具体实施方式

以下，根据图示的实施方式对作为本公开的一方式的电感器部件详细地进行说明。此外，附图包括一些示意性附图，有时不反映实际的尺寸、比率。

(第1实施方式)

(结构)

图1A是表示电感器部件的第1实施方式的透视俯视图。图1B是图1A的A-A剖视图。

电感器部件1例如是搭载于个人计算机、DVD播放机、数码相机、TV、移动电话、汽车电子系统等电子设备且例如作为整体为长方体形状的部件。但是，电感器部件1的形状没有特别限定，也可以是圆柱状、多棱柱状、圆锥台形状、多棱锥台形状。

如图1A和图1B所示，电感器部件1具备：本体10；配置于本体10内的第1线圈布线21和第2线圈布线22；端面从本体10的第1主面10a暴露地埋入本体10的第1柱状布线31、第2柱状布线32、第3柱状布线33和第4柱状布线34；设置于本体10的第1主面10a的第1外部端子41、第2外部端子42、第3外部端子43和第4外部端子44；以及设置于本体10的第1主面10a的绝缘膜50。图中，将电感器部件1的厚度方向作为Z方向，将正Z方向作为上侧，将反Z方向作为下侧。在电感器部件1的与Z方向正交的平面中，将电感器部件1的长度方向作为X方向，将电感器部件1的宽度方向作为Y方向。

本体10具有：绝缘层61、在绝缘层61的下表面61a配置的第1磁性层11、在绝缘层61的上表面61b配置的第2磁性层12。本体10的第1主面10a相当于第2磁性层12的上表面。本体10是绝缘层61、第1磁性层11和第2磁性层12的3层构造，但也可以是不设置磁性层的构造。

绝缘层61是主面为长方形的层状，绝缘层61的厚度例如为10μm以上且100μm以下。从低矮化的观点出发，绝缘层61例如优选为不包含玻璃布等基材的环氧类树脂、聚酰亚胺系树脂等绝缘树脂层，但也可以是NiZn系、MnZn系等铁氧体那样的磁性体层、氧化铝、玻璃那样的非磁性体层等那样的烧结体，也可以是包含环氧玻璃等基材的树脂层。此外，在绝缘层61为烧结体的情况下，能够确保绝缘层61的强度、平坦性，绝缘层61上的层叠物的加工性提高。另外，在绝缘层61为烧结体的情况下，从低矮化的观点出发，优选研磨加工，特别优选从没有层叠物的下侧研磨。

第1磁性层11和第2磁性层12是由含有金属磁性粉的树脂构成的磁性树脂层。树脂例如是由环氧类树脂、双马来酰亚胺、液晶聚合物、聚酰亚胺等构成的有机绝缘材料。金属磁性粉的平均粒径为例如0.1μm以上且5μm以下。在电感器部件1的制造阶段中，能够以通过激光衍射、散射法求出的粒度分布中的相当于累计值50％的粒径的形式，计算金属磁性粉的平均粒径。金属磁性粉例如是FeSiCr等FeSi系合金、FeCo系合金、NiFe等Fe系合金、或者它们的非晶体合金。金属磁性粉的含有率优选为，相对于磁性层整体为20Vol％以上且70Vol％以下。在金属磁性粉的平均粒径为5μm以下的情况下，直流叠加特性更加提高，通过细粉能够减少高频下的铁损。此外，也可以不使用金属磁性粉而使用NiZn系、MnZn系等铁氧体的磁性粉。

第1线圈布线21、第2线圈布线22与本体10的第1主面10a平行地配置。由此，能够在与第1主面10a平行的方向上构成第1线圈布线21和第2线圈布线22，能够实现电感器部件1的低矮化。第1线圈布线21和第2线圈布线22配置在本体10内的相同平面上。具体而言，第1线圈布线21和第2线圈布线22仅形成于绝缘层61的上方侧，换句话说仅形成于绝缘层61的上表面61b，并且被第2磁性层12覆盖。

第1、第2线圈布线21、22以平面状卷绕。具体而言，在从Z方向观察时，第1、第2线圈布线21、22是半椭圆形的弧状。即，第1、第2线圈布线21、22是以约半周的量卷绕的曲线状的布线。另外，第1、第2线圈布线21、22在中间部分中包括直线部。

