显示装置

文档序号:1115033 发布日期:2020-09-29 浏览:13次 >En<

阅读说明:本技术 显示装置 (Display device ) 是由 崔敏姬 李淸 印闰京 于 2020-03-03 设计创作,主要内容包括:提供一种显示装置。显示装置包括:主区域,包括显示区域;子区域,包括焊盘;以及基板,具备配置在主区域与子区域之间的弯曲区域,该弯曲区域的两个外廓线中的至少一个外廓线包括曲线部。弯曲区域包括与曲线部并排配置的结构物。(A display device is provided. The display device includes: a main area including a display area; a sub-region including a pad; and a substrate including a curved region disposed between the main region and the sub-region, wherein at least one of two outer contours of the curved region includes a curved portion. The curved region includes a structure disposed in parallel with the curved portion.)

显示装置

技术领域

本发明涉及显示装置。

背景技术

随着多媒体的发展,显示装置的重要性正在变大。相应地,正在使用如液晶显示装置(Liquid Crystal Display,LCD)、有机发光显示装置(Organic Light EmittingDisplay,OLED)等各种显示装置。其中,有机发光显示装置属于自发光元件,具有出色的视角,因此作为下一代显示装置备受瞩目。

一般,显示装置具有位于基板上的显示区域。在这种显示装置中,至少一部分被弯曲,从而可以在各种角度下提高识别性或者减少非显示区域的面积。

但是,在显示装置被弯曲的状况下,因持续的压力,可能会发生裂痕,并存在发生的裂痕可能朝向显示区域向内部传播的问题。

发明内容

本发明想要解决的课题是提供一种在显示装置的弯曲区域配置的防裂痕台以及防裂痕槽的结构,将裂痕的传播最小化。

本发明的课题并不限于以上提及的课题,本领域技术人员根据以下的记载应当能够明确理解未提及的其他技术课题。

为了解决上述课题的一实施例涉及的显示装置包括:主区域,包括显示区域;子区域,包括焊盘;以及基板,具备配置在所述主区域与所述子区域之间的弯曲区域,该弯曲区域的两个外廓线中的至少一个外廓线包括曲线部。所述弯曲区域包括与所述曲线部并排配置的结构物。

所述弯曲区域的两个外廓线之间的距离可以从所述主区域朝向所述子区域逐渐减小。

所述结构物可以包括与所述弯曲区域的曲线部并排配置的多个防裂痕台,在所述多个防裂痕台之间使所述基板露出。

所述防裂痕台可以由至少一个无机层构成。

所述无机层可以包括配置在所述基板上的第一绝缘层、第二绝缘层以及第三绝缘层中的任一个。

所述弯曲区域可以包括信号布线区域,在所述信号布线区域上可以包括第一有机层。

在所述第一有机层上可以包括电连接所述主区域与所述子区域的多个布线。

还可以包括配置在所述第一有机层上的第二有机层。

所述防裂痕台可以包括所述第一有机层以及所述第二有机层中的至少一个。

所述防裂痕台可以包括至少一个无机层,在所述至少一个无机层上还可以包括所述第一有机层以及所述第二有机层中的至少一个。

所述结构物还可以在所述多个布线与所述防裂痕台之间包括防裂痕区域。

所述防裂痕区域可以使所述基板露出。

配置所述防裂痕槽的区域可以使所述基板露出。

所述多个防裂痕台可以在第一方向上延伸,且可以在与所述第一方向交叉的第二方向上分开配置。

所述多个防裂痕台可以具有在所述第一方向上分开配置的岛状。

所述多个防裂痕台在平面上可以是梯形形状,可以在所述第一方向上相互交错地进行配置。

为了解决上述课题的一实施例涉及的显示装置的制造方法包括:在基板上形成至少一个阻挡层的步骤,其中,在所述基板上定义具有显示区域的主区域以及从所述主区域的一侧延伸且两个边中的至少一个边包括曲线部的弯曲区域;在所述阻挡层上形成至少一个无机层的步骤;在所述弯曲区域对所述至少一个阻挡层和所述至少一个无机层进行蚀刻以形成包括至少一个阻挡层和至少一个无机层的多个防裂痕台的步骤;以及在所述基板利用激光器切割所述多个防裂痕台之间的步骤。

形成所述防裂痕台的步骤还可以包括:在被蚀刻的至少一个无机层上形成平坦化膜的步骤;以及在所述弯曲区域对所述平坦化膜进行蚀刻来形成所述多个防裂痕台的步骤。

形成所述多个防裂痕台的步骤还可以包括:在被蚀刻的至少一个所述平坦化膜上形成像素定义膜的步骤;以及在所述弯曲区域对所述像素定义膜进行蚀刻来形成所述多个防裂痕台的步骤。

包括配置在所述多个防裂痕台之间的至少一个防裂痕槽,配置所述防裂痕槽的区域使基板露出。

根据本发明的一实施例涉及的显示装置,通过配置在显示装置的弯曲区域的防裂痕台以及防裂痕槽的结构,可将裂痕的传播最小化。

本发明涉及的效果并不限于以上例示的内容,在本说明书内包括更多的效果。

附图说明

图1是一实施例涉及的显示装置的平面配置图。

图2是一实施例涉及的显示装置的概要部分剖视图。

图3是表示一实施例涉及的面板弯曲区域的信号布线的配置图。

图4是表示本发明的一实施例涉及的显示面板整体区域的信号布线的配置图。

图5是本发明的一实施例涉及的像素的等效电路图。

图6和图7是本发明的一实施例涉及的显示面板的部分剖视图。

图8是沿着图3所示的I-I′区域截取的剖视图。

图9是放大了图4所示的A区域的平面图。

图10是另一实施例涉及的放大了图4所示的A区域的平面图。

图11是又一实施例涉及的放大了图4所示的A区域的平面图。

图12是另一实施例涉及的沿着图3所示的I-I′区域截取的剖视图。

图13是又一实施例涉及的沿着图3所示的I-I′区域截取的剖视图。

图14是表示一实施例涉及的显示装置的制造方法的流程图。

图15是表示一实施例涉及的主区域与弯曲区域的层叠顺序的剖视图。

【符号说明】

DD:显示装置;DM:显示面板;IC:驱动芯片;FPC:印刷电路基板;GD:栅极驱动电路;DL:数据线;SL:信号布线;CP:第一结构物;CD:防裂痕台;CG:防裂痕槽;CR:防裂痕区域;SLR:信号布线区域。

