耐高温磁体及其制造方法
阅读说明：本技术 耐高温磁体及其制造方法 (High-temperature-resistant magnet and manufacturing method thereof ) 是由 王传申 彭众杰 杨昆昆 丁开鸿 于 2021-09-24 设计创作，主要内容包括：本发明公开了一种耐高温磁体及制造方法,属于磁体制备领域,通过设计晶界为低熔点磁体,并在该磁体上形成具有特殊扩散源,进行扩散、时效处理,得到高性能耐高温的钕铁硼磁体。低重稀土扩散源化学式为R-(1x)R-(2y)H-(z)M-(1-x-y-z),其中R-(1)是指Nd,Pr中的至少一种,R-(2)为Ho、Gd中至少一种,H是指Tb,Dy中的至少一种,M是指Al、Cu、Ga、Ti、Co、Mg、Zn、Sn中至少一种,其中15＜x＜50,0＜y≤10,40≤z≤70,比例为重量百分比,得到具有晶界结构包括主相,壳层和特定成分的三角区点扫成分。本发明所述的一种耐高温磁体及制造方法,耐高温性能和矫顽力均有大幅度地提升。(The invention discloses a high-temperature resistant magnet and a manufacturing method thereof, belonging to the field of magnet preparation. The chemical formula of the low heavy rare earth diffusion source is R 1x R 2y H z M 1‑x‑y‑z Wherein R is 1 Refers to at least one of Nd and Pr, R 2 At least one of Ho and Gd, H is at least one of Tb and Dy, M is at least one of Al, Cu, Ga, Ti, Co, Mg, Zn and Sn, wherein x is more than 15 and less than 50, y is more than 0 and less than or equal to 10, z is more than or equal to 40 and less than or equal to 70, and the proportion is weight percentage, so that the point scanning component with a grain boundary structure comprising a main phase, a shell layer and specific components is obtained. The high-temperature resistant magnet and the manufacturing method thereof greatly improve the high-temperature resistance and the coercive force.)
技术领域
本发明涉及磁体及磁体制备领域，尤其涉及一种耐高温磁体及其制造方法。
背景技术
钕铁硼烧结永磁体广泛应用在电子信息、医疗设备、新能源汽车、家用电器、机器人等高新技术领域。在过去几十年的发展过程中，钕铁硼永磁体得到快速的发展，剩磁性能基本达到理论极限。但是矫顽力离理论值差距还很大，因此，提高磁体的矫顽力是一大研究热点。
由于传统制造工艺消耗大量的Tb或Dy重稀土金属，成本增加。虽然通过晶界扩散技术能够大幅度降低重稀土含量，但是随着当前重稀土Tb的价格飞涨，成本依然很高。因此，持续降低重稀土的含量依然重要。通过含重稀土元素的扩散硬化Nd2Fe14B主相，形成大量核壳结构可增加矫顽力。因此，对磁体研究和扩散源的研究成为本方案的重点。
