阅读说明：本技术 数据处理方法、数据处理装置、终端设备及存储介质 (Data processing method, data processing device, terminal device and storage medium ) 是由 余豪路 姚丽丽 于 2020-04-23 设计创作，主要内容包括：本申请公开了一种数据处理方法、数据处理装置、终端设备及存储介质,用于集成电路版图的寄生参数处理。数据处理方法包括读取工艺表格、提取表格和标准表格,所述提取表格包括由第一寄生参数提取工具从所述集成电路版图提取的第一工艺参数和第一寄生参数,所述工艺表格包括第二工艺参数,所述标准表格包括由第二寄生参数提取工具提取的第三工艺参数和第二寄生参数确认所述第一工艺参数与所述第二工艺参数相同,确认所述第一工艺参数与所述第三工艺参数相同,输出所述第二寄生参数,计算对应的所述第一寄生参数与输出的所述第二寄生参数之间误差,输出所述误差。(The application discloses a data processing method, a data processing device, a terminal device and a storage medium, which are used for processing parasitic parameters of an integrated circuit layout. The data processing method comprises the steps of reading a process table, extracting the table and a standard table, wherein the extracted table comprises a first process parameter and a first parasitic parameter extracted from the integrated circuit layout by a first parasitic parameter extraction tool, the process table comprises a second process parameter, the standard table comprises a third process parameter and a second parasitic parameter extracted by a second parasitic parameter extraction tool, the first process parameter is confirmed to be the same as the second process parameter, the first process parameter is confirmed to be the same as the third process parameter, the second parasitic parameter is output, an error between the corresponding first parasitic parameter and the output second parasitic parameter is calculated, and the error is output.)

数据处理方法、数据处理装置、终端设备及存储介质

技术领域

本申请涉及集成电路技术领域，尤其涉及一种数据处理方法、数据处理装置、终端设备及存储介质。

背景技术

在集成电路版图寄生参数提取中，通常采用Cadence公司的Quantus QRC寄生参数提取工具进行提取，提取的寄生参数用于创建集成电路的精确模拟模型，因此，提取的寄生参数的准确性极大的影响了模拟模型的精确度。

发明内容

有鉴于此，本申请实施例为解决背景技术中存在的至少一个问题而提供一种数据处理方法、数据处理装置、终端设备及存储介质。

为达到上述目的，本申请的技术方案是这样实现的：

本申请实施例提供一种数据处理方法，用于集成电路版图的寄生参数处理，包括：

读取工艺表格、提取表格和标准表格；

所述提取表格包括由第一寄生参数提取工具从所述集成电路版图提取的第一工艺参数和第一寄生参数；

所述工艺表格包括第二工艺参数；

所述标准表格包括由第二寄生参数提取工具提取的第三工艺参数和第二寄生参数；

确认所述第一工艺参数与所述第二工艺参数相同；

确认所述第一工艺参数与所述第三工艺参数相同，输出所述第二寄生参数；

计算对应的所述第一寄生参数与输出的所述第二寄生参数之间的误差，输出所述误差。

进一步地，所述第一工艺参数包括第一工艺角和第一金属层名称；

所述第二工艺参数包括第二工艺角和第二金属层名称；

所述第三工艺参数包括第三工艺角和第三金属层名称。

进一步地，所述提取表格还包括由所述第一寄生参数提取工具从所述集成电路版图提取的第一提取参数；

所述工艺表格还包括第二提取参数；

所述标准表格还包括由所述第二寄生参数提取工具提取的第三提取参数。

进一步地，确认所述第一工艺参数与所述第二工艺参数相同之后，所述数据处理方法还包括：对应的所述第一提取参数转换成对应的第二提取参数；

确认所述第一工艺参数与所述第三工艺参数相同之后，所述数据处理方法还包括：确认对应的转换后的所述第一提取参数与对应的所述第三提取参数相同，输出对应的所述第二寄生参数。

进一步地，读取工艺表格、提取表格和标准表格之后，所述数据处理方法还包括：将所述提取表格拆分为多个子提取表格，将所述工艺表格拆分为多个子工艺表格；

确认所述第一工艺参数与所述第二工艺参数相同，对应的所述第一提取参数转换成对应的所述第二提取参数，具体包括：确认所述子提取表格的所述第一工艺参数与所述子工艺表格的所述第二工艺参数相同，对应的所述子提取表格的对应的所述第一提取参数转换成对应的所述子工艺表格的对应的所述第二提取参数。

进一步地，将所述提取表格拆分为多个子提取表格，将所述工艺表格拆分为多个子工艺表格，具体包括：根据不同的所述第一工艺参数将所述提取表格拆分为多个所述子提取表格，根据不同的所述第二工艺参数将所述工艺表格拆分为多个所述子工艺表格。

进一步地，将所述提取表格拆分为多个子提取表格，将所述工艺表格拆分为多个子工艺表格之后，所述数据处理方法还包括：将所述标准表格拆分为多个子标准表格；

确认所述第一工艺参数与所述第三工艺参数相同，确认对应的转换后的所述第一提取参数与对应的所述第三提取参数相同，输出所述第二寄生参数，具体包括：确认所述子提取表格的所述第一工艺参数与所述子标准表格的所述第三工艺参数相同，确认对应的所述子提取表格的对应的转换后的所述第一提取参数与对应的所述子标准表格的对应的所述第三提取参数相同，输出所述第二寄生参数。

