存储器的单粒子效应测试分析方法、装置及测试系统
阅读说明：本技术 存储器的单粒子效应测试分析方法、装置及测试系统 (Single event effect test analysis method, device and test system for memory ) 是由 唐越 李孝远 耿超 李达 邓玉良 殷中云 杨彬 于 2020-04-15 设计创作，主要内容包括：本申请提供了一种存储器的单粒子效应测试分析方法、装置及测试系统,其方法通过获取存储器进行单粒子效应测试发生单粒子翻转的错误数据；基于所述错误数据,按照预设的单粒子翻转分类识别规则对存储器发生的单粒子翻转进行分类识别,以获得单粒子翻转的分类类别；根据所述单粒子翻转的分类类别对存储器进行单粒子翻转的数据统计分析,确定存储器发生单粒子翻转的敏感位置。上述方法能够统计存储器在辐照环境下发生单粒子翻转的数量以及结合对每个单粒子翻转进行的分类统计和分析,可以从数据推断存储器发生单粒子翻转的敏感位置。由此,可以实现对存储器器件的敏感位置进行抗辐照加固和评估,针对性强。(The application provides a single event effect test analysis method, a single event effect test analysis device and a single event effect test system of a memory, wherein the method comprises the steps of obtaining error data of single event upset in a single event effect test of the memory; based on the error data, carrying out classification recognition on the single event upset generated by the memory according to a preset single event upset classification recognition rule so as to obtain the classification category of the single event upset; and performing data statistical analysis of the single event upset on the memory according to the classification category of the single event upset, and determining the sensitive position of the memory where the single event upset occurs. The method can count the number of single event upsets of the memory under the irradiation environment, and can deduce the sensitive position of the memory where the single event upsets occur from data by combining with classification statistics and analysis of each single event upset. Therefore, irradiation resistance reinforcement and evaluation can be performed on the sensitive position of the memory device, and pertinence is strong.)
