漏电极520可以与参照图1和图2描述的绝缘基板100、氧化物半导体层200、栅极绝缘层300、栅电极400、源电极510和漏电极520相同或基本相同。

与参照图1和图2给出的描述中不同，沟槽102的下部可以不被氧化物半导体层200、栅极绝缘层300和栅电极400填充。第二附加栅电极420和第二附加栅极绝缘层320可以提供在沟槽102的下部中。沟槽102可以被第二附加栅电极420、第二附加栅极绝缘层320、氧化物半导体层200、栅极绝缘层300和栅电极400完全填充。

第二附加栅电极420可以提供在氧化物半导体层200的与栅电极400相反的一侧。第二附加栅电极420和栅电极400可以在第三方向DR3上彼此隔开。第二附加栅电极420可以包括导电材料。例如，第二附加栅电极420可以包括金属或金属化合物。

第二附加栅极绝缘层320可以被提供在第二附加栅电极420和氧化物半导体层200之间。第二附加栅极绝缘层320可以布置在氧化物半导体层200的与栅极绝缘层300相反的一侧。第二附加栅极绝缘层320可以将第二附加栅电极420和氧化物半导体层200彼此电隔离。第二附加栅极绝缘层320可以使第二附加栅电极420和氧化物半导体层200彼此分离。第二附加栅极绝缘层320可以包括铁电材料、电介质材料或高k电介质材料。铁电材料、电介质材料和高k电介质材料可以与参照图1和图2描述的那些相同或基本相同。在一示例中，第二附加栅极绝缘层320可以具有与栅极绝缘层300相同或基本相同的厚度和材料。

栅电极400和第二附加栅电极420可以是双栅结构的栅电极。本示例实施方式的氧化物半导体晶体管5可以具有双栅结构和大的沟道长度。因此，氧化物半导体晶体管5可以具有改善的电特性。

图7是根据示例实施方式的氧化物半导体晶体管6的透视图。图8是沿着图7的线B-B'截取的剖视图。为了图示的清楚，与参照图1和图2描述的结构相同或基本相同的结构在这里可以不被描述。

参照图7和图8，可以如下提供氧化物半导体晶体管6。氧化物半导体晶体管6可以包括绝缘基板1100、栅电极1200、栅极绝缘层1300、氧化物半导体层1400、源电极1610和/或漏电极1620。绝缘基板1100可以包括电绝缘材料。例如，绝缘基板1100可以包括硅氧化物、硅氮化物或硅氮氧化物。

栅电极1200可以提供在绝缘基板1100上。栅电极1200的第一侧表面1201、第二侧表面1202和顶表面1204可以在绝缘基板1100上方暴露。栅电极1200的第一侧表面1201和第二侧表面1202可以在第一方向DR1上彼此相反。在一示例中，栅电极1200的底表面1203可以与绝缘基板1100的顶表面1100u直接接触。栅电极1200可以包括导电材料。例如，栅电极1200可以包括金属或金属化合物。

栅极绝缘层1300可以提供在绝缘基板1100和栅电极1200上。栅极绝缘层1300可以覆盖绝缘基板1100和栅电极1200。栅极绝缘层1300可以沿着绝缘基板1100的顶表面1100u以及栅电极1200的第一侧表面1201、第二侧表面1202和顶表面1204延伸。例如，栅极绝缘层1300可以沿着绝缘基板1100的顶表面1100u以及栅电极1200的第一侧表面1201、第二侧表面1202和顶表面1204共形地延伸。栅极绝缘层1300的厚度可以根据需要确定。栅极绝缘层1300可以包括铁电材料、电介质材料或高k电介质材料。铁电材料、电介质材料和高k电介质材料可以与参照图1和图2描述的那些相同或基本相同。

