具体实施方式

为使本申请实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本申请实施例中的附图，对发明的具体技术方案做进一步详细描述。以下实施例用于说明本申请，但不用来限制本申请的范围。

在后续的描述中，使用用于表示元件的诸如“模块”或“单元”的后缀仅为了有利于本申请的说明，其本身没有特定的意义。因此，“模块”或“单元”可以混合地使用。

在3D NAND技术中，随着堆叠层数的不断提高，相同容量的晶片上阵列晶圆的尺寸不断减小，因此要求驱动(CMOS)晶圆的尺寸也要不断的减小。在整个芯片中，PB占据了芯片的大量区域，因此，PB尺寸的缩减会对整个芯片尺寸的缩减带来很大的帮助。

相关技术中的PB电路是由很多个平面型的低压N型的场效应晶体管(LVNMO)或低压P型的场效应晶体管(LVPMO)的阵列结构组成。如图1A所示，为相关技术中页缓存器的一种可选的平面结构示意图，可以看出，PB中每一个场效应晶体管包括有源区101(ActiveArea，AA)、沟道区、栅极102以及接触孔103。图1A中的参数分别代表以下含义：参数a表示两个场效应晶体管有源区的间距；参数d表示两个场效应晶体管栅极之间的间距；参数c表示栅极与有源区的重叠区与栅极之间的距离；参数p表示一个晶体管单元的宽度；参数L表示场效应晶体管的沟道长度；参数W表示场效应晶体管的沟道宽度；参数e1、e2表示接触孔与栅极之间的距离，e1与e2相等；参数f表示接触孔的尺寸；参数m表示场效应晶体管的有源区和接触孔的重叠区与有源区之间的距离。

鞍形鳍式场效应晶体管由于其特殊的器件结构，可以在泄露水平几乎不变的情况下，大幅度减小沟道长度，因此，可以用于PB整体尺寸的缩减。如图1B所示，为相关技术中鞍形鳍式场效应晶体管的结构示意图，可以看出，所述鞍形鳍式场效应晶体管包括：源极/漏极101'(Source/Drain，S/D)、栅极(Gate，G)102'、硅衬底104、栅绝缘层105和侧门106。相关技术中的鞍形鳍式场效应晶体管的栅极是伸入沟道区内的，与普通的平面型场效应晶体管的结构不同。图1C为相关技术中鞍形鳍式场效应晶体管在第一方向上的剖视图，如图1C所示，所述鞍形鳍式场效应晶体管的沟道长度为Lg，S/D的结深为Xj，且鞍形鳍式场效应晶体管的栅极在与沟道区接触的存在局部掺杂区域107。图1D为相关技术中鞍形鳍式场效应晶体管在第二方向上的剖视图，如图1D所示，Lov_xj是栅极和硅衬底交叠部分的深度，Lov_xj等于沟道的总深度Lc减去S/D的结深为Xj。

如图1E所示，为相关技术中由平面型的晶体管构成页缓存器的一种可选的平面结构示意图，可以看出，平面型的场效应晶体管由于沟道长度Lg的尺寸较大，因此，接触孔103可以落在沟道区之上的栅极上。然而，随着鞍形鳍式场效应晶体管的沟道长度不断缩小，例如，鞍形鳍式场效应晶体管的沟道长度缩小到0.1um，接触孔将无法落在沟道区之上的栅极上。如图1F所示，为相关技术中由鞍形鳍式场效应晶体管构成页缓存器的一种可选的平面结构示意图，可以看出，随着沟道长度Lg不断缩小～0.1um，接触孔103将无法落在沟道区之上的栅极上，进一步地，由于PB间距的限制，在延伸出沟道区两端的栅极上也没有多余的空间承接接触孔，例如，图1F中的区域A和区域B中也不能用来承接接触孔。