具体实施方式

通过参照与附图一起详细后述的各实施例,应当能够明了本发明的优点、特征以及达成这些优点和特征的方法。但是,本发明并不限于以下公开的各实施例,可以以互相不同的各种形式实现,本实施例仅仅使本发明的公开变得完整,并且为了向本发明所属技术领域的技术人员完整地告知发明的范畴而提供本实施例,仅通过权利要求书的范畴来定义本发明。

元件(elements)或者层位于其他元件或者层的“上方(on)”、“上(on)”时,不仅包括直接位于其他元件或者层上的情况,还包括其间夹着其他层或者其他元件的情况。相反,指代元件“直接在上(directly on)”或者“直接的上方”表示其间没有其他元件或者层。

在空间上属于相对用语的“之下(below)”、“下面(beneath)”、“下部(lower)”、“之上(above)”、“上方(on)”、“上(on)”、“上部(upper)”等是可以为了容易理解图示的一个元件或者构成要素与其他元件或者构成要素之间的相关关系而使用。空间上的相对用语在利用图示的方向加以使用时或者工作时应当理解为是包括元件的互相不同的方向的用语。例如,在翻转图示的元件的情况下,记载为其他元件“之下”的元件可以位于其他元件“之上”。因此,作为例示性用语的“下”可以包括上和下的方向。元件也可以沿着其他方向取向,在该情况下,空间上的相对用语可以沿着取向进行解释。

在整个说明书中,对相同或类似的部分使用相同的符号。

以下,参照附图,说明本发明的各实施例。

图1是一实施例涉及的显示装置的平面配置图,图2是一实施例涉及的显示装置的概要部分剖视图,图3是表示一实施例涉及的面板弯曲区域的信号布线的配置图。

在图1的平面图中,为了便于说明,定义了上、下、左、右的方向。上下方向是纵向或者列方向,左右方向是横向或者行方向。在实施例中提及的方向应当理解为是提及了相对的方向,实施例并不限于所提及的方向。

参照图1至图3,显示装置DD是显示动态影像或静态影像的装置,显示装置DD不仅可以用于如移动电话、智能电话、台式PC(Personal Computer)、智能手表、手表电话、移动通信终端机、电子手册、电子书、PMP(Portable Multimedia Player)、导航仪、UMPC(UltraMobile PC)等的便携式电子设备,还可以用作电视机、笔记本电脑、监控器、广告板、物联网等各种产品的显示画面。作为显示装置DD的例子,可以是有机发光显示装置、液晶显示装置、等离子显示装置、场发射显示装置、电泳显示装置、电润湿显示装置、量子点显示装置、微发光二极管显示装置等。以下,作为显示装置以有机发光显示装置为例进行说明,但是本发明并不限于此。

显示装置DD可以包括显示面板DM。显示面板DM可以包括柔性基板,该柔性基板包括如聚酰亚胺等的挠性高分子物质。因此,显示面板DM可能会被弯曲、弯折、折叠或者卷曲。

显示面板DM可以包括主区域MR和从主区域MR的一侧延伸的弯曲区域BD。显示面板DM还可以包括与弯曲区域BD连接且在厚度方向上与主区域MR重叠的子区域SR。

在显示面板DM中,将显示画面的部分定义为显示区域DA、将不显示画面的部分定义为非显示区域NDA时,显示面板DM的显示区域DA位于主区域MR内。除了显示区域DA的剩余部分属于显示面板DM的非显示区域NDA,在一实施例中,在主区域MR中,可以是显示区域DA的周边边缘部分、整个弯曲区域BD以及整个子区域SR为非显示区域NDA。但是,并不限于此,弯曲区域BD和/或子区域SR也可以包括显示区域DA。

主区域MR可以大体上具有与显示装置DD的平面上的外形类似的形状。主区域MR可以是位于一个平面的平坦区域。但是,并不限于此,在主区域MR中,除了与弯曲区域BD连接的边缘(边)的剩余边缘之中的至少一个边缘可以形成弯曲的曲面或在垂直方向上被弯折。

显示面板DM的显示区域DA可以配置在主区域MR的中央部。显示区域DA可以包括多个像素。各像素可以包括发光层以及控制发光层的发光量的电路层。电路层可以包括显示布线、显示电极以及至少一个晶体管。发光层可以包含有机发光物质。发光层可以被封装膜密封。各像素的具体构成将后述。

显示区域DA可以具有矩形形状或者角部圆的矩形形状。但是,并不限于此,显示区域DA可以具有正方形、其他多边形或者圆形、椭圆形等各种形状。

在主区域MR中,除了与弯曲区域BD连接的边缘(边)的剩余边缘之中的至少一个边缘形成曲面或被弯折的情况下,也可以在相应边缘也配置显示区域DA。但是,并不限于此,在弯曲或者弯折的边缘可以配置不显示画面的非显示区域NDA或者也可以与显示区域DA一起配置非显示区域NDA。

