具体实施方式

1.线圈部件

以下，参照附图对本发明的线圈部件详细地进行说明。

图1是示意性地表示本发明的线圈部件的实施方式的外观立体图。图2是图1所示的线圈部件的埋设有线圈导体的磁性体部的透视立体图。图3是表示本发明的线圈部件的图1的线III－III截面图。图4是表示本发明的线圈部件的图1的线IV－IV截面图。图5(a)是本发明的线圈部件的单元体的截面示意图，图5(b)是a部的部分放大图。

线圈部件10具有立方体状的单元体12和外部电极30。

(A)单元体

单元体12具有磁性体部14和埋设于磁性体部14的线圈导体16。单元体12具有在加压方向x相向的第1主面12a和第2主面12b、在与加压方向x正交的宽度方向y相向的第1侧面12c和第2侧面12d以及在与加压方向x和宽度方向y正交的长度方向z相向的第1端面12e和第2端面12f。单元体12的尺寸没有特别限定。

(B)磁性体部

磁性体部14如图5所示，包含金属磁性体粒子14a、树脂材料14b和绝缘体粒子15。

树脂材料没有特别限定，例如可举出环氧树脂、酚醛树脂、聚酯树脂、聚酰亚胺树脂、聚烯烃树脂等有机材料。树脂材料可以仅为1种，也可以为2种以上。

金属磁性体粒子14a由第1金属磁性体粒子构成。应予说明，金属磁性体粒子可以进一步包含第2金属磁性体粒子。

第1金属磁性体粒子可以具有10μm以上的平均粒径。另外，第1金属磁性体粒子具有优选为200μm以下、更优选为100μm以下、进一步优选为80μm以下的平均粒径。通过使第1金属磁性体粒子的平均粒径为10μm以上，能够增大金属磁性体粒子的填充率，磁性体部的有效磁导率提高。

第2金属磁性体粒子的平均粒径小于第1金属磁性体粒子的平均粒径。第2金属磁性体粒子具有10μm以下的平均粒径。如此，通过第2金属磁性体粒子的平均粒径比第1金属磁性体粒子的平均粒径小，由此磁性体部14中的金属磁性体粒子的填充性进一步提高，从而能够提高线圈部件10的磁特性。

在此，平均粒径是指平均粒径D50(相当于体积基准的累积百分率50％的粒径)。平均粒径D50可以利用例如动态光散射式粒度分析计(日机装株式会社制，UPA)进行测定。

作为第1金属磁性体粒子和第2金属磁性体粒子，没有特别限定，例如可举出铁、钴、镍或钆或者含有它们中的1种或2种以上的合金。优选第1金属磁性体粒子为铁或铁合金。作为铁合金，没有特别限定，例如可举出Fe－Si、Fe－Si－Cr、Fe－Si－Al等。第1金属磁性体粒子和第2金属磁性体粒子可以仅为1种，也可以为2种以上。

第1金属磁性体粒子和第2金属磁性体粒子的表面如图5所示，被绝缘被膜14a1覆盖。通过由绝缘被膜14a1覆盖金属磁性体粒子的表面，能够提高磁性体部14的内部的电阻率。

绝缘被膜14a1的材料的相对磁导率低于金属磁性体粒子14a。更优选为非磁性。具体而言，绝缘被膜14a1的材料可举出磷酸盐玻璃。特别优选经机械化学处理的利用磷酸锌玻璃形成的绝缘被膜。作为玻璃成分，含有Si、P、Bi、B、Ba、V、Sn、Te、K、Ca、Zn、Na、Li中的至少一种。