技术领域
本申请属于辐照测试技术领域，尤其涉及一种存储器的单粒子效应测试分析方法、装置及测试系统，还涉及用于执行该单粒子效应测试分析方法的电子设备及存储介质。
背景技术
随着航天事业的发展，各种航天器也相继出现。太空中存在着高能离子的辐射环境，各类人造卫星、航天器会受到太阳宇宙射线、银河宇宙射线和辐射带的辐射，这些辐射容易对卫星或航天器中的电子元器件造成不同程度的破坏，影响其在航天器上的正常工作，严重时还会导致航天事故的发生。
存储器作为数据存储载体，是卫星电子系统的重要组成部分。存储器易受辐射产生单粒子翻转效应而使器件存储的数据出错甚至严重时导致器件功能失效，从而导致整个系统发生故障。这使得存储器若要在航天系统中应用，就必须进行抗辐照加固和评估。然而，目前现有的存储器单粒子试验方法大部分都只能计算出得到单粒子翻转横截面，难以对存储器器件进行有针对性的抗辐照加固和评估。
发明内容
有鉴于此，本申请实施例提供了一种存储器的单粒子效应测试分析方法、装置及测试系统，和用于执行该单粒子效应测试分析方法的电子设备及存储介质，适用于对动态存储器进行加固前与加固后的单粒子辐照试验分析，可以实现对存储器器件进行有针对性的抗辐照加固和评估。
本申请实施例的第一方面提供了一种存储器的单粒子效应测试分析方法，所述存储器的单粒子效应测试分析方法包括：
获取存储器进行单粒子效应测试发生单粒子翻转的错误数据；
基于所述错误数据，按照预设的单粒子翻转分类识别规则对存储器发生的单粒子翻转进行分类识别，以获得单粒子翻转的分类类别；
根据所述单粒子翻转的分类类别对存储器进行单粒子翻转的数据统计分析，确定存储器发生单粒子翻转的敏感位置。
结合第一方面，在第一方面的第一种可能实现方式中，所述单粒子翻转的分类类别包括以下至少一项：存储单元单粒子翻转、列地址寄存器单粒子翻转、行地址寄存器单粒子翻转、模式寄存器单粒子翻转、控制模块单粒子翻转。
结合第一方面的第一种可能实现方式，在第一方面的第二种可能实现方式中，所述基于所述错误数据，按照预设的单粒子翻转分类识别规则对存储器发生的单粒子翻转进行分类识别，以获得单粒子翻转的分类类别的步骤，包括：
识别与单粒子翻转对应的错误数据的错误长度；
将所述错误长度与预设的第一长度阈值进行比较，其中，所述第一长度阈值设置为1个突发读取长度；
对于所述错误长度小于预设的第一长度阈值的错误数据，将与所述错误数据对应的单粒子翻转归类为存储单元单粒子翻转。
结合第一方面的第二种可能实现方式，在第一方面的第三种可能实现方式中，所述识别与单粒子翻转对应的错误数据的错误长度的步骤之后，还包括：
将所述错误长度与预设的第二长度阈值进行比较，其中，所述第二长度阈值设置为3个突发读取长度；
对于所述错误长度大于预设第二长度阈值的错误数据，对存储器进行数据重读处理，并将重读获得的第二错误地址与原始获得的第一错误地址进行比对；
若所述第二错误地址与第一错误地址不一致，则将与所述错误数据对应的单粒子翻转归类为行地址寄存器单粒子翻转，否则对存储器进行初始化及数据重读处理，并将重读获得的第三错误地址与第二错误地址进行比对；
若存储器进行初始化及数据重读处理后获得的第三错误地址与所述第二错误地址不一致，则将与所述错误数据对应的单粒子翻转归类为模式寄存器单粒子翻转，否则对存储器进行重新上电及数据重读处理，并重读获得的第四错误地址与第三错误地址进行比对；
若重新上电及数据重读处理后获得的第四错误地址与所述第三错误地址不一致，则将与所述错误数据对应的单粒子翻转归类为控制模块单粒子翻转，否则归类为存储器器件损坏。
结合第一方面的第二或第三种可能实现方式，在第一方面的第四种可能实现方式中，所述识别与单粒子翻转对应的错误数据的错误长度的步骤之后，还包括：