在主区域MR中,在显示区域DA的周边可以设置非显示区域NDA。主区域MR的非显示区域NDA可以位于从显示区域DA的外侧边界一直到显示面板DM的边缘为止的区域。在主区域MR的非显示区域NDA,可以配置用于向显示区域DA施加信号的信号布线SL或者栅极驱动电路GD(参照图4)。另外,在主区域MR的非显示区域NDA可以配置最外廓黑矩阵,但是并不限于此。

弯曲区域BD配置在主区域MR与子区域SR之间,两个外廓线OT-L中的至少一个外廓线可以包括曲线部。例如,弯曲区域BD中,连接主区域MR的一侧与子区域SR的一侧的两个外廓线OT-L可以是具有相同的曲率的曲线部。两个外廓线OT-L(参照图4)之间的距离可以从主区域MR朝向子区域SR逐渐减小。

在弯曲区域BD中,显示面板DM可以沿着厚度方向朝向下侧方向、换言之朝向显示面的相反方向以一定曲率被弯曲。弯曲区域BD可以具有一定的曲率半径,但是并不限于此,也可以按区间具有不同的曲率半径。随着显示面板DM在弯曲区域BD被弯曲,显示面板DM的面被反转。即,可以进行如下变更:朝向上部的显示面板DM的一面通过弯曲区域BD朝向外侧后,再次朝向下部。

子区域SR从弯曲区域BD延伸。子区域SR可以在弯曲结束以后开始朝向与主区域MR平行的方向延伸。子区域SR可以在弯曲区域BD被弯曲时在显示面板DM的厚度方向上与主区域MR重叠。子区域SR可以与主区域MR的边缘的非显示区域NDA重叠,进一步可以重叠至主区域MR的显示区域DA。

子区域SR的宽度可以与弯曲区域BD的宽度相同,但是并不限于此。

在显示面板DM的子区域SR上可以配置驱动芯片IC。驱动芯片IC可以包括驱动显示面板DM的集成电路。在一实施例中,所述集成电路可以是生成数据信号来加以提供的数据驱动集成电路,但是并不限于此。驱动芯片IC可以在子区域SR中被安装于显示面板DM。驱动芯片IC安装在作为与显示面相同的面的显示面板DM的一面上,但是随着如上所述那样弯曲区域BD被弯曲而翻转,驱动芯片IC在厚度方向上安装在朝向下部的显示面板DM的面上,从而驱动芯片IC的上表面可以朝向下部。

驱动芯片IC可以通过各向异性导电膜而附着于显示面板DM上,或者通过超声键合接合附着在显示面板DM上。驱动芯片IC的横向宽度可以小于显示面板DM的横向宽度。驱动芯片IC可以配置在子区域SR的横向的中央部,驱动芯片IC的左侧边缘和右侧边缘分别可以远离子区域SR的左侧边缘和右侧边缘。

在显示面板DM的子区域SR的端部可以具备焊盘部PAD,在焊盘部PAD上可以连接有印刷电路基板FPC。印刷电路基板FPC可以是柔性印刷电路基板或薄膜。

在子区域SR、弯曲区域BD以及主区域MR可以配置多个信号布线SL。信号布线SL可以从子区域SR开始经过弯曲区域BD而延伸到主区域MR。一部分信号布线SL(例如,初始化电压线、电压线以及控制信号线)可以从子区域SR的端部开始不经由驱动芯片IC地延伸到弯曲区域BD并延伸至主区域MR。另一部分信号布线SL(例如,数据线DL)可以从子区域SR的端部开始经由驱动芯片IC而行进至弯曲区域BD并延伸到主区域MR。如果是经由驱动芯片IC的信号布线SL,则为了覆盖宽度比驱动芯片IC宽的主区域MR整体,可以形成从子区域SR和/或弯曲区域BD开始越是行进至主区域MR侧变得越宽的扇出区域(fan-out)。不经由驱动芯片IC的信号布线SL可以沿着经由驱动芯片IC的信号布线SL的外侧行进。

经过弯曲区域BD的信号布线SL随着面板被弯曲会一起被弯曲,因此可能会受到弯曲压力。弯曲压力可能会引发信号布线SL的裂痕或断线,为了防止弯曲压力,经过弯曲区域BD的信号布线SL可以由更加柔性的物质形成。

弯曲区域BD可以包括第一结构物CP。第一结构物CP在发生裂痕的情况下可以防止裂痕朝向信号布线SL扩散的第一结构物CP。可以与面板弯曲区域的曲线部相邻地配置第一结构物CP。

图4是表示本发明的一实施例涉及的显示面板整体区域的信号布线的配置图。

参照图4,显示面板DM可以包括主区域MR、弯曲区域BD和子区域SR。主区域MR在平面上包括显示区域DA和非显示区域NDA。主区域MR包括多个像素PX。配置有多个像素PX的区域被定义为显示区域DA。在本实施例中,非显示区域NDA可以沿着显示区域DA的边缘来定义。

主区域MR包括多个栅极线GL、数据线DL、发光线EL、控制信号线SL-D、初始化电压线SL-Vint以及电压线SL-VDD。各栅极线GL分别与多个像素PX中的对应的像素PX连接,各数据线DL分别与多个像素PX中的对应的像素PX连接。各发光线EL可以分别与各栅极线GL中的对应的栅极线并排排列。控制信号线SL-D可以向栅极驱动电路GD提供控制信号。初始化电压线SL-Vint可以向多个像素PX提供初始化电压。电压线SL-VDD与多个像素PX连接,可以向多个像素PX提供第一电压。电压线SL-VDD可以包括在第一方向DR1上延伸的多个线以及在第二方向DR2上延伸的多个线。

