具体实施方式

下面，对于本发明所涉及的声表面波器件的制造方法的优选实施方式，使用附图进行说明。在各附图中，对于相同或相当的部分，附加相同标号进行说明。

<声表面波器件的整体结构>

图1是示出本发明所制造的声表面波器件的整体结构的示意图。

本发明所制造的声表面波器件包括：压电层10；低声阻抗层20A、20B、 20C，该低声阻抗层例如是通过非连续性低温溅射工艺生长的二氧化硅层；以及高声阻抗层30A、30B，该高声阻抗层例如是通过非连续性低温溅射工艺生长的氮化硅层；以及键合的衬底层40。低声阻抗层20A、20B、20C以及高声阻抗层30A、30B构成IHP-SAW的多层反射栅结构，其中层数不限，高声阻抗层的层数≥1，低声阻抗层的层数≥1。此外，标号101表示压电基底的智能剥离界面。

压电层的材料可以是无机压电材料和有机压电材料，无机压电材料包括压电晶体和压电陶瓷。压电晶体一般是指压电单晶体，例如可以为水晶 (石英晶体)、镓酸锂、锗酸锂、锗酸钛以及铁晶体管铌酸锂、钽酸锂等。压电陶瓷一般泛指压电多晶体，例如可以为钛酸钡BT、锆钛酸铅PZT、改性锆钛酸铅、偏铌酸铅、铌酸铅钡锂PBLN、改性钛酸铅PT等。有机压电材料又称压电聚合物，例如可以为聚偏氟乙烯(PVDF)(薄膜)及以它为代表的其他有机压电(薄膜)材料。此外，衬底层的材料例如可以为蓝宝石、 Al₂O₃，碳化硅等。本申请中，压电层的材料和衬底层的材料没有特别限制，可根据需要进行适当改变。

下面，以低声阻抗层20A、20B、20C采用二氧化硅，高声阻抗层30A、 30B采用氮化硅或钨(W)金属为例进行说明，但低声阻抗层以及高声阻抗层的材料并不局限于此，可根据需要进行适当改变。

实施例1.

本发明的实施例1的声表面波器件的制造方法包括如下工序：准备压电层的第一工序；在所述压电层上通过非连续性低温溅射工艺生长第1低声阻抗层的第二工序；在所述第1低声阻抗层上通过非连续性低温溅射工艺生长第 1高声阻抗层的第三工序；在所述第1高声阻抗层上通过非连续性低温溅射工艺生长第2低声阻抗层的第四工序；在所述第2低声阻抗层上重复执行n 次所述第三工序和所述第四工序的第五工序，其中n为大于等于0的整数；将最后形成的第n+2低声阻抗层键合到衬底上的第六工序；对于所述压电层沿着通过离子注入形成的界面进行智能剥离的第七工序，对所述压电层进行的离子注入是在准备压电层的第一工序中进行的或者是在所述第五工序之后立即进行的；以及对所述压电层的剥离后的表面进行抛光处理的第八工序，所述非连续性低温溅射工艺包括如下步骤：通过溅射以沉积第1薄膜层的第一步骤；在第1时间间隔内对所述沉积的第1薄膜层进行第1降温处理的第二步骤；对所述第1降温处理后的第1薄膜层进行等离子体轰击处理的第三步骤；在第2时间间隔内对所述等离子体轰击处理后的第1薄膜层进行第2降温处理的第四步骤；以及在进行了所述第2降温处理后的第1薄膜层上重复执行m次所述第一步骤至所述第四步骤以形成第2薄膜层至第m+1薄膜层的第五步骤，其中m 为大于等于1的整数。

图2是示出本发明的实施例1的低温沉积工艺的流程图。

本发明的实施例1的低温沉积工艺主要包括非连续性低温二氧化硅溅射沉积过程、以及非连续性低温氮化硅溅射沉积过程。

<非连续性低温二氧化硅溅射沉积过程>

非连续性低温二氧化硅溅射沉积过程又分为溅射薄膜沉积过程以及等离子体轰击致密过程。二氧化硅薄膜的沉积过程都是在溅射薄膜沉积过程中完成。等离子体轰击致密过程采用独立的高密度等离子体轰击沉积阶段的二氧化硅表面，以夯实沉积的二氧化硅薄膜，提高其致密度；其轰击等离子体的产生结构可为ICP/CCP/ECR，可独立于沉积过程，也可以和沉积过程同时进行。由于等离子体轰击，会导致压电基底的温度升高，因此这是一个升温过程。

