一种高稳定性耐高温硅胶保护膜
阅读说明：本技术 一种高稳定性耐高温硅胶保护膜 (High-stability high-temperature-resistant silica gel protective film ) 是由 陈敬师 杨培建 于 2021-06-17 设计创作，主要内容包括：本发明公开了一种高稳定性耐高温硅胶保护膜,包括基底层,所述基底层为硅胶基底膜；所述基底层的上下均设置有防静电结构；粘结结构,所述粘结结构设置在基底层的下方,粘结结构用于整个硅胶保护膜的粘结；稳定层,所述稳定层设置在基底层的上表面；防刮层,所述防刮层设置在上防静电层的上表面；保护层,所述保护层连接在防刮层的上表面,所述防静电结构包括下防静电层和上防静电层,其中下防静电层通过第一粘结层与基底层的上表面相连接,上防静电层通过第四粘结层与稳定层的上表面相连接。该高稳定性耐高温硅胶保护膜,具有很好的稳定性,且在防静电处理方面,效果较好,并且在贴敷硅胶保护膜时,便于对气泡进行消除。(The invention discloses a high-stability high-temperature-resistant silica gel protective film which comprises a substrate layer, wherein the substrate layer is a silica gel substrate film; the upper part and the lower part of the substrate layer are both provided with an antistatic structure; the bonding structure is arranged below the substrate layer and used for bonding the whole silica gel protective film; a stabilization layer disposed on an upper surface of the base layer; the anti-scraping layer is arranged on the upper surface of the upper anti-static layer; the protective layer, the upper surface on anti-scratch layer is connected to the protective layer, prevent that the static structure includes antistatic backing and last antistatic backing down, and wherein antistatic backing is connected with the upper surface on stratum basale through first tie coat down, goes up the antistatic backing and is connected with the upper surface on stabilizing layer through the fourth tie coat. This high temperature resistant silica gel protection film of high stability has fine stability, and in the aspect of preventing static processing, the effect is better to when applying the silica gel protection film, be convenient for eliminate the bubble.)
技术领域
本发明涉及硅胶保护膜相关
技术领域
，具体为一种高稳定性耐高温硅胶保护膜。背景技术
保护膜电子产品屏幕保护常见的膜结构，常见于手机、平板、汽车显示屏等等数码产品的保护，随着电子产品的发展，保护膜的种类和功能也在逐渐发展，材质由最早的PP材料到现今流行的硅胶材质，越来越有助于保护功能的发挥。
而现在的硅胶保护膜是应用较为广泛的保护膜之一，但是现有的硅胶保护膜仍存在一定的缺陷，比如：
如授权公告号为：CN205800373U，授权公告日为：2016.12.14的“一种耐高温硅胶保护膜”，本实用新型公开了一种耐高温硅胶保护膜，涉及电子产品保护膜
技术领域
，包括PET复合膜层、硅胶层和耐高温PET层，所述PET复合膜层、所述硅胶层和所述耐高温PET层纵向层叠设置，所述PET复合膜层和所述硅胶层之间设置有防止两者脱胶的第一胶粘层，所述硅胶层与所述耐高温PET层之间设置有防止两者脱胶的第二胶粘层。本实用新型保护膜背面具有耐高温特性，硅胶内具有抗静电效果、保护膜表面具有耐磨特性，使得保护膜能应用于各种电子产品的使用。但是上述现有技术，在抗静电处理方面，效果不好，不能很好的起到防静电的效果；