氧化物半导体层1400可以提供在栅极绝缘层1300上。氧化物半导体层1400可以沿着栅极绝缘层1300延伸。例如，氧化物半导体层1400可以沿着栅极绝缘层1300的顶表面共形地延伸。栅极绝缘层1300的顶表面可以与栅极绝缘层1300的面对绝缘基板1100的底表面相反。由于栅极绝缘层1300，氧化物半导体层1400可以与栅电极1200和绝缘基板1100分离。由于栅极绝缘层1300，氧化物半导体层1400可以与栅电极1200电断开。氧化物半导体层1400的厚度可以根据需要确定。氧化物半导体层1400可以包括氧化物半导体。氧化物半导体可以与参照图1和图2描述的相同或基本相同。

氧化物半导体层1400可以包括源极区1410和漏极区1420。源极区1410和漏极区1420可以在第一方向DR1上彼此隔开，并且栅电极1200在其间。可以通过将n型或p型掺杂剂注入到提供在绝缘基板1100的顶表面1100u上方的氧化物半导体层1400中来形成源极区1410和漏极区1420。源极区1410和漏极区1420可以具有一导电类型。例如，源极区1410和漏极区1420可以具有n型导电性。源极区1410和漏极区1420可以与栅极绝缘层1300的顶表面直接接触。

上绝缘层1500可以提供在氧化物半导体层1400上。上绝缘层1500可以覆盖氧化物半导体层1400。上绝缘层1500可以包括电绝缘材料。例如，上绝缘层1500可以包括硅氧化物、硅氮化物或硅氮氧化物。

源电极1610和漏电极1620可以分别提供在源极区1410和漏极区1420上。源电极1610和漏电极1620可以分别电连接到源极区1410和漏极区1420。源电极1610和漏电极1620可以穿透上绝缘层1500，并且可以分别与源极区1410和漏极区1420直接接触。源电极1610和漏电极1620可以包括导电材料。例如，源电极1610和漏电极1620可以包括金属或金属化合物。

氧化物半导体晶体管6的沟道长度可以与氧化物半导体层1400在源极区1410和漏极区1420之间的长度相同或基本相同。当氧化物半导体层1400提供在栅电极1200和绝缘基板1100之间时，氧化物半导体晶体管6的沟道长度取决于源极区1410和漏极区1420之间在第一方向DR1上的距离。

由于本示例实施方式的氧化物半导体层1400沿着栅电极1200的第一侧表面1201、第二侧表面1202和顶表面1204延伸，所以沟道长度可以大于源极区1410和漏极区1420之间在第一方向DR1上的距离。因此，本示例实施方式的氧化物半导体晶体管6可以具有大的沟道长度。结果，氧化物半导体晶体管6可以具有改善的电特性。

图9是示出根据示例实施方式的氧化物半导体晶体管7的剖视图，该剖视图对应于图7的线B-B'。为了图示的清楚，与参照图7和图8描述的结构相同或基本相同的结构在这里可以不被描述。

参照图9，可以如下提供氧化物半导体晶体管7。氧化物半导体晶体管7可以包括绝缘基板1100、栅电极1200、栅极绝缘层1300、电介质层1700、氧化物半导体层1400、源电极1610和/或漏电极1620。绝缘基板1100、栅电极1200、氧化物半导体层1400、源电极1610和漏电极1620可以与参照图7和图8描述的绝缘基板1100、栅电极1200、氧化物半导体层1400、源电极1610和漏电极1620相同或基本相同。

