一种大米抛光工艺
阅读说明：本技术 一种大米抛光工艺 (Rice polishing process ) 是由 戴宗耀 王涛 张义 杜学军 钱坤 于 2020-11-03 设计创作，主要内容包括：本发明提供一种大米抛光工艺,具体涉及粮食再加工领域,复位各设备,将水箱设定为自动状态；监测室内温度,根据监测的室内温度设定水箱温度；监测水箱温度,并开始抛光机；启动风机,等待15秒,主机电机进入星三角降压启动,同时启动补水程序；监测电机的电流强度,运转260秒大米流程为0,则终止程序；启动电磁喷雾阀全部喷水；抛光机进入停止程序时,待整机电流降为65A后,运转30秒排空抛光室,先关抛光机主机电机,然后关闭风机,关闭电源。本发明可提高大米抛光的质量和效率,且自动化高。(The invention provides a rice polishing process, and particularly relates to the field of grain reprocessing, wherein each device is reset, and a water tank is set to be in an automatic state; monitoring the indoor temperature, and setting the temperature of the water tank according to the monitored indoor temperature; monitoring the temperature of the water tank, and starting polishing; starting a fan, waiting for 15 seconds, starting a motor of the host machine after entering a star-delta voltage reduction start, and starting a water supplementing program; monitoring the current intensity of the motor, and stopping the program when the rice flow is 0 after the rice is operated for 260 seconds; starting the electromagnetic spray valve to spray water completely; when the polishing machine enters a stopping program, after the current of the whole machine is reduced to 65A, the machine is operated for 30 seconds to empty the polishing chamber, the motor of the main machine of the polishing machine is firstly turned off, then the fan is turned off, and the power supply is turned off. The rice polishing machine can improve the quality and efficiency of rice polishing, and has high automation.)
技术领域
本发明属于一种大米抛光工艺，具体涉及粮食再加工领域。
背景技术
大米抛光是现代粮食加工生产优质精制大米必不可少的一道工序。它是将精制大米送入专用设备内，经过水及抛光剂的喷淋和磨擦，并在一定温度下，米粒表面的淀粉胶质化，从而保证了大米粒的光洁。通过大米抛光技术，能够清除米粒表面浮糠，使米粒表面光洁细腻，提高大米的外观品质以及大米的商品价值；大米通过抛光工序，进一步清除了大米加工后残存的糠粉，延长了大米的货架期。现有的抛光工艺自动化和抛光效果仍有待进一步提高
针对上述不足，现需要一种大米抛光工艺，可提高大米抛光的质量和效率，且自动化高。
发明内容
本发明的目的是提供一种大米抛光工艺，可提高大米抛光的质量和效率，且自动化高。
本发明提供了如下的技术方案：
一种大米抛光工艺，具体如下，复位各设备，将水箱设定为自动状态；监测室内温度，根据监测的室内温度设定水箱温度；监测水箱温度，并开始抛光机；启动风机，等待15秒，主机电机进入星三角降压启动，同时启动补水程序；监测电机的电流强度，运转260秒大米流程为0，则终止程序；启动电磁喷雾阀全部喷水；抛光机进入停止程序时，待整机电流降为65A后，运转30秒排空抛光室，先关抛光机主机电机，然后关闭风机，关闭电源。
优选的，电流电流强度与大米流量成正比，电机空转是电流为65A，电流强度为65A至70A，大米流量为少，电流强度为大于75A，大米流量为多；运转260秒大米流程为0。