优选第1、第2线圈布线21、22的厚度例如为40μm以上且120μm以下。作为第1、第2线圈布线21、22的实施例，厚度为45μm，布线宽度为40μm，布线间空间为10μm。优选布线间空间为3μm以上且20μm以下。

第1、第2线圈布线21、22由导电性材料构成，例如由Cu、Ag、Au、Al等低电阻的金属材料构成。在本实施方式中，电感器部件1仅具备一层第1、第2线圈布线21、22，能够实现电感器部件1的低矮化。

第1线圈布线21是与第1端、第2端分别位于外侧的第1柱状布线31、第2柱状布线32电连接且从第1柱状布线31和第2柱状布线32朝向电感器部件1的中心侧描绘孤线的曲线状。换句话说，第1线圈布线21在其两端具有线宽比螺旋形状部分大的焊盘部，并在焊盘部处与第1、第2柱状布线31、32直接连接。

同样，第2线圈布线22是与第1端、第2端分别位于外侧的第3柱状布线33、第4柱状布线34电连接，且从第3柱状布线33和第4柱状布线34朝向电感器部件1的中心侧描绘孤线的曲线状。

此处，在第1、第2线圈布线21、22各自中，将由第1、第2线圈布线21、22所描绘的曲线和连结第1、第2线圈布线21、22的两端的直线围起的范围作为内径部分。此时，从Z方向观察时，针对第1、第2线圈布线21、22处，内径部分彼此均不重叠。另一方面，第1、第2线圈布线21、22在各自的弧线部分处相互隔离。

布线从第1、第2线圈布线21、22的与第1～第4柱状布线31～34连接的连接位置朝向芯片的外侧进一步延伸，从而该布线在芯片的外侧暴露。换句话说，第1、第2线圈布线21、22具有从与电感器部件1的层叠方向平行的侧面向外部暴露的暴露部200。

该布线，是在电感器部件1的制造过程中，在形成了第1、第2线圈布线21、22的形状之后，在通过追加进行电镀时的与供电布线连接的布线。在通过该供电布线使电感器部件1单片化前的电感器基板状态下，能够容易追加进行电镀，能够使布线间距离变窄。另外，通过追加进行电镀，从而使第1、第2线圈布线21、22的布线间距离变窄，由此能够提高第1、第2线圈布线21、22的磁耦合。

另外，第1、第2线圈布线21、22具有暴露部200，因此能够确保电感器基板的加工时的静电击穿耐受性。在各线圈布线21、22中，暴露部200的暴露面200a的厚度优选为各线圈布线21、22的厚度以下且为45μm以上。据此，通过使暴露面200a的厚度为线圈布线21、22的厚度以下，从而能够增加磁性层11、12的比例，能够提高电感。另外，通过使暴露面200a的厚度为45μm以上，从而能够减少断线的产生。暴露面200a优选为氧化膜。据此，能够抑制在电感器部件1与其邻接部件之间产生短路。

第1～第4柱状布线31～34从各线圈布线21、22起沿Z方向延伸，并贯通第2磁性层12的内部。第1柱状布线31从第1线圈布线21的一端的上表面起向上侧延伸，第1柱状布线31的端面从本体10的第1主面10a暴露。第2柱状布线32从第1线圈布线21的另一端的上表面起向上侧延伸，第2柱状布线32的端面从本体10的第1主面10a暴露。

第3柱状布线33从第2线圈布线22的一端的上表面起向上侧延伸，第3柱状布线33的端面从本体10的第1主面10a暴露。第4柱状布线34从第2线圈布线22的另一端的上表面起向上侧延伸，第4柱状布线34的端面从本体10的第1主面10a暴露。第1柱状布线31位于比第4柱状布线34接近第3柱状布线33的位置。

因此，第1柱状布线31、第2柱状布线32、第3柱状布线33、第4柱状布线34从第1线圈布线21、第2线圈布线22起至从上述第1主面10a暴露的端面为止沿与第1主面10a正交的方向以直线状延伸。由此，第1外部端子41、第2外部端子42、第3外部端子43、第4外部端子44与第1线圈布线21、第2线圈布线22能够以更短的距离连接，能够实现电感器部件1的低电阻化、高电感化。第1～第4柱状布线31～34由导电性材料构成，例如由与线圈布线21、22相同的材料构成。此外，也可以是，第1～第4柱状布线31～34经由未图示的导通孔导体而与第1、第2线圈布线21、22电连接。