在非显示区域NDA的一侧可以配置连接了栅极线GL以及发光线EL的栅极驱动电路GD。栅极线GL、数据线DL、发光线EL、控制信号线SL-D、初始化电压线SL-Vint以及电压线SL-VDD中,一部分配置在同一层,一部分配置在不同的层。

弯曲区域BD可以包括两个外廓线OT-L、多个信号布线SL以及第一结构物CP。两个外廓线OT-L是沿着第一方向DR1延伸的轮廓线,可以是连接主区域MR与子区域SR的轮廓线。信号布线SL可以连接主区域MR的布线与子区域SR的布线。第一结构物CP可以配置在两个外廓线OT-L中的每一个与多个信号布线SL之间。

在图4中示出了弯曲区域BD以及主区域MR的两端被弯曲之前的状态。在该情况下,可以沿着第一方向DR1依次排列主区域MR、弯曲区域BD以及子区域SR。主区域MR的与第二方向DR2平行的第一宽度WT1可以大于弯曲区域BD的与第二方向DR2平行的第二宽度WT2。

另一方面,在图4中用虚线图示的切割前的原始基板SUB_pre的形状可以是矩形形状。为了形成四个角部被倒角且主区域MR和面板的弯曲区域BD的连接部具有L字切割形状的显示装置DD,可以沿着切割线CL利用激光器LS(参照图15)来进行切割。切割线CL可以通过激光切割方法等被切断。第一结构物CP可以防止信号布线SL因切割线CL通过激光切割等被切断时所产生的裂痕而受损的情况。

图5是本发明的一实施例涉及的像素PX的等效电路图。

在图5中例示了与某一栅极线GL、某一数据线DL以及电压线SL-VDD连接的像素PX。像素PX的构成并不限于此,可以变更其构成来实施。

像素PX作为显示元件而包括有机发光二极管OLED。有机发光二极管OLED可以是正面发光型二极管或背面发光型二极管。像素PX可以作为用于驱动有机发光二极管OLED的电路部而包括第一晶体管TFT1(或开关晶体管)、第二晶体管TFT2(或驱动晶体管)以及电容器CAP。

第一晶体管TFT1响应于施加到栅极线GL的扫描信号,输出要施加到数据线DL的数据信号。电容器CAP充电与从第一晶体管TFT1接收的数据信号对应的电压。

第二晶体管TFT2与有机发光二极管OLED连接。第二晶体管TFT2与存储在电容器CAP中的电荷量对应地控制流过有机发光二极管OLED的驱动电流。有机发光二极管OLED在第二晶体管TFT2的导通期间内进行发光。

图6以及图7是本发明的一实施例涉及的显示面板DM的部分剖视图。

图6示出与图5所示的等效电路的第一晶体管TFT1以及电容器CAP对应的部分的截面。图7示出与图5所示的等效电路的第二晶体管TFT2以及有机发光二极管OLED对应的部分的截面。

如图6以及图7所示,在基板SUB上配置阻挡层10。阻挡层10可以包括第一层11至第三层13。第一层11至第三层13可以是无机层。无机层可以包括氮化硅、氮氧化硅、氧化硅、氧化钛以及氧化铝中的至少任一种。但是,这只是例示,也可以省略阻挡层10,也可以包括有机层,还可以具有两个以上的层。有机层可以包括高分子,例如可以包括丙烯酸系有机层。但是,这只是例示,本发明并不限于此。

在阻挡层10上配置电路层DP-CL。在阻挡层10上配置第一晶体管TFT1的半导体图案AL1(以下称作第一半导体图案)以及第二晶体管TFT2的半导体图案AL2(以下称作第二半导体图案,参照图15中的符号AL2)。第一半导体图案AL1以及第二半导体图案AL2可以从非晶硅、多晶硅、金属氧化物半导体之中互相相同地或者互相不同地选择。

在基板SUB上配置覆盖第一半导体图案AL1以及第二半导体图案AL2的第一绝缘层20。第一绝缘层20包括有机层和/或无机层。尤其是,第一绝缘层20可以包括无机薄膜。无机薄膜可以包括氮化硅、氮氧化硅、氧化硅、氧化钛以及氧化铝中的至少任一种。但是,这只是例示,本发明并不限于此。

在第一绝缘层20上可以配置第一晶体管TFT1的控制电极GE1(以下称作第一控制电极)、第二晶体管TFT2的控制电极GE2(以下称作第二控制电极,参照图15中的符号GE2)以及第一电极E1。第一控制电极GE1、第二控制电极GE2以及第一电极E1可以通过与各栅极线GL(参照图4)相同的光刻工序来制造。换言之,第一电极E1由与各栅极线GL相同的物质构成,可以具有相同的层叠结构,且可以配置在同一层上。

在第一绝缘层20上配置覆盖第一控制电极GE1、第二控制电极GE2以及第一电极E1的第二绝缘层30。第二绝缘层30包括有机层和/或无机层。尤其是,第二绝缘层30可以包括无机薄膜。无机薄膜可以包括氮化硅、氮氧化硅、氧化硅、氧化钛以及氧化铝中的至少任一种。但是,这只是例示,本发明并不限于此。在第二绝缘层30上可以配置第二电极E2。在第二绝缘层30上配置覆盖第二电极E2的第三绝缘层40。第三绝缘层40包括有机层和/或无机层。尤其是,第三绝缘层40可以包括无机薄膜。无机薄膜可以包括氮化硅、氮氧化硅、氧化硅、氧化钛以及氧化铝中的至少任一种。但是,这只是例示,本发明并不限于此。