与参照图7和图8给出的描述中不同，栅极绝缘层1300可以是铁电层。换句话说，栅极绝缘层1300可以不包括电介质材料或高k电介质材料。

电介质层1700可以提供在栅极绝缘层1300和氧化物半导体层1400之间。电介质层1700可以沿着栅极绝缘层1300的顶表面延伸。电介质层1700可以在源极区1410和栅极绝缘层1300之间延伸。电介质层1700可以使源极区1410和栅极绝缘层1300彼此分离。电介质层1700可以与源极区1410直接接触。电介质层1700可以在漏极区1420和栅极绝缘层1300之间延伸。电介质层1700可以使漏极区1420和栅极绝缘层1300彼此分离。电介质层1700可以与漏极区1420直接接触。电介质层1700的厚度可以根据需要确定。电介质层1700可以包括具有高介电常数的材料。高介电常数可以指大于硅氧化物的介电常数的介电常数。在一些示例实施方式中，电介质层1700可以包括金属氧化物，该金属氧化物包含选自由钙(Ca)、锶(Sr)、钡(Ba)、钪(Sc)、钇(Y)、镧(La)、钛(Ti)、铪(Hf)、锆(Zr)、铌(Nb)、钽(Ta)、铈(Ce)、镨(Pr)、钕(Nd)、钆(Gd)、镝(Dy)、镱(Yb)和镥(Lu)组成的组中的至少一种金属。例如，电介质层1700可以包括HfO₂、ZrO₂、CeO₂、La₂O₃、Ta₂O₃或TiO₂。

由于电介质层1700，栅极绝缘层1300(也就是，铁电层)可以具有负电容特性。根据本示例实施方式，氧化物半导体晶体管7可以具有大的沟道长度并且可以使用负电容特性。因此，氧化物半导体晶体管7可以具有改善的电特性。

图10是示出根据示例实施方式的氧化物半导体晶体管8的剖视图，该剖视图对应于图7的线B-B'。为了图示的清楚，与参照图7和图8描述的结构相同或基本相同的结构在这里可以不被描述。

参照图10，可以如下提供氧化物半导体晶体管8。氧化物半导体晶体管8可以包括绝缘基板1100、栅电极1200、栅极绝缘层1300、下扩散阻挡件1810、氧化物半导体层1400、上扩散阻挡件1820以及源电极1610和/或漏电极1620。绝缘基板1100、栅电极1200、栅极绝缘层1300、氧化物半导体层1400、源电极1610和漏电极1620可以与参照图7和图8描述的绝缘基板1100、栅电极1200、栅极绝缘层1300、氧化物半导体层1400、源电极1610和漏电极1620相同或基本相同。

下扩散阻挡件1810可以提供在栅极绝缘层1300和氧化物半导体层1400之间。下扩散阻挡件1810可以沿着栅极绝缘层1300的顶表面延伸。下扩散阻挡件1810可以在源极区1410和栅极绝缘层1300之间延伸。下扩散阻挡件1810可以使源极区1410和栅极绝缘层1300彼此分离。下扩散阻挡件1810可以在漏极区1420和栅极绝缘层1300之间延伸。下扩散阻挡件1810可以使漏极区1420和栅极绝缘层1300彼此分离。下扩散阻挡件1810可以防止，例如减少或防止氢渗透到氧化物半导体层1400的下部中。例如，下扩散阻挡件1810可以包括Al₂O₃、SiN、SiON或其组合。

上扩散阻挡件1820可以提供在氧化物半导体层1400和上绝缘层1500之间。上扩散阻挡件1820可以沿着氧化物半导体层1400的顶表面延伸。上扩散阻挡件1820可以暴露源极区1410和漏极区1420。源电极1610和漏电极1620可以穿透上扩散阻挡件1820。源电极1610和漏电极1620可以穿过上扩散阻挡件1820分别电连接到源极区1410和漏极区1420。上扩散阻挡件1820可以防止，例如减少或防止氢渗透到氧化物半导体层1400的上部中。例如，上扩散阻挡件1820可以包括Al₂O₃、SiN、SiON或其组合。在其它示例中，可以仅设置上扩散阻挡件1820和下扩散阻挡件1810之一。

在本示例实施方式中，下扩散阻挡件1810和上扩散阻挡件1820可以防止，例如减少或防止氢渗透到氧化物半导体层1400中，并且氧化物半导体晶体管8可以具有大的沟道长度。因此，氧化物半导体晶体管8可以具有改善的电特性。