基于相关技术中存在的上述问题，本申请实施例提供一种页缓冲器，能够在鞍形鳍式场效应晶体管的沟道长度和PB的间距足够小时，实现在栅极上承接接触孔。

本申请实施例提供一种页缓冲器，所述页缓冲器应用于三维存储器，图2A为本申请实施例提供的三维存储器的结构示意图，如图2A所示，所述三维存储器200包括：存储单元阵列201、控制器202和页缓冲器203，其中，控制器202和页缓冲器203位于三维存储器的外围电路中，页缓冲器203通过位线与存储单元阵列201耦接，页缓冲器203用于向存储器单元阵列201传输数据或从存储器单元阵列201中读取数据。图2B为本申请实施例提供的页缓冲器的一个可选的结构示意图，如图2B所示，页缓冲器203包括至少一个晶体管单元，所述页缓冲器203中的每一所述晶体管单元通过位线(Bit Line，BL)与三维存储器的存储单元阵列201耦接。在写入操作期间，控制器202将数据、命令和地址传输到存储单元阵列201，在读取操作期间，控制器202将命令和地址传输到存储单元阵列201，并且从存储单元阵列201中读取数据。本申请实施例中，所述页缓冲器203包括晶体管单元2031、晶体管单元2032和晶体管单元2033。

每一所述晶体管单元包括至少一个场效应晶体管，每一所述场效应晶体管至少包括沟道区1以及覆盖所述沟道区的栅极。

这里，所述场效应晶体管可以是N型的场效应晶体管或者P型的场效应晶体管，本申请实施例中，所述场效应晶体管为鞍形鳍式场效应晶体管。

在一些实施例中，每一所述场效应晶体管还包括有源区，即源区和漏区。

所述栅极的第一端具有一外延区域2-1，所述外延区域2-1的尺寸大于所述栅极第二端所对应的延伸区域2-2的尺寸，这里，所述第一端和所述第二端分别为所述栅极的相对的两端。

需要说明的是，所述延伸区域为所述栅极的第二端延伸出所述沟道区的区域，所述延伸区域的尺寸包括但不限于以下至少之一：延伸区域在第一方向上的第一长度、延伸区域在第二方向上的第二长度、延伸区域在第一方向和第二方向所构成的平面中的第一横截面积。所述第一方向与所述第二方向垂直，所述第一方向与所述第二方向构成的平面垂直于所述接触孔的延伸方向。本申请实施例中，所述第一方向为X轴方向，所述第二方向为Y轴方向。

所述外延区域为所述栅极的第一端延伸出所述沟道区的区域；所述外延区域是通过外延工艺，对所述栅极进行外延生长，形成与所述栅极具有相同晶向的区域。所述外延区域的尺寸包括但不限于以下之一：外延区域在第一方向上的第三长度、外延区域在第二方向上的第四长度、外延区域在第一方向和第二方向所构成的平面中的第二横截面积。

这里，所述外延区域的尺寸大于所述栅极第二端所对应的延伸区域的尺寸包括以下两种情况：一是，所述第三长度大于所述第一长度，且所述第四长度大于所述第二长度；二是，所述第二横截面积大于所述第一横截面积。

所述外延区域用于连接接触孔，所述接触孔中填充有金属线，所述金属线用于向所述栅极提供电压，以导通所述场效应晶体管。这里，金属线包括金属钨线。

值得注意的是，所述接触孔与所述外延区域的重叠区域，位于所述外延区域的中心，如图2B中的接触孔3-1位于外延区域2-1的中心。

本申请实施例中，同一所述晶体管单元中的相邻两个所述外延区域位于所述晶体管单元中栅极的不同侧，位于不同的晶体管单元中且相邻的两个所述外延区域，相对于每一所述外延区域自身所在的晶体管单元中的栅极的位置相同。这里，位于不同的晶体管单元中相邻的所述场效应晶体管是指位于X轴方向上的相邻的场效应晶体管。

请继续参见图2B，可以看出，晶体管单元2031中的相邻的两个外延区域2-1和2'-1位于晶体管单元2031中的栅极的不同侧，晶体管单元2032中的相邻的两个外延区域5-1和5'-1也位于晶体管单元2032中的栅极的不同侧。