第1～第4外部端子41～44设置于本体10的第1主面10a(第2磁性层12的上表面)。第1～第4外部端子41～44由导电性材料构成，例如是低电阻且耐应力性优异的Cu、耐腐蚀性优异的Ni、焊料浸润性和可靠性优异的Au从内侧朝向外侧依次排列的3层结构。

第1外部端子41与第1柱状布线31的从本体10的第1主面10a暴露的端面接触，并与第1柱状布线31电连接。由此，第1外部端子41与第1线圈布线21的一端电连接。第2外部端子42与第2柱状布线32的从本体10的第1主面10a暴露的端面接触，并与第2柱状布线32电连接。由此，第2外部端子42与第1线圈布线21的另一端电连接。

同样，第3外部端子43与第3柱状布线33的端面接触，并与第3柱状布线33电连接，且与第2线圈布线22的一端电连接。第4外部端子44与第4柱状布线34的端面接触，并与第4柱状布线34电连接，且与第2线圈布线22的另一端电连接。第1外部端子41位于比第4外部端子44接近第3外部端子43的位置。

在电感器部件1中，第1主面10a具有相当于长方形的边的以直线状延伸的第1边缘101、第2边缘102。第1边缘101、第2边缘102分别是本体10的与第1侧面10b、第2侧面10c连续的第1主面10a的边缘。第1外部端子41和第3外部端子43沿着本体10的靠第1侧面10b侧的第1边缘101排列，第2外部端子42和第4外部端子44沿着本体10的靠第2侧面10c侧的第2边缘102排列。此外，从与本体10的第1主面10a正交的方向观察时，本体10的第1侧面10b、第2侧面10c是沿着Y方向的面，且与第1边缘101、第2边缘102对齐。第1外部端子41和第3外部端子43的排列方向成为连结第1外部端子41的中心和第3外部端子43的中心的方向，第2外部端子42和第4外部端子44的排列方向成为连结第2外部端子42的中心和第4外部端子44的中心的方向。

绝缘膜50在本体10的第1主面10a上的没有设置有第1～第4外部端子41～44的部分设置。但是，也可以是，绝缘膜50爬上第1～第4外部端子41～44的端部而与第1～第4外部端子41～44重叠。绝缘膜50例如由丙烯酸树脂、环氧类树脂、聚酰亚胺等电绝缘性高的树脂材料构成。由此，能够提高第1～第4外部端子41～44之间的绝缘性。另外，绝缘膜50成为第1～第4外部端子41～44的图案形成时的掩模的替代物，制造效率提高。另外，在金属磁性粉从树脂暴露的情况下，绝缘膜50通过覆盖该暴露的金属磁性粉，能够防止金属磁性粉向外部暴露。此外，绝缘膜50也可以含有由绝缘材料构成的填料。

如图2所示，第1柱状布线31与第3柱状布线33之间的最短距离X1小于第1线圈布线21的第1部分21a与第2线圈布线22的第2部分22a之间的最短距离Y，上述第1线圈布线21的第1部分21a在从与第1主面10a垂直的方向观察时位于第1柱状布线31与第2柱状布线32之间，上述第2线圈布线22的第2部分22a在从与第1主面10a垂直的方向观察时位于第3柱状布线33与第4柱状布线34之间。

据此，本体10的静电击穿不是产生于第1线圈布线21的第1部分21a与第2线圈布线22的第2部分22a之间而是产生于第1柱状布线31与第3柱状布线33之间的概率变高。另外，若在第1柱状布线31与第3柱状布线33之间产生静电击穿，则在使用激光等贯通了本体10的被破坏的部位之后，二次封入丙烯酸树脂等绝缘树脂，从而该破坏的部位的修正变容易。因此，当在本体10产生了静电击穿的情况下，容易确定本体10的破坏的部位，该破坏的部位的修正变容易。

另外，对于第1柱状布线31与第3柱状布线33之间而言，和第1线圈布线21与第2线圈布线22之间相比，对特性的影响比较小，因此即便二次封入绝缘树脂，对电感值的影响也较小。