虽然提高矫顽力效果最显著通过重稀土扩散，但是重稀土的丰度低，价格昂贵。所以越来越多研究人员通过制备低熔点的重稀土合金作为扩散源，达到扩散增加磁体矫顽力的目的。关于特殊晶界相得专利的申请很多比如公开号为CN112735717A，名称为一种钕铁硼材料及其制备方法，该专利中通过磁体表面涂覆重稀土Tb、Dy扩散特殊结构的磁体，提高磁体的扩散深度和提高矫顽力，但是此种主要是在磁本身进行设计；公开号为CN105513734A，名称为钕铁硼磁体用轻重稀土混合物、钕铁硼磁体及其制备方法的专利，该专利中主要是通过将轻重稀土混合物扩散后Hcj性能增加幅度高，但是这种轻重稀土混合物均匀性较差，另外很难发挥形成合金后提高磁体扩散系数的特殊作用。虽然低熔点重稀土扩散源可以大幅度增加磁体的矫顽力，但是磁体耐高温性能较差，即磁体的剩磁和矫顽力高温性能低。
因此，需要寻找一种既能通过熔点合金相提高扩散深度即形成核壳结构深度又可以提高磁体的耐高温性能。
发明内容
发明目的：为了克服现有技术中存在的不足，本发明提供一种耐高温磁体及其制造方法。
技术方案：为实现上述目的，本发明的所述磁体的晶界结构包括主相结构、R壳层、过渡金属壳层和三角区，所述R壳层为Nd，Pr，Ho，Gd中的至少一种，所述过渡金属壳层为Cu、Al、Ga中的至少一种，所述三角区点扫成分包括成分Ⅰ，和成分Ⅱ，和/或成分Ⅲ，其中，
所述成分Ⅰ为NdaFebRcMd，所述R为Pr，Ce，La中的至少一种，M为Al、Cu、Ga、Ti、Co、Mg、Zn、Sn、Zr中至少三种，所述Nd的重量百分比为a，30％≤a≤70％，所述Fe的重量百分比为b，5％≤b≤40％，所述R的重量百分比为c，5％≤c≤35％，所述M的重量百分比为d，0％≤d≤15％；
所述成分Ⅱ为NdeFefRgHhKiMj，所述R为Pr，Ce，La中的至少一种，所述H为Dy，Tb中的至少一种，所述K为Ho，Gd中的一种，所述M为Al、Cu、Ga、Ti、Co、Mg、Zn、Sn、Zr中至少三种，所述Nd的重量百分比为e，25％≤e≤65％，所述Fe的重量百分比为f，5％≤f≤35％，所述R的重量百分比为g，5％≤g≤30％，所述H的重量百分比为h，5％≤h≤30％，所述K的重量百分比为i，1％≤i≤12％，所述M的重量百分比为j，0％≤j≤10％；
所述成分Ⅲ为NdkFelRmDnMo，所述R为Pr，Ce，La中的至少一种，所述D为Al、Cu、Ga中至少一种，所述M为Ti、Co、Mg、Zn、Sn、Zr中的至少一种，所述Nd的重量百分比为k，30％≤k≤70％，所述Fe的重量百分比为l，5％≤l≤35％，所述R的重量百分比为m，5％≤m≤35％，所述D的重量百分比为n，5％≤n≤25％，所述M的重量百分比为o，0％≤o≤10％。
进一步地，所述磁体的厚度为0.3-6mm。
一种制造所述的耐高温磁体的方法，包括以下步骤：
(S1)将配制好的钕铁硼合金原料经熔炼、速凝薄片，制得钕铁硼合金薄片，将制得的合金薄片进行机械破碎，破碎为150-400μm的鳞片状合金薄片；
(S2)将鳞片状合金薄片、低熔点粉料、润滑剂进行机械混合搅拌，然后放入氢处理炉进行吸氢和脱氢处理，经气流磨制备钕铁硼粉末，所述钕铁硼粉末的粒度为3-5μm；
(S3)将上述钕铁硼粉末压制成型，烧结得到所需的钕铁硼磁体；
(S4)将烧结后的钕铁硼磁体通过机械加工制成所需形状，然后通过涂覆的方式在磁体垂直或平行于C轴方向面形成低重稀土扩散源薄膜，其中扩散源的制备方法为雾化制粉，非晶甩带或铸锭。
(S5)最后进行扩散和回火处理，制得上述结构特征的钕铁硼磁体。
优选地，步骤(S1)中，所述钕铁硼合金原料成分及其重量百分比分别为，28％≤R≤30％，0.8％≤B≤1.2％，0％≤M≤3％，其余为Fe，所述R为Nd，Pr，Ce，La，Tb，Dy中的至少两种，所述M为Co、Mg、Ti、Zr、Nb、Mo中的至少一种。
优选地，步骤(S2)中，所述低熔点粉料包括NdCu、NdAl和NdGa，其各重量百分比为，0％≤NdCu≤3％，0％≤NdAl≤3％，0％≤NdGa≤3％，所述低熔点粉料为200nm-4μm。