位于不同的晶体管单元2031和晶体管单元2032中，且相邻的两个外延区域2-1和5-1，其中，外延区域2-1相对于晶体管单元2031中的栅极的位置与外延区域5-1相对于晶体管单元2032中的栅极的位置相同，如图2B所示，均位于栅极的右侧；位于不同的晶体管单元2031和晶体管单元2032中，且相邻的两个外延区域2'-1和5'-1，其中，外延区域2'-1相对于晶体管单元2031中的栅极的位置与外延区域5'-1相对于晶体管单元2032中的栅极的位置也相同，如图2B所示，均位于栅极的左侧。

本申请实施例提供的页缓冲器，包括至少一个晶体管单元，且每一晶体管单元包括至少一个场效应晶体管，每一场效应晶体管至少包括沟道区以及覆盖沟道区的栅极，由于栅极的第一端具有一外延区域，且外延区域可以用于连接，接触孔中的金属线可以实现向栅极提供电压，以导通场效应晶体管，如此，能够在场效应晶体管的沟道长度和每一晶体管单元之间的距离足够小时，通过外延区域承接接触孔。

在一些实施例中，由于所述接触孔与所述外延区域的重叠区域，位于所述外延区域的中心，因此，所述外延区域的尺寸大于所述接触孔的尺寸。

在一些实施例中，所述接触孔可以是圆形孔；所述圆形孔的直径小于所述第三长度且小于所述第四长度，且所述圆形孔的直径与所述沟道长度之间的差值小于第一预设差值。

所述第一预设差值为大于等于0的正整数，这里，对第一预设差值的大小不进行限定。由于所述圆形孔的直径与所述沟道长度之间的差值小于第一预设差值，因此，所述圆形孔不能形成于位于沟道区上方的栅极中。

在一些实施例中，所述接触孔包括多边形孔，例如，四边形孔或六边形孔。所述多边形孔在所述第一方向的长度小于所述第三长度，且所述多边形孔在所述第二方向的长度小于所述第四长度。所述多边形孔在所述第二方向上的长度与所述沟道长度之间的差值小于第二预设差值。

所述第二预设差值为大于等于0的正整数，这里，对第二预设差值的大小不进行限定。由于所述多边形孔的直径与所述沟道长度之间的差值小于第二预设差值，因此，所述多边形孔不能形成于位于沟道区上方的栅极中。

本申请实施例中，同一晶体管单元中的相邻的两个接触孔的形状相同或不同。

在一些实施例中，每一所述场效应晶体管还包括位于所述沟道区两侧的源区和漏区，所述源区和所述漏区分别连接一所述接触孔；其中，位于所述源区、所述漏区和所述外延区域上的所述接触孔交错排列。

请继续参见图2B，场效应晶体管2031-1还包括位于所述沟道区两侧的源区4-1和漏区4-2，所述源区4-1和所述漏区4-2上分别连接有所述接触孔3-2和接触孔3-3，其中，位于源区、漏区和外延区域上的接触孔3-1、接触孔3-2和接触孔3-3交错排列。

本申请实施例中，位于同一场效应晶体管中的相邻两个所述接触孔之间具有第一预设距离或第二预设距离。

这里，所述第一预设距离包括两个所述接触孔在所述第一方向上的距离和两个所述接触孔在所述第二方向上的距离；所述第二预设距离包括两个所述接触孔在所述第一方向上的距离和两个所述接触孔在所述第二方向上的距离。

请继续参见图2B，场效应晶体管2031-1中相邻的接触孔3-1和接触孔3-2之间具有第一预设距离，所述第一预设距离包括接触孔3-1和接触孔3-2在X轴方向上的距离以及接触孔3-1和接触孔3-2在Y轴方向上的距离。场效应晶体管2031-1中相邻的接触孔3-1和接触孔3-3之间具有第二预设距离，所述第二预设距离包括接触孔3-1和接触孔3-3在X轴方向上的距离以及接触孔3-1和接触孔3-3在Y轴上的距离。本申请实施例中，对第一预设距离和第二预设距离的相对大小和绝对大小均不进行限定。