此外，第1、第2线圈布线21、22中的比第1、第3柱状布线31、33靠外侧的暴露部200不是供电流流动的主路径，因此不易产生静电击穿，因此，也可以是，第1线圈布线21的暴露部200与第2线圈布线22的暴露部200之间的最短距离小于第1柱状布线31与第3柱状布线33之间的最短距离X1。

优选第1柱状布线31与第3柱状布线33之间的最短距离X1小于第1线圈布线21的暴露部200与第2线圈布线22的暴露部200之间的最短距离即可，布线形成时的光致抗蚀剂的纵横比在暴露部200侧也不会变得过大，因此能够抑制制造上的成品率的降低。

优选最短距离X1为最短距离Y的0.8倍以下。据此，能够使本体10的静电击穿更可靠地在第1柱状布线31与第3柱状布线33之间产生。

优选满足最短距离Y的第1线圈布线21的第1部分21a和第2线圈布线22的第2部分22a并行的距离Ly大于满足最短距离X1的第1柱状布线31和第3柱状布线33并行的距离L1。距离Ly是将第1、第3柱状布线31、33侧的距离Ly1和第2、第4柱状布线32、34侧的距离Ly2相加得到的值。从Z方向观察时，第1柱状布线31和第3柱状布线33的形状是矩形，因此距离L1相当于矩形的一个边的长度。据此，在若距离Ly长，则在第1线圈布线21与第2线圈布线22之间产生了绝缘破坏的情况下，不易确定破坏位置，但静电击穿容易在第1柱状布线31与第3柱状布线33之间产生，因此破坏位置的确定变容易。

优选距离Ly为距离L1的2倍以上，更优选为5倍以上。据此，Ly为L1的2倍以上，优选为5倍以上，从而静电击穿容易在第1柱状布线31与第3柱状布线33之间产生这样的效果更加有效。此外，若距离Ly过长，则电感器部件1较为大型。

优选本体10在第1线圈布线21的第1部分21a与第2线圈布线22的第2部分22a之间具有由含有金属磁性粉的树脂构成的第2磁性层12。据此，在包含金属磁性粉的第2磁性层12中容易产生绝缘破坏，因此静电击穿容易在第1柱状布线31与第3柱状布线33之间产生这样的效果更加有效。此外，也可以是，第2磁性层12配置于第1线圈布线21的第1部分21a与第2线圈布线22的第2部分22a之间的至少局部。

优选本体10在第1线圈布线21的第1部分21a与第2线圈布线22的第2部分22a之间具有不含有磁性体的绝缘层。据此，能够进一步防止第1线圈布线21的第1部分21a与第2线圈布线22的第2部分22a之间的静电击穿。此外，绝缘层配置于第1线圈布线21的第1部分21a与第2线圈布线22的第2部分22a之间的至少局部即可。另外，绝缘层不需要与第1线圈布线21和第2线圈布线22接触。

优选第2柱状布线32与第4柱状布线34之间的最短距离X2小于第1线圈布线21的第1部分21a与第2线圈布线22的第2部分22a之间的最短距离Y。据此，即便从第2柱状布线32和第4柱状布线34侧施加静电，静电击穿也容易在第2柱状布线32与第4柱状布线34之间产生，破坏位置的确定变容易，因此能够成为更自由的布线引绕。

优选最短距离X2为最短距离Y的0.8倍以下，由此，能够使本体10的静电击穿可靠地在第2柱状布线32与第4柱状布线34之间产生。

优选满足最短距离Y的第1线圈布线21的第1部分21a和第2线圈布线22的第2部分22a并行的距离Ly大于满足最短距离X2的第2柱状布线32和第4柱状布线34并行的距离L2。据此，在若距离Ly长，则在第1线圈布线21与第2线圈布线22之间产生了绝缘破坏的情况下，不易确定破坏位置，但静电击穿容易产生于第2柱状布线32与第4柱状布线34之间，因此破坏位置的确定变容易。

优选距离Ly为距离L2的2倍以上，更优选为5倍以上。据此，Ly为L2的2倍以上，优选为5倍以上，从而静电击穿容易在第2柱状布线32与第4柱状布线34之间产生这样的效果更加有效。

优选第1柱状布线31、第2柱状布线32、第3柱状布线33和第4柱状布线34沿与第1主面10a正交的方向延伸。据此，能够使满足柱状布线间的最短距离X1、X2的区域变大，能够使静电击穿更可靠地在柱状布线间产生。