绝缘被膜14a1的厚度没有特别限定，优选可以为5nm～500nm，更优选为可以为10nm～250nm。另外，绝缘被膜14a1的平均厚度优选为30nm以上。通过进一步增大绝缘被膜14a1的厚度，能够进一步提高磁性体部14的电阻率。另外，通过增大绝缘被膜的厚度，在将金属磁性体粒子高填充时，能够防止金属磁性体粒子彼此、与线圈导体的短路，可期待绝缘耐压的提高。另一方面，通过进一步减小绝缘被膜14a1的厚度，能够进一步增多磁性体部14中的金属磁性体粒子的量，磁性体部14的磁特性提高。

应予说明，金属磁性体粒子的绝缘被膜14a1的膜厚是在FIB(聚焦离子束)处理后，利用TEM(透射型电子显微镜)进行观察来测定的。由于膜厚存在偏差，因此，例如观察15处(5个粒子，每1个粒子为3处)以上，通过其平均而求出平均膜厚。观察倍率优选50000倍～500000倍左右。

磁性体部14中的第1金属磁性体粒子和第2金属磁性体粒子的含量相对于磁性体部整体，优选为50体积％以上，更优选为60体积％以上，进一步优选为70体积％以上。通过使第1金属磁性体粒子和第2金属磁性体粒子的含量为该范围，本发明的线圈部件的磁特性提高。另外，第1金属磁性体粒子和第2金属磁性体粒子的含量相对于磁性体部14整体，优选为99体积％以下，更优选为95体积％以下，进一步优选为90体积％以下。通过使第1金属磁性体粒子和第2金属磁性体粒子的含量为该范围，能够进一步提高磁性体部14的电阻率。

磁性体部14的表面部分中，与线圈导体16邻接的区域可以被除去。通过除去与线圈导体16邻接的区域的磁性体部14，磁性体部14与线圈导体16的间隙变大，线圈导体16的露出面积增加。由此，线圈导体16的与外部电极30的连接面积增加，可期待接合强度的提高和直流电阻的降低。

绝缘体粒子15的相对磁导率低于金属磁性体粒子14a。更优选绝缘体粒子15为非磁性。另外，绝缘体粒子15优选含有玻璃成分。作为玻璃成分，含有Si、P、Bi、B、Ba、V、Sn、Te、K、Ca、Zn、Na、Li中的至少一种。

另外，绝缘体粒子15与被覆金属磁性体粒子14a的绝缘被膜14a1的材料的主成分为相同种类的化合物。

应予说明，磁性体部14中所含的绝缘体粒子15如下确定。即，通过离子铣削、研磨等使磁性体部14的截面露出，通过EDX(能量色散型X射线分析：Energy Dispersive X－rayspectroscopy)进行磁性体部14中含有的金属磁性体粒子14a的绝缘被覆14a1和绝缘体粒子15的元素分析，由此能够确定成分。应予说明，对于是否是相同种类的化合物的判断，偏离化学计量比时，视为相同种类的化合物。

特别是玻璃成分为磷酸锌玻璃时，如果绝缘体粒子15过多，则发生因耐湿放置试验所致的电感的降低(以下，称为耐湿不良)，因此，对于绝缘体粒子的含量，绝缘体粒子的面积相对于磁性体部截面的面积的比例优选为0.1％～5.0％，更优选为0.1％～4.0％。对于绝缘体粒子的含量，进一步优选绝缘体粒子的面积相对于磁性体部截面的面积的比例为1.0％～2.0％。

另外，对于绝缘体粒子的含量，磁性体部截面中的绝缘体粒子的面积相对于金属磁性体粒子的面积的比例优选为0.1％～6.0％，更优选为0.1％～4.8％。进一步优选为1.2％～2.4％。

由此，能够使线圈部件10的直流叠加特性的提高更显著。

应予说明，上述的各绝缘体粒子的面积的比例(面积率)如下算出。

即，首先，使用截面铣削装置使线圈部件10的截面露出，利用SEM(扫描型电子显微镜)进行观察。以对比度与金属磁性体粒子、外部电极、线圈导体、树脂材料相区别的方式观察绝缘体粒子，因此，容易确认。在观察的截面中，绝缘体粒子的含有率作为面积率算出。观察的倍率优选500倍～2000倍左右。