非连续性低温二氧化硅溅射沉积过程为了实现特定厚度的二氧化硅薄膜沉积，采用如下的多个循环周期进行沉积：第一周期溅射沉积阶段、第一周期等离子体轰击阶段；第二周期溅射沉积阶段、第二周期等离子体轰击阶段······，循环实现特定厚度薄膜的沉积。

非连续性低温二氧化硅溅射沉积过程又存在两个降温工艺过程：第一周期第一降温过程，时间间隔为t1，此降温过程来自于二氧化硅沉积后与等离子体轰击前之间的时间间隔，以降低从沉积到等离子体轰击两个工艺之间的温度累积，降低整体的基片温度；第一周期第二降温过程，时间间隔为t2，此降温过程来自于等离子体轰击后与二氧化硅沉积前之间的时间间隔，以降低从等离子体轰击到沉积两个工艺之间的温度累积，降低整体的基片温度。从而，可实现整个沉积过程的温度控制。

其中，通过腔壁、或基片降温装置来实现其沉积过程中的温升控制。腔壁、或基片的降温方式可为水冷、或背He降温，其降温效率保证沉积基片的温升在80～240度区间。优选地，其降温速率保证沉积基片的温升在 80～180度区间。

本发明采用常规的PVD溅射工艺和等离子体轰击实现二氧化硅薄膜的低温、致密性生长。其中在低温生长的工艺控制中，采用非连续性沉积的工艺，每周期最终沉积厚度在2.075～16.6埃之间，每周期独立沉积完成之后，进行等离子体轰击处理，以使沉积的SiO₂薄膜材料致密化，从而保证等离子轰击致密化的效率，夯实生长的氮化硅薄膜；其中，每两周期沉积过程之间的时间间隔控制在0.5～15s之间，通过腔壁、或基片降温装置来实现其沉积过程中的温升控制。

其中，每周期的沉积开始到等离子体轰击开始的时间t_d-b≥2/3整个完整的沉积+轰击+降温周期；每周期的等离子体轰击开始到沉积结束的时间 t_b-d≤1/3整个完整的沉积+轰击+降温周期。

并且，每周期的沉积结束到等离子体轰击开始的时间t1≥2/3×t_d-b，以延长降温时间，保证低温沉积的进行，将沉积温度控制在80～240度以内；每周期的等离子体轰击结束到沉积结束的时间t2≤1/2×t_b-d，以减少两者之间的时间间隔，可减少等离子体轰击后待沉积表面杂质气体的吸附作用，以增加沉积表面的洁净度，增加沉积薄膜的结合力。

由于生长温度控制在240度以内，例如，其6寸晶圆的最大变形控制在1mm以内。

通过采用此工艺，生长的SiO₂密度为2.3g/cm³(熔融石英密度在 2.2g/cm³)，折射率可以控制在约1.46(测试波长为632nm)，平均薄膜的残余应力可控制在-400MPa以内，薄膜表面粗糙度可控制在0.3nm以内；并且机械破片率可控制在万分之一以内。

<非连续性低温氮化硅溅射沉积过程>

非连续性低温氮化硅溅射沉积过程又分为溅射薄膜沉积过程以及等离子体轰击致密过程。氮化硅薄膜的沉积过程都是在溅射薄膜沉积过程中完成。等离子体轰击致密过程采用独立的高密度等离子体轰击沉积阶段的二氧化硅表面，以夯实沉积的氮化硅薄膜，提高其致密度；其轰击等离子体的产生结构可为ICP/CCP/ECR，可独立于沉积过程，也可以和沉积过程同时进行。由于等离子体轰击，会导致压电基底的温度升高，因此这是一个升温过程。

非连续性低温氮化硅溅射沉积过程为了实现特定厚度的氮化硅薄膜沉积，采用如下的多个循环周期进行沉积：第一周期溅射沉积阶段、第一周期等离子体轰击阶段；第二周期溅射沉积阶段、第二周期等离子体轰击阶段······，循环实现特定厚度薄膜的沉积。