优选的，大米流量低于1立方米/小时，则启动电磁喷雾阀部分喷水；大米流量大于1立方米/小时，则启动电磁喷雾阀全部喷水
优选的，水温对应环境温度如下，室温小于0℃时，其中实时室温为t，水温为t+5摄氏度；室温大于或等于0摄氏度，水箱温度设定在0摄氏度，。
优选的，硬件部分包括中央处理模块模块和温度模块，及设置于水箱内的温度传感模块，设置于电动机上的单相交流电流传感模块和单相交流电压传感模块，模块间通过变送模块及A/D转换模块与温度模块的数据输入端相联。
优选的，中央处理模块模块的输出端通过驱动模块分别与电磁喷雾阀，主机电动机，风机，水泵相联；
本发明的有益效果：
本发明可有效提高大米的抛光效率，提高生产的效率和提高抛光质量，且本工艺自动化程度高，大大降低人力成本。
具体实施方式
实施例1：
一种大米抛光工艺，具体如下，复位各设备，将水箱设定为自动状态；监测室内温度，根据监测的室内温度设定水箱温度，水温对应环境温度如下，室温小于0℃时，其中实时室温为t，水温为t+5摄氏度；室温大于或等于0摄氏度，水箱温度设定在0摄氏度；监测水箱温度，并开始抛光机；启动风机，等待30秒，主机电机进入星三角降压启动，同时启动补水程序；监测电机的电流强度，电流电流强度与大米流量成正比，电机空转是电流为65A，电流强度为65A至70A，大米流量为少，电流强度为大于75A，大米流量为多；运转260秒大米流程为0，则终止程序；大米流量低于1立方米/小时，则启动电磁喷雾阀部分喷水；大米流量大于1立方米/小时，则启动电磁喷雾阀全部喷水；抛光机进入停止程序时，待整机电流降为65A后，运转30秒排空抛光室，先关抛光机主机电机，然后关闭风机，关闭电源。硬件部分包括中央处理模块模块和温度模块，及设置于水箱内的温度传感模块，设置于电动机上的单相交流电流传感模块和单相交流电压传感模块，模块间通过变送模块及A/D转换模块与温度模块的数据输入端相联。中央处理模块模块的输出端通过驱动模块分别与电磁喷雾阀，主机电动机，风机，水泵相联。
实施例2：
一种大米抛光工艺，具体如下，复位各设备，将水箱设定为自动状态；监测室内温度，根据监测的室内温度设定水箱温度，水温对应环境温度如下，室温小于2℃时，其中实时室温为t，水温为t+10摄氏度；室温大于或等于2摄氏度，水箱温度设定在2摄氏度；监测水箱温度，并开始抛光机；启动风机，等待15秒，主机电机进入星三角降压启动，同时启动补水程序；监测电机的电流强度，电流电流强度与大米流量成正比，电机空转是电流为65A，电流强度为65A至70A，大米流量为少，电流强度为大于75A，大米流量为多；运转260秒大米流程为0，则终止程序；大米流量低于1立方米/小时，则启动电磁喷雾阀部分喷水；大米流量大于1立方米/小时，则启动电磁喷雾阀全部喷水；抛光机进入停止程序时，待整机电流降为65A后，运转30秒排空抛光室，先关抛光机主机电机，然后关闭风机，关闭电源。硬件部分包括中央处理模块模块和温度模块，及设置于水箱内的温度传感模块，设置于电动机上的单相交流电流传感模块和单相交流电压传感模块，模块间通过变送模块及A/D转换模块与温度模块的数据输入端相联。中央处理模块模块的输出端通过驱动模块分别与电磁喷雾阀，主机电动机，风机，水泵相联。
实施例3：
一种大米抛光工艺，具体如下，复位各设备，将水箱设定为自动状态；监测室内温度，根据监测的室内温度设定水箱温度，水温对应环境温度如下，室温小于0℃时，其中实时室温为t，水温为t+5摄氏度；室温大于或等于0摄氏度，水箱温度设定在0摄氏度；监测水箱温度，并开始抛光机；启动风机，等待15秒，主机电机进入星三角降压启动，同时启动补水程序；监测电机的电流强度，电流电流强度与大米流量成正比，电机空转是电流为65A，电流强度为65A至70A，大米流量为少，电流强度为大于75A，大米流量为多；运转180秒大米流程为0；则终止程序；大米流量低于1.5立方米/小时，则启动电磁喷雾阀部分喷水；大米流量大于1.5立方米/小时，则启动电磁喷雾阀全部喷水；抛光机进入停止程序时，待整机电流降为65A后，运转30秒排空抛光室，先关抛光机主机电机，然后关闭风机，关闭电源。硬件部分包括中央处理模块模块和温度模块，及设置于水箱内的温度传感模块，设置于电动机上的单相交流电流传感模块和单相交流电压传感模块，模块间通过变送模块及A/D转换模块与温度模块的数据输入端相联。中央处理模块模块的输出端通过驱动模块分别与电磁喷雾阀，主机电动机，风机，水泵相联。
以上仅为本发明的优选实施例而已，并不用于限制本发明，尽管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明，对于本领域的技术人员来说，其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
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