阅读说明：本技术 一种显示面板及其制备方法、显示装置 (Display panel, preparation method thereof and display device ) 是由 金鹏 于 2020-06-23 设计创作，主要内容包括：本申请公开了一种显示面板及其制备方法、显示装置,显示面板包括第一PI层；第一阻隔层,设于所述第一PI层上；缓冲层,设于所述第一阻隔层远离所述第一PI层的一侧；多晶硅层,设于所述缓冲层远离所述第一阻隔层的一侧；激光遮挡层,设于所述第一PI层和所述第一阻隔层之间；或/和所述激光遮挡层设于所述第一阻隔层和所述缓冲层之间；或/和所述激光遮挡层设于所述缓冲层和所述多晶硅层之间。(The application discloses a display panel, a preparation method thereof and a display device, wherein the display panel comprises a first PI layer; the first barrier layer is arranged on the first PI layer; the buffer layer is arranged on one side, far away from the first PI layer, of the first blocking layer; the polycrystalline silicon layer is arranged on one side, far away from the first blocking layer, of the buffer layer; the laser shielding layer is arranged between the first PI layer and the first blocking layer; the laser shielding layer is arranged between the first blocking layer and the buffer layer; or/and the laser shielding layer is arranged between the buffer layer and the polycrystalline silicon layer.)

一种显示面板及其制备方法、显示装置

技术领域

本申请涉及显示面板技术领域，尤其涉及一种显示面板及其制备方法、显示装置。

背景技术

目前现有的有机发光二极管(OrganicLight-Emitting Diode,OLED)结构具有自发光、广视角、高对比、低耗电、极高反应速率等优点，已经成为当前的主流显示技术之一。

OLED显示面板采用非常薄得有机材料涂层和基板，接通电流，使有机材料发光进行显示。目前OLED都采用聚酰亚胺(PI)作为柔性基板，聚酰亚胺首先是涂布在玻璃基板上，在PI基板利用化学气相沉积方式制备阻隔层和缓冲层后，再制备一层非晶硅层，对非晶硅层进行准分子激光退火(Excimer laser anneal,ELA)后形成多晶硅层。

请参阅图1，图1所示为现有技术中提供的显示面板的结构示意图，显示面板100包括玻璃基板110、第一PI层120、第一阻隔层130、第二PI层140、第二阻隔层150、缓冲层160和非晶硅层170。由于阻隔层和缓冲层通常采用氧化硅或氮化硅材料，而这些材料的透过率都非常高，所以对非晶硅层进行准分子激光退火时，激光很容易透过阻隔层和缓冲层烧伤下面的PI层，甚至会造成PI层剥离。

因此，确有必要来开发一种新型的显示面板及其制备方法，以克服现有技术的缺陷。

发明内容

本发明的一个目的是提供一种显示面板，其能够解决现有技术中显示面板对非晶硅层进行准分子激光退火时，激光很容易透过阻隔层和缓冲层烧伤下面的PI层，甚至会造成PI层剥离的问题。

为实现上述目的，本发明提供一种显示面板，包括第一PI层；第一阻隔层，设于所述第一PI层上；缓冲层，设于所述第一阻隔层远离所述第一PI层的一侧；多晶硅层，设于所述缓冲层远离所述第一阻隔层的一侧；激光遮挡层，设于所述第一PI层和所述第一阻隔层之间；或/和所述激光遮挡层设于所述第一阻隔层和所述缓冲层之间；或/和所述激光遮挡层设于所述缓冲层和所述多晶硅层之间。

在PI层和所述多晶硅层之间设置一层或多层激光遮挡层，可以有效阻挡对非晶硅层进行准分子激光退火时的激光，防止烧伤和剥离下面的PI层。

进一步的，在其他实施方式中，其中所述激光遮挡层的材料采用Al₂O₃。在其他实施方式中，所述激光遮挡层的材料也可以采用其他透光率低且耐高温的材料，不限于Al₂O₃，只要能够在对非晶硅层进行准分子激光退火时保证所述第一PI层不被烧伤即可。

进一步的，在其他实施方式中，其中所述激光遮挡层的厚度范围为1nm-50nm。

进一步的，在其他实施方式中，其中所述显示面板还包括第二阻隔层，设于所述第一PI层远离所述第一阻隔层的一侧；第二PI层，设于所述第二阻隔层远离所述第一PI层的一侧；玻璃基板，设于所述第二PI层远离所述第二阻隔层的一侧。