将所述错误长度与预设长度范围进行比对，以确定所述错误长度是否落入所述预设的长度范围内，其中，所述预设的长度范围设置为1-3个突发读取长度；
对于所述错误长度落入所述预设长度范围内的错误数据，则将与所述错误数据对应的单粒子翻转归类为列地址寄存器单粒子翻转。
结合第一方面，在第一方面的第五种可能实现方式中，所述获取存储器进行单粒子效应测试时发生单粒子翻转的错误数据的步骤，还包括：
记录测试起始时间和测试结束时间，以根据所述测试起始时间和测试结束时间获取存储器进行单粒子效应测试的注量，所述注量用于计算单粒子翻转横截面。
本申请实施例的第二方面提供了一种存储器的单粒子效应测试分析装置，所述存储器的单粒子效应测试分析装置包括：
获取模块，用于获取存储器进行单粒子效应测试时发生单粒子翻转的错误数据；
处理模块，用于基于所述错误数据，按照预设的单粒子翻转分类识别规则对存储器发生的单粒子翻转进行分类识别，以获得单粒子翻转的分类类别；
执行模块，用于根据所述单粒子翻转的分类类别对存储器进行单粒子翻转的数据统计分析，确定存储器发生单粒子翻转的敏感位置。
本申请实施例的第三方面提供了一种存储器的单粒子效应测试系统，包括上位机和单粒子试验板，用于获取存储器进行单粒子效应测试时发生单粒子翻转的错误数据。其中，所述上位机用于控制所述单粒子试验板和显示试验结果，所述单粒子试验板包括非辐照区和辐照区，所述非辐照区位于单粒子试验板的正面，用于安装与上位机连接的通信串口和FPGA控制模块，所述辐照区位于单粒子试验板的反面，用于安装待测芯片。
本申请实施例的第四方面提供了一种电子设备，包括存储器、处理器以及存储在所述存储器中并可在所述处理器上运行的计算机程序，所述处理器执行所述计算机程序时实现如第一方面任意一项所述存储器的单粒子效应测试分析方法的步骤。
本申请实施例的第五方面提供了一种计算机可读存储介质，所述计算机可读存储介质存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现如第一方面任一项所述存储器的单粒子效应测试分析方法的步骤。
本申请实施例与现有技术相比存在的有益效果是：
本申请通过获取存储器进行单粒子效应测试发生单粒子翻转的错误数据；基于所述错误数据，按照预设的单粒子翻转分类识别规则对存储器发生的单粒子翻转进行分类识别，以获得单粒子翻转的分类类别；根据所述单粒子翻转的分类类别对存储器进行单粒子翻转的数据统计分析，确定存储器发生单粒子翻转的敏感位置。该方法能够统计存储器在辐照环境下发生单粒子翻转的数量以及结合对单粒子翻转的位置进行分类分析，可以从数据推断存储器发生单粒子翻转的敏感位置，适用于对动态存储器进行加固前与加固后的单粒子辐照试验分析。由此实现对存储器器件的敏感位置进行抗辐照加固和评估，针对性强。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本申请实施例提供的一种存储器的单粒子效应测试分析方法的基本方法流程示意图；
图2为本申请实施例提供的存储器的单粒子效应测试分析方法中判别单粒子翻转分类的一种方法流程示意图；
图3为本申请实施例提供的存储器的单粒子效应测试分析方法中判别单粒子翻转分类的另一种方法流程示意图；
图4为本申请实施例提供的存储器的单粒子效应测试分析方法中判别单粒子翻转分类的又一种方法流程示意图；
图5为本申请实施例提供的存储器的单粒子效应测试分析方法的测试分析流程图；
图6为本申请实施例提供的一种存储器的单粒子效应测试分析装置的结构示意图；
图7为本申请实施例提供的一种存储器的单粒子效应测试系统的基本结构示意图；
图8为本申请实施例提供的一种实现存储器的单粒子效应测试分析方法的电子设备的示意图。
具体实施方式