非连续性低温氮化硅溅射沉积过程又存在两个降温工艺过程：第一周期第一降温过程，时间间隔为t3，此降温过程来自于氮化硅沉积后与等离子体轰击前之间的时间间隔，以降低从沉积到等离子体轰击两个工艺之间的温度累积，降低整体的基片温度；第一周期第二降温过程，时间间隔为 t4，此降温过程来自于等离子体轰击后与氮化硅沉积前之间的时间间隔，以降低从等离子体轰击到沉积两个工艺之间的温度累积，降低整体的基片温度。从而，可实现整个沉积过程的温度控制。

其中，通过腔壁、或基片降温装置来实现其沉积过程中的温升控制。腔壁、或基片的降温方式可为水冷、或背He降温，其降温效率保证沉积基片的温升在80～240度区间。优选地，其降温速率保证沉积基片的温升在 80～180度区间。

本发明采用常规的PVD溅射工艺和等离子体轰击实现氮化硅薄膜的低温、致密性生长。本发明采用常规的PVD溅射工艺和等离子体轰击实现氮化硅薄膜的低温、致密性生长。其中在低温生长的工艺控制中，采用非连续性沉积的工艺，每周期最终沉积厚度在2～15埃之间，每周期独立沉积完成之后，进行等离子体轰击处理，以使沉积的SiO₂薄膜材料致密化，从而保证等离子轰击致密化的效率，夯实生长的氮化硅薄膜；其中，每两周期沉积过程之间的时间间隔控制在0.5～15s之间，通过腔壁、或基片降温装置来实现其沉积过程中的温升控制。

其中，每周期的沉积开始到等离子体轰击开始的时间t_d-b≥2/3整个完整的沉积+轰击+降温周期；每周期的等离子体轰击开始到沉积结束的时间 t_b-d≤1/3整个完整的沉积+轰击+降温周期；每周期的沉积结束到等离子体轰击开始的时间t1≥2/3×t_d-b，以延长降温时间，保证低温沉积的进行；每周期的等离子体轰击结束到沉积结束的时间t2≤1/2×t_b-d，以减少之间的时间间隔，可减少等离子体轰击后待沉积表面杂质气体的吸附作用，以增加沉积表面的洁净度，增加沉积薄膜的结合力。

其腔壁、或基片的降温方式可为水冷、或背He降温，其降温效率保证沉积基片的温升在80～240度区间。优选地，其降温速率保证沉积基片的温升在80～180度区间。

由于生长温度控制在240度以内，其6寸晶圆的最大变形控制在1mm 以内。

通过采用此工艺，生长的氮化硅密度在3.0～3.1g/cm³(熔融石英密度在3.1g/cm³)，折射率可以控制在约2.0(测试波长为633nm)，平均薄膜的残余应力可控制在-200MPa以内，薄膜表面粗糙度可控制在0.3nm以内；并且机械破片率可控制在万分之一以内。

对于同一层薄膜材料，通过延长沉积的周期数来实现特定厚度薄膜的沉积。对于不同层之间，通过更改通入的反应气体来实现特定周期结构的制备。

<声表面波器件的整个制造方法>

图4是示出本发明的实施例1的压电基底的离子注入的示意图。

本发明由于是低温沉积工艺，在进行沉积之前，可完成Smart-Cut(智能剥离)的离子注入工序。注入离子为H+或者He离子，其浓度范围为1× 10¹⁶～2×10¹⁷at/cm²。离子注入深度根据实际需要的基板厚度而定，优选地，离子注入深度为所制备的声表面波器件的频率波长的1～3.5倍。离子注入工序可在低温沉积工序之前，须严格控制离子注入工序的温度必须在240 度以内，更高的温度可能会导致破片。此外，离子注入工序也可在多层反射栅薄膜沉积完成之后。

图5是示出本发明的实施例1的作为第1低声阻抗层的二氧化硅的低温溅射沉积的示意图。图6是示出本发明的实施例1的作为第1高声阻抗层的氮化硅的低温溅射沉积的示意图。图7是示出本发明的实施例1的高/低声阻抗层交替溅射沉积的结构示意图。