在本实施方式中，绝缘体粒子的面积的比例与绝缘体粒子的体积的比例大致相等。

另外，绝缘体粒子15和被覆金属磁性体粒子14a的绝缘被膜14a1的材料的主成分为相同成分。这样，也不需要除去通过金属磁性体粒子14a的被覆处理而产生的绝缘体粒子15的残渣，通过直接混入磁性体部14，作为结果能够添加缘体粒子15。

应予说明，在磁性体部14的内部，以夹持线圈导体16的方式插入非磁性层而配置。由此，能够提高线圈部件10的直流叠加特性。另外，非磁性层优选由与构成磁性体部14的成分相同的成分构成。由此，不易产生磁性体部14内的非磁性层与其它层之间的剥离。

(C)线圈导体

上述线圈导体16具有将包含导电性材料的导线卷绕成线圈状而形成的卷绕部20、向卷绕部20的一侧引出的第1引出部22a以及向卷绕部20的另一侧引出的第2引出部22b。

卷绕部20卷绕成2层而形成。线圈导体16将平角导线卷绕成α卷形状而形成。平角导线的宽度方向y的尺寸优选为15μm～200μm，加压方向x的尺寸为50μm～500μm。

第1引出部22a从单元体12的第1端面12e露出而配置第1露出部24a，第2引出部22b从单元体12的第2端面12f露出而配置第2露出部24b。

在此，示出本发明的实施方式的线圈部件10的单元体12的变形例。

图6(a)是表示本发明的实施方式的线圈部件的单元体的变形例的透视立体图，图6(b)是从与(a)不同的方向观察的透视立体图。

如图6(a)和(b)所示，单元体112包含磁性体部114和埋设于磁性体部114的线圈导体116。单元体112形成为大致立方体形状，具有在高度方向x相向的第1主面112a和第2主面112b、在与高度方向x正交的宽度方向y相向的第1侧面112c和第2侧面112d以及在与高度方向x和宽度方向y正交的长度方向z相向的第1端面112e和第2端面112f。

磁性体部114具有配置于单元体112的内部的第1磁性体部114a以及覆盖第1磁性体部114a和线圈导体116的第2磁性体部114b。

线圈导体116具有配置于第1磁性体部114a的一面侧且将包含导电性材料的导线卷绕成线圈状而形成的卷绕部120、向卷绕部120的一侧引出的第1引出部122a以及向卷绕部120的另一侧引出的第2引出部122b。第1引出部122a向单元体112的第2主面112b的第1端面112e侧引出而露出，第2引出部122b向单元体112的第2主面112b的第2端面112f侧引出而露出。

如此，第1引出部122a可以形成并配置于单元体112的第2主面112b，第2引出部122b可以形成并配置于单元体112的第2主面112b。

线圈导体16由导线或电线(wire)构成。作为线圈导体16的导电性材料，没有特别限定，例如可举出Ag、Au、Cu、Pd、Ni等。优选可举出Cu作为导电性材料。导电性材料可以仅为1种，也可以为2种以上。

形成线圈导体16的导线被绝缘性物质被覆而形成绝缘被膜。通过将形成线圈导体16的导线由绝缘性物质被覆，能够使所卷绕的线圈导体16彼此以及线圈导体16与磁性体部14的绝缘更可靠。

应予说明，在线圈导体16的第1露出部24a和第2露出部24b各自的部分未形成绝缘被膜。因此，容易通过镀覆处理而形成外部电极30。另外，能够进一步降低线圈导体16与外部电极30的电连接中的电阻值。