图11是示出根据示例实施方式的氧化物半导体晶体管9的剖视图，该剖视图对应于图7的线B-B'。为了图示的清楚，与参照图7和图8描述的结构相同或基本相同的结构在这里可以不被描述。

参照图11，可以如下提供氧化物半导体晶体管9。氧化物半导体晶体管9可以包括绝缘基板1100、栅电极1200、栅极绝缘层1300、氧化物半导体层1400、第三附加栅极绝缘层1310、第三附加栅电极1210、上绝缘层1500、源电极1610和/或漏电极1620。绝缘基板1100、栅电极1200、栅极绝缘层1300、氧化物半导体层1400、上绝缘层1500、源电极1610和漏电极1620可以与参照图7和图8描述的绝缘基板1100、栅电极1200、栅极绝缘层1300、氧化物半导体层1400、上绝缘层1500、源电极1610和漏电极1620相同或基本相同。

第三附加栅极绝缘层1310可以提供在氧化物半导体层1400和上绝缘层1500之间。第三附加栅极绝缘层1310可以沿着氧化物半导体层1400的顶表面延伸。例如，第三附加栅极绝缘层1310可以沿着氧化物半导体层1400的顶表面共形地延伸。第三附加栅极绝缘层1310可以暴露源极区1410和漏极区1420。源电极1610和漏电极1620可以穿透第三附加栅极绝缘层1310。源电极1610和漏电极1620可以分别穿过第三附加栅极绝缘层1310电连接到源极区1410和漏极区1420。第三附加栅极绝缘层1310的厚度可以根据需要确定。第三附加栅极绝缘层1310可以包括铁电材料、电介质材料或高k电介质材料。铁电材料、电介质材料和高k电介质材料可以与参照图7和图8描述的那些相同或基本相同。在一示例中，第三附加栅极绝缘层1310可以具有与栅极绝缘层1300相同或基本相同的厚度和材料。

第三附加栅电极1210可以提供在第三附加栅极绝缘层1310上。第三附加栅电极1210可以布置在氧化物半导体层1400的与栅电极1200相反的一侧上以及第三附加栅极绝缘层1310的与氧化物半导体层1400相反的一侧上。第三附加栅电极1210可以面对栅电极1200的第一侧表面1201、第二侧表面1202和顶表面1204。第三附加栅电极1210可以与氧化物半导体层1400电断开。第三附加栅电极1210可以通过第三附加栅极绝缘层1310与氧化物半导体层1400分离。第三附加栅电极1210可以包括导电材料。例如，第三附加栅电极1210可以包括金属或金属化合物。

栅电极1200和第三附加栅电极1210可以是双栅结构的栅电极。本示例实施方式的氧化物半导体晶体管9可以具有双栅结构和大的沟道长度。因此，氧化物半导体晶体管9可以具有改善的电特性。

图12是示出根据示例实施方式的氧化物半导体晶体管10的剖视图，该剖视图对应于图7的线B-B'。为了图示的清楚，与参照图7和图8描述的结构相同或基本相同的结构在这里可以不被描述。

参照图12，可以如下提供氧化物半导体晶体管10。氧化物半导体晶体管10可以包括绝缘基板1100、栅电极1200、栅极绝缘层1300、氧化物半导体层1400、第四附加栅极绝缘层1320、第四附加栅电极1220、上绝缘层1500、源电极1610和/或漏电极1620。绝缘基板1100、栅电极1200、栅极绝缘层1300、氧化物半导体层1400、上绝缘层1500、源电极1610和漏电极1620可以与参照图7和图8描述的绝缘基板1100、栅电极1200、栅极绝缘层1300、氧化物半导体层1400、上绝缘层1500、源电极1610和漏电极1620相同或基本相同。