本发明所制造的声表面波器件包括：压电层10；低声阻抗层20A、20B、 20C，该低声阻抗层例如是非连续性低温溅射工艺生长的二氧化硅层；以及高声阻抗层30A、30B，该高声阻抗层例如是非连续性低温溅射生长的氮化硅层；以及键合的衬底层40。低声阻抗层20A、20B、20C以及高声阻抗层 30A、30B构成IHP-SAW的多层反射栅结构，其中层数不限，高声阻抗层的层数≥1，低声阻抗层的层数≥1。此外，标号101表示压电基底的智能剥离界面；标号102表示压电基底和第一低声阻抗层20A的接触面；标号203A、 302B、203B、302C分别表示20A/30A、30A/20B、20B/30B、30B/20C每两层之间的交界面；200C表示最外层二氧化硅薄膜的外表面。

二氧化硅薄膜/氮化硅多层栅膜结构由按照上述图2描述的非连续性低温溅射生长工艺进行堆叠生长而成。

图8是示出本发明的实施例1的低温键合过程的示意图。图9是示出本发明的实施例1的低温键合后状态的示意图。

在低温键合之前，需要对键合衬底晶圆的正表面、以及沉积二氧化硅薄膜的正表面300C进行CMP抛光处理。键合的衬底晶圆可以是SiC、Al₂O₃或镀有蓝宝石的硅晶圆衬底。低温键合的温度控制在200度以内，且升降温速率必须控制在10度以内。

图10是示出本发明的实施例1的智能剥离的示意图。图11是示出本发明的实施例1的智能剥离界面处理后状态的示意图。

高温下的剥离过程中，其剥离温度小于等于500度；其剥离界面沿着离子注入沉积形成的界面101，剥离过程需要控制温度变化速率在10度以内。完成智能剥离之后，对剥离的表面101进行CMP处理。

此外，还可结合沉积电阻率，添加等待取片时间，从而可显著减少碎片率。

由此，本发明通过非连续性低温溅射沉积工艺生长低声阻抗层和高声阻抗层，在沉积之后以及等离子体轰击之后，都会存在一定的时间间隔以对被沉积晶圆进行降温，以实现晶圆沉积温度的控制，从而可将沉积的温度控制在80～240度之间，进一步地可将薄膜沉积的温度控制在80～180 度之间，更进一步地控制在80～150度之间。通过低声阻抗/高声阻抗多层反射栅结构的低温沉积过程，可显著控制薄膜的破片率，提高生产效率。

实施例2.

本发明的实施例2的声表面波器件的制造方法包括如下工序：准备压电层的第一工序；在所述压电层上通过非连续性低温溅射工艺生长第1低声阻抗层的第二工序；在所述第1低声阻抗层的表面生长第1过渡层的第三工序；在所述第三工序之后通过非连续性低温溅射工艺生长第1高声阻抗层的第四工序；在所述第1高声阻抗层的表面生长第2过渡层的第五工序；在所述第五工序之后通过非连续性低温溅射工艺生长第2低声阻抗层的第六工序；在所述第2低声阻抗层上重复执行n次所述第三工序至所述第六工序的第七工序，其中n为大于等于0的整数；将最后形成的第n+2低声阻抗层键合到衬底上的第八工序；对于所述压电层沿着通过离子注入形成的界面进行智能剥离的第九工序，对所述压电层进行的离子注入是在准备压电层的第一工序中进行的或者是在所述第七工序之后立即进行的；以及对所述压电层的剥离后的表面进行抛光处理的第十工序，所述非连续性低温溅射工艺包括如下步骤：通过溅射以沉积第1薄膜层的第一步骤；在第1时间间隔内对所述沉积的第1 薄膜层进行第1降温处理的第二步骤；对所述第1降温处理后的第1薄膜层进行等离子体轰击处理的第三步骤；在第2时间间隔内对所述等离子体轰击处理后的第1薄膜层进行第2降温处理的第四步骤；以及在进行了所述第2降温处理后的第1薄膜层上重复m次所述第一步骤至所述第四步骤以形成第2薄膜层至第m+1薄膜层的第五步骤，其中m为大于等于1的整数。

本发明的实施例2与实施例1的区别点主要在于，在高声阻抗层和低声阻抗层之间还生长一层过渡层，例如，在二氧化硅和氮化硅之间还生长一层过渡的SiON层。下面，主要针对实施例2与实施例1之间的区别点进行说明，除此以外的部分与实施例1相类似。

一般而言，氮化硅薄膜的生长残余应力都比较大，直接生长二氧化硅薄膜在力学器件的应用中可能会存在一定的潜在问题，因此需要生长一层过渡的SiON层以提高两者之间的粘附性。