以下描述中，为了说明而不是为了限定，提出了诸如特定系统结构、技术之类的具体细节，以便透彻理解本申请实施例。然而，本领域的技术人员应当清楚，在没有这些具体细节的其它实施例中也可以实现本申请。在其它情况中，省略对众所周知的系统、装置、电路以及方法的详细说明，以免不必要的细节妨碍本申请的描述。
应当理解，当在本申请说明书和所附权利要求书中使用时，术语“包括”指示所描述特征、整体、步骤、操作、元素和/或组件的存在，但并不排除一个或多个其它特征、整体、步骤、操作、元素、组件和/或其集合的存在或添加。
还应当理解，在本申请说明书和所附权利要求书中使用的术语“和/或”是指相关联列出的项中的一个或多个的任何组合以及所有可能组合，并且包括这些组合。
如在本申请说明书和所附权利要求书中所使用的那样，术语“如果”可以依据上下文被解释为“当...时”或“一旦”或“响应于确定”或“响应于检测到”。类似地，短语“如果确定”或“如果检测到[所描述条件或事件]”可以依据上下文被解释为意指“一旦确定”或“响应于确定”或“一旦检测到[所描述条件或事件]”或“响应于检测到[所描述条件或事件]”。
另外，在本申请说明书和所附权利要求书的描述中，术语“第一”、“第二”、“第三”等仅用于区分描述，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
在本申请说明书中描述的参考“一个实施例”或“一些实施例”等意味着在本申请的一个或多个实施例中包括结合该实施例描述的特定特征、结构或特点。由此，在本说明书中的不同之处出现的语句“在一个实施例中”、“在一些实施例中”、“在其他一些实施例中”、“在另外一些实施例中”等不是必然都参考相同的实施例，而是意味着“一个或多个但不是所有的实施例”，除非是以其他方式另外特别强调。术语“包括”、“包含”、“具有”及它们的变形都意味着“包括但不限于”，除非是以其他方式另外特别强调。
为了说明本申请所述的技术方案，下面通过具体实施例来进行说明。
本申请实施例提供的存储器的单粒子效应测试分析方法旨在结合动态存储器的结构和特点，对存储器进行单粒子效应测试时发生单粒子翻转进行分类，获得单粒子翻转对应的分类类别。进而，通过对这些单粒子翻转的分类类别进行统计和分析，从而推断出存储器发生单粒子翻转的敏感位置。该方法适用于对动态存储器进行加固前与加固后的单粒子辐照试验分析，实现对存储器器件的敏感位置进行抗辐照加固和评估，针对性强。
本申请的一些实施例中，请参阅图1，图1为本申请实施例提供的一种存储器的单粒子效应测试分析方法的基本方法流程示意图。详述如下：
在步骤S101中，获取存储器进行单粒子效应测试发生单粒子翻转的错误数据。
本实施例中，通过单粒子效应测试系统对存储器进行单粒子效应测试，来获得存储器在测试过程中发生的单粒子翻转所对应的错误数据。具体地，在辐照环境下，通过对存储器的每个地址对应写入初始数据，可以是随机码的初始数据、也可以是全0码的初始数据、或者是全1码的初始数据。然后对存储器进行一次数据读取操作，得出存储器所有地址的测试数据。通过将该读取得到的测试数据与初始数据按照地址逐位数据进行对比，若与初始数据不一致，则记录该数据位的错位数据，并记下错误地址。通过遍历存储器后，统计得出所有的错误数据。
在步骤S102中，基于错误数据，按照预设的单粒子翻转分类识别规则对存储器发生的单粒子翻转进行分类识别，以获得单粒子翻转的分类类别。
本实施例中，存储器在不同位置发生单粒子翻转，其测试得到的错误数据对应具有不同的表现特征。在本实施例中，结合存储器的结构和特点，可以按照存储器发生单粒子翻转的位置对单粒子翻转划分为多个类别。例如，可以划分为包括以下至少一项：存储单元单粒子翻转、列地址寄存器单粒子翻转、行地址寄存器单粒子翻转、模式寄存器单粒子翻转、控制模块单粒子翻转。对于存储单元单粒子翻转这一分类类别，其测试得到的错误数据表现为离散型的地址分布。对于列地址寄存器单粒子翻转这一分类类别，其测试得到的错误数据表现为连续性的地址错误且错误长度在一设定的长度范围内。