进一步的，在其他实施方式中，其中所述激光遮挡层的透光率小于10％。在对非晶硅层进行准分子激光退火时保证所述PI层不被烧伤，提高显示面板的良率。

为实现上述目的，本发明还提供一种制备方法，用以制备本发明涉及的所述显示面板，所述制备方法包括以下步骤：制备第一PI层；制备激光遮挡层于所述第一PI层上；制备第一阻隔层于所述激光遮挡层上；或/和制备激光遮挡层于所述第一阻隔层上；制备缓冲层于所述第一阻隔层上；或/和制备激光遮挡层于所述缓冲层上；制备非晶硅层于所述缓冲层上。

进一步的，在其他实施方式中，其中制备非晶硅层的步骤后还包括对所述非晶硅层进行准分子激光退火形成多晶硅层。

在PI层和所述多晶硅层之间制备一层或多层激光遮挡层，可以有效阻挡对非晶硅层进行准分子激光退火时的激光，防止烧伤和剥离下面的PI层。

进一步的，在其他实施方式中，其中制备所述激光遮挡层是通过化学沉积或喷墨打印的方式。

进一步的，在其他实施方式中，其中制备所述第一阻隔层和所述缓冲层是通过化学沉积的方式。

进一步的，在其他实施方式中，其中所述激光遮挡层的材料采用Al₂O_3，所述激光遮挡层的厚度范围为1nm-50nm。在其他实施方式中，所述激光遮挡层的材料也可以采用其他透光率低且耐高温的材料，不限于Al₂O₃，只要能够在对非晶硅层进行准分子激光退火时保证所述第一PI层不被烧伤即可。

进一步的，在其他实施方式中，其中所述激光遮挡层的透光率小于10％，在对非晶硅层进行准分子激光退火时保证所述PI层不被烧伤，提高显示面板的良率。

为实现上述目的，本发明还提供一种显示装置，包括本发明涉及的所述显示面板。

相对于现有技术，本发明的有益效果在于：本发明提供一种显示面板及其制备方法、显示装置，在PI层上制备一层Al₂O₃，Al₂O₃致密，光透过率低且耐高温，可以有效阻挡对非晶硅层进行准分子激光退火时的激光，防止烧伤和剥离下面的PI层。

附图说明

下面结合附图，通过对本申请的

具体实施方式

详细描述，将使本申请的技术方案及其它有益效果显而易见。

图1为现有技术中提供的显示面板的结构示意图；

图2为本发明实施例提供的显示面板的结构示意图；

图3为本发明实施例提供的显示面板的制备方法的流程图。

背景技术中的附图说明：

显示面板-100； 玻璃基板-110；

第一PI层-120；

第一阻隔层-130；

第二PI层-140； 第二阻隔层-150；

缓冲层-160； 非晶硅层-170。

具体实施方式中的附图说明：

显示面板-100； 玻璃基板-110；

第二PI层-140； 第二阻隔层-150；

第一PI层-120； 激光遮挡层-200；

第一阻隔层-130；

缓冲层-160； 非晶硅层-170。

具体实施方式

下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。

在本申请中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接触，也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正下方和斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。

下文的公开提供了许多不同的实施方式或例子用来实现本申请的不同结构。为了简化本申请的公开，下文中对特定例子的部件和设置进行描述。当然，它们仅仅为示例，并且目的不在于限制本申请。此外，本申请可以在不同例子中重复参考数字和/或参考字母，这种重复是为了简化和清楚的目的，其本身不指示所讨论各种实施方式和/或设置之间的关系。此外，本申请提供了的各种特定的工艺和材料的例子，但是本领域普通技术人员可以意识到其他工艺的应用和/或其他材料的使用。

本发明实施例提供一种显示面板100，请参阅图2，图2所示为本发明实施例提供的显示面板100的结构示意图，显示面板100包括玻璃基板110、第二PI层140、第二阻隔层150、第一PI层120、激光遮挡层200、第一阻隔层130、缓冲层160和多晶硅层170。