在第三绝缘层40上可以配置各数据线DL(参照图4)。在第三绝缘层40上配置第一晶体管TFT1的输入电极SE1(以下称作第一输入电极)以及输出电极DE1(以下称作第一输出电极)。在第三绝缘层40上配置第二晶体管TFT2的输入电极SE2(以下称作第二输入电极,参照图15中的符号SE2)以及输出电极DE2(以下称作第二输出电极,参照图15中的符号DE2)。第一输入电极SE1从各数据线DL中的对应的数据线分支。另外,在图6中例示了第二电极E2配置在第二绝缘层30与第三绝缘层40之间的情况,但是并不限于此,电容器CAP的第二电极E2可以配置在第三绝缘层40上。在该情况下,第二电极E2可以通过与各数据线DL以及电源线相同的光刻工序来制造,可以由相同的物质构成,可以具有相同的层叠结构,且可以配置在相同的层上。

第一输入电极SE1和第一输出电极DE1分别通过贯通第一绝缘层20至第三绝缘层40的第一贯通孔CH1和第二贯通孔CH2与第一半导体图案AL1连接。第一输出电极DE1可以与第一电极E1电连接。例如,第一输出电极DE1可以通过贯通第二绝缘层30和第三绝缘层40的贯通孔(未图示)与第一电极E1连接。第二输入电极SE2和第二输出电极DE2分别通过贯通第一绝缘层20至第三绝缘层40的第三贯通孔CH3和第四贯通孔CH4与第二半导体图案AL2连接。另一方面,在本发明的其他实施例中,第一晶体管TFT1和第二晶体管TFT2可以变更为底栅结构来实施。

在第三绝缘层40上配置覆盖第一输入电极SE1、第一输出电极DE1、第二输入电极SE2以及第二输出电极DE2的第四绝缘层50。第四绝缘层50包括有机层和/或无机层。尤其是,第四绝缘层50可以为了提供平坦面而包括有机物质。有机物质可以包括高分子,例如可以包括丙烯酸系有机层。但是,这只是例示,本发明并不限于此。

第一绝缘层20至第四绝缘层50中的任一个可以根据像素的电路结构来省略。第一绝缘层20至第三绝缘层40分别可以由层间绝缘层(interlayer)来定义。层间绝缘层配置在以层间绝缘层为基准在下部配置的导电图案与在上部配置的导电图案之间,由此使导电图案绝缘。

在第四绝缘层50上配置发光元件层DP-OLED。在第四绝缘层50上配置像素定义膜PDL、垫片SPC以及有机发光二极管OLED。

在第四绝缘层50上配置阳极AE。阳极AE通过贯通第四绝缘层50的第五贯通孔CH5与第二输出电极DE2连接(参照图15)。在像素定义膜PDL以及垫片SPC定义开口部OP。开口部OP使阳极AE的至少一部分露出。像素定义膜PDL以及垫片SPC包括有机层和/或无机层。尤其是,像素定义膜PDL以及垫片SPC可以为了提供平坦面而包括有机物质。有机物质可以包括高分子,例如可以包括丙烯酸系有机层。但是,这只是例示,本发明并不限于此。

垫片SPC配置在像素定义膜PDL上,可以起到支承在形成有机发光二极管OLED等时所使用的掩模的作用。例示了垫片SPC与像素定义膜PDL相同地形成的情况,但是并不限于此。垫片SPC可以仅形成在像素定义膜PDL的部分区域上,也可以省略垫片SPC。

发光元件层DP-OLED包括发光区域PXA和与发光区域PXA相邻的不发光区域NPXA。不发光区域NPXA可以包围发光区域PXA。可以与通过开口部OP露出的阳极AE的部分区域对应地定义发光区域PXA。

空穴控制层HCL可以共同地配置在发光区域PXA和不发光区域NPXA。虽然未另行图示,但是如空穴控制层HCL这样的公共层可以共同地形成在多个像素PX(参照图4)中。

在空穴控制层HCL上配置有机发光层EML。有机发光层EML可以仅配置在与开口部OP对应的区域。即,可以在多个像素PX的每一个中分开形成有机发光层EML。

在有机发光层EML上配置电子控制层ECL。在电子控制层ECL上配置阴极CE。阴极CE共同地配置在多个像素PX中。

在本实施例中例示了图案化的有机发光层EML,但是有机发光层EML可以共同地配置在多个像素PX中。此时,有机发光层EML可以生成白色光。另外,有机发光层EML可以具有多层结构。

在本实施例中,薄膜封装层TFE直接覆盖阴极CE。在本发明的一实施例中,还可以配置覆盖阴极CE的盖层。此时,薄膜封装层TFE直接覆盖盖层。薄膜封装层TFE可以包括多个无机薄膜IOL1、IOL2以及有机薄膜OL。

图8是沿着图3所示的I-I′区域截取的剖视图。参照图6、图7以及图8,弯曲区域BD可以包括第一结构物CP以及信号布线区域SLR。第一结构物CP可以包括多个防裂痕台CD、配置在多个防裂痕台CD之间的至少一个防裂痕槽CG以及防裂痕区域CR。

包括无机物的第一层11、第二层12、第三层13、第一绝缘层20、第二绝缘层30以及第三绝缘层40可以不配置在防裂痕区域CR以及信号布线区域SLR。因此,施加到朝向显示部的背面弯曲的弯曲区域BD的压力可减少。