优选地，步骤(S2)中，所述脱氢温度为400-600℃。
优选地，步骤(S3)中，烧结完成后需要通入氩气冷却，然后进行一级回火处理和二级时效处理，其中，烧结温度为980-1060℃，烧结时间为6-15h；一级时效温度为850℃，一级时效时间为3h；二级时效温度是450-660℃，时效时间为3h。
优选地，步骤(S4)中，所述低重稀土扩散源薄膜的成分为R1xR2yHzM1-x-y-z，其中，所述R1为Nd、Pr中的至少一种，所述R1的重量百分比为x，15％＜x＜50％，所述R2为Ho、Gd中的至少一种，所述R2的重量百分比为y，0％＜y≤10％，所述H为Tb、Dy中的至少一种，所述H的重量百分比为z，40％≤z≤70％，所述M为Al、Cu、Ga、Ti、Co、Mg、Zn、Sn中的至少一种，所述M的重量百分比为1-x-y-z。
优选地，步骤(S5)中，钕铁硼磁体的扩散温度为850-930℃，扩散时间为6-30h，时效温度为420-680℃，二级时效时间为3-10h。
优选地，所述钕铁硼磁体时效温度的升温速度为1-5℃/min，降温速度为5-20℃/min。
与现有技术相比，本发明至少具有以下有益效果：
(1)通过设计晶界为低熔点磁体，并在该磁体上形成具有特殊作用的扩散源，进行扩散、时效处理，得到具有特定晶界结构的低重稀土含量的钕铁硼磁体；通过对磁体成分和扩散源结构的调控，实现了矫顽力的大幅提升；
(2)该磁体具有耐高温性能，克服了低熔点磁体和扩散源大幅提高矫顽力而耐高温性能差的缺点，可以实现产品的大量生产；
(3)将设计的磁体进行最优化工艺试验后达到最优性能再进行扩散试验，Dy合金扩散后矫顽力增加幅度可以达到8-10.5kOe；
(4)该扩散磁体基体含有低熔点相的NdCu、NdAl、NdGa，有利于增加磁体晶界的扩散系数，从而提高扩散源的扩散效率；
(5)该扩散源不仅使低熔点相和重稀土相同时快速进入磁体，大幅度改善磁体的耐高温性能，还能够很好的形成具有磁隔绝作用的壳层，从而提高矫顽力。
附图说明
图1为使用ZISS电镜进行SEM进行测试式采样示意图。
具体实施方式
以下结合图1对本发明的原理和特征进行描述，所举实例只用于解释本发明，并非用于限定本发明的范围。
还需要说明的是术语“和/或”是指涵盖而不是排他性，从而使得不仅包括罗列的要素也包括一些未明确列出的要素、方法、过程、物品及设备所必须的要素。
一种耐高温磁体的制造方法，包括以下步骤：
(S1)熔炼配制好的钕铁硼合金原料经速凝薄片，制得钕铁硼合金薄片，将制得的合金薄片进行机械破碎，破碎为150-400μm的鳞片状合金薄片；
(S2)将鳞片状合金薄片、含有NdCu、NdAl和NdGa的低熔点粉料、润滑剂进行机械混合搅拌，根据其各元素的含量不同，将其分别编号为1～22，如下表1所示；然后放入氢处理炉进行吸氢和脱氢处理，其中脱氢温度为600℃，经气流磨D50制备成钕铁硼粉末，所述钕铁硼粉末的粒度为3-5μm；
(S3)将气流磨后的合金粉末进行取向成型和冷等静压制成坯料，将压坯在进行真空烧结，通入氩气快速冷却，然后进行一级回火和二级时效，并测试磁体性能，具体工艺过程见下表2所示；
(S4)将毛坯进行机械加工，切割成相应尺寸的样品，扩散源浆料涂覆在样品垂直于C轴的两面；
(S5)最后进行扩散和回火处理，制得上述结构特征的钕铁硼磁体。
以扩散源中含有Ho或Gd作为实施例，以扩散源中不含Ho或Gd作为对比例，实施例的各个工艺条件如表3所示，与之对应的，对比例的各个工艺条件如表4所示。
表1合金薄片、速凝薄片和润滑剂混合后各元素及其含量
表2各组份中的工艺条件
表3各实施例扩散源及其工艺条件性能
表4各对比例扩散源及其工艺条件性能
基于以上数据，通过在甩带薄片中晶界添加NdCu、或NdAl、或NdGa相粉末，制成晶界具有低熔点晶界通道适合磁体扩散的钕铁硼永磁体，有利于扩散特别是重稀土镝合金扩散源的扩散，扩散后△Hcj＞7.5kOe，矫顽力增加明显，矫顽力耐高温系数明显优于对比例。