第二PI层140，设于玻璃基板110上；第二阻隔层150，设于第二PI层120上；第一PI层120设于第二阻隔层150上，激光遮挡层200设于第一PI层120上，第一阻隔层130设于激光遮挡层200上；缓冲层160设于第一阻隔层130上；多晶硅层170设于缓冲层上。

其中，激光遮挡层200的厚度范围为1nm-50nm，这个厚度对显示面板来说几乎可以忽略，因此并不会增加显示面板的厚度，进而影响显示面板的外观。

其中，激光遮挡层200的透光率小于10％，在对非晶硅层进行准分子激光退火时保证第一PI层120和第二PI层不被烧伤，提高显示面板的良率。

在本实施例中，激光遮挡层200的材料采用Al₂O₃。在其他实施方式中，激光遮挡层200的材料也可以采用其他透光率低且耐高温的材料，不限于本实施例中的Al₂O₃，只要能够在对非晶硅层进行准分子激光退火时保证第一PI层120不被烧伤即可。

在本实施例中，激光遮挡层200设于第一PI层120和第一阻隔层130之间，在其他实施方式中，激光遮挡层200也可以设于第一阻隔层130和缓冲层160之间，或者设于缓冲层160和多晶硅层170之间，在此不做限定，只要激光遮挡层200设于PI层和多晶硅层170之间即可，这样便可在对非晶硅层进行准分子激光退火时保证第一PI层120不被烧伤。

本发明实施例还提供一种制备方法，用以制备本发明涉及的显示面板100，请参阅图3，图3所示为本实施例提供的显示面板的制备方法的流程图，包括步骤1-步骤5。

步骤1：制备第一PI层120。

在其他实施方式中，在制备第一PI层120步骤之前还包括

提供一玻璃基板110；制备第二PI层140于玻璃基板110上；制备第二阻隔层150于第二PI层120上。

其中第一PI层120制备于第二阻隔层150上。制备第二阻隔层150是通过化学沉积的方式。

步骤2：制备激光遮挡层200于第一PI层120上。

制备激光遮挡层200是通过化学沉积或喷墨打印的方式。

其中，激光遮挡层200的厚度范围为1nm-50nm，这个厚度对显示面板来说几乎可以忽略，因此并不会增加显示面板的厚度，进而影响显示面板的外观。

其中，激光遮挡层200的透光率小于10％，在对非晶硅层进行准分子激光退火时保证第一PI层120和第二PI层不被烧伤，提高显示面板的良率。

在本实施例中，激光遮挡层200的材料采用Al₂O₃。在其他实施方式中，激光遮挡层200的材料也可以采用其他透光率低且耐高温的材料，不限于本实施例中的Al₂O₃，只要能够在对非晶硅层进行准分子激光退火时保证第一PI层120不被烧伤即可。

步骤3：制备第一阻隔层130于激光遮挡层200上；制备第一阻隔层130是通过化学沉积的方式。

步骤4：制备缓冲层160于第一阻隔层130上；制备缓冲层160是通过化学沉积的方式。

步骤5：制备非晶硅层于缓冲层160上。

制备非晶硅层的步骤后还包括对非晶硅层进行准分子激光退火形成多晶硅层170。

在本实施例中，制备激光遮挡层200于第一PI层120和第一阻隔层130之间，在其他实施方式中，激光遮挡层200也可以制备于第一阻隔层130和缓冲层160之间，或者制备于缓冲层160和多晶硅层170之间，在此不做限定，只要激光遮挡层200制备于PI层和多晶硅层170之间即可，这样便可在对非晶硅层进行准分子激光退火时保证第一PI层120不被烧伤。

为实现上述目的，本发明还提供一种显示装置，包括本发明涉及的显示面板100。

本发明的有益效果在于：本发明提供一种显示面板100及其制备方法、显示装置，在PI层上制备一层Al₂O₃，Al₂O₃致密，光透过率低且耐高温，可以有效阻挡对非晶硅层进行准分子激光退火时的激光，防止烧伤和剥离下面的PI层。

在上述实施例中，对各个实施例的描述都各有侧重，某个实施例中没有详述的部分，可以参见其他实施例的相关描述。

以上对本申请实施例所提供的一种显示面板及其制备方法、显示装置进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的技术方案及其核心思想；本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本申请各实施例的技术方案的范围。