图3是示出本发明的实施例2的低温沉积工艺的界面处理的流程图。

作为一个示例，过渡的SiON层通过如下的方式来形成。

在低声阻抗二氧化硅的表面生长氮化硅时，在SiO₂沉积最后，以一定速率通入氮气，以一定速率关掉氧气供应，即对于Si_xO_yN_z层，y在逐渐减小，z在逐渐增加。其Si_xO_yN_z层的总厚度大约是20～50nm，过渡的SiON层的整个形成时间可控制在60～120s之间。

对于非连续性低温二氧化硅溅射沉积过程，仍保持每两周期沉积过程之间的时间间隔控制在0.5～15s之间，通过腔壁、或基片降温装置来实现其沉积过程中的温升控制。

其中，每周期的沉积开始到等离子体轰击开始的时间t_d-b≥2/3整个完整的沉积+轰击+降温周期；每周期的等离子体轰击开始到沉积结束的时间 t_b-d≤1/3整个完整的沉积+轰击+降温周期。

每周期的沉积结束到等离子体轰击开始的时间t1≥2/3×t_d-b，以延长降温时间，保证低温沉积的进行，控制沉积温度在80～240度以内；每周期的等离子体轰击结束到沉积结束的时间t2≤1/2×t_b-d，以减少之间的时间间隔，可减少等离子体轰击后待沉积表面杂质气体的吸附作用，以增加沉积表面的洁净度，增加沉积薄膜的结合力。

在高声阻抗氮化硅的表面生长二氧化硅时，在SiN沉积最后，以一定速率通入氧气，以一定速率关掉氮气供应，即对于Si_xO_yN_z层，z在逐渐减小，y在逐渐增加。其Si_xO_yN_z层的总厚度大约是20～50nm，过渡的SiON层的整个形成时间可控制在60～120s之间。

对于非连续性低温氮化硅溅射沉积过程，仍保持每两周期沉积过程之间的时间间隔控制在0.5～15s之间，通过腔壁、或基片降温装置来实现其沉积过程中的温升控制。

其中，每周期的沉积开始到等离子体轰击开始的时间t_d-b≥2/3整个完整的沉积+轰击+降温周期；每周期的等离子体轰击开始到沉积结束的时间 t_b-d≤1/3整个完整的沉积+轰击+降温周期。

每周期的沉积结束到等离子体轰击开始的时间t1≥2/3×t_d-b，以延长降温时间，保证低温沉积的进行，控制沉积温度在80～240度以内；每周期的等离子体轰击结束到沉积结束的时间t2≤1/2×t_b-d，以减少之间的时间间隔，可减少等离子体轰击后待沉积表面杂质气体的吸附作用，以增加沉积表面的洁净度，增加沉积薄膜的结合力。

此外，还可结合沉积电阻率，添加等待取片时间，从而可显著减少碎片率。

由此，本发明通过在二氧化硅和氮化硅之间进一步生长一层过渡的SiON 层，从而可进一步优化低温工艺生长的二氧化硅/氮化硅多层反射栅结构。

实施例3.

本发明的实施例3的声表面波器件的制造方法包括如下工序：准备压电层的第一工序；在所述压电层上通过非连续性低温溅射工艺生长第1低声阻抗层的第二工序；在所述第1低声阻抗层上通过低温电子束蒸发工艺生长第1 高声阻抗层的第三工序；在所述第1高声阻抗层上通过非连续性低温溅射工艺生长第2低声阻抗层的第四工序；在所述第2低声阻抗层上重复执行n次所述第三工序和所述第四工序的第五工序，其中n为大于等于0的整数；将最后形成的第n+2低声阻抗层键合到衬底上的第六工序；对于所述压电层沿着通过离子注入形成的界面进行智能剥离的第七工序，对所述压电层进行的离子注入是在准备压电层的第一工序中进行的或者是在所述第五工序之后立即进行的；以及对所述压电层的剥离后的表面进行抛光处理的第八工序，所述非连续性低温溅射工艺包括如下步骤：通过溅射以沉积第1薄膜层的第一步骤；在第1时间间隔内对所述沉积的第1薄膜层进行第1降温处理的第二步骤；对所述第1降温处理后的第1薄膜层进行等离子体轰击处理的第三步骤；在第2时间间隔内对所述等离子体轰击处理后的第1薄膜层进行第2降温处理的第四步骤；以及在进行了所述第2降温处理后的第1薄膜层上重复执行m次所述第一步骤至所述第四步骤以形成第2薄膜层至第m+1薄膜层的第五步骤，其中m 为大于等于1的整数。