又如申请公告号为：CN112208155A，申请公告日为：2021.01.12的“一种耐高温硅胶保护膜”，本发明公开了一种耐高温硅胶保护膜，包括第一硅胶基膜层、丙烯酸酯膜层、隔热孔、粘贴机构和保护机构，所述第一硅胶基膜层上端通过丙烯酸酯压敏胶粘接有一个丙烯酸酯膜层，所述丙烯酸酯压敏胶上端粘接在丙烯酸酯膜层下端，所述丙烯酸酯压敏胶下端粘接在第一硅胶基膜层上端，本发明所达到的有益效果是：通过丙烯酸酯膜层内的隔热孔可以有效的防止外部的热量传递到底部氟素离型膜层，可以有效的保证氟素离型膜层在高温情况下的吸附性，有效的避免高温天气下氟素离型膜层表面的温度过高，导致与电子屏表面连接松动甚至脱落的问题，有效的防止光线从侧面传播，从而可以很好的保护私人手机在使用时的隐私不被旁边的人看到。
但是上述现有技术中，在使用时，保护膜的稳定性较差，且在贴敷该硅胶保护膜时，产生的的气泡很难消除。
因此，我们提出一种高稳定性耐高温硅胶保护膜，以便于解决上述中提出的问题。
发明内容
本发明的目的在于提供一种高稳定性耐高温硅胶保护膜，以解决上述背景技术中提出的大多数硅胶保护膜在抗静电处理方面，效果不好，不能很好的起到防静电的效果，保护膜的稳定性较差，且在贴敷该硅胶保护膜时，产生的的气泡很难消除的问题。
为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：一种高稳定性耐高温硅胶保护膜，包括：
基底层，所述基底层为硅胶基底膜；
所述基底层的上下均设置有防静电结构；
粘结结构，所述粘结结构设置在基底层的下方，粘结结构用于整个硅胶保护膜的粘结；
稳定层，所述稳定层设置在基底层的上表面；
防刮层，所述防刮层设置在上防静电层的上表面；
保护层，所述保护层连接在防刮层的上表面。
优选的，所述防静电结构包括下防静电层和上防静电层，其中下防静电层通过第一粘结层与基底层的上表面相连接，上防静电层通过第四粘结层与稳定层的上表面相连接。
优选的，所述下防静电层和上防静电层均是由厚度为1-2μm的防静电膜组成，且下防静电层和上防静电层均为透明材质。
优选的，所述粘结结构包括粘结底胶、气泡孔、横条和第二粘结层，其中：
粘结底胶上开设有气泡孔，且粘结底胶的上方设置有横条，并且横条的上表面连接有第二粘结层。
优选的，所述气泡孔在粘结底胶上均匀分布，且气泡孔的横截面形状为“十”字型，所述横条等间距设置在粘结底胶和第二粘结层之间。
优选的，所述稳定层的下表面通过第三粘结层与基底层的上表面相连接，且稳定层由全氢聚硅氮烷和N-丙基乙二胺加工而成。
优选的，所述稳定层的加工方式主要通过以下方式实现：
先将全氢聚硅氮烷和N-丙基乙二胺均匀混合，然后将混合后的液体涂抹在基板上；
然后将涂抹有全氢聚硅氮烷和N-丙基乙二胺混合液体的基板在烘干机中烘干；
烘干后的基板上形成膜结构，将膜结构取下，并在膜结构的的下表面涂抹第三粘结层，将膜结构贴敷在基底层的上表面，即形成稳定层。
优选的，所述防刮层由聚脂薄膜组成，且防刮层通过第五粘结层与上防静电层的上表面相连接。
优选的，所述保护层与离型层的材质相同，且保护层通过粘结条与防刮层的上表面相连接，并且粘结条在保护层的下表面等间距设置。
优选的，所述第一粘结层、第二粘结层、第三粘结层、第四粘结层和第五粘结层采用的胶黏剂均为聚酰胺胶黏剂。
与现有技术相比，本发明的有益效果是：该高稳定性耐高温硅胶保护膜，具有很好的稳定性，且在防静电处理方面，效果较好，并且在贴敷硅胶保护膜时，便于对气泡进行消除；
1、通过在基底层上设置有稳定层，且稳定层是由全氢聚硅氮烷和N-丙基乙二胺混合后，并涂布呈膜结构，经过烘干制成的，因此可对该硅胶保护膜的稳定性进行改善，在高温情况下，仍保持较好的性能；
2、通过在基底层的上下方向分别设置有上防静电层和下防静电层，因此可对基底层的上下方向同时进行防静电处理，使得该硅胶保护膜的防静电效果更好；
3、通过设置的粘结结构，在粘结结构的粘结底胶上设置有气泡孔，在贴敷使用该硅胶保护膜时，若硅胶保护膜与屏幕之间产生气泡，则可使得气泡从气泡孔中排出，并且逐渐从粘结底胶和第二粘结层之间排出，防止气泡无法消除。
附图说明
图1为本发明正视剖面结构示意图；
图2为本发明图1中A处放大结构示意图；
图3为本发明保护层仰视结构示意图；
图4为本发明粘结结构正视剖面结构示意图；
图5为本发明粘结底胶俯视结构示意图。
图中：1、基底层；2、第一粘结层；3、下防静电层；4、粘结结构；401、粘结底胶；402、气泡孔；403、横条；404、第二粘结层；5、离型层；6、第三粘结层；7、稳定层；8、第四粘结层；9、上防静电层；10、防刮层；11、保护层；12、粘结条；13、第五粘结层。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例，基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