作为绝缘被膜的绝缘性物质，没有特别限定，例如可举出聚氨酯树脂、聚酯树脂、环氧树脂、聚酰胺酰亚胺树脂。优选可举出聚酰胺酰亚胺树脂作为绝缘被膜。

绝缘被膜的厚度优选为2μm～10μm。

(D)外部电极

在单元体12的第1端面12e侧和第2端面12f侧配置有外部电极30。外部电极30具有第1外部电极30a和第2外部电极30b。

第1外部电极30a配置于单元体12的第1端面12e的表面。应予说明，第1外部电极30a可以形成为从第1端面12e延伸并覆盖第1主面12a、第2主面12b、第1侧面12c和第2侧面12d各自的一部分，也可以形成为从第1端面12e向第2主面12b延伸并覆盖第1端面12e和第2主面12b各自的一部分。另外，如图6所示，形成线圈导体116的第1引出部122a并从第2主面112b露出时，第1外部电极30a可以形成为覆盖第2主面112b的一部分。此时，第1外部电极30a与线圈导体16的第1引出部22a电连接。

第2外部电极30b配置于单元体12的第2端面12f的表面。应予说明，第2外部电极30b可以形成为从第2端面12f延伸并覆盖第1主面12a、第2主面12b、第1侧面12c和第2侧面12d各自的一部分，也可以形成为从第2端面12f向第2主面12b延伸并覆盖第2端面12f和第2主面12b各自的一部分。另外，如图6所示，形成线圈导体116的第2引出部122b并从第2主面112b露出时，第2外部电极30b可以形成为覆盖第2主面112b的一部分。此时，第2外部电极30b与线圈导体16的第2引出部22b电连接。

第1外部电极30a和第2外部电极30b各自的厚度没有特别限定，例如可以为1μm～50μm，优选可以为5μm～20μm。

第1外部电极30a包含第1基底电极层32a和配置于第1基底电极层32a的表面的第1镀覆层34a。同样地，第2外部电极30b包含第2基底电极层32b和配置于第2基底电极层32b的表面的第2镀覆层34b。

第1基底电极层32a配置于单元体12的第1端面12e的表面。应予说明，第1基底电极层32a可以形成为从第1端面12e延伸并覆盖第1主面12a、第2主面12b、第1侧面12c和第2侧面12d各自的一部分，也可以形成为从第1端面12e延伸并覆盖第1端面12e和第2主面12b各自的一部分。另外，如图6所示，形成线圈导体116的第1引出部122a并从第2主面112b露出时，第1基底电极层32a可以形成为覆盖第2主面112b的一部分。

另外，第2基底电极层32b配置于单元体12的第2端面12f的表面。应予说明，第2基底电极层32b可以形成为从第2端面12f延伸并覆盖第1主面12a、第2主面12b、第1侧面12c和第2侧面12d各自的一部分，也可以形成为从第2端面12f延伸并覆盖第2端面12f和第2主面12b各自的一部分。另外，如图6所示，形成线圈导体116的第2引出部122b并从第2主面112b露出时，第2基底电极层32b可以形成为覆盖第2主面112b的一部分。

第1基底电极层32a和第2基底电极层32b由导电性材料、优选选自Au、Ag、Pd、Ni和Cu中的1种或1种以上的金属材料构成。

应予说明，第1基底电极层32a和第2基底电极层32b通过导体膏的涂布、溅射、镀覆而形成。

第1镀覆层34a配置成覆盖第1基底电极层32a。具体而言，第1镀覆层34a配置成覆盖配置于第1端面12e的第1基底电极层32a，进一步可以配置成从第1端面12e延伸并覆盖设置于第1主面12a、第2主面12b、第1侧面12c和第2侧面12d的第1基底电极层32a的表面，也可以配置成覆盖第1基底电极层32a，所述第1基底电极层32a配置成从第1端面12e延伸并覆盖第1端面12e和第2主面12b各自的一部分。另外，如图6所示，形成线圈导体116的第1引出部122a并向第2主面112b直接引出时，可以形成为覆盖配置于第2主面112b的第1基底电极层32a。