在第一结构物CP的部分区域可以配置包括第一层11、第二层12、第三层13、第一绝缘层20、第二绝缘层30以及第三绝缘层40中的至少一个层的多个防裂痕台CD。第一层11、第二层12、第三层13、第一绝缘层20、第二绝缘层30以及第三绝缘层40可以是无机层。但是,多个防裂痕台CD的构成物质并不限于此。例如,在第一层11、第二层12、第三层13、第一绝缘层20、第二绝缘层30以及第三绝缘层40中的至少一个层上可以还包括第四绝缘层50以及像素定义膜PDL中的至少一个层。第四绝缘层50以及像素定义膜PDL可以是有机层。可以包括配置在多个防裂痕台CD之间的至少一个防裂痕槽CG。配置防裂痕槽CG的区域可以使基板SUB露出。

多个防裂痕台CD可以配置在外廓线OT-L与信号布线SL之间。多个防裂痕台CD可以通过与阻挡层10以及电路层DP-CL相同的光刻工序制造。换言之,多个防裂痕台CD由与阻挡层10以及电路层DP-CL相同的物质构成,可以具有相同的层叠结构。根据一实施例,可以在形成贯通第一绝缘层20至第三绝缘层40的第三贯通孔CH3和第四贯通孔CH4使得第二输入电极SE2和第二输出电极DE2被连接至第二半导体图案AL2的过程中,同时形成包括无机层的多个防裂痕台CD。

接着,可以在由无机层构成的多个防裂痕台CD上作为平坦化膜而涂敷第四绝缘层50。此时,由无机层构成的多个防裂痕台CD的上表面可以完全淹没于第四绝缘层50中。可以在形成贯通第四绝缘层50的第五贯通孔CH5使得阳极AE和第二输出电极DE2连接的过程中,同时形成包括有机层的多个防裂痕台CD。此时,可以在弯曲区域BD的信号布线区域SLR上配置第四绝缘层50,可以在第四绝缘层50上配置信号布线SL。由此,可以和在因第一层11、第二层12、第三层13、第一绝缘层20、第二绝缘层30以及第三绝缘层40等的去除而发生了高低差的主区域MR以及子区域SR上配置的信号布线SL一起配置在同一个平面上。

接着,可以在包括第四绝缘层50的多个防裂痕台CD上涂敷形成像素定义膜PDL的有机层。此时,包括第四绝缘层50的多个防裂痕台CD的上表面可以完全淹没于形成像素定义膜PDL的有机层中。可以在形成发光区域PXA的开口部OP的过程中同时形成包括用于形成像素定义膜PDL的有机层的多个防裂痕台CD。此时,可以在配置于第四绝缘层50上的信号布线SL上,配置形成像素定义膜PDL的有机层。由此,可以防止信号布线SL露出到外部。

在通过激光切割工序形成外廓线OT-L时,可能会在主区域MR、弯曲区域BD以及子区域SR发生裂痕。另外,弯曲区域BD不同于主区域MR以及子区域SR,是被弯曲的区域,所发生的裂痕有可能会持续生长并扩散。在将多个防裂痕台CD以及配置于多个防裂痕台之间的至少一个防裂痕槽CG与外廓线OT-L并排配置的情况下,可以防止所发生的裂痕朝向信号布线SL扩散的情况。即,可以减少因施加到弯曲区域BD的压力引起的不良,可以提高产品的可靠性以及制造产量。

图9是放大了图4所示的A区域的平面图。

参照图9,在平面上,第一结构物CP可以配置在信号布线SL与外廓线OT-L之间。在平面上,第一结构物CP可以与外廓线OT-L分开地配置。在该情况下,可以防止在形成外廓线OT-L的过程中有可能发生的裂痕朝向信号布线SL扩散的情况。在两个外廓线OT-L之中,至少一个可以包括曲线部。例如,弯曲区域BD的两个外廓线OT-L之间的距离可以从主区域MR朝向子区域SR逐渐减小。第一结构物CP可以包括沿着具有曲线部的外廓线OT-L延伸的防裂痕台CD以及防裂痕槽CG。防裂痕台CD以及防裂痕槽CG可以沿着与第一方向DR1交叉的第二方向DR2排列。由于第一结构物CP包括缝隙形状的防裂痕台CD以及防裂痕槽CG,因此即便第一结构物CP中的一部分的图案发生了裂痕,也可以防止裂痕被传播。

在图9中例示了第一结构物CP包括三个防裂痕台CD以及两个防裂痕槽CG的情况,但是本发明并不限于此。第一结构物CP在防裂痕台CD与信号布线SL之间还可以包括防裂痕区域CR。防裂痕区域CR可以是去除了如第一层11、第二层12、第三层13、第一绝缘层20、第二绝缘层30以及第三绝缘层40这样的无机层而使得基板SUB露出。

图10是另一实施例涉及的放大了图4所示的A区域的平面图。

参照图10,在平面上,第一结构物CP_1可以配置在信号布线SL与外廓线OT-L之间。

第一结构物CP_1包括多个防裂痕台CD_1,多个防裂痕台CD_1可以沿着包括曲线部的外廓线OT-L并排排列。由此,可以将多个防裂痕台CD_1排列成岛状。多个防裂痕槽CG_1可以沿着第一方向DR1以及第二方向DR2排列,在该情况下,多个防裂痕台CD_1可以具有与外廓线OT-L相邻的虚线形状。

与图9相比,图10的防裂痕台CD_1是岛状,具有沿着第一方向DR1排列的形状。如图10那样的岛状的防裂痕台CD_1在弯曲区域BD被弯曲时,可进一步减少所发生的压力。

图11是又一实施例涉及的放大了图4所示的A区域的平面图。

参照图11,在平面上,第一结构物CP_2可以配置在信号布线SL与外廓线OT-L之间。第一结构物CP_2可以沿着包括曲线部的外廓线OT-L并排排列。第一结构物CP_2可以包括:沿着第一方向DR1延伸的第一防裂痕台CD_21;以及从第一防裂痕台CD_21开始在第二方向DR2上分开配置且沿着第一方向DR1延伸的第二防裂痕台CD_22。