具体地，对各个实施例和对比例分析如下：
实施例1，在相同的钕铁硼磁体及尺寸，相同的扩散温度和时效温度等条件下，相比扩散前，实施例1扩散PrHoDyCu的Br下降0.23kGS，Hcj增加10.61kOe，且磁体的矫顽力的耐高温150℃的系数为-0.50％；对比例1扩散PrDyCu的Br下降0.2kGS，Hcj增加10.21kOe，磁体的矫顽力的耐高温150℃系数为-0.53％；实施例1的优势明显。
实施例2，在相同的钕铁硼磁体及尺寸，相同的扩散温度和时效温度等条件下，相比扩散前，实施例2扩散PrHoDyCu的Br下降0.26kGS，Hcj增加9.08kOe，且磁体的矫顽力的耐高温150℃的系数为-0.495％；对比例2扩散PrDyCu的Br下降0.24kGS，Hcj增加8.78kOe，磁体的矫顽力的耐高温150℃系数为-0.510％；实施例2的优势明显。
实施例3，在相同的钕铁硼磁体及尺寸，相同的扩散温度和时效温度等条件下，相比扩散前，实施例3扩散PrHoDyCu的Br下降0.24kGS，Hcj增加8.08kOe，且磁体的矫顽力的耐高温150℃的系数为-0.45％；对比例3扩散PrDyCu的Br下降0.22kGS，Hcj增加7.58kOe，磁体的矫顽力的耐高温150℃系数为-0.51％；实施例3的优势明显。
实施例4，在相同的钕铁硼磁体及尺寸，相同的扩散温度和时效温度等条件下，相比扩散前，实施例4扩散PrHoDyCu的Br下降0.26kGS，Hcj增加8.02kOe，且磁体的矫顽力的耐高温150℃的系数为-0.497％；对比例4扩散PrDyCu的Br下降0.24kGS，Hcj增加7.52kOe，磁体的矫顽力的耐高温150℃系数为-0.52％；实施例4的优势明显。
实施例5，在相同的钕铁硼磁体及尺寸，相同的扩散温度和时效温度等条件下，相比扩散前，实施例5扩散NdHoDyCu的Br下降0.27kGS，Hcj增加10.11kOe，且磁体的矫顽力的耐高温150℃的系数为-0.49％；对比例5扩散NdDyCu的Br下降0.25kGS，Hcj增加9.51kOe，磁体的矫顽力的耐高温150℃系数为-0.51％；实施例5的优势明显。
实施例6，在相同的钕铁硼磁体及尺寸，相同的扩散温度和时效温度等条件下，相比扩散前，实施例6扩散NdHoDyCu的Br下降0.25kGS，Hcj增加8.71kOe，且磁体的矫顽力的耐高温150℃的系数为-0.492％；对比例6扩散NdDyCu的Br下降0.23kGS，Hcj增加8.31kOe，磁体的矫顽力的耐高温系数为-0.52％；实施例6的优势明显。
实施例7，在相同的钕铁硼磁体及尺寸，相同的扩散温度和时效温度等条件下，相比扩散前，实施例7扩散NdHoDyCu的Br下降0.24kGS，Hcj增加9.32kOe，且磁体的矫顽力的耐高温150℃的系数为-0.482％；对比例7扩散NdDyCu的Br下降0.22kGS，Hcj增加8.82kOe，磁体的矫顽力的耐高温系数为-0.515％；实施例7的优势明显。
实施例8，在相同的钕铁硼磁体及尺寸，相同的扩散温度和时效温度等条件下，相比扩散前，实施例8扩散PrGdDyCu的Br下降0.26kGS，Hcj增加9.85kOe，且磁体的矫顽力的耐高温150℃的系数为-0.49％；对比例8扩散PrDyCu的Br下降0.21kGS，Hcj增加9.35kOe，磁体的矫顽力的耐高温系数为-0.51％；实施例8的优势明显。
实施例9，在相同的钕铁硼磁体及尺寸，相同的扩散温度和时效温度等条件下，相比扩散前，实施例9扩散PrGdDyCu的Br下降0.24kGS，Hcj增加9.75kOe，且磁体的矫顽力的耐高温150℃的系数为-0.47％；对比例9扩散PrDyCu的Br下降0.24kGS，Hcj增加9.35kOe，磁体的矫顽力的耐高温系数为-0.5％；实施例9的优势明显。