第2镀覆层34b配置成覆盖第2基底电极层32b。具体而言，第2镀覆层34b配置成覆盖配置于第2端面12f的第2基底电极层32b，进一步可以配置成从第2端面12f延伸并覆盖配置于第1主面12a、第2主面12b、第1侧面12c和第2侧面12d的第2基底电极层32b的表面，也可以配置成覆盖第2基底电极层32b，所述第2基底电极层32b配置成从第2端面12f延伸并覆盖第2端面12f和第2主面12b各自的一部分。另外，如图6所示，形成线圈导体116的第2引出部122b并向第2主面112b直接引出时，可以形成为覆盖配置于第2主面112b的第2基底电极层32b。

作为第1镀覆层34a和第2镀覆层34b的金属材料，例如包含选自Cu、Ni、Ag、Sn、Pd、Ag－Pd合金或Au等中的至少1种。

第1镀覆层34a和第2镀覆层34b可以形成为多层。

第1镀覆层34a为第1镀Ni层36a与形成于第1镀Ni层36a的表面的第1镀Sn覆层38a的2层结构。第2镀覆层34b为第2镀Ni层36b与形成于第2镀Ni层36b的表面的第2镀Sn覆层38b的2层结构。

(E)保护层

在本实施方式中，保护层40形成在除在单元体12的第1端面12e露出的第1露出部24a和在第2端面12f露出的第2露出部24b以外的单元体12的表面上。保护层40例如由丙烯酸树脂、环氧树脂、聚酰亚胺等电绝缘性高的树脂材料构成。应予说明，在本发明中，保护层并非必需，也可以不存在。

对于线圈部件10，如果将长度方向z的尺寸设为L尺寸，则L尺寸优选1.0mm～12.0mm。如果将线圈部件10的宽度方向y的尺寸设为W尺寸，则W尺寸优选0.5mm～12.0mm。如果将线圈部件10的加压方向x的尺寸设为T尺寸，则T尺寸优选0.5mm～6.0mm。

2.线圈部件的制造方法

接着，对线圈部件的制造方法进行说明。首先，对磁性粉末混合树脂材料的制造方法进行说明。

(A)金属磁性体粒子的准备

首先，准备金属磁性体粒子。在此，作为金属磁性体粒子，没有特别限定，例如可以使用α－Fe、Fe－Si、Fe－Si－Cr、Fe－Si－Al、Fe－Ni、Fe－Co等Fe系软磁性材料粉末。另外，对于金属磁性体粒子的材料形态，也优选具有良好的软磁性特性的非晶质，但没有特别限定，也可以为结晶质。

金属磁性体粒子可以使用平均粒径不同的2种以上的金属磁性体粒子。金属磁性体粒子分散在树脂材料中。从提高金属磁性体粒子的填充效率的观点考虑，例如可使用平均粒径为10μm～40μm的第1金属磁性体粒子和平均粒径为5μm以下的第2金属磁性体粒子等之类的具有不同平均粒径的金属磁性体粒子。

(B)绝缘被膜的形成

接着，将金属磁性体粒子的表面用绝缘被膜被覆。在此，通过机械方法形成绝缘被膜时，将金属磁性体粒子和绝缘材料粉末投入旋转容器，通过机械化学处理进行粒子复合化，由此在磁性体粉末的表面被覆形成绝缘被膜。

应予说明，绝缘被膜的膜厚优选以10nm～250nm形成，且平均膜厚为30nm以上。绝缘被膜的膜厚可以通过调整机械化学处理时的处理时间、绝缘材料粉末的添加量来控制。即，通过增加绝缘材料粉末的添加量、延长机械化学处理的处理时间，能够加厚绝缘被膜的膜厚。

(C)绝缘体粒子的准备

接着，准备绝缘体粒子。绝缘体粒子是磁性低于金属磁性体粒子的绝缘体粒子。更优选绝缘体粒子为非磁性。另外，绝缘体粒子优选含有玻璃成分。作为玻璃成分，含有Si、P、Bi、B、Ba、V、Sn、Te、K、Ca、Zn、Na、Li中的至少一种。