进一步地，将所述标准表格拆分为多个子标准表格，具体包括：根据不同的所述第三工艺参数将所述标准表格拆分为多个所述子标准表格。

进一步地，所述第一提取参数包括第一线宽和第一间距；

所述第二提取参数包括第二线宽和第二间距；

所述第三提取参数包括第三线宽和第三间距。

进一步地，所述第一线宽和所述第一间距均保留三位小数，所述第三线宽和所述第三间距均保留三位小数。

进一步地，所述工艺表格、所述提取表格和所述标准表格均为xls格式或xlsx格式。

进一步地，所述第一寄生参数提取工具为Quantus QRC；

和/或，所述第二寄生参数提取工具为Rapheal starRC。

本申请实施例还提供另一种数据处理方法，用于集成电路版图的寄生参数处理，包括：

读取工艺表格、提取表格和标准表格，所述提取表格包括由第一寄生参数提取工具从所述集成电路版图提取的第一工艺角、第一金属层名称、第一线宽、第一间距和第一寄生参数，所述工艺表格包括第二工艺角、第二金属层名称、第二线宽和第二间距，所述标准表格包括由第二寄生参数提取工具提取的第三工艺角、第三金属层名称、第三线宽、第三间距和第二寄生参数；

确认所述第一工艺角与所述第二工艺角相同，且确认所述第一金属层名称与所述第二金属层名称相同，对应的所述第一线宽转换成对应的所述第二线宽，对应的所述第一间距转换成对应的所述第二间距；

确认所述第一工艺角与所述第三工艺角相同，且确认所述第一金属层名称与所述第三金属层名称相同，确认对应的转换后的所述第一线宽与对应的所述第三线宽相同，确认对应的转换后的所述第一间距与对应的所述第三间距相同，输出所述第二寄生参数；

计算对应的所述第一寄生参数与输出的所述第二寄生参数之间误差，输出所述误差。

进一步地，在读取工艺表格、提取表格和标准表格的步骤之后，所述数据处理方法还包括：根据不同的所述第一工艺角将所述提取表格拆分为多个子提取表格，根据不同的所述第二金属层名称将所述工艺表格拆分为多个子工艺表格；

确认所述第一工艺角与所述第二工艺角相同，且确认所述第一金属层名称与所述第二金属层名称相同，对应的所述第一线宽转换成对应的所述第二线宽，对应的所述第一间距转换成对应的所述第二间距的步骤，具体包括：确认所述子提取表格的所述第一金属层名称与所述子工艺表格对应的所述第二金属层名称相同，确认对应的所述子提取表格对应的所述第一工艺角与对应的所述子工艺表格的所述第二工艺角相同，对应的所述子提取表格的所述第一线宽转换成对应的所述子工艺表格的对应的所述第二线宽，对应的所述子提取表格的对应的所述第一间距转换成对应的所述子工艺表格的对应的所述第二间距。

进一步地，根据不同的所述第一工艺角将所述提取表格拆分为多个子提取表格，根据不同的所述第二金属层名称将所述工艺表格拆分为多个子工艺表格之后，所述数据处理方法还包括：根据不同的所述第三金属层名称将所述标准表格拆分为多个子标准表格；

确认所述第一工艺角与所述第三工艺角相同，且确认所述第一金属层名称与所述第三金属层名称相同，确认对应的转换后的所述第一线宽与对应的所述第三线宽相同，确认对应的转换后的所述第一间距与对应的所述第三间距相同，输出所述第二寄生参数，具体包括：确认所述子提取表格的所述第一金属层名称与所述子标准表格的所述第三金属层名称相同，确认对应的所述子提取表格对应的所述第一工艺角与对应的所述子标准表格的所述第三工艺角相同，确认对应的所述子提取表格的对应的转换后的所述第一线宽与对应的所述子工艺表格的对应的所述第三线宽相同，确认对应的所述子提取表格的对应的转换后的所述第一间距与对应的所述子工艺表格的对应的所述第三间距相同，输出所述第二寄生参数。

本申请实施例还提供一种数据处理装置，用于集成电路版图的寄生参数处理，包括：

读取模块，被配置为读取工艺表格、提取表格和标准表格，所述提取表格包括由第一寄生参数提取工具从所述集成电路版图提取第一工艺参数和第一寄生参数，所述工艺表格包括第二工艺参数，所述标准表格包括由第二寄生参数提取工具提取的第三工艺参数和第二寄生参数；

寄生参数输出模块，被配置为确认所述第一工艺参数与所述第二工艺参数相同，确认所述第一工艺参数与所述第三工艺参数相同，输出所述第二寄生参数；以及

误差计算模块，被配置为计算对应的所述第一寄生参数与输出的所述第二寄生参数之间的误差，输出所述误差。

进一步地，所述第一工艺参数包括第一工艺角和第一金属层名称，所述第二工艺参数包括第二工艺角和第二金属层名称，所述第三工艺参数包括第三工艺角和第三金属层名称。

进一步地，所述提取表格还包括由所述第一寄生参数提取工具从所述集成电路版图提取的第一提取参数；

所述工艺表格还包括第二提取参数；

所述标准表格还包括由所述第二寄生参数提取工具提取的第三提取参数。

进一步地，所述数据处理装置还包括：

数据转换模块，被配置为对应的所述第一提取参数转换成对应的所述第二提取参数。

进一步地，所述数据处理装置还包括：

第一拆分模块，被配置将所述提取表格拆分为多个子提取表格，将所述工艺表格拆分为多个子工艺表格。

进一步地，根据不同的所述第一工艺参数将所述提取表格拆分为多个所述子提取表格，根据不同的所述第二工艺参数将所述工艺表格拆分为多个所述子工艺表格。

进一步地，所述数据处理装置还包括：

第二拆分模块，被配置为将所述标准表格拆分为多个子标准表格。

进一步地，根据不同的所述第三工艺参数将所述标准表格拆分为多个所述子标准表格。

进一步地，所述第一提取参数包括第一线宽和第一间距；

所述第二提取参数包括第二线宽和第二间距；

所述第三提取参数包括第三线宽和第三间距。

进一步地，所述第一线宽和所述第一间距均保留三位小数，所述第三线宽和所述第三间距均保留三位小数。

进一步地，所述工艺表格、所述提取表格和所述标准表格均为xls格式或xlsx格式。

进一步地，所述第一寄生参数提取工具为Quantus QRC；

和/或，所述第二寄生参数提取工具为Rapheal starRC。

本申请实施例还提供另一种数据处理装置，用于集成电路版图的寄生参数处理，包括：

读取模块，被配置为读取工艺表格、提取表格和标准表格，所述提取表格包括由第一寄生参数提取工具从所述集成电路版图提取的第一工艺角、第一金属层名称、第一线宽、第一间距和第一寄生参数，所述工艺表格包括第二工艺角、第二金属层名称、第二线宽和第二间距，所述标准表格包括由第二寄生参数提取工具提取的第三工艺角、第三金属层名称、第三线宽、第三间距和第二寄生参数；