第四附加栅极绝缘层1320可以提供在栅电极1200的顶表面1204上方。第四附加栅极绝缘层1320可以在氧化物半导体层1400的与栅极绝缘层1300相反的一侧提供在栅电极1200的顶表面1204上方。第四附加栅极绝缘层1320可以沿着氧化物半导体层1400的顶表面延伸。氧化物半导体层1400的顶表面可以与氧化物半导体层1400的面对栅极绝缘层1300底表面相反。第四附加栅极绝缘层1320的厚度可以根据需要确定。第四附加栅极绝缘层1320可以包括铁电材料、电介质材料或高k电介质材料。铁电材料、电介质材料和高k电介质材料可以与参照图7和图8描述的那些相同或基本相同。在一示例中，第四附加栅极绝缘层1320可以具有与栅极绝缘层1300相同或基本相同的厚度和材料。

第四附加栅电极1220可以提供在第四附加栅极绝缘层1320上。第四附加栅电极1220可以提供在第四附加栅极绝缘层1320的与氧化物半导体层1400相反的一侧。第四附加栅电极1220可以与氧化物半导体层1400电断开。第四附加栅电极1220可以通过第四附加栅极绝缘层1320与氧化物半导体层1400分离。第四附加栅电极1220可以包括导电材料。例如，第四附加栅电极1220可以包括金属或金属化合物。

栅电极1200和第四附加栅电极1220可以是双栅结构的栅电极。本示例实施方式的氧化物半导体晶体管10可以具有双栅结构和大的沟道长度。因此，氧化物半导体晶体管10可以具有改善的电特性。

图13是根据示例实施方式的氧化物半导体晶体管11的透视图。图14是沿着图13的线C-C'截取的剖视图。为了图示的清楚，与参照图7和图8描述的结构相同或基本相同的结构在这里可以不被描述。

参照图13和图14，可以如下提供氧化物半导体晶体管11。氧化物半导体晶体管11可以包括绝缘基板2100、栅电极2200、栅极绝缘层2300、氧化物半导体层2400、上绝缘层2500、源电极2610和/或漏电极2620。绝缘基板2100、栅电极2200、氧化物半导体层2400、上绝缘层2500、源电极2610和漏电极2620可以与以上参照图7和图8描述的绝缘基板1100、栅电极1200、氧化物半导体层1400、上绝缘层1500、源电极1610和漏电极1620相同或基本相同。

与参照图7和图8给出的描述中不同，栅极绝缘层2300可以不提供在绝缘基板2100的顶表面2100u与氧化物半导体层2400的底表面之间。栅极绝缘层2300的在栅极绝缘层2300的延伸方向上彼此相反的两个端表面可以与绝缘基板2100的顶表面2100u直接接触。氧化物半导体层2400的底表面可以与绝缘基板2100的顶表面2100u直接接触。源极区2410和漏极区2420可以与绝缘基板2100直接接触。

由于本示例实施方式的氧化物半导体层2400沿着栅电极2200的第一侧表面2201、第二侧表面2202和顶表面2204延伸，所以氧化物半导体晶体管11的沟道长度可以大于源极区2410和漏极区2420之间在第一方向DR1上的距离。因此，本示例实施方式的氧化物半导体晶体管11可以具有大的沟道长度。结果，氧化物半导体晶体管11可以具有改善的电特性。

图15是示出根据示例实施方式的氧化物半导体晶体管12的剖视图，该剖视图对应于图13的线C-C'。为了图示的清楚，与参照图13和图14描述的结构相同或基本相同的结构在这里可以不被描述。

参照图15，可以如下提供氧化物半导体晶体管12。氧化物半导体晶体管12可以包括绝缘基板2100、栅电极2200、栅极绝缘层2300、电介质层2700、氧化物半导体层2400、上绝缘层2500、源电极2610和/或漏电极2620。绝缘基板2100、栅电极2200、栅极绝缘层2300、氧化物半导体层2400、上绝缘层2500、源电极2610和漏电极2620可以与参照图13和图14描述的绝缘基板2100、栅电极2200、栅极绝缘层2300、氧化物半导体层2400、上绝缘层2500、源电极2610和漏电极2620相同或基本相同。