本发明的实施例3与实施例1的区别点主要在于，对于高声阻抗层30A、 30B，采用通过低温电子束蒸发沉积过程来形成的钨(W)金属。下面，主要针对实施例3与实施例1之间的区别点进行说明，除此以外的部分与实施例1相类似。

图12是示出本发明的实施例3的低温沉积工艺的流程图。

本发明的实施例3的低温沉积工艺主要包括非连续性低温二氧化硅溅射沉积过程、W金属的低温电子束蒸发沉积过程。

其非连续性低温二氧化硅溅射沉积过程按照实施例1中的沉积工艺来实施。

在W金属的低温电子束蒸发工艺中，其薄膜的沉积速率控制在0.3～ 3nm/s之间，其沉积温度可控制在40度以内。

由于整个工艺的温度都可以控制在240度以内，进一步优选地，电子束蒸发控温可控制在180度以内，所以，机械破片率可控制在万分之一以内。

此外，还可结合沉积电阻率，添加等待取片时间，从而可显著减少碎片率。

由此，与实施例1相类似地，本发明可将沉积的温度控制在80～240 度之间，进一步地可将薄膜沉积的温度控制在80～180度之间，更进一步地控制在80～150度之间，从而可显著控制薄膜的破片率，提高生产效率。

实施例4.

本发明的实施例4的声表面波器件的制造方法包括如下工序：准备压电层的第一工序；在所述压电层上通过非连续性低温溅射工艺生长第1低声阻抗层的第二工序；在所述第1低声阻抗层的表面通过非连续性低温溅射工艺生长第1粘附层的第三工序；在所述第三工序之后通过低温电子束蒸发工艺生长第1高声阻抗层的第四工序；在所述第1高声阻抗层的表面通过非连续性低温溅射工艺生长第2粘附层的第五工序；在所述第五工序之后通过非连续性低温溅射工艺生长第2低声阻抗层的第六工序；在所述第2低声阻抗层上重复执行n次所述第三工序至所述第六工序的第七工序，其中n为大于等于 0的整数；将最后形成的第n+2低声阻抗层键合到衬底上的第八工序；对于所述压电层沿着通过离子注入形成的界面进行智能剥离的第九工序，对所述压电层进行的离子注入是在准备压电层的第一工序中进行的或者是在所述第七工序之后立即进行的；以及对所述压电层的剥离后的表面进行抛光处理的第十工序，所述非连续性低温溅射工艺包括如下步骤：通过溅射以沉积第1薄膜层的第一步骤；在第1时间间隔内对所述沉积的第1薄膜层进行第1降温处理的第二步骤；对所述第1降温处理后的第1薄膜层进行等离子体轰击处理的第三步骤；在第2时间间隔内对所述等离子体轰击处理后的第1薄膜层进行第2 降温处理的第四步骤；以及在进行了所述第2降温处理后的第1薄膜层上重复 m次所述第一步骤至所述第四步骤以形成第2薄膜层至第m+1薄膜层的第五步骤，其中m为大于等于1的整数。

本发明的实施例4与实施例3的区别点主要在于，在高声阻抗层和低声阻抗层之间还生长一层过渡层，例如，在二氧化硅和钨金属之间还生长一层过渡的Ti或者Ti/TiN粘附阻挡层。下面，主要针对实施例4与实施例3之间的区别点进行说明，除此以外的部分与实施例3相类似。

图13是示出本发明的实施例4的低温沉积工艺的界面处理的流程图。

W金属薄膜直接在二氧化硅上的粘附力相对较差，需要在W金属/二氧化硅的界面引入Ti或者Ti/TiN多层膜界面以增强其附着力。

在非连续性低温工艺生长的二氧化硅表面电子束蒸发W金属的界面，采用非连续性低温溅射工艺生长Ti/TiN多层膜界面，以增强成膜的致密性。

其中，Ti层的厚度控制在15～40nm，沉积速率控制在0.3～2nm/s之间。其中，仍保持每两周期沉积过程之间的时间间隔控制在0.5～15s之间，通过腔壁、或基片降温装置来实现其沉积过程中的温升控制。