数据转换模块，被配置为确认所述第一工艺角与所述第二工艺角相同，且确认所述第一金属层名称与所述第二金属层名称相同，对应的所述第一线宽转换成对应的所述第二线宽，对应的所述第一间距转换成对应的所述第二间距；

寄生参数输出模块，被配置为确认所述第一工艺角与所述第三工艺角相同，且确认所述第一金属层名称与所述第三金属层名称相同，确认对应的转换后的所述第一线宽与对应的所述第三线宽相同，确认对应的转换后的所述第一间距与对应的所述第三间距相同，输出所述第二寄生参数；

误差计算模块，被配置为计算对应的所述第一寄生参数与输出的所述第二寄生参数之间误差，输出所述误差。

进一步地，所述数据处理装置还包括：

第一拆分模块，被配置为根据不同的所述第一工艺角将所述提取表格拆分为多个子提取表格，根据不同的所述第二金属层名称将所述工艺表格拆分为多个子工艺表格。

进一步地，所述数据处理装置还包括：

第二拆分模块，被配置为根据不同的所述第三金属层名称将所述标准表格拆分为多个子标准表格。

本申请实施例另一方面提供一种终端设备，包括处理器和用于存储能够在所述处理器上运行的计算机程序的存储器，其中，所述处理器用于运行所述计算机程序时，实现上述任意一项所述的数据处理方法的步骤。

本申请实施例另一方面还一种存储介质，其上存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行实现上述任意一项所述的数据处理方法的步骤。

本申请实施例所提供的数据处理方法，通过将提取表格中的第一寄生参数和第二寄生参数进行误差计算，以此来判断第一寄生参数是否超过误差允许范围，从而验证第一寄生参数提取工具提取的第一寄生参数的准确性，如此，通过增加的质量验证程序避免第一寄生参数提取错误，从而避免第一寄生参数误差过大影响模拟模型的精确度。此外，通过程序读取工艺表格、提取表格和标准表格后进行比较选取输出第二寄生参数，计算并输出对应的第一寄生参数与输出的第二寄生参数之间误差，不仅能提高效率，节约工时，还能避免人工查找输出的第二寄生参数，计算误差，带来的错误率。本申请实施例提供的数据处理装置、终端设备及存储介质，实现上述数据处理方法的步骤，具有与本申请实施例提供的数据处理方法相同的有益效果。

本申请附加的方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本申请的实践了解到。

附图说明

图1为本申请实施例提供的一种数据处理方法的流程图；

图2为本申请实施例提供的通过QRC获取的提取表格的示意图；

图3为本申请实施例提供的工艺表格的示意图；

图4为本申请实施例提供的通过StarRC获取的标准表格的示意图；

图5为本申请实施例提供的另一种数据处理方法的流程图；

图6为本申请实施例提供的一种数据处理装置的框图；

图7为本申请实施例提供的另一种数据处理装置的框图；

图8为本申请实施例提供的一种终端设备的框图。

具体实施方式

为了彻底理解本申请，将在下列的描述中提出详细的步骤以及详细的结构，以便阐释本申请的技术方案。本申请的较佳实施例详细描述如下，然而除了这些详细描述外，本申请还可以具有其他实施方式。而不应被这里阐述的具体实施方式所限制。相反，提供这些实施方式是为了能够更透彻地理解本申请，并且能够将本申请公开的范围完整的传达给本领域的技术人员。

请参见图1，本申请实施例一方面提供一种数据处理方法，用于集成电路版图的寄生参数处理，数据处理方法包括：

S100：读取工艺表格、提取表格和标准表格。

提取表格包括由第一寄生参数提取工具从集成电路版图提取的第一工艺参数和第一寄生参数。工艺表格包括第二工艺参数。标准表格包括由第二寄生参数提取工具提取的第三工艺参数和第二寄生参数。本领域技术人员可以理解的是，集成电路版图是真实的集成电路物理情况的平面几何形状描述。集成电路版图是包含集成电路的器件类型、器件尺寸、器件之间的相对位置以及各个器件之间的连接关系等相关物理信息的图形，这些图形由位于不同绘图层上的图形构成。金属层即金属互连层用于做信号互连线、电源线或地线等。工艺角(Process Corner，简称Corner)是指器件的性能范围。设计者根据工艺角限定的范围，控制预期的参数变化，报废超出工艺角限定的范围的芯片，以此减轻版图的设计难度。Typical Corner指驱动电流为平均值时对应的工艺角。通常集成电路版图上包括多层金属层。本申请实施例中，线宽指的是金属层的宽度。间距是指不同金属层之间的距离。版图寄生参数提取(Layout Parasitic Extraction，LEP)是指通过寄生参数提取工具提取版图上内部互连所产生的寄生电容、寄生电阻等寄生参数，进而得到版图实现后的真实时序信息。上述寄生电容、寄生电阻等寄生参数并非由设计者设定，而是因为结构、材料的物理性质产生。

也就是说，在确定完成生产工艺条件下，会生成对应的工艺表格，工艺表格内包括第二工艺参数。在确定的生产工艺下，生成对应的集成电路版图，由于实际生产与设计存在工艺偏差，因此，第一寄生参数提取工具从集成电路版图提取第一寄生参数与第一工艺参数输出至提取表格中，第一寄生参数与第一工艺参数对应生成，在每个第一工艺参数下对应有第一寄生参数。为便于核对生产工艺中偏差的大小，将第二寄生参数提取工具从标准集成电路版图提取的第三工艺参数和第二寄生参数输出至标准表格中，也就是说，在每个第三工艺参数下对应有第二寄生参数。可以理解的是，标准集成电路版图是指采用与工艺表格中无限接近的工艺条件生成的集成电路版图。