栅极绝缘层2300可以是铁电层。换句话说，栅极绝缘层2300可以不包括电介质材料或高k电介质材料。

电介质层2700可以沿着氧化物半导体层2400的底表面延伸。电介质层2700可以在栅电极2200的第一侧表面2201、第二侧表面2202和顶表面2204上方提供在栅极绝缘层2300和氧化物半导体层2400之间。电介质层2700可以在绝缘基板2100的顶表面2100u上方提供在氧化物半导体层2400和绝缘基板2100之间。电介质层2700可以在源极区2410和绝缘基板2100之间延伸。电介质层2700可以使源极区2410和绝缘基板2100彼此分离。电介质层2700可以在漏极区2420和绝缘基板2100之间延伸。电介质层2700可以使漏极区2420和绝缘基板2100彼此分离。电介质层2700可以与漏极区2420直接接触。电介质层2700的厚度可以根据需要确定。例如，电介质层2700可以包括具有高介电常数的材料。高介电常数可以指大于硅氧化物的介电常数的介电常数。在一些示例实施方式中，电介质层2700可以包括金属氧化物，该金属氧化物包含选自由钙(Ca)、锶(Sr)、钡(Ba)、钪(Sc)、钇(Y)、镧(La)、钛(Ti)、铪(Hf)、锆(Zr)、铌(Nb)、钽(Ta)、铈(Ce)、镨(Pr)、钕(Nd)、钆(Gd)、镝(Dy)、镱(Yb)和镥(Lu)组成的组中的至少一种金属。例如，电介质层2700可以包括HfO₂、ZrO₂、CeO₂、La₂O₃、Ta₂O₃或TiO₂。

由于电介质层2700，栅极绝缘层2300(也就是，铁电层)可以具有负电容特性。根据本示例实施方式，氧化物半导体晶体管12可以具有大的沟道长度并且可以使用负电容特性。因此，氧化物半导体晶体管12可以具有改善的电特性。

图16是示出根据示例实施方式的氧化物半导体晶体管13的剖视图，该剖视图对应于图13的线C-C'。为了图示的清楚，与参照图13和图14描述的结构相同或基本相同的结构在这里可以不被描述。

参照图16，可以如下提供氧化物半导体晶体管13。氧化物半导体晶体管13可以包括绝缘基板2100、栅电极2200、栅极绝缘层2300、下扩散阻挡件2810、氧化物半导体层2400、上扩散阻挡件2820、上绝缘层2500、源电极2610和/或漏电极2620。绝缘基板2100、栅电极2200、栅极绝缘层2300、氧化物半导体层2400、源电极2610和漏电极2620可以与参照图13和图14描述的绝缘基板2100、栅电极2200、栅极绝缘层2300、氧化物半导体层2400、源电极2610和漏电极2620相同或基本相同。

下扩散阻挡件2810可以沿着氧化物半导体层2400的底表面延伸。下扩散阻挡件2810可以在栅电极2200的第一侧表面2201、第二侧表面2202和顶表面2204上方提供在栅极绝缘层2300和氧化物半导体层2400之间。下扩散阻挡件2810可以在绝缘基板2100的顶表面2100u上方提供在氧化物半导体层2400和绝缘基板2100之间。下扩散阻挡件2810可以在源极区2410和绝缘基板2100之间延伸。下扩散阻挡件2810可以防止，例如减少或防止氢渗透到氧化物半导体层2400的下部中。例如，下扩散阻挡件2810可以包括Al₂O₃、SiN、SiON或其组合。

上扩散阻挡件2820可以提供在氧化物半导体层2400与上绝缘层2500之间。上扩散阻挡件2820可以沿着氧化物半导体层2400的顶表面延伸。上扩散阻挡件2820可以暴露源极区2410和漏极区2420。源电极2610和漏电极2620可以穿透上扩散阻挡件2820。源电极2610和漏电极2620可以分别穿过上扩散阻挡件2820电连接到源极区2410和漏极区2420。上扩散阻挡件2820可以防止，例如减少或防止氢渗透到氧化物半导体层2400的上部中。例如，上扩散阻挡件2820可以包括Al₂O₃、SiN、SiON或其组合。