实施例10，在相同的钕铁硼磁体及尺寸，相同的扩散温度和时效温度等条件下，相比扩散前，实施例10扩散PrGdDyCu的Br下降0.27kGS，Hcj增加10.88kOe，且磁体的矫顽力的耐高温150℃的系数为-0.48％；对比例10扩散PrDyCu的Br下降0.22kGS，Hcj增加9.88kOe，磁体的矫顽力的耐高温150℃系数为-0.515％；实施例10的优势明显。
实施例11，在相同的钕铁硼磁体及尺寸，相同的扩散温度和时效温度等条件下，相比扩散前，实施例11扩散PrGdDyCu的Br下降0.21kGS，Hcj增加8.24kOe，且磁体的矫顽力的耐高温150℃的系数为-0.49％；对比例11扩散PrDyCu的Br下降0.21kGS，Hcj增加7.74kOe，磁体的矫顽力的耐高温系数为-0.525％；实施例11的优势明显。
实施例12，在相同的钕铁硼磁体及尺寸，相同的扩散温度和时效温度等条件下，相比扩散前，实施例12扩散PrGdDyCu的Br下降0.27kGS，Hcj增加8.1kOe，且磁体的矫顽力的耐高温150℃的系数为-0.457％；对比例12扩散PrDyCu的Br下降0.22kGS，Hcj增加7.6kOe，磁体的矫顽力的耐高温系数为-0.51％；实施例12的优势明显。
实施例13，在相同的钕铁硼磁体及尺寸，相同的扩散温度和时效温度等条件下，相比扩散前，实施例13扩散PrHoDyCuGa的Br下降0.25kGS，Hcj增加7.9kOe，且磁体的矫顽力的耐高温150℃的系数为-0.46％；对比例13扩散PrDyCuGa的Br下降0.25kGS，Hcj增加7.6kOe，磁体的矫顽力的耐高温系数为-0.51％；实施例13的优势明显。
实施例14，在相同的钕铁硼磁体及尺寸，相同的扩散温度和时效温度等条件下，相比扩散前，实施例14扩散PrHoDyCuGa的Br下降0.27kGS，Hcj增加8.85kOe，且磁体的矫顽力的耐高温150℃的系数为-0.47％；对比例14扩散PrDyCuGa的Br下降0.22kGS，Hcj增加8.25kOe，磁体的矫顽力的耐高温系数为-0.52％；实施例14的优势明显。
实施例15，在相同的钕铁硼磁体及尺寸，相同的扩散温度和时效温度等条件下，相比扩散前，实施例15扩散PrHoDyCuGa的Br下降0.27kGS，Hcj增加9.48kOe，且磁体的矫顽力的耐高温150℃的系数为-0.46％；对比例15扩散PrDyCuGa的Br下降0.25kGS，Hcj增加8.98kOe，磁体的矫顽力的耐高温系数为-0.505％；实施例15的优势明显。
实施例16，在相同的钕铁硼磁体及尺寸，相同的扩散温度和时效温度等条件下，相比扩散前，实施例16扩散PrHoDyCuAl的Br下降0.26kGS，Hcj增加9.44kOe，且磁体的矫顽力的耐高温150℃的系数为-0.47％；对比例16扩散PrDyCuAl的Br下降0.2kGS，Hcj增加10.21kOe，磁体的矫顽力的耐高温系数为-0.51％；实施例16的优势明显。
实施例17，在相同的钕铁硼磁体及尺寸，相同的扩散温度和时效温度等条件下，相比扩散前，实施例17扩散PrHoDyCuAl的Br下降0.2kGS，Hcj增加8.77kOe，且磁体的矫顽力的耐高温150℃的系数为-0.48％；对比例17扩散PrDyCuAl的Br下降0.2kGS，Hcj增加10.21kOe，磁体的矫顽力的耐高温系数为-0.52％；实施例17的优势明显。
实施例18，在相同的钕铁硼磁体及尺寸，相同的扩散温度和时效温度等条件下，相比扩散前，实施例18扩散PrHoDyCuAl的Br下降0.28kGS，Hcj增加9.1kOe，且磁体的矫顽力的耐高温150℃的系数为-0.49％；对比例18扩散PrDyCuAl的Br下降0.26kGS，Hcj增加8.6kOe，磁体的矫顽力的耐高温系数为-0.505％；实施例18的优势明显。
实施例19，在相同的钕铁硼磁体及尺寸，相同的扩散温度和时效温度等条件下，相比扩散前，实施例19扩散PrGdDyCu的Br下降0.3kGS，Hcj增加9.1kOe，且磁体的矫顽力的耐高温150℃的系数为-0.47％；对比例19扩散PrDyCu的Br下降0.2kGS，Hcj增加10.21kOe，磁体的矫顽力的耐高温系数为-0.53％；实施例19的优势明显。