需要说明的是，用于第一寄生参数提取工具提取第一寄生参数的集成电路版图为实际集成电路版图。用于第二寄生参数提取工具提取第二寄生参数的标准集成电路版图为参照用集成电路版图。标准集成电路版图与实际集成电路板图采用相同的工艺。第一工艺参数、第二工艺参数和第三工艺参数为金属层结构对应的名称指代。

在一具体实施例中，第一工艺参数包括第一工艺角和第一金属层名称。第二工艺参数包括第二工艺角和第二金属层名称。第三工艺参数包括第三工艺角和第三金属层名称。

S200：确认所述第一工艺参数与所述第二工艺参数相同。

S300：确认所述第一工艺参数与所述第三工艺参数相同，输出所述第二寄生参数。

由上述可知，确认提取表格中的第一工艺参数、工艺表格中的第二工艺参数和标准表格中的第三工艺参数，由于每个第一工艺参数对应一个第一寄生参数，每个第三工艺参数对应一个第二工艺参数，如此，在标准表格中查找到与第一寄生参数对应的第二寄生参数。

在一具体实施例中，第一工艺角和第二工艺角相同，第一金属层名称和第二金属层名称相同，同时，第一工艺角和第三工艺角相同，第一金属层名称和第三金属层名称相同。

S400：计算对应的所述第一寄生参数与输出的所述第二寄生参数之间的误差，输出所述误差。

本申请实施例提供的数据处理方法，通过将提取表格中的第一寄生参数和第二寄生参数进行误差计算，以此来判断第一寄生参数是否超过误差允许范围，从而验证第一寄生参数提取工具提取的第一寄生参数的准确性，如此，通过增加的质量验证程序避免第一寄生参数提取错误，从而避免第一寄生参数误差过大影响模拟模型的精确度。此外，通过程序读取工艺表格、提取表格和标准表格后进行比较选取输出第二寄生参数，计算并输出对应的第一寄生参数与输出的第二寄生参数之间误差，不仅能提高效率，节约工时，还能避免人工查找输出的第二寄生参数，计算误差，带来的错误率。

可以理解的是，第一寄生参数与输出的第二寄生参数之间误差是指，第一寄生参数和输出的第二寄生参数之间差值比上输出的第二寄生参数。

在一实施例中，提取表格还包括由第一寄生参数提取工具从集成电路版图提取的第一提取参数。工艺表格还包括第二提取参数。标准表格还包括由第二寄生参数提取工具提取的第三提取参数。第一提取参数、第二提取参数和第三提取参数为对应的金属层结构的数据。

在一实施例中，S200：确认所述第一工艺参数与所述第二工艺参数相同之后，所述数据处理方法还包括S500：对应的所述第一提取参数转换成对应的第二提取参数；

S300：确认所述第一工艺参数与所述第三工艺参数相同之后，所述数据处理方法还包括S600：确认对应的转换后的所述第一提取参数与对应的所述第三提取参数相同，输出对应的所述第二寄生参数。

由于工艺偏差，导致第一提取参数与第二提取参数、第三提取参数不同，而由于第三提供参数为标准集成电路版图的提取的数据，第二提取参数与第三提取参数无限接近，因此，将对应的所述第一提取参数转换成对应的第二提取参数，再实施步骤S600：确认对应的转换后的所述第一提取参数与对应的所述第三提取参数相同，输出对应的所述第二寄生参数，如此，提高输出的对应的第二寄生参数的准确性。

在一实施例中，S100：读取工艺表格、提取表格和标准表格之后，所述数据处理方法还包括S700：将所述提取表格拆分为多个子提取表格，将所述工艺表格拆分为多个子工艺表格；

确认所述第一工艺参数与所述第二工艺参数相同，对应的所述第一提取参数转换成对应的所述第二提取参数，具体包括：确认所述子提取表格的所述第一工艺参数与所述子工艺表格的所述第二工艺参数相同，对应的所述子提取表格的对应的所述第一提取参数转换成对应的所述子工艺表格的对应的所述第二提取参数。

如此，通过子提取表格和子工艺表格实现多线程处理，提高数据处理速度。

在一实施例中，将所述提取表格拆分为多个子提取表格，将所述工艺表格拆分为多个子工艺表格，具体包括：根据不同的所述第一工艺参数将所述提取表格拆分为多个所述子提取表格，根据不同的所述第二工艺参数将所述工艺表格拆分为多个所述子工艺表格。

在一具体实施例中，根据不同的第一工艺角将提取表格拆分为多个子提取表格，根据不同的第二金属层名称将工艺表格拆分为多个子工艺表格。在另一个具体实施例中，根据不同的第一金属层名称将提取表格拆分为多个子提取表格，根据不同的第二金属层名称将工艺表格拆分为多个子工艺表格。在又一个具体实施例中，根据不同的第一工艺角将提取表格拆分为多个子提取表格，根据不同的第二工艺角将工艺表格拆分为多个子工艺表格。

在一实施例中，S700：将所述提取表格拆分为多个子提取表格，将所述工艺表格拆分为多个子工艺表格之后，所述数据处理方法还包括S800：将所述标准表格拆分为多个子标准表格；

确认所述第一工艺参数与所述第三工艺参数相同，确认对应的转换后的所述第一提取参数与对应的所述第三提取参数相同，输出所述第二寄生参数，具体包括：确认所述子提取表格的所述第一工艺参数与所述子标准表格的所述第三工艺参数相同，确认对应的所述子提取表格的对应的转换后的所述第一提取参数与对应的所述子标准表格的对应的所述第三提取参数相同，输出所述第二寄生参数。

