坩埚及晶体制造装置

本发明提供一种坩埚及晶体制造装置,其能够提高由晶种引出的熔液的温度分布的均匀化并得到更均匀的组成的晶体。是具有贮存成为晶体的原料的熔液的熔液贮存部(24)、和控制晶体的形状的模具部(34)的坩埚。模具部(34)具有使熔液(30)从熔液贮存部(24)的底面所具备的贮存部流出口(32)通向模具部(34)的端面所具备的模具流出口(38)的模具流路(36),模具流路(36)具有流路截面积小于模具流出口(38)的开口面积的狭窄部(36a1)。

2021-11-02

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冷坩埚

本发明涉及一种冷坩埚。所述冷坩埚可用于单晶材料的高温生产领域。根据本发明的冷坩埚(1)包括：冷笼(10),所述冷笼包括扇形部(100),所述扇形部由具有良好导电性的材料制成,并且装料在所述扇形部中熔融；以及具有传热流体的冷却装置(11),所述冷却装置被配置成从内部冷却所述冷笼的每个扇形部(100)。所述冷坩埚设计成进一步包括至少一个用于产生静磁场的装置(12),每个发电装置被容纳在所述冷坩埚的所述扇形部(100)之一内。由此产生的每个静磁场都具有减慢熔融装料的电磁搅拌的效果,从而有可能生产出直径明显大于引发其生长的晶种直径的单晶锭。

2021-10-29

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用于铸造单晶硅的籽晶铺设方法、单晶硅锭及其铸造方法

本发明提供了一种铸造单晶硅的籽晶铺设方法,包括：提供坩埚,在所述坩埚底部间隔铺设上下表面平整的垫片,形成垫片层；在所述垫片层上铺设至少一个支撑片,以形成覆盖所述垫片及其之间空隙的支撑片层；依次交替设置所述垫片层和支撑片层,以形成(AB)-(n)排布形式的架空结构,其中,A为垫片层,B为支撑片层,n为大于或等于1的整数；在所述架空结构上铺设单晶硅籽晶,形成籽晶层。通过在籽晶层上设置价格便宜的架空结构,可以减少所用籽晶的数量、降低单晶硅的铸造成本,并降低所得单晶硅锭的尾部红区。本发明还提供了一种单晶硅锭及其铸造方法。

2021-10-29

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石墨坩埚和防止石英坩埚变形的装置

本发明涉及一种石墨坩埚,包括多个瓣体,相邻两个瓣体之间具有接缝,每个瓣体包括用于与石英坩埚接触的接触面,所述接触面上设置有与所述接缝连通的凹槽,至少部分所述凹槽位于相应的所述瓣体的弯曲部。本发明还涉及一种防止石英坩埚变形的装置。通过石墨坩埚上凹槽的设置,增加气体通道,可以有效的排出因杂质产生的气体,避免因为气体不能及时逸出导致的坩埚变形,有效保证晶棒品质以及降低热场损坏的风险。

2021-10-22

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一种复合石英坩埚的制备方法及复合石英坩埚

本发明提供的一种复合石英坩埚的制备方法及复合石英坩埚,包括：沿坩埚模具的内侧面依次设置中位粒径依次减小的第一石英砂层、第二石英砂层和第三石英砂层,得到复合石英坩埚的料胚；对料胚进行电弧熔制以得到复合石英坩埚,复合石英坩埚包括由外侧面至内侧面气泡含量依次减小的气泡层、第一透明层和第二透明层。本发明中,由于料胚中第一石英砂层至第三石英砂层的中位粒径依次减小,因而利用所述料胚制备得到的复合石英坩埚中,气泡层至第二透明层的气泡含量依次减小,从而有效的降低了石英坩埚内侧面近表层的微气泡含量,使得在利用石英坩埚制备单晶硅的过程中,减小了微气泡发生破裂对正在生长的单晶硅的影响,提高了单晶硅的品质和成晶率。