在本示例实施方式中，下扩散阻挡件2810和上扩散阻挡件2820可以防止，例如减少或防止氢渗透到氧化物半导体层2400中，并且氧化物半导体晶体管13可以具有大的沟道长度。因此，氧化物半导体晶体管13可以具有改善的电特性。

图17是示出根据示例实施方式的氧化物半导体晶体管14的剖视图，该剖视图对应于图13的线C-C'。为了图示的清楚，与参照图11以及参照图13和图14描述的结构相同或基本相同的结构在这里可以不被描述。

参照图17，可以如下提供氧化物半导体晶体管14。氧化物半导体晶体管14可以包括绝缘基板2100、栅电极2200、栅极绝缘层2300、氧化物半导体层2400、第五附加栅极绝缘层2310、第五附加栅电极2210、上绝缘层2500、源电极2610和/或漏电极2620。绝缘基板2100、栅电极2200、栅极绝缘层2300、氧化物半导体层2400、上绝缘层2500、源电极2610和漏电极2620可以与参照图13和图14描述的绝缘基板2100、栅电极2200、栅极绝缘层2300、氧化物半导体层2400、上绝缘层2500、源电极2610和漏电极2620相同或基本相同。

第五附加栅极绝缘层2310和第五附加栅电极2210可以与参照图11描述的第三附加栅极绝缘层1310和第三附加栅电极1210相同或基本相同。

栅电极2200和第五附加栅电极2210可以是双栅结构的栅电极。本示例实施方式的氧化物半导体晶体管14可以具有双栅结构和大的沟道长度。因此，氧化物半导体晶体管14可以具有改善的电特性。

图18是示出根据示例实施方式的氧化物半导体晶体管15的剖视图，该剖视图对应于图13的线C-C'。为了图示的清楚，与参照图12以及参照图13和图14描述的结构相同或基本相同的结构在这里可以不被描述。

参照图18，可以如下提供氧化物半导体晶体管15。氧化物半导体晶体管15可以包括绝缘基板2100、栅电极2200、栅极绝缘层2300、氧化物半导体层2400、第六附加栅极绝缘层2320、第六附加栅电极2220、上绝缘层2500、源电极2610和/或漏电极2620。绝缘基板2100、栅电极2200、栅极绝缘层2300、氧化物半导体层2400、上绝缘层2500、源电极2610和漏电极2620可以与参照图13和图14描述的绝缘基板2100、栅电极2200、栅极绝缘层2300、氧化物半导体层2400、上绝缘层2500、源电极2610和漏电极2620相同或基本相同。

第六附加栅极绝缘层2320和第六附加栅电极2220可以与参照图12描述的第四附加栅极绝缘层1320和第四附加栅电极1220相同或基本相同。

栅电极2200和第六附加栅电极2220可以是双栅结构的栅电极。本示例实施方式的氧化物半导体晶体管15可以具有双栅结构和大的沟道长度。因此，氧化物半导体晶体管15可以具有改善的电特性。

如上所述，本公开提供了具有改善的电特性的氧化物半导体晶体管。

然而，本公开的效果不限于此。

应理解，这里描述的示例实施方式应仅在描述性意义上被考虑，而不是出于限制的目的。示例实施方式内的特征或方面的描述通常应被认为可用于其它实施方式中的其它类似特征或方面。尽管已经参照附图描述了一个或更多个示例实施方式，但是本领域普通技术人员将理解，可以在不脱离权利要求限定的精神和范围的情况下在这里进行在形式和细节上的各种改变。

本申请要求享有2020年5月19日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10-2020-0059968号的权益，其公开通过引用全文合并于此。