在一些实施例中，在不同的晶体管单元中，位于同一直线上的相邻两个场效应晶体管的栅极之间的距离大于第三预设距离。

所述第三预设距离表示相邻晶体管单元之间的间距，在一些实施例中，相邻晶体管单元之间的间距是一固定值，这里，对第三预设距离的大小不进行限定。

本申请实施例提供的页缓冲器，由于栅极的第一端的外延区域的尺寸大于接触孔的尺寸，因此，接触孔可以落在外延区域上，进而可以通过接触孔中的金属线向栅极提供电压，实现导通场效应晶体管。

本申请实施例提供一种页缓冲器，如图3所示，为本申请实施例提供的页缓冲器的一种可选的结构示意图，所述页缓冲器30包括：两个晶体管单元301和302，所述晶体管单元301包括场效应晶体管301-1和场效应晶体管301-2，所述晶体管单元302包括场效应晶体管302-1和场效应晶体管302-2，本申请实施例中，所述场效应晶体管包括鞍形鳍式场效应晶体管。

每一所述场效应晶体管包括：有源区、沟道区以及覆盖所述沟道区的栅极，如图3所示，所述场效应晶体管301-1包括：有源区5、沟道区6以及覆盖所述沟道区的栅极7。

每一所述晶体管单元具有一外延区域和一延伸区域，其中，所述延伸区域为所述栅极的第二端延伸出所述沟道区的区域；所述外延区域为所述栅极的第一端延伸出所述沟道区的区域，所述第一端和所述第二端分别为所述栅极的相对的两端。

请继续参见图3，所述场效应晶体管301-1包括延伸区域A1和外延区域A2，所述场效应晶体管301-2包括延伸区域A3和外延区域A4；所述场效应晶体管302-1包括延伸区域B1和外延区域B2，所述场效应晶体管302-2包括延伸区域B3和外延区域B4。

所述外延区域用于连接接触孔，所述接触孔中填充有金属线，所述金属线用于实现向所述栅极提供电压，以导通所述场效应晶体管。其中，同一所述晶体管单元中的相邻两个所述外延区域位于所述晶体管单元中的栅极的不同侧；位于不同的晶体管单元中且相邻的两个所述外延区域，相对于每一所述外延区域自身所在的晶体管单元中的栅极的位置相同。

请继续参见图3，所述外延区域A2、外延区域A4、外延区域B2和外延区域B4分别连接有接触孔C1-1、接触孔C2-1、接触孔C3-1和接触孔C4-1。所述晶体管单元301中的相邻两个外延区域A2和A4，位于晶体管单元301中的栅极的不同侧，所述晶体管单元302中的相邻两个外延区域B2和B4，位于晶体管单元302中的栅极的不同侧。位于不同的晶体管单元301和晶体管单元302中，且相邻的两个外延区域A2和B2，其中，外延区域A2相对于晶体管单元301中的栅极的位置与外延区域B2相对于晶体管单元302中的栅极的位置相同；位于不同的晶体管单元301和晶体管单元302中，且相邻的两个外延区域A4和B4，其中，外延区域A4相对于晶体管单元301中的栅极的位置与外延区域B4相对于晶体管单元302中的栅极的位置相同。