对于行地址寄存器单粒子翻转这一分类类别，其测试得到的错误数据表现为连续性的地址错误且错误长度超过一行，若重新刷新行地址寄存器可以恢复。对于模式寄存器单粒子翻转这一分类类别，其测试得到的错误数据表现为错误数据需要重新配置寄存器后才会恢复。对于控制模块单粒子翻转这一分类类别，其测试得到的错误数据表现为错误数据需要重新上电后才会恢复。在本实施例中，以各个分类类别对应的错误数据表现特征为分类识别规则，根据经单粒子翻转效应测试获得的错误数据，对存储器在测试过程中发生的单粒子翻转进行分类识别，从而识别并获取本次测试中存储器发生的所有单粒子翻转的分类类别。
在步骤S103中，根据单粒子翻转的分类类别对存储器进行单粒子翻转的数据统计分析，确定存储器发生单粒子翻转的敏感位置。
本实施例中，针对单粒子翻转测试得出的错误数据，按照错误数据表现出来的特征进行分类，可以得到所有单粒子翻转对应的分类类别。针对于存储器的一次单粒子翻转测试，可能会出现多种类别的单粒子翻转，此时通过识别出这些单粒子翻转的分类分别之后，根据单粒子翻转的分类类别对存储器进行单粒子翻转的数据统计分析，可以得出每一分类类别的单粒子翻转数量。其中，单粒子翻转数量越多的分类类别，其对应在存储器的位置越敏感。由此，经分类识别得出所有单粒子翻转的分类类别后，对所述分类类别进行统计分析，即可知道存储器每个位置发生单粒子翻转的数量，根据该发生单粒子翻转的数量可以判断和确定存储器的敏感位置。在一些具体的实施方式中，可以设定一数量阈值作为存储器敏感位置的判定标准，若存储器某一位置发生单粒子翻转的数量超出该数量阈值，则确定该位置为存储器的敏感位置。
上述实施例提供的存储器的单粒子效应测试分析方法能够统计存储器在辐照环境下发生单粒子翻转的数量以及结合对单粒子翻转的位置进行分类分析，可以从数据推断存储器发生单粒子翻转的敏感位置，适用于对动态存储器进行加固前与加固后的单粒子辐照试验分析。由此实现对存储器器件的敏感位置进行抗辐照加固和评估，针对性强。
本申请的一些实施例中，请参阅图2为本申请实施例提供的存储器的单粒子效应测试分析方法中判别单粒子翻转分类的一种方法流程示意图。详细如下：
在步骤S201中，识别与单粒子翻转对应的错误数据的错误长度；
在步骤S202中，将错误长度与预设的第一长度阈值进行比较，其中，第一长度阈值设置为1个突发读取长度；
在步骤S203中，对于错误长度小于预设的第一长度阈值的错误数据，则将与错误数据对应的单粒子翻转归类为存储单元单粒子翻转。
本实施例中，通过遍历存储器统计得出所有的错误数据后，识别与单粒子翻转对应的错误数据中的连续地址错误数。举例说明，例如存储器连续的10个地址中，1、3、6、7、8、10对应的地址发生了错误，那么记录第一个单粒子翻转的连续地址错误数为1，第二个单粒子翻转的连续地址错误数为1，第三个单粒子翻转的连续地址错误数为3，第四个单粒子翻转的连续地址错误数为1。
在本实施例中，该连续地址错误数即为错误数据的错误长度。通过将该错误长度与预设的第一长度阈值进行比较，若错误数据的错误长度小于预设的第一长度阈值，则将与该错误数据对应的单粒子翻转归类为存储单元单粒子翻转。在本实施例中，预设的第一长度阈值设置为一个突发读取长度，其中，突发读取长度为存储器读取数据时一次读取的地址长度，可以是一个地址长度，也可以是两个地址长度、四个地址长度......等等，具体的突发读取长度可由测试人员依据其实际需求进行设定。例如，若存储器设定为逐个地址逐个地址地读取数据，那么此时的突发读取长度为一个地址的长度，若存储器设定为一次性可读取两个地址的数据，那么此时的突发读取长度则为两个地址的长度。假设本次测试设定突发读取长度为两个地址的长度，那么对于上述举例说明中的四个单粒子翻转，其中第一个、第二个和第四个可以归类为存储单元单粒子翻转。