如此，通过子标准表格实现多线程处理，提高数据处理速度。

在一实施例中，将所述标准表格拆分为多个子标准表格，具体包括：根据不同的所述第三工艺参数将所述标准表格拆分为多个所述子标准表格。

在一具体实施例中，根据不同的第三金属层名称将标准表格拆分为多个子标准表格。在另一具体实施例中，根据不同的第三工艺角将标准表格拆分为多个子标准表格。

在一实施例中，第一提取参数包括第一线宽和第一间距。第二提取参数包括第二线宽和第二间距。第三提取参数包括第三线宽和第三间距。

在一实施例中，第一线宽和第一间距均保留三位小数，第三线宽和第三间距均保留三位小数。如此，避免第一线宽和第三线宽、第一间距和第三间距因小数位数不一致导致判断失误。

由于采用QRC的提取速度高于starRC的提取速度，因此，采用QRC进行寄生参数提取，便于在工业生产中极大的提高生产效率。此外，通过对QRC提取的第一寄生参数进行QA(Quality Assurance)即进行质量验证来确保第一寄生参数提取的准确性。本申请实施例通过程序在starRC生成的标准表格中查找并输出对应的第二寄生参数，计算QRC提取的第一寄生参数与输出的第二寄生参数之间的误差，若对应的QRC提取的第一寄生参数和输出的第二寄生参数之间误差小于等于10％，则QRC提取的第一寄生参数在误差允许的范围内，提取无误。

在一些实施例中，第一寄生参数提取工具还可以为QuickCap、Calibre xACT3D、fastCAP或CapEXT等。

在一实施例中，工艺表格、提取表格和标准表格均为xls格式或xlsx格式。由于xls格式或xlsx格式易于读取、兼容性较高，此外，QRC、starRC等工具可以直接生成xls格式或xlsx格式，如此，便于统一数据格式进行运算处理。

请参见图5，本申请实施例提供另一种数据处理方法，用于集成电路版图的寄生参数处理。数据处理方法包括：

S01：读取工艺表格、提取表格和标准表格，所述提取表格包括由第一寄生参数提取工具从所述集成电路版图提取的第一工艺角、第一金属层名称、第一线宽、第一间距和第一寄生参数，所述工艺表格包括第二工艺角、第二金属层名称、第二线宽和第二间距，所述标准表格包括由第二寄生参数提取工具提取的第三工艺角、第三金属层名称、第三线宽、第三间距和第二寄生参数。

S02：确认所述第一工艺角与所述第二工艺角相同，且确认所述第一金属层名称与所述第二金属层名称相同，对应的所述第一线宽转换成对应的所述第二线宽，对应的所述第一间距转换成对应的所述第二间距。

比较第一工艺角和第二工艺角、第一金属层名称和第二金属层名称，确认第一工艺角与第二工艺角相同，并且确认第一金属层名称与第二金属层名称相同，对应的第一线宽转换成对应的第二线宽，对应的第一间距转换成对应的第二间距。

由上述可知，第一工艺角和第二工艺角相同，且第一金属层名称和第二金属层名称相同时，对应的第一线宽与对应的第二线宽可能不同，对应的第一间距与对应的第二间距可能不同，然而，对应的第三线宽与对应的第二线宽相同，对应的第三间距与对应的第二间距相同，如此，将对应的第一线宽转换成对应的第二线宽，对应的第一间距转换成对应的第二间距，如此，便于输出准确度更好的对应的第二寄生参数。

需要说明的是，可以是先确认第一工艺角与第二工艺角相同，再确认第一金属层名称与第二金属层名称相同；也可以是先确认第一金属层名称与第二金属层名称相同，再确认第一工艺角与第二工艺角相同。可以是先将对应的第一线宽转换成对应的第二线宽，再将对应的第一间距转换成对应的第二间距；也可以是先将对应的第一间距转换成对应的第二间距，再将对应的第一线宽转换成对应的第二线宽；还可以是同时将对应的第一间距转换成对应的第二间距，对应的第一线宽转换成第二线宽。

为更好地阐述本申请实施例，图2～图4展示出了具体的工艺表格、提取表格和标准表格，以下为具体说明：

工艺表格(见图3)是指记录设计集成电路版图时对应的第二工艺参数的表格。图3展示出了一种版图设计工艺条件下工艺表格，图3中，TM是指第二金属层名称。Rmin即Rmin工艺角是指最小寄生电阻对应的第二工艺角。Rmax即Rmax工艺角是指最大寄生电阻对应的第二工艺角。Cmin即Cmin工艺角是指最小寄生电容对应的第二工艺角。Cmax即Cmax工艺角是指最大寄生电容对应的第二工艺角。其中，Max_width是指Cmax和Rmin对应的最大第二线宽。Min_spacing是指Cmax和Rmin对应的最小第二间距。也就是说，Cmax和Rmin对应相同的最大第二线宽和最小第二间距。Min_width是指Rmax和Cmin对应的最小第二线宽。Max_spacing是指Cmin和Rmax对应的最大第二间距。也就是说，Cmin和Rmax对应相同的最小第二线宽和最大第二间距。Width是指Typical Corner对应的平均第二线宽。Spacing是指Typical Corner对应的平均第二间距。

提取表格(见图2)是指第一寄生参数提取工具从集成电路版图上提取寄生参数后输出的表格。图2展示出了一种提取表格，该集成电路版图采用与图3工艺表格中的工艺参数制成，图2中，表头qrcTechfile_ALL_Typ_sq QAreport(c section)指的是该表为QRC表格的QA报告。QA即Quality Assurance是指质量检测。metal name即第一金属层名称。P2(above sub)是指位于衬底上的第一金属层名称。(M1 above)P2(above sub)是指位于P2(above sub)上的第一层金属层。Width是指第一线宽。Spacing是指第一间距。QRC value是指QRC提取的第一寄生参数的值。Star RC value是指步骤S03输出的第二寄生电容的值。也就是说，步骤S03可以输出至提取表格(图3)中的设定位置，如此，不仅便于查找比较对应的第一寄生电容和第二寄生电容，还便于实施步骤S04。