2021-10-19

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晶体制备压力容器的压力控制系统

一种晶体制备压力容器的压力控制系统,涉及压力控制技术领域,包括压力容器、密封石英管和压力容器的进气排气系统,所述的密封石英管位于压力容器内,所述的密封石英管不少于三个,多个密封石英管依次套装,用于磷化铟单晶生长的多晶料、掺杂剂、液封剂及红磷装于最内层的密封石英管内,其余密封石英管内填充有石墨粉和红磷,其中红磷的质量由内管向外管呈梯度下降,保证磷升华为P4状态每层石英管的内外压差均不大于1atm,密封石英管底部与其外层的密封石英管底部之间设置有支撑块。本发明使得由内向外每一层石英管内的压强呈梯度下降,从而使最内层石英管的内压与压力容器的内压实现了平稳过渡,避免密封石英管内外压差剧变发生炸管事故。

2021-10-15

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石英玻璃坩埚及其制造方法

本发明涉及一种用于培育单晶硅的石英玻璃坩埚,其特征在于,至少在从所述石英玻璃坩埚的内表面至深度3mm的区域中的氧过量缺陷的含量为3×10～(11)个/g以下。

2021-10-12

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一种铱坩埚

本发明属于坩埚加工技术领域,尤其是一种铱坩埚,包括铱坩埚本体,铱坩埚本体由铱板组成,铱板区分设置为埚底及埚壁；铱坩埚本体的埚壁设置有强化装置,强化装置对铱坩埚本体的埚壁进行改进,使其适用于高熔点晶体的生长,增加铱坩埚本体的使用寿命,强化装置包括有埚帮下端。该铱坩埚,通过设置强化装置,对铱坩埚本体的埚壁进行优化,从而在节约成本的前提下,铱坩埚装置的热应力不会因此而降低。在调节的过程中,通过采用等寿命原理,使用差异减薄的方式,对铱坩埚本体的埚帮上端进行积极减薄,但埚帮下端减薄较少,从而形成梯度,再对其进行焊接,从而实现了对铱坩埚在壁厚减薄过程中进行厚度优化,同时解决了生产成本。

2021-10-01

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一种用于铸造单晶的坩埚石墨平台结构

本发明公开了一种用于铸造单晶的坩埚石墨平台结构。该坩埚石墨平台的外部轮廓形状为扁平的立方体,坩埚石墨平台的底部中间处设有一个凹陷结构,凹陷结构的底部开口边缘形状为正方形,凹陷结构的底部开口中心与坩埚石墨平台的底面中心重合,凹陷结构的底部开口四边与坩埚石墨平台的底面四边之间有间距,凹陷结构为曲面,该曲面由两个抛物线柱面相交而成。本发明的有益效果是：能有效地保证在铸造单晶时,坩埚底部的籽晶能够保持顶部熔化同时底部不熔化的状态,并保证在单晶生长过程中,固液界面始终为一个平面并逐步上升,使得在铸造单晶时每块籽晶上面的单晶保持垂直生长,从而达到最大的单晶率。

2021-09-24

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二氧化硅玻璃坩埚的制造装置及制造方法

本发明提供一种能够在短时间内在模具内形成稳定的二氧化硅粉层的二氧化硅玻璃坩埚的制造装置及制造方法。本发明的一方式为在旋转的模具内侧形成二氧化硅粉层的二氧化硅玻璃坩埚的制造装置,其具备：旋转单元,使模具旋转；及供给单元,向模具的内侧供给二氧化硅粉。在该制造装置中,供给单元具有：送出部,以使二氧化硅粉掉落于模具内侧的远离模具的内壁面的位置的方式送出二氧化硅粉；及扩散部,将从送出部送出的二氧化硅粉的方向转换为从掉落位置向内壁面侧,并且扩展从二氧化硅粉的掉落位置朝向内壁面的扩散角度。

2021-09-21

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