另外，绝缘体粒子与被覆金属磁性体粒子的绝缘被膜的材料的主成分为相同的成分。

(D)磁性体片的制作

接着，准备由绝缘被膜被覆的金属磁性粒子。

接下来，向金属磁性粒子添加树脂材料和绝缘体粒子，以湿式进行混合而制造磁性粉末混合树脂材料。作为树脂材料，没有特别限定，例如可以使用环氧树脂、酚醛树脂、聚酯树脂、聚酰亚胺树脂、聚烯烃树脂等。

由此，将磁性粉末混合树脂材料浆料化，接着，使用刮刀法等实施成型加工，然后使其干燥而制作磁性体片。

另外，绝缘体粒子的添加量相对于磁性粉末混合树脂材料，优选为0.1vol％～5.0vol％，更优选为0.1vol％～4.0vol％，进一步优选为1.0vol％～2.0vol％。对于绝缘体粒子的含量，绝缘体粒子的添加量相对于金属磁性体粒子的添加量的比例优选为0.1vol％～6.0vol％，更优选为0.1vol％～4.8vol％，进一步优选为1.2vol％～2.4vol％。

(E)集合基体的制作

接着，准备由以Cu作为电线导线且由绝缘被膜被覆的平角导线构成的α卷形状的线圈导体16。

接下来，制造埋设有线圈导体16的单元体12。

首先，准备第1模具，在该第1模具上矩阵状地配置线圈导体16。

接着，在这些线圈导体16上重叠包含第1金属磁性体粒子、第2金属磁性体粒子、树脂材料和绝缘体粒子的混合物的第1磁性体片，接着，将第1磁性体片用第1模具用第2模具夹持而进行1次压制成型。通过该1次压制成型，线圈导体16的至少一部分被埋入上述片中，在线圈导体16的内部填充有混合物，制作第1成型体。

接着，使通过1次压制成型而得到的埋入有线圈导体16的第1成型体从第1模具脱离，接着，在线圈导体16露出的面重叠另一第2磁性体片。然后，将第2磁性体片用第2模具上的1次成型体和第3模具夹持而进行2次压制成型。

如上通过2次压制成型制作将线圈导体16的整体埋入第1磁性体片和第2磁性体片中的集合基体(第2成型体)。

(F)单元体的制作

接着，使第2模具和第3的模具脱离，得到集合基体。然后，使用切块机等切割用具将集合基体切割而单片化，由此制作将线圈导体16埋设为线圈导体16的第1露出部24a和第2露出部24b从单元体12的两端面露出的单元体12。集合基体向各单元体12的分割可以使用切割刀片、各种激光装置、切块机、各种刀具、模具进行。在优选的方式中，各单元体12的切断面被滚筒研磨。

接着，在上述得到的单元体12的整面形成保护层40。保护层40可通过电沉积涂装、喷涂法、浸渍法等来形成。

通过对上述得到的由保护层40被覆的单元体12的线圈导体16的配置有第1露出部24a和第2露出部24b的部位周边照射激光，将线圈导体16的配置有1露出部24a和第2露出部24b的部位周边的保护层、被覆金属磁性体粒子和金属磁性体粒子的绝缘被膜除去，并且使金属磁性体粒子熔融。

(G)外部电极的形成

接着，在单元体12的第1端面12e形成第1外部电极30a，在第2端面12f形成第2外部电极30b。

首先，将单元体12通过电解滚镀进行镀Cu而形成基底电极层。接下来，在基底电极层的表面通过镀Ni而形成镀Ni层，进一步通过镀Sn而形成镀Sn层，形成外部电极30。由此，线圈导体16的第1露出部24a与第1外部电极30a电连接，线圈导体16的第2露出部24b与第2外部电极30b电连接。