第一防裂痕台CD_21以及第二防裂痕台CD_22在平面上可以是梯形形状。

第一防裂痕台CD_21以及第二防裂痕台CD_22可以沿着第二方向DR2交替地排列。第一防裂痕台CD_21的一端以及在一方向上与该第一防裂痕台CD_21相邻的另一个第一防裂痕台CD_21的另一端可重叠于相邻的第二防裂痕台CD_22。即,第一防裂痕台CD_21以及第二防裂痕台CD_22可以在第一方向DR1上被配置成相互错开。由此,弯曲区域BD被弯曲时,可进一步减少所发生的压力,并且可防止经过了在第一方向DR1上相邻的两个第一防裂痕台CD_21之间的裂痕因在第二方向DR2上相邻的第二防裂痕台CD_22而朝向信号布线SL扩散的情况。

图12是另一实施例涉及的沿着图3所示的I-I′区域截取的剖视图。参照图6、图7以及图12,与图示了包括无机物和/或有机物的多个防裂痕台CD的图8的区别在于,多个防裂痕台CD_3包括含无机物的第一层11、第二层12、第三层13、第一绝缘层20、第二绝缘层30以及第三绝缘层40之中的某一层。

具体而言,弯曲区域BD可以包括第一结构物CP_3以及信号布线区域SLR。第一结构物CP_3可以包括多个防裂痕台CD_3、配置在多个防裂痕台CD_3之间的至少一个防裂痕槽CG_3以及防裂痕区域CR_3。

包括无机物的第一层11、第二层12、第三层13、第一绝缘层20、第二绝缘层30以及第三绝缘层40可以不被配置在防裂痕区域CR_3以及信号布线区域SLR。由此,可减少对朝向主区域MR的背面弯曲的弯曲区域BD施加的压力。

可以在第一结构物CP_3的部分区域配置包括第一层11、第二层12、第三层13、第一绝缘层20、第二绝缘层30以及第三绝缘层40中的至少一个层的多个防裂痕台CD_3。第一层11、第二层12、第三层13、第一绝缘层20、第二绝缘层30以及第三绝缘层40可以是无机层。可以包括配置在多个防裂痕台CD_3之间的至少一个防裂痕槽CG_3。配置防裂痕槽CG_3的区域可以使基板SUB露出。多个防裂痕台CD_3可以配置在外廓线OT-L与信号布线SL之间。多个防裂痕台CD_3可以通过与阻挡层10以及电路层DP-CL相同的光刻工序制造。换言之,多个防裂痕台CD_3由与阻挡层10以及电路层DP-CL相同的物质构成,可以具有相同的层叠结构。根据一实施例,可以在形成贯通第一绝缘层20至第三绝缘层40的第三贯通孔CH3和第四贯通孔CH4使得第二输入电极SE2和第二输出电极DE2连接于第二半导体图案AL2的过程中同时形成多个防裂痕台CD_3。

图13是又一实施例涉及的沿着图3所示的I-I′区域截取的剖视图。

参照图6、图7以及图13,与图示了包括无机物和/或有机物的多个防裂痕台CD的图8的区别在于,多个防裂痕台CD_4仅包括含有机物的第四绝缘层50以及像素定义膜PDL中的某一层。

具体而言,弯曲区域BD可以包括第一结构物CP_4以及信号布线区域SLR。第一结构物CP_4可以包括多个防裂痕台CD_4、配置在多个防裂痕台CD_4之间的至少一个防裂痕槽CG_4以及防裂痕区域CR_4。

包括无机物的第一层11、第二层12、第三层13、第一绝缘层20、第二绝缘层30以及第三绝缘层40可以不配置在第一结构物CP_4以及信号布线区域SLR。即,在弯曲区域BD的整个区域可以不包括无机层。由此,可减少对朝向显示部的背面弯曲的弯曲区域BD施加的压力。

在第一结构物CP_4的部分区域可以配置包括第四绝缘层50以及像素定义膜PDL中的至少一个层的多个防裂痕台CD_4。第四绝缘层50以及像素定义膜PDL可以是有机层。可以包括配置在多个防裂痕台CD_4之间的至少一个防裂痕槽CG_4。配置防裂痕槽CG_4的区域可以使基板SUB露出。

多个防裂痕台CD_4可以配置在外廓线OT-L与信号布线SL之间。根据一实施例,可以在形成贯通第一绝缘层20至第三绝缘层40的第三贯通孔CH3和第四贯通孔CH4使得第二输入电极SE2和第二输出电极DE2连接于第二半导体图案AL2的过程中全部去除作为弯曲区域BD上的无机层的第一层11、第二层12、第三层13、第一绝缘层20、第二绝缘层30以及第三绝缘层40。

接着,可以在基板SUB上作为平坦化膜而涂敷第四绝缘层50。可以在形成贯通第四绝缘层50的第五贯通孔CH5使得阳极AE和第二输出电极DE2连接的过程中同时形成包括有机层的多个防裂痕台CD_4。此时,可以在弯曲区域BD的信号布线区域SLR上配置第四绝缘层50,可以在第四绝缘层50上配置信号布线SL。由此,可以和在因第一层11、第二层12、第三层13、第一绝缘层20、第二绝缘层30以及第三绝缘层40等的去除而发生了高低差的主区域MR以及子区域SR上配置的信号布线SL一起配置在同一个平面。

