半导体存储装置

实施方式的半导体存储装置具备存储单元、与存储单元的栅极电连接的字线、与存储单元的一端电连接的位线、具有与位线电连接的第1栅极的第1晶体管、连接于第1晶体管的第1端的第2晶体管、及对第1晶体管的第1栅极施加电压的驱动器,读出动作中,所述驱动器根据对所述字线施加的读出电压,改变对所述第1晶体管的所述第1栅极施加的电压。

2021-10-29

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存储装置及其操作方法

本技术涉及一种电子装置。根据本技术的存储装置包括多个存储器装置和存储器控制器。多个存储器装置中的每一个包括多个存储块。存储器控制器检测多个存储器装置之中的缺陷存储器装置,并且将该缺陷存储器装置中包括的正常块分配到用于对多个存储器装置执行后台操作的超量配置区域。

2021-10-26

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主动读取干扰缓解

本申请涉及主动读取干扰缓解。接收使用存储器装置执行读取操作集合的请求。将所述读取操作集合划分成多个读取操作子集。在所述多个读取操作子集中的第一读取操作子集中选择第一读取操作。所述第一读取操作在存储器装置上的第一位置执行。在所述存储器装置上邻近所述第一位置的一或多个第二位置执行一或多个第一数据完整性扫描操作,以确定与所述一或多个第二位置相关联的一或多个第一可靠性统计数据。

2021-10-22

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存储器装置及其操作方法

本公开涉及一种存储器装置。该存储器装置包括：一个或多个平面,每个平面包括多个存储块；以及控制电路,根据在对包括第一存储块的平面执行编程操作之后是否从主机首先接收到对第一存储块的读取命令,在对第一存储块的有效读取操作之前选择性地执行虚拟读取操作。

2021-10-22

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控制器及其操作方法

本公开涉及一种控制存储器装置的控制器,该控制器包括：处理器,适于控制存储器装置通过使用第一软读取电压来执行第一软读取操作；以及错误校正码(ECC)编解码器,适于基于通过第一软读取操作获得的第一软读取数据来执行第一软判决解码操作,其中根据第一软判决解码操作是否失败,处理器控制存储器装置利用第二软读取电压的附加读取电压来执行第二软读取操作,该第二软读取电压的附加读取电压不同于第一软读取电压中的任意一个且基于第一软读取数据而确定,并且其中ECC编解码器基于第一软读取数据和通过第二软读取操作获得的第二软读取数据来执行第二软判决解码操作。

2021-10-22

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半导体装置及读出方法

本发明提供一种实现数据输出的高速化并且对锁存电路的重置进行补偿的半导体装置及读出方法。本发明的NAND型闪速存储器的读出方法包括：预充电步骤,经由读出节点(SNS)对位线及连接于所述位线的NAND串进行预充电；重置步骤,在预充电后对锁存电路进行重置；以及放电步骤,在重置后对NAND串进行放电。

2021-10-22

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针对存储器装置的块族跟踪

本申请案涉及针对存储器装置的块族跟踪。一种实例存储器子系统包含：存储器装置；以及以操作方式耦合到所述存储器装置的处理装置。所述处理装置经配置以接收指定逻辑块的识别符和页码的读取命令；将所述逻辑块的所述识别符转译为存储在所述存储器装置上的物理块的物理地址,其中所述物理地址包括存储器装置裸片的识别符；基于与所述存储器装置相关联的块族元数据,识别与所述物理块和所述页码相关联的块族；确定与所述块族和所述存储器装置裸片相关联的阈值电压偏移量；通过将所述阈值电压偏移量施加到与所述存储器装置裸片相关联的基础读取电平电压来计算经修改的阈值电压；以及使用所述经修改的阈值电压,从所述物理块内由所述页码所识别的物理页读取数据。

2021-10-22

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用于物理不可克隆函数的测量机制

一种用于物理不可克隆函数的测量机制。通过将多个阈值控制值提供给物理不可克隆函数位单元来测量多个物理不可克隆函数位单元。对与每个阈值控制值相关联的测量结果进行评估,以确定在多个阈值控制值中具有正阈值控制值和负阈值控制值的阈值控制对,该阈值控制对导致期望数量的物理不可克隆函数位单元为强1和为强0。

2021-10-22

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半导体存储装置及读出方法

本发明提供一种可以高速地进行跨越多个芯片间的连续读出的半导体存储装置及读出方法。本发明的NAND型闪速存储器包括所堆叠的多个芯片。各芯片具有：读出部件,进行页的连续读出；输出缓冲器部,与时钟信号同步地将由读出部件读出的数据输出至输入输出总线；以及最终页检测部,检测读出页是否为所述芯片的最终页。在进行跨越芯片间的连续读出的情况下,输出缓冲器部响应于最终页的检测结果,通过驱动能力大的第一输出缓冲器输出最终页的数据之后,通过驱动能力小的第二输出缓冲器输出或保持所述最终页的数据。

2021-10-22

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温度控制方法、存储器存储装置及存储器控制电路单元

本发明提供一种温度控制方法、存储器存储装置及存储器控制电路单元。所述方法包括：检测存储器存储装置的系统参数,其中所述系统参数反映存储器存储装置中的可复写式非易失性存储器模块的损耗程度；根据所述系统参数决定温控门槛值；以及响应于所述存储器存储装置的温度达到所述温控门槛值,执行降温操作,以降低所述存储器存储装置的温度。藉此,可更佳的在存储器存储装置的工作效能与温度控制机制中取得平衡。

2021-10-22

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