如上制造线圈部件10。

应予说明，在金属磁性体粒子形成绝缘被膜的工序中的机械化学处理中，如果过量地投入绝缘被膜的材料，则不是全部成为绝缘被膜，有时一部分成为残渣。通过该残渣混入磁性体部14，也可以作为绝缘体粒子发挥作用。因此，不需要除去该实施方式的成为残渣的绝缘被膜的材料。

另外，在金属磁性体粒子的表面形成绝缘被膜的工序中的机械化学处理中，通过调整绝缘体材料粉末的投入量，也能够调整金属磁性体粒子的绝缘被膜的膜厚和磁性体部14的绝缘体粒子的含量。另外，通过除去绝缘体材料粉末的残渣，也能够调整磁性体部14的绝缘体粒子的含量。

作为除去绝缘体材料粉末的残渣的方法，可以通过风力分级、清洗、或筛网处理等来进行。

在图1所示的线圈部件10中，由于在磁性体部14中含有磁性低于金属磁性体粒子的绝缘体粒子，因此，直流叠加特性提高。

另外，在图1所示的线圈部件10中，由于磁性低于金属磁性体粒子的绝缘体粒子分散配置于磁性体部14的整体，因此，通过分散在磁性体部14中的绝缘体粒子和金属磁性体粒子的绝缘被膜，将磁通的流动切断，能够提高直流叠加特性，并且由于未将磁通的流动完全切断，因此，能够抑制电感值的降低。

进而，在图1所示的线圈部件10中，通过使被覆金属磁性体粒子的绝缘被膜的厚度例如加厚至30nm以上，能够扩大金属磁性体粒子间的距离，因此，同样地，直流叠加特性提高，也能够抑制电感值的降低。

因此，通过在磁性体部14中含有磁性低于金属磁性体粒子的绝缘体粒子且加厚被覆金属磁性体粒子的绝缘被膜的厚度，能够得到能够提高直流叠加特性的线圈部件10。

另外，如果绝缘体粒子的添加量相对于磁性粉末混合树脂材料为0.1vol％～4.0vol％，则能够抑制线圈部件因耐湿放置试验所致的L值的降低。进而，如果绝缘体粒子的添加量相对于金属磁性体粒子的添加量的比例为0.1vol％～4.8vol％，则能够抑制因耐湿放置试验所致的L值的降低。由此，能够提高线圈部件10的可靠性。

3.实验例

接着，为了确认使用上述的本发明的磁性粉末混合树脂材料的线圈部件的效果，进行用于评价有效磁导率、饱和磁通密度和耐湿放置试验后的L值降低率的实验。

(1)样品的规格

本实验中使用的样品的规格如下。

·线圈部件的尺寸(设计值)是L尺寸为1.6mm，W尺寸为0.8mm，T尺寸为0.8mm。

·磁性体部的材料

第1金属磁性体粒子：Fe系合金(Fe－Si－Cr系)、平均粒径：35μm

第2金属磁性体粒子：Fe系合金(Fe－Si－Cr系)、平均粒径：5μm

绝缘被覆的材料：磷酸盐玻璃

绝缘体粒子：磷酸盐玻璃

树脂：环氧树脂

·线圈导体的材料：Cu

·保护层的材料：丙烯酸系树脂、膜厚：4μm

·外部电极的结构

镀Cu、镀Ni和镀Sn的3层结构

添加于各样品的绝缘体粒子的添加量示于表1。

(2)有效磁导率的算出

作为各样品的线圈部件的有效磁导率如下算出。

利用阻抗分析仪测定线圈部件的电感，测定1MHz下的电感。例如，在使用有效磁导率20、饱和磁通密度Bs＝0.90的材料制作线圈部件时，使用已知电感L＝0.26μH、直流饱和电流Isat＝5.0A的线圈导体进行线圈部件的试制。由于电感相对于有效磁导率线性变化，因此，由此由电感换算为有效磁导率。