实施例20，在相同的钕铁硼磁体及尺寸，相同的扩散温度和时效温度等条件下，相比扩散前，实施例20扩散PrGdDyCu的Br下降0.2kGS，Hcj增加7.7kOe，且磁体的矫顽力的耐高温150℃的系数为-0.475％；对比例20扩散PrDyCu的Br下降0.2kGS，Hcj增加7.5kOe，磁体的矫顽力的耐高温系数为-0.5％；实施例20的优势明显。
实施例21，在相同的钕铁硼磁体及尺寸，相同的扩散温度和时效温度等条件下，相比扩散前，实施例21扩散PrGdDyCu的Br下降0.25kGS，Hcj增加9.8kOe，且磁体的矫顽力的耐高温150℃的系数为-0.46％；对比例21扩散PrDyCu的Br下降0.25kGS，Hcj增加9.5kOe，磁体的矫顽力的耐高温系数为-0.51％；实施例21的优势明显。
实施例22，在相同的钕铁硼磁体及尺寸，相同的扩散温度和时效温度等条件下，相比扩散前，实施例22扩散PrGdDyCu的Br下降0.22kGS，Hcj增加7.9kOe，且磁体的矫顽力的耐高温150℃的系数为-0.455％；对比例22扩散PrDyCu的Br下降0.2kGS，Hcj增加7.5kOe，磁体的矫顽力的耐高温系数为-0.51％；实施例22的优势明显。
由上述可知，重稀土合金扩散源扩散后耐高温性能效果明显优于对比例中的重稀土合金耐高温性能。因此，我们将扩散重稀土合金后的磁体进行微观结构测定。主要使用ZISS电镜进行SEM进行测试，牛津EDS进行样品磁体元素的组成。其中定义：稀土壳层即R壳层是指围绕晶粒连续性超过60％，过渡金属壳层是指围绕晶粒连续性超过40％。另外，a，b，c三个点为不同位置的取样点，但是在尺寸＜1μm的小三角区特征为6:14相型富Cu即EDS的化学式为:Fe30-51(NdPr)45-60Cu2-15Ga0-5Co0-5或Fe30-51(NdPr)45-60Dy2-15Cu2-15Ga0-5Co0-5，其中元素脚边的数字为该元素所占的重量百分比。其他三个点即SEM3处取样点，见图1。通过将扩散源扩散形成R壳层和过渡金属壳层，将a，b，c三个点的进行统计分析为如下所示：
实施例1，将磁体扩散PrHoDyCu后磁体有Pr，Dy，Ho稀土壳层和过渡金属壳层Cu，形成点扫成分1：Nd50-70Fe10-30Pr10-20Cu0-5；点扫成分2：Nd50-55Fe10-30Pr5-15Dy5-15Ho2-9Cu0-5；点扫成分3：Nd50-70Fe10-35Pr10-20Cu10-20Co0-5。
实施例2，将该磁体扩散PrHoDyCu后具有Pr，Dy，Ho稀土壳层和过渡金属壳层Cu，形成点扫成分1：Nd50-65Fe10-30Pr10-25Cu0-5Ga0-5Al0-3；点扫成分2：Nd50-55Fe10-30Pr5-15Dy5-15 Ho3- 10Cu0-5；点扫成分3：Nd50-70Fe10-35Pr10-20Cu10-15Co0-5。
实施例3，将该成分磁体进行扩散PrHoDyCu后磁体具有Pr，Dy，Ho稀土壳层和过渡金属壳层Cu和Al，形成点扫成分1：Nd45-65Fe10-35Pr10-25Cu0-5Ga0-5Al3-5；点扫成分2：Nd45- 55Fe10-30Pr5-20Dy5-10 Ho3-8Cu0-5；点扫成分3：Nd50-65Fe10-35Pr10-20Cu10-15Co0-5Al0-5。
实施例4，将该成分磁体进行扩散PrHoDyCu后磁体具有Pr，Dy，Ho稀土壳层和过渡金属壳层Cu和Al，形成点扫成分1：Nd45-60Fe10-35Pr10-20Cu3-8Ga0-5Al3-5；点扫成分2：Nd45- 55Fe10-30Pr5-20Dy5-10Ho3-6Cu2-5Al2-10；点扫成分3：Nd45-65Fe10-30Pr10-20Cu10-25Co0-5Al0-5。