请参阅图1-5，本发明提供一种技术方案：一种高稳定性耐高温硅胶保护膜，包括：
基底层1，所述基底层1为硅胶基底膜；
所述基底层1的上下均设置有防静电结构；
粘结结构4，所述粘结结构4设置在基底层1的下方，粘结结构4用于整个硅胶保护膜的粘结；
稳定层7，所述稳定层7设置在基底层1的上表面；
防刮层10，所述防刮层10设置在上防静电层9的上表面；
保护层11，所述保护层11连接在防刮层10的上表面。
本发明更进一步的，所述防静电结构包括下防静电层3和上防静电层9，其中下防静电层3通过第一粘结层2与基底层1的上表面相连接，上防静电层9通过第四粘结层8与稳定层7的上表面相连接，可通过设置的下防静电层3和上防静电层9，对基底层1的上下方向均起到防静电作用，使得该硅胶保护膜的防静电效果更好。
本发明更进一步的，所述下防静电层3和上防静电层9均是由厚度为1-2μm的防静电膜组成，且下防静电层3和上防静电层9均为透明材质，将下防静电层3和上防静电层9设置为透明材料，在防静电的同时，防止下防静电层3和上防静电层9影响整个保护膜的使用效果。
本发明更进一步的，所述粘结结构4包括粘结底胶401、气泡孔402、横条403和第二粘结层404，其中：
粘结底胶401上开设有气泡孔402，且粘结底胶401的上方设置有横条403，并且横条403的上表面连接有第二粘结层404。
本发明更进一步的，所述气泡孔402在粘结底胶401上均匀分布，且气泡孔402的横截面形状为“十”字型，所述横条403等间距设置在粘结底胶401和第二粘结层404之间，可通过气泡孔402的作用对贴敷过程中产生的气泡进行消除。
本发明更进一步的，所述稳定层7的下表面通过第三粘结层6与基底层1的上表面相连接，且稳定层7由全氢聚硅氮烷和N-丙基乙二胺加工而成。
本发明更进一步的，所述稳定层7的加工方式主要通过以下方式实现：
先将全氢聚硅氮烷和N-丙基乙二胺均匀混合，然后将混合后的液体涂抹在基板上；
然后将涂抹有全氢聚硅氮烷和N-丙基乙二胺混合液体的基板在烘干机中烘干；
烘干后的基板上形成膜结构，将膜结构取下，并在膜结构的的下表面涂抹第三粘结层6，将膜结构贴敷在基底层1的上表面，即形成稳定层7。
本发明更进一步的，所述防刮层10由聚脂薄膜组成，且防刮层10通过第五粘结层13与上防静电层9的上表面相连接，可通过防刮层10的设置，对该硅胶保护膜的整体起到防刮保护作用，防止保护膜的损伤。
本发明更进一步的，所述保护层11与离型层5的材质相同，且保护层11通过粘结条12与防刮层10的上表面相连接，并且粘结条12在保护层11的下表面等间距设置，可通过粘结条12的设置，使得保护层11粘附在防刮层10上，而等间距设置的粘结条12，与全部覆盖粘结条12相比，可减少胶黏剂的残留。
本发明更进一步的，所述第一粘结层2、第二粘结层404、第三粘结层6、第四粘结层8和第五粘结层13采用的胶黏剂均为聚酰胺胶黏剂。
在使用该高稳定性耐高温硅胶保护膜时，先将需要贴敷的显示屏擦拭干净，然后将离型层5撕下，将该硅胶保护膜的整体贴敷在显示屏上，由于在基底层1的下方设置有粘结结构4，粘结结构4中的粘结底胶401，能够使得整个硅胶保护膜粘附在显示屏上，保证粘结的稳定性，另外，在粘结底胶401上设置有气泡孔402，在贴敷该硅胶保护膜时，由于在粘结底胶401与第二粘结层404之间设置有横条403，在横条403的作用下，能够使得粘结底胶401与第二粘结层404之间产生一定的缝隙，若粘结底胶401与显示屏之间出现气泡，则气泡将通过气泡孔402的作用进入到粘结底胶401与第二粘结层404之间的缝隙中，进而排出到硅胶保护膜的外部，防止气泡无法消除而影响使用；
通过在基底层1的上下方向分别设置有上防静电层9和下防静电层3，可在上防静电层9和下防静电层3的作用下，对整个硅胶保护膜起到防静电的作用，且在稳定层7的作用下，能够保证该硅胶保护膜整体的稳定性。
本发明使用到的标准零件均可以从市场上购买，异形件根据说明书的和附图的记载均可以进行订制，各个零件的具体连接方式均采用现有技术中成熟的螺栓、铆钉、焊接等常规手段，机械、零件和设备均采用现有技术中，常规的型号，加上电路连接采用现有技术中常规的连接方式，在此不再详述，本说明书中未作详细描述的内容属于本领域专业技术人员公知的现有技术。
尽管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明，对于本领域的技术人员来说，其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换，凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
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