接着,可以在包括第四绝缘层50的多个防裂痕台CD_4上涂敷形成像素定义膜PDL的有机层。此时,包括第四绝缘层50的多个防裂痕台CD_4的上表面可以完全淹没于形成像素定义膜PDL的有机层中。可以在形成发光区域PXA的开口部OP的过程中同时形成包括用于形成像素定义膜PDL的有机层的多个防裂痕台CD_4。另一方面,可以在配置于第四绝缘层50上的信号布线SL上,配置形成像素定义膜PDL的有机层。由此,可以防止信号布线SL向外部露出的情况。

图14是表示一实施例涉及的显示装置的制造方法的流程图。图15是表示一实施例涉及的主区域与弯曲区域的层叠顺序的剖视图。

参照图4、图14以及图15,可以包括在基板SUB上形成至少一个阻挡层10的步骤(S100),在基板SUB上定义:具有显示区域DA的主区域MR;以及从主区域MR的一侧延伸且两个外廓线OT-L中的至少一个外廓线包括曲线部的弯曲区域BD。

在图4中用虚线示出的切割前的原始基板SUB_pre的形状可以是矩形形状。可以在原始基板SUB_pre上整体地涂敷阻挡层10。阻挡层10可以包括第一层11至第三层13。第一层11至第三层13可以是无机层。无机层可以包括氮化硅、氮氧化硅、氧化硅、氧化钛以及氧化铝中的至少一种。

可以包括在阻挡层10上形成至少一个无机层的步骤(S110)。

在显示区域DA的阻挡层10上配置半导体图案AL2。半导体图案AL2可以从非晶硅、多晶硅、金属氧化物半导体中互相相同地或者互相不同地选择。在半导体图案AL2上可以配置第一绝缘层20。在第一绝缘层20上可以配置第二晶体管TFT2的控制电极GE2。控制电极GE2可以由与栅极线GL相同的物质构成。在控制电极GE2上可以依次配置第二绝缘层30以及第三绝缘层40。第一绝缘层20至第三绝缘层40可以包括无机层。无机层可以包括氮化硅、氮氧化硅、氧化硅、氧化钛以及氧化铝中的至少一个。另一方面,在弯曲区域BD上可以依次层叠第一绝缘层20、第二绝缘层30以及第三绝缘层40。

可以包括在弯曲区域BD蚀刻出至少一个阻挡层10和至少一个无机层,从而形成包括至少一个阻挡层10和至少一个无机层的防裂痕台CD的步骤(S120)。

根据一实施例,可以在显示区域DA形成贯通第一绝缘层20至第三绝缘层40的第三贯通孔CH3和第四贯通孔CH4使得第二输入电极SE2和第二输出电极DE2连接至第二半导体图案AL2的过程中,同时形成包括作为弯曲区域BD的无机层的第一绝缘层20至第三绝缘层40的多个防裂痕台CD以及防裂痕槽CG。

形成防裂痕台的步骤S120还可以包括在蚀刻出的至少一个无机层上涂敷平坦化膜(例如第四绝缘层50)并在弯曲区域BD蚀刻平坦化膜来形成防裂痕台的步骤。

可以在由无机层构成的多个防裂痕台CD上作为平坦化膜而涂敷第四绝缘层50。此时,由无机层构成的多个防裂痕台CD的上表面可以完全被第四绝缘层50淹没。

可以在显示区域DA中形成贯通第四绝缘层50的第五贯通孔CH5使得阳极AE和第二输出电极DE2连接的过程中,在弯曲区域BD中同时形成包括作为有机层的第四绝缘层50的多个防裂痕台CD以及防裂痕槽CG。此时,在弯曲区域BD的信号布线区域SLR上也可以配置第四绝缘层50,在第四绝缘层50上可以配置信号布线SL。

形成防裂痕台的步骤S120还可以包括在被蚀刻的至少一个平坦化膜上涂敷像素定义膜PDL并在弯曲区域BD中蚀刻像素定义膜PDL来形成防裂痕台CD的步骤。

可以在包括第四绝缘层50的多个防裂痕台CD上涂敷形成像素定义膜PDL的有机层。此时,包括第四绝缘层50的多个防裂痕台CD的上表面可以完全被形成像素定义膜PDL的有机层淹没。

可以在显示区域DA中形成发光区域PXA的开口部OP的过程中,在弯曲区域BD中同时形成包括用于形成像素定义膜PDL的有机层的多个防裂痕台CD以及防裂痕槽CG。另一方面,在配置于第四绝缘层50上的信号布线SL上,可以配置形成像素定义膜PDL的有机层。

可以包括在基板SUB利用激光器LS切割防裂痕台CD之间的步骤(S130)。

为了从原始基板SUB_pre形成四个角部被倒角且主区域MR与面板的弯曲区域BD的连接部具有L字切割形状的显示装置DD,可以沿着切割线CL利用激光器LS进行切割。切割线CL可以通过激光切割方法等被切断。激光器可以利用Green/CO2

多个防裂痕台CD以及在多个防裂痕台CD之间形成的防裂痕槽CG可以以切割线CL为基准对称地形成。由此,还可以防止裂痕向不形成显示装置DD而是被去除的原始基板SUB_pre的方向扩散的情况。即,第一结构物CP可以防止因切割线CL通过激光切割等被切断时所发生的裂痕使得信号布线SL受损的情况。

以上,参照附图说明了本发明的各实施例,但是本发明所属技术领域的技术人员应当能够理解在不变更本发明的技术思想或必要特征的情况下可以以其他具体形式实施。因此,以上所记载的各实施例在所有方面属于例示,不应理解为是限制性的。

27页详细技术资料下载
上一篇:一种医用注射器针头装配设备
下一篇:有机器件、显示设备、摄像设备、照明设备以及移动体

网友询问留言

已有0条留言

还没有人留言评论。精彩留言会获得点赞!

精彩留言,会给你点赞!

技术分类