实施例5，将该成分磁体进行扩散NdHoDyCu后磁体具有Nd，Dy，Ho稀土壳层和过渡金属壳层Cu，形成点扫成分1：Nd50-65Pr10-15Fe10-30Cu2-6Go0-5；点扫成分2：Nd45-60Fe5-30Pr5- 15Dy5-15Ho3-10；点扫成分3：Nd45-60Pr10-20Fe5-30Cu10-20Co0-5。
实施例6，将该成分磁体进行扩散NdHoDyCu后磁体具有Nd，Dy，Ho稀土壳层和过渡金属壳层Cu，形成点扫成分1：Nd45-60Pr10-20Fe10-30Cu2-5Ga0-5；点扫成分2：Nd45-60Fe5-25Pr5- 12Dy5-20Ho2-9；点扫成分3：Nd50-60Pr10-15Fe5-25Cu5-25Co0-5。
实施例7，将该成分磁体进行扩散NdHoDyCu后磁体具有Nd，Dy，Ho稀土壳层和过渡金属壳层Cu和Al，形成点扫成分1：Nd50-65Pr10-15Fe10-40Cu5-10Al0-5；点扫成分2：Nd50-60Fe5- 30Pr5-15Dy5-25Ho3-12Al2-10；点扫成分3：Nd50-60Pr10-15Fe5-25Cu5-15Co0-5Al0-5。
实施例8，将该成分磁体进行扩散PrGdDyCu后磁体具有Pr，Dy，Gd稀土壳层和过渡金属壳层Cu，形成点扫成分1：Nd40-65Pr20-35Fe10-25Cu5-10；点扫成分2：Nd25-40Fe10-30Pr10- 25Dy15-20Gd1-7Co0-5Cu0-5；点扫成分3：Nd35-45Pr15-35Fe5-25Cu10-25Co0-5。
实施例9，将该成分磁体进行扩散PrGdDyCu后磁体具有Pr，Dy，Gd稀土壳层和过渡金属壳层Cu，形成点扫成分1：Nd40-60Pr20-30Fe10-30Cu3-8；点扫成分2：Nd35-45Fe10-30Pr10-25Dy5- 25Gd2-12Co0-5Cu0-5；点扫成分3：Nd35-50Pr15-30Fe5-25Cu5-20Co0-5。
实施例10，将该成分磁体进行扩散PrGdDyCu后磁体具有Pr，Dy，Gd稀土壳层和过渡金属壳层Cu，形成点扫成分1：Nd40-60Pr20-35Fe10-30Cu0-5；点扫成分2：Nd25-40Fe10-30Pr10-25Dy5- 15Gd2-7Co0-5Cu0-5；点扫成分3：Nd35-45Pr15-35Fe5-30Cu5-20Co0-5。
实施例11，将该成分磁体进行扩散PrGdDyCu后磁体具有Pr，Dy，Gd稀土壳层和过渡金属壳层Cu，形成点扫成分1：Nd50-65Fe10-25Pr10-20Cu0-5Ga0-5Al0-5；点扫成分2：Nd45-55Fe10- 30Pr5-20Dy5-20Gd3-9Cu0-5；点扫成分3：Nd45-70Fe10-30Pr10-25Cu10-25Co0-5Ga0-5。
实施例12，将该成分磁体进行扩散PrGdDyCu后磁体具有Pr，Dy，Gd稀土壳层和过渡金属壳层Cu，形成点扫成分1：Nd50-65Fe10-30Pr10-25Cu0-5Ga2-7Al3-7；点扫成分2：Nd45-55Fe10- 30Pr5-20Dy5-10Gd2-5Cu0-5Ga0-5；点扫成分3：Nd50-65Fe10-35Pr5-20Cu10-20Co0-5Al0-5。
实施例13，将该成分磁体进行扩散PrHoDyCuGa后磁体具有Pr，Dy，Ho稀土壳层和过渡金属壳层Cu和Ga，形成点扫成分1：Nd45-55Pr20-25Fe15-30Ga2-10Cu3-5；点扫成分2：Nd30-45Fe5- 25Pr25-30Dy5-20Ho1-10Cu0-5；点扫成分3：Nd35-45Pr20-35Fe10-35Cu5-15Ga5-10Co2-5。
实施例14，将该成分磁体进行扩散PrHoDyCuGa后磁体具有Pr，Dy，Ho稀土壳层和过渡金属壳层Cu和Ga，形成点扫成分1：Nd40-55Pr20-30Fe15-30Ga2-10Cu3-5；点扫成分2：Nd30-40Fe5- 25Pr25-30Dy5-15Ho2-9Cu0-5；点扫成分3：Nd30-50Pr25-30Fe10-30Cu5-10Ga5-10Co2-5。