其中，每周期的沉积开始到等离子体轰击开始的时间t_d-b≥2/3整个完整的沉积+轰击+降温周期；每周期的等离子体轰击开始到沉积结束的时间 t_b-d≤1/3整个完整的沉积+轰击+降温周期。

每周期的沉积结束到等离子体轰击开始的时间t1≥2/3×t_d-b，以延长降温时间，保证低温沉积的进行，控制沉积温度在80～240度以内；每周期的等离子体轰击结束到沉积结束的时间t2≤1/2×t_b-d，以减少之间的时间间隔，可减少等离子体轰击后待沉积表面杂质气体的吸附作用，以增加沉积表面的洁净度，增加沉积薄膜的结合力。

其中，TiN层的厚度控制在10～20nm，沉积速率控制在0.3～1nm/s之间。其中，仍保持每两周期沉积过程之间的时间间隔控制在0.5～15s之间，通过腔壁、或基片降温装置以实现其沉积过程中的温升控制。TiN的溅射采用TiN靶材直接溅射。

其中，每周期的沉积开始到等离子体轰击开始的时间t_d-b≥2/3整个完整的沉积+轰击+降温周期；每周期的等离子体轰击开始到沉积结束的时间 t_b-d≤1/3整个完整的沉积+轰击+降温周期。

每周期的沉积结束到等离子体轰击开始的时间t1≥2/3×t_d-b，以延长降温时间，保证低温沉积的进行，控制沉积温度在80～240度以内；每周期的等离子体轰击结束到沉积结束的时间t2≤1/2×t_b-d，以减少之间的时间间隔，可减少等离子体轰击后待沉积表面杂质气体的吸附作用，增加沉积薄膜的结合力。

在电子束蒸发W金属表面生长二氧化硅的界面，采用非连续性低温溅射工艺生长Ti金属薄膜。

其中，Ti层的厚度控制在15～40nm，沉积速率控制在0.3～2nm/s之间。其中，仍保持每两周期沉积过程之间的时间间隔控制在0.5～15s之间，通过腔壁、或基片降温装置以实现其沉积过程中的温升控制。

其中，每周期的沉积开始到等离子体轰击开始的时间t_d-b≥2/3整个完整的沉积+轰击+降温周期；每周期的等离子体轰击开始到沉积结束的时间 t_b-d≤1/3整个完整的沉积+轰击+降温周期。

每周期的沉积结束到等离子体轰击开始的时间t1≥2/3×t_d-b，以延长降温时间，保证低温沉积的进行，控制沉积温度在80～240度以内；每周期的等离子体轰击结束到沉积结束的时间t2≤1/2×t_b-d，以减少之间的时间间隔，可减少等离子体轰击后待沉积表面杂质气体的吸附作用，增加沉积薄膜的结合力。

此外，对于同一层薄膜材料，通过延长沉积的周期数来实现特定厚度薄膜的沉积。对于不同层之间，通过更改通入的反应气体来实现特定周期结构的制备。

此外，还可结合沉积电阻率，添加等待取片时间，从而可显著减少碎片率。

由此，本发明通过在二氧化硅和钨金属之间，通过低温工艺进一步生长一层过渡的Ti或者Ti/TiN粘附阻挡层，从而可进一步优化通过低温工艺生长的多层反射栅结构。

上述具体实施方式中的记载仅仅只是本发明的一些实施例。对于本领域技术人员而言，在不脱离本发明创造构思的前提下，还可以做出进一步的变形和改进，这些变形和改进都包含在本发明的保护范围内。

在本申请中，如果没有特别的说明，本文所提到的所有实施方式以及优选实施方式可以相互组合形成新的技术方案。在本申请中，如果没有特别的说明，本文所提到的所有技术特征以及优选特征可以相互组合形成新的技术方案。

工业上的实用性

本发明的声表面波器件的制造方法可以被用于手机、基站等无线通讯设备的滤波器的制备；更进一步地，可以被用于手机、基站等无线通讯设备的射频收发前端的独立模块或集成模块的制备等方面的应用。

标号说明

10 压电层

20A、20B、20C 低声阻抗层

30A、30B 高声阻抗层

40 衬底层

101 压电基底的智能剥离界面

102 压电基底和低声阻抗层的接触面

203A、302B、203B、302C 交界面

200C、300C 最外层低声阻抗层的外表面。