标准表格(见图4)是指第二寄生参数提取工具在集成电路版图上提取寄生参数后输出的表格，采用第二寄生参数提取工具得到的寄生参数及相关数据作为标准数据。也就是说，采用第一寄生参数提取工具多次提取不同集成电路版图上的寄生参数，采用第二寄生参数提取工具获得的数据作为标准表格反复使用，用于核验第一寄生参数提取的数据的准确性。图4中，表头Generic Structure Name:arr_btwn_gps即通用结构名称，ActualStructure Name是指实际结构名称，其中A_PSUBAM1AM2为由设计者自行命名的实际结构名称。Width是指第三线宽。Spacing是指第三间距。C toal是指总电容。

可以理解的是，图2～图4中的名称命名和名称指代可以由不同的命名，本申请实施例以图2～图4中的名称、数据仅用于释义，以便阐述和理解，并不对本申请具有限制作用。

需要说明的是，本申请实施例中，第一金属层名称、第二金属层名称和第三金属层名称用于指代集成电路版图中对应的金属层结构。本申请中的第一金属层名称、第二金属层名称、第三金属层名称、第一工艺角、第二工艺角、第三工艺角并不指结构本身，仅用于名称指代。第一线宽、第二线宽、第三线宽、第一间距、第二间距、第三间距均为数据指代。其中，第一线宽和第一间距可以为空值，即，第一线宽和第一间距可以为未知数据或将在以后添加数据；第一线宽和第一间距也可以为零值或具体数值；第二线宽、第三线宽、第二间距、第三间距为具体数值。

请参见图2～图4，在一实施例中，第一寄生参数提取工具为Cadence公司的Quantus QRC(以下简称为QRC)，第二寄生参数提取工具为Synopsys公司的Rapheal starRC(以下简称starRC)。通过QRC从集成电路版图提取第一工艺角、第一金属层名称、第一线宽和第一寄生参数生成提取表格(见图2)。工艺表格(见图3)包括第二工艺角、第二金属层名称、第二线宽和第二间距。通过starRC从标准集成电路版图提取第三工艺角、第三金属层名称、第三线宽、第三间距和第二寄生参数生成标准表格(见图4)，在获取完上述三个表格后，读取工艺表格、提取表格和标准表格。

示例性的，比较QRC的提取表格(见图2)中的第一工艺角和第一金属层名称与工艺表格(见图3)中的第二工艺角和第二金属层名称，找到QRC的提取表格和工艺表格中相同的第一工艺角和第二工艺角、第一金属层名称和第二金属层名称，然后，通过相同的第一工艺角和第二工艺角、第一金属层名称和第二金属层名称找到对应的第一线宽、第二线宽、第一间距以及第二间距，其中，对应的第一线宽转换成对应的第二线宽，对应的第一间距转换成对应的第二间距。

S03：确认所述第一工艺角与所述第三工艺角相同，且确认所述第一金属层名称与所述第三金属层名称相同，确认对应的转换后的所述第一线宽与对应的所述第三线宽相同，确认对应的转换后的所述第一间距与对应的所述第三间距相同，输出所述第二寄生参数。

比较第一工艺角和第三工艺角、第一金属层名称和第三金属层名称，确认第一工艺角与第三工艺角相同，并且确认第一金属层名称与第三金属层名称相同，还需要比较与上述第一工艺角和第一金属层名称对应的转换后的第一线宽，与上述第一工艺角和第一金属层名称相同的第三工艺角和第三金属层名称对应的第三线宽，确认对应的转换后的第一线宽和第三线宽相同；并且比较与上述第一工艺角和第一金属层名称对应的转换后的第一间距，与上述第一工艺角和第一金属层名称相同的第三工艺角和第三金属层名称对应的第三间距，确认对应的转换后的第一间距和第三间距相同，如此，输出上述第三金属层名称、第三工艺角、第三间距和第三线宽对应的第二寄生参数。

需要说明的是，可以先确认第一工艺角与第三工艺角相同，再确认第一金属层名称和第三金属层名称相同；还可以先确认第一金属层名称与第三金属层名称相同，再确认第一工艺角与第三工艺角相同。可以先确认对应的转换后的第一线宽与对应的第三线宽相同，再确认对应的转换后的第一间距与对应的第三间距；也可以先确认对应的转换后的第一间距与对应第三间距相同，再确认对应的转换后的第一线宽与对应的第三线宽相同。

示例性的，比较QRC的提取表格(见图2)中的第一工艺角和第一金属层名称与标准表格(见图3)中的第三工艺角和第三金属层名称，找到QRC的提取表格和标准表格中相同的第一工艺角和第三工艺角、第一金属层名称和第三金属层名称，然后，通过相同的第一工艺角和第三工艺角、第一金属层名称和第三金属层名称找到对应的转换后的第一线宽、第三线宽，对应的转换后的第一间距以及第三间距，比较对应的转换后的第一线宽和第三线宽，确认对应的转换后的第一线宽和第三线宽相同，比较对应的转换后的第一间距和第三间距，确认对应的转换后的第一间距和第三间距相同，输出对应的第二寄生参数。

S04：计算对应的所述第一寄生参数与输出的所述第二寄生参数之间误差，输出所述误差。

在上一步骤之后，将上述第一金属层名称、第一工艺角、第一间距和第一线宽对应的第一寄生参数与输出的第二寄生参数进行误差计算，并输出第一寄生参数与输出的第二寄生参数之间误差。