实施例15，将该成分磁体进行扩散PrHoDyCuGa后磁体具有Pr，Dy，Ho稀土壳层和过渡金属壳层Cu和Ga，形成点扫成分1：Nd40-55Pr20-30Fe15-25Ga5-10Cu3-10；点扫成分2：Nd30-40Fe5- 25Pr15-30Dy5-20Ho3-12Cu0-5；点扫成分3：Nd30-45Pr25-35Fe10-30Cu5-10Ga5-10Co2-5。
实施例16，将该成分磁体进行扩散PrHoDyCuAl后磁体具有Pr，Dy，Ho稀土壳层和过渡金属壳层Cu和Al，形成点扫成分1：Nd45-65Fe10-35Pr5-15Cu5-15Al5-10；点扫成分2Nd45-65Fe5- 30Pr5-20Dy5-10Ho2-11Cu5-10Al2-10；点扫成分3：Nd50-65Fe10-20Pr10-15Cu10-25Al0-5。
实施例17，将该成分磁体进行扩散PrHoDyCuAl后磁体具有Pr，Dy，Ho稀土壳层和过渡金属壳层Cu和Al，形成点扫成分1：Nd45-55Fe10-30Pr5-20Cu5-10Al2-5；点扫成分2：Nd45-60Fe5- 25Pr5-25Dy5-15Ho2-10Cu5-10Al3-5；点扫成分3：Nd45-60Fe10-20Pr10-20Cu10-20Ga0-5Al0-5。
实施例18，将该成分磁体进行扩散PrHoDyCuAl后磁体具有Pr，Dy，Ho稀土壳层和过渡金属壳层Cu和Al，形成点扫成分1：Nd50-65Fe10-30Pr5-20Cu5-10Al2-5；点扫成分3：Nd45-65Fe5- 30Pr5-20Dy5-15Ho1-6Cu5-10Al5-10；点扫成分2：Nd45-60Fe10-25Pr10-20Cu10-20Ga0-5Al0-5。
实施例19，将该成分磁体进行扩散PrGdDyCu后磁体具有Pr，Dy，Gd稀土壳层和过渡金属壳层Cu，形成点扫成分1：Nd45-55Fe5-30Pr20-35Cu0-5；点扫成分2：Nd45-55Fe5-10Pr10-30Dy5- 20Gd2-8Cu0-5；点扫成分3：Nd35-55Fe5-30Pr10-35Cu5-10Ga0-5Co0-5。
实施例20，将该成分磁体进行扩散PrGdDyCu后磁体具有Pr，Dy，Gd稀土壳层和过渡金属壳层Cu，形成点扫成分1：Nd35-50Fe15-40Pr15-30Cu0-10Ga0-3Al0-3；点扫成分2：Nd40-60Fe3- 30Pr10-20Gd1-7Dy5-25；点扫成分3：Nd40-55Fe5-35Pr15-30Cu5-25Ga0-5Co0-5。
实施例21，将该成分磁体进行扩散PrGdDyCu后磁体具有Pr，Dy，Gd稀土壳层和过渡金属壳层Cu，形成点扫成分1：Nd30-45Fe10-30Pr20-25Cu5-10Ga0-5Co0-5Ti0-5；点扫成分2：Nd30- 40Fe5-25Pr10-15Dy10-30Gd2-6Ho3-9；点扫成分3：Nd35-45Fe5-30Pr15-30Cu5-25Ga0-3Co0-5。
实施例22，将该成分磁体进行扩散PrGdDyCu后磁体具有Pr，Dy，Gd稀土壳层和过渡金属壳层Cu，形成点扫成分1：Nd25-35Fe20-30Pr20-30Cu0-10Ga0-5；点扫成分2：Nd45-55Fe10-20Pr20- 30Dy5-20Gd4-10；点扫成分3：Nd40-55Fe10-25Pr15-40Cu5-20Ga0-10Co0-5。
以上所述仅为本发明的较佳实施例，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
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