在一些实施例中，所述有源区包括位于所述沟道区两侧的源区和漏区，源区和所述漏区分别连接一所述接触孔，如图3所示出的位于有源区中的接触孔C1-2和接触孔C1-3。

下面示例性给出所述页缓冲器中的一些尺寸参数，如图3所示，所述场效应晶体管301-1的沟道长度Lg为0.1um，所述有源区之间的距离d1为0.204um；不同晶体管单元的栅极之间的d2距离为0.1um(对应上述实施例中的第三预设距离)；位于同一晶体管单元中相邻栅极之间的距离d3为0.23um；延伸区域在X轴方向上的尺寸d4为0.07um；延伸区域在Y轴方向上的尺寸d5为0.32um；外延区域在X轴方向上的尺寸d6为0.094um；外延区域在Y轴方向上的尺寸d7为0.1um；相邻晶体管单元的有源区之间的距离d8为0.264um；同一晶体管单元中相邻场效应晶体管的栅极的同一端之间的距离d9为0.12um；CT的关键尺寸(CriticalDimension，CD)为0.05*0.09um；外延区域与接触孔C1-1的重叠区域在X轴方向的尺寸为0.044um；外延区域与接触孔C1-1的重叠区域在Y轴方向的尺寸为0.115um。这里，由于外延区域与接触孔C1-1的重叠区域在Y轴方向的尺寸大于沟道长度Lg，因此，接触孔不能落在栅极与沟道区的重叠区域上。

本申请实施例，在基于鞍形鳍式场效应晶体管设计的PB中，当沟道长度缩减到～0.1um后，在栅极P2(Poly)外延区域(Extension)进行非对称设计，使得栅极在沟道区域的两侧具有不同尺寸的延伸区域。将栅极具有较大尺寸的延伸区域的一端用于承接CT，进而实现给栅极加压。在同一晶体管单元中，将具有较大尺寸的延伸区域进行错位设计，使得页缓冲器之间间距足够。同时，将AA和P2上的CT错开，以满足CT间距的要求。

本申请实施例提供的页缓冲器，可以实现将CT落在0.1um的沟道长度鞍形鳍式场效应晶体管中，从而使得鞍形鳍式场效应晶体管真正可用，并且，本申请实施例提供的页缓冲器可以满足工艺余量的需求。

除此之外，本申请实施例还提供一种场效应晶体管，图4为本申请实施例提供的场效应晶体管的结构示意图，如图4所示，所述场效应晶体管至少包括沟道区401以及覆盖所述沟道区的栅极402。

所述栅极402的第一端具有一外延区域402-1，所述外延区域402-1的尺寸大于所述栅极402第二端所对应的延伸区域402-2的尺寸，其中，所述第一端和所述第二端分别为所述栅极的相对的两端。

在一些实施例中，所述外延区域402-1用于连接接触孔403-1，所述接触孔403-1中填充有金属线，所述金属线用于向所述栅极402提供电压，以导通所述场效应晶体管40。这里，所述金属线包括金属钨线。

在一些实施例中，所述场效应晶体管还包括：有源区，即源区404和漏区405，所述源区和所述漏区分别连接接触孔403-2和接触孔403-3。且本申请实施例中，位于所述源区404、所述漏区405和所述外延区域402-1上的接触孔403-2、接触孔403-3和接触孔403-3交错排列。

需要说明的是，本申请实施例提供的场效应晶体管与上述实施例中的页缓冲器中的每一晶体管单元中的场效应晶体管具有相同的结构，对于本申请实施例未详尽披露的技术特征，请参考上述实施例进行理解。

本申请实施例提供的场效应晶体管，由于栅极具有一外延区域，且外延区域可以用于连接接触孔，接触孔中的金属线可以实现向栅极提供电压，以导通场效应晶体管，如此，可以在场效应晶体管的沟道长度足够小时，实现场效应晶体管的各种功能。

在本申请所提供的几个实施例中，应该理解到，所揭露的设备，可以通过其它的方式实现。以上所描述的设备实施例仅仅是示意性的，例如，所述单元的划分，仅仅为一种逻辑功能划分，实际实现时可以有另外的划分方式，如：多个单元或组件可以结合，或可以集成到另一个系统，或一些特征可以忽略，或不执行。

上述作为分离部件说明的单元可以是、或也可以不是物理上分开的，作为单元显示的部件可以是、或也可以不是物理单元，即可以位于一个地方，也可以分布到多个网络单元上；可以根据实际的需要选择其中的部分或全部单元来实现本实施例方案的目的。

以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。