示例性的，计算QRC的提取表格(见图2)中对应的第一寄生参数与starRC的标准表格(见图3)中对应的第二寄生参数之间的误差，并输出上述误差。

本申请实施例提供的数据处理方法，通过将提取表格中的第一寄生参数和第二寄生参数进行误差计算，以此来判断第一寄生参数是否超过误差允许范围，从而验证第一寄生参数提取工具提取的第一寄生参数的准确性，如此，通过增加的质量验证程序避免第一寄生参数提取错误，从而避免第一寄生参数误差过大影响模拟模型的精确度。此外，通过程序读取工艺表格、提取表格和标准表格后进行比较选取输出第二寄生参数，计算并输出对应的第一寄生参数与输出的第二寄生参数之间误差，不仅能提高效率，节约工时，还能避免人工查找输出的第二寄生参数，计算误差，带来的错误率。在确认第一工艺角与第二工艺角相同，且确认第一金属层名称与第二金属层名称相同，对应的第一线宽转换成对应的第二线宽，对应的第一间距转换成对应的第二间距，进一步提高查找第二寄生参数的准确度。

在一实施例中，在读取工艺表格、提取表格和标准表格的步骤之后，数据处理方法还包括：S05、根据不同的所述第一工艺角将所述提取表格拆分为多个子提取表格，根据不同的所述第二金属层名称将所述工艺表格拆分为多个子工艺表格；

S02、确认所述第一工艺角与所述第二工艺角相同，且确认所述第一金属层名称与所述第二金属层名称相同，对应的所述第一线宽转换成对应的所述第二线宽，对应的所述第一间距转换成对应的所述第二间距的步骤，具体包括：确认所述子提取表格中所述第一金属层名称与所述子工艺表格对应的所述第二金属层名称相同，确认对应的所述子提取表格对应的所述第一工艺角与对应的所述子工艺表格中的所述第二工艺角相同，对应的所述子提取表格中的所述第一线宽转换成对应的所述子工艺表格中的所述第二线宽，对应的所述子提取表格中的所述第一间距转换成对应的所述子工艺表格中的所述第二间距。

由于不同的第一金属层名称、第二金属层名称可能对应相同的第一线宽和第二线宽、第一间距和第二间距，因此，在程序运行过程中，先确认相同的第一金属层名称和第二金属层名称，如此，避免查找到错误的第一线宽和第二线宽、第一间距和第二间距，由此导致输出的错误的第二寄生电容。本申请实施例中，根据不同的第一工艺角将提取表格拆分为多个子提取表格，如此，将整个提取表格拆分为子提取表格以此将数据分堆。根据不同的第二金属层名称将工艺表格拆分为多个子工艺表格，如此，将整个工艺表格拆分为子工艺表格从而将数据分堆。先通过比较匹配相同的第一金属层名称和第二金属层名称，确认对应的子工艺表格，再在对应的子工艺表格中确认相同的第一工艺角和第二工艺角，如此进一步便于查找数据、提高效率，进一步避免查找错误。

在一实施例中，在S05、根据不同的所述第一工艺角将所述提取表格拆分为多个子提取表格，根据不同的所述第二金属层名称将所述工艺表格拆分为多个子工艺表格的步骤之后，数据处理方法还包括：S06、根据不同的所述第三金属层名称将所述标准表格拆分为多个子标准表格。

S03、确认所述第一工艺角与所述第三工艺角相同，且确认所述第一金属层名称与所述第三金属层名称相同，确认对应的转换后的所述第一线宽与对应的所述第三线宽相同，确认对应的转换后的所述第一间距与对应的所述第三间距相同，输出所述第二寄生参数的步骤，具体包括：确认所述子提取表格的所述第一金属层名称与所述子标准表格的所述第三金属层名称相同，确认对应的所述子提取表格对应的所述第一工艺角与对应的所述子标准表格中的所述第三工艺角相同，确认对应的所述子提取表格对应的转换后的所述第一线宽与对应的所述子工艺表格的对应的所述第三线宽相同，确认对应的所述子提取表格的转换后的所述第一间距与对应的所述子工艺表格的对应的所述第三间距相同，输出所述第二寄生参数。

由于不同的第一金属层名称、第三金属层名称可能对应相同的转换后的第一线宽和第三线宽、转换后的第一间距和第三间距，因此，在程序运行过程中，需要先确认相同的第一金属层名称和第三金属层名称，如此，避免查找到错误的转换后的第一线宽和第三线宽、转换后的第一间距和第三间距。本申请实施例中，根据不同的第一工艺角将提取表格拆分为多个子提取表格，如此，将整个提取表格拆分为子提取表格以此将数据分堆。根据不同的第三金属层名称将标准表格拆分为多个子标准表格，如此，将整个标准表格拆分为子标准表格从而将数据分堆。先通过比较匹配相同的第一金属层名称和第三金属层名称，确认对应的子标准表格，再在对应子标准表格中确认相同的第一工艺角和第三工艺角，如此进一步便于查找数据、提高效率，进一步避免查找错误。

请参见图6，本申请实施例另一方面提供一种数据处理装置1，用于集成电路版图的寄生参数处理。数据处理装置包括读取模块11、寄生参数输出模块12以及误差计算模块13。

读取模块11被配置为读取工艺表格、提取表格和标准表格，所述提取表格包括由第一寄生参数提取工具从所述集成电路版图提取第一工艺参数和第一寄生参数，所述工艺表格包括第二工艺参数，所述标准表格包括由第二寄生参数提取工具提取的第三工艺参数和第二寄生参数；

寄生参数输出模块12被配置为确认所述第一工艺参数与所述第二工艺参数相同，确认所述第一工艺参数与所述第三工艺参数相同，输出所述第二寄生参数；

误差计算模块13被配置为计算对应的所述第一寄生参数与输出的所述第二寄生参数之间的误差，输出所述误差。

在一实施例中，所述第一工艺参数包括第一工艺角和第一金属层名称，第二工艺参数包括第二工艺角和第二金属层名称，第三工艺参数包括第三工艺角和第三金属层名称。

在一实施例中，提取表格还包括由所述第一寄生参数提取工具从集成电路版图提取的第一提取参数。工艺表格还包括第二提取参数。标准表格包括由所述第二寄生参数提取工具提取的第三提取参数。