(制造方法)

接下来，对电感器部件1的制造方法进行说明。

在绝缘层61的上表面61b上，通过溅射、化学镀等形成线圈布线21、22，另外，形成从线圈布线21、22起向上方延伸的柱状布线31～34。此处，线圈布线21、22和柱状布线31～34优选通过半加成工艺形成，形成位置和形状的精度高，偏差小。此时，线圈布线和柱状布线包括0.1atom％以上且1atom％以下的硫原子或者氯原子。

其后，将由磁性体材料构成的磁性片材压接于绝缘层61的上表面61b而覆盖线圈布线21、22和柱状布线31～34地在绝缘层61上形成第2磁性层12。对第2磁性层12进行研磨，使柱状布线31～34的端面暴露。

其后，在第2磁性层12的上表面形成绝缘膜50。在绝缘膜50中的形成外部端子的区域形成供柱状布线31～34的端面和第2磁性层12暴露的贯通孔。

其后，通过研磨，将绝缘层61除去。此时，不使绝缘层61完全除去而留下一部分。将由磁性体材料构成的磁性片材压接于绝缘层61的研磨侧的下表面61a并研磨为适当的厚度，从而形成第1磁性层11。

其后，通过化学镀，形成从柱状布线31～34起在绝缘膜50的贯通孔内生长的金属膜，从而形成外部端子41～44。

此外，本公开不限定于上述的实施方式，能够在不脱离本公开的主旨的范围内进行设计变更。

在上述实施方式中，在本体10内配置有两个第1线圈布线21和第2线圈布线22，但也可以配置三个以上的线圈布线，此时，外部端子和柱状布线分别为六个以上。而且，在线圈布线为三个以上时，在至少一组的相邻的线圈布线中，至少一组的相邻的柱状布线的最短距离小于第1线圈布线的第1部分与第2线圈布线的第2部分之间的最短距离即可。

在上述实施方式中，“线圈布线(电感器布线)”通过在流动有电流的情况下使磁性层产生磁通量，来对电感器部件赋予电感，且其构造、形状、材料等没有特别限定。不特别局限于实施方式那样的在平面上延伸的曲线(螺旋＝二维曲线)，能够使用曲折布线等公知的各种布线形状。另外，线圈布线的层数不局限于1层，也可以是2层以上的多层结构。另外，从Z方向观察时，柱状布线的形状为矩形，但也可以是圆形、椭圆形、长圆形。

在上述实施方式中，距离Ly大于距离L1、L2双方，但也可以小于距离L1、L2的至少一者，此时，能够进一步将本体的静电击穿产生的部位控制为相邻的柱状布线之间。

(实施例)

实际制造出上述实施方式的电感器部件。电感器部件的尺寸如图2所示，Y方向的尺寸为0.5mm，X方向的尺寸为2mm，Z方向的尺寸为0.3mm。使最短距离X1、X2相同而成为最短距离X，使最短距离X的值如以下的表1那样变化，制造出实施例1-7和比较例的电感器部件。最短距离Y为100μm，距离L1、L2为100μm。

另外，在实施例1-7和比较例中，从Z方向观察时，线圈布线成为直线形状，进行了ESD(Electrostatic Discharge：静电放电)试验。ESD评价结果如表1所示。ESD试验使用了东京电子交易公司(東京電子交易社製)制的ECDM-400EC。试验方法按照JEITA规格ED-4701/302，评价电压为4kV的接触放电，且在邻接的线圈布线之间施加了ESD。

[表1]

如表1的实施例1-7所示，在最短距离X小于最短距离Y时，在10个电感器部件的40％以上中，在柱状布线之间确认出了破坏。这样，确认出柱状布线间的破坏的产生概率提高。并且，如实施例1-6所示，在X为80μm以下时，换句话说，在X为Y的0.8倍以下时，在所有10个电感器部件(100％)中，在柱状布线之间确认出破坏，能够确认出能够可靠地产生柱状布线间破坏。

另一方面，如比较例所示，在X为100μm时，换句话说，在X与Y相同时，在10个电感器部件的10％中，在柱状布线之间确认出了破坏。换句话说，在比较例中，在10个电感器部件的90％中，在线圈布线之间确认出破坏。

因此，通过使X比Y小，从而能够使本体的静电击穿在柱状布线之间产生。