(3)饱和磁通密度的测定

作为各样品的线圈部件的饱和磁通密度如下测定。

测定施加直流电流时的电感变化，将从初始的电感起电感降低30％时的电流值定义为直流饱和电流。例如，在使用上述有效磁导率20、饱和磁通密度Bs＝0.90的材料制作线圈部件时，使用已知电感L＝0.26μH、直流饱和电流Isat＝5.0A的线圈导体进行线圈部件的试制。由于饱和磁通密度与直流饱和电流相关，因此，由此由直流饱和电流换算为饱和磁通密度。

(4)耐湿放置试验的测定方法

对作为各样品的线圈部件如下进行耐湿放置试验。即，在85℃和85％RH(相对湿度)的条件下测定试验初期和1000小时后的L值，算出其降低率。

(5)绝缘被膜的厚度的测量方法

金属磁性体粒子的绝缘被膜的膜厚在FIB(聚焦离子束)处理后，利用TEM(透过型电子显微镜)进行观察而测定。具体而言，选择5个粒子，对各粒子观察3处、合计15处，算出其平均值作为平均膜厚。观察倍率为50000倍～500000倍。

将各实施例和比较例中的样品的“有效磁导率”、“饱和磁通密度”、“耐湿放置试验后的L值的降低率”和“绝缘被膜的平均厚度”各自的评价结果示于表1。

(6)评价结果

首先，根据表1，确认了如果相对于磁性粉末混合树脂材料增加绝缘体粒子的添加量，则有效磁导率稍微减少。另外，根据表1，确认了如果相对于磁性粉末混合树脂材料增加绝缘体粒子的添加量，则饱和磁通密度增加。进而，根据表1，确认了如果绝缘体粒子相对于磁性粉末混合树脂材料的添加量的比例超过2.0vol％，则L值大幅降低。

将实施例1～实施例5的样品的线圈部件与比较例的样品的线圈部件对比时，确认了虽然实施例1～实施例5的样品的线圈部件中含有绝缘体粒子，但饱和磁通密度的增加率大于有效磁导率的降低率。

另外，将实施例5与实施例6的样品的线圈部件对比时，确认了实施例5的样品的线圈部件的绝缘体被膜的平均厚度为30nm，因此，可得到具有较高的饱和磁通密度的线圈部件。

进而，在实施例1～实施例4中，如果绝缘体粒子相对于磁性体部的添加量为1.0vol％～4.0vol％，则能够将耐湿放置试验后的L值的低下率抑制为－8.0％。另外，明确了如果绝缘体粒子相对于金属磁性体粒子的添加量为1.2vol％～4.8vol％，能够将耐湿放置试验后的L值的降低率抑制为－8.0％。

进而，在实施例1和实施例2中，如果缘体粒子的添加量为1.0vol％～2.0vol％，则能够将耐湿放置试验后的L值的降低率抑制为－2.5％。另外，明确了如果绝缘体粒子相对于金属磁性体粒子的添加量为1.2vol％～2.4vol％，则能够将耐湿放置试验后的L值的低下率抑制为－2.5％。

应予说明，含有较多耐湿性低的磷酸锌玻璃作为绝缘体粒子的实施例5和实施例6的样品的线圈部件的耐湿放置试验后的L值的降低率大。认为这是因为以下原因。即，如果为耐湿放置试验这样的环境，则作为绝缘体粒子的磷酸锌玻璃溶解，因此，因从溶解后所形成的间隙进入的水分而金属磁性体粒子生锈，因此，由此认为电感(L值)降低。

应予说明，如上所述，本发明的实施方式被上述记载公开，但本发明并不限定于此。

即，在不脱离本发明的技术思想和目的的范围的情况下，可以对以上说明的实施方式进行关于机理、形状、材质、数量、位置或配置等的各种变更，它们包含在本发明中。