在一实施例中，数据处理装置还包括数据转换模块，数据转换模块被配置为对应的所述第一提取参数转换成对应的所述第二提取参数。

在一实施例中，数据处理装置还包括第一拆分模块，第一拆分模块被配置将提取表格拆分为多个子提取表格，将工艺表格拆分为多个子工艺表格。

在一实施例中，根据不同的第一工艺参数将提取表格拆分为多个子提取表格，根据不同的第二工艺参数将工艺表格拆分为多个子工艺表格。

在一实施例中，数据处理装置还包括第二拆分模块，第二拆分模块被配置为将所述标准表格拆分为多个子标准表格。

在一实施例中，根据不同的第三工艺参数将标准表格拆分为多个子标准表格。

在一实施例中，第一提取参数包括第一线宽和第一间距。第二提取参数包括第二线宽和第二间距。第三提取参数包括第三线宽和第三间距。

在一实施例中，第一线宽和第一间距均保留三位小数，第三线宽和第三间距均保留三位小数。

在一实施例中，工艺表格、提取表格和标准表格均为xls格式或xlsx格式。

在一实施例中，第一寄生参数提取工具为Quantus QRC。和/或，第二寄生参数提取工具为Rapheal starRC。

请参见图7，本申请实施例还提供另一种数据处理装置100，用于集成电路版图的寄生参数处理。数据处理装置包括读取模块10、数据转换模块20、寄生参数输出模块30和误差计算模块40。

读取模块10被配置为读取工艺表格、提取表格和标准表格。提取表格包括由第一寄生参数提取工具从集成电路版图提取的第一工艺角、第一金属层名称、第一线宽、第一间距和第一寄生参数。工艺表格包括第二工艺角、第二金属层名称、第二线宽和第二间距。标准表格包括由第二寄生参数提取工具提取的第三工艺角、第三金属层名称、第三线宽、第三间距和第二寄生参数。

数据转换模块20被配置为确认第一工艺角与第二工艺角相同，且确认第一金属层名称与第二金属层名称相同，对应的第一线宽转换成对应的第二线宽，对应的第一间距转换成对应的第二间距。

寄生参数输出模块30被配置为确认第一工艺角与第三工艺角相同，且确认第一金属层名称与第三金属层名称相同，确认对应的转换后的第一线宽与对应的第三线宽相同，确认对应的转换后第一间距与对应的第三间距相同，输出第二寄生参数。

误差计算模块40被配置为计算对应的第一寄生参数与输出的第二寄生参数之间误差，输出所述误差。

在一实施例中，数据处理装置还包括第一拆分模块。第一拆分模块被配置为根据不同的第一工艺角将提取表格拆分为多个子提取表格，根据不同的第二工艺角将工艺表格拆分为多个子工艺表格。

在一实施例中，数据处理装置还包括第二拆分模块。第二拆分模块被配置为根据不同的第三金属层名称将标准表格拆分为多个子标准表格。

关于上述实施例中的数据处理装置，其中各个模块执行操作的具体方式已经在有关该方法的实施例中进行了详细描述，此处将不做详细阐述说明。

请参见图8，本申请实施另一方面提供一种终端设备1000，包括处理器1001和用于存储能够在处理器1001上运行的计算机程序的存储器1002，其中，处理器1001用于运行计算机程序时，实现上述任意一项实施例中的数据处理方法的步骤。

关于上述实施例中的终端设备1000，其中处理器1001用于运行计算机程序时，实现上述任意一项实施例中的数据处理方法的步骤，上述任意一项实施例中的数据处理方法的步骤在上文已经进行了详细描述，在此不再赘述。

本申请实施例中的终端设备可以为移动终端也可以为固定终端，其中，移动终端包括但不限于手机、平板电脑或笔记本电脑；固定终端包括但不限于台式电脑。该方法可以应用于任何能够运行计算机程序且可以显示的设备。

本申请实施另一方面提供一种存储介质，其上存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行实现上述任意一项实施例中的数据处理方法的步骤。

可选的，该存储介质可应用于本申请实施例中的终端设备，并且该计算机程序使得计算机执行本申请实施例的各个数据处理方法中的相应步骤，为了简洁，在此不再赘述。

以上存储介质和终端设备1000实施例的描述，与上述数据处理方法的任意一项实施例的描述是类似的，具有相同数据处理方法实施例相同的有益效果。对于本申请实施例存储介质和终端设备1000实施例中未披露的技术细节，请参照本申请实施例数据处理方法实施例的描述而理解。

本申请是参照根据本申请实施例的方法、设备和计算机程序产品的流程图和/或框图来描述的。应理解可由计算机程序指令实现流程图和/或框图中的每一流程和/或方框、以及流程图和/或框图中的流程和/或方框的结合。可提供这些计算机程序指令到通用计算机、专用计算机、嵌入式处理机或其他可编程数据处理设备的处理器以产生一个机器，使得通过计算机或其他可编程数据处理设备的处理器执行的指令产生用于实现在流程图一个流程或多个流程和/或框图中的一个方框或多个方框中指定的功能的装置。

这些计算机程序指令也可存储在能引导计算机或其他可编程数据处理设备以特定方式工作的计算机可读存储器中，使得存储在该计算机可读存储器中的指令产生包括指令装置的制造品，该指令装置实现在流程图一个流程或多个流程和/或框图中的一个方框或多个方框中指定的功能。

这些计算机程序指令也可装载到计算机或其他可编程数据处理设备上，使得在计算机或其他可编程设备上执行一系列操作步骤以产生计算机实现的处理，从而在计算机或其他可编程设备上执行的指令提供用于实现在流程图一个流程或多个流程和/或框图中的一个方框或多个方框中指定的功能的步骤。

以上所述，仅为本申请的较佳实施例而已，并非用于限定本申请的保护范围，凡在本申请的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本申请的保护范围之内。