本申请的一些实施例中，请参阅图3，图3为本申请实施例提供的存储器的单粒子效应测试分析方法中判别单粒子翻转分类的另一种方法流程示意图。详细如下：
在步骤S301中，将错误长度与预设的第二长度阈值进行比较，其中，第二长度阈值设置为3个突发读取长度；
在步骤S302中，对于所述错误长度大于预设第二长度阈值的错误数据，对存储器进行数据重读处理，并将重读获得的第二错误地址与原始获得的的第一错误地址进行比对；
在步骤S303中，若第二错误地址与第一错误地址不一致，则将与错误数据对应的单粒子翻转归类为行地址寄存器单粒子翻转，否则对存储器进行初始化及数据重读处理，并将重读获得的第三错误地址与第二错误地址进行比对；
在步骤S304中，若存储器进行初始化及数据重读处理后获得的第三错误地址与第二错误地址不一致，则将与错误数据对应的单粒子翻转归类为模式寄存器单粒子翻转，否则对存储器进行重新上电及数据重读处理，并重读获得的第四错误地址与第三错误地址进行比对；
在步骤S305中，若重新上电及数据重读处理后获得的第四错误地址与第三错误地址不一致，则将与错误数据对应的单粒子翻转归类为控制模块单粒子翻转，否则归类为存储器器件损坏。
本实施例中，对于行地址寄存器单粒子翻转、模式寄存器单粒子翻转和控制模块单粒子翻转这三个分类而言，其错误数据的错误长度都超出3个突发读取长度，且错误数据的表现特征均可以在对翻转的寄存器进行复位(刷新)后消失。其中，行地址寄存器单粒子翻转直接进行地址刷新即可消失、模式寄存器单粒子翻转的错误数据在重新配置寄存器后可消失、而控制模块寄存器翻转的错误数据则在重新上电后可消失。由此，预先设定一个第二长度阈值，用于判断错误数据对应的单粒子翻转是否为上述行地址寄存器单粒子翻转、模式寄存器单粒子翻转和控制模块单粒子翻转这三种分类中的一种，第二长度阈值设置为3个突发读取长度。在本实施例中，通过遍历存储器统计得出所有的错误数据后，识别错误数据中单粒子翻转的连续地址错误数，单粒子翻转的连续地址错误数即为该单粒子翻转的错误长度。通过将单粒子翻转的错误长度与预先设置的第二长度阈值进行比较，对于错误长度大于预设第二长度阈值的错误数据，首先通过重新读取存储器，使得行地址寄存器得以刷新，并读取出所有单粒子翻转的错误地址和错误数。并且，将重读获得的第二错误地址与原始获得的第一错误地址进行比对，若第二错误地址与第一错误地址不一致，则将与该错误数据对应的单粒子翻转归类为行地址寄存器单粒子翻转。若第二错误地址与第一错误地址一致，则进一步判断该错误数据是否为模式寄存器单粒子翻转。具体地，对存储器进行初始化及数据重读处理，并读取出所有单粒子翻转的错误地址和错误数。此后通过将此次数据重读处理获得的第三错误地址与上一次数据重读处理获得的第二错误地址进行比对，若第三错误地址与第二错误地址不一致，则将与该错误数据对应的单粒子翻转归类为模式寄存器单粒子翻转。若第三错误地址与第二错误地址一致，则进一步判断该错误数据是否为控制模块单粒子翻转。具体地，对存储器进行重新上电及数据重读处理，并读取出所有单粒子翻转的错误地址和错误数。此后通过将此次数据重读处理获得的第四错误地址与上一次数据重读处理获得的第三错误地址进行比对，若第四错误地址与第三错误地址不一致，则将与该错误数据对应的单粒子翻转归类为控制模块单粒子翻转。若第四错误地址与第三错误地址一致，则归类为存储器器件损坏。
本申请的一些实施例中，请参阅图4，图4为本申请实施例提供的存储器的单粒子效应测试分析方法中判别单粒子翻转分类的又一种方法流程示意图。详细如下：
在步骤S401中，将错误长度与预设长度范围进行比对，以确定错误长度是否落入预设的长度范围内，其中，预设的长度范围设置为1-3个突发读取长度；
在步骤S402中，对于错误长度落入预设长度范围内的错误数据，则将与错误数据对应的单粒子翻转归类为列地址寄存器单粒子翻转。
本实施例中，通过遍历存储器统计得出所有的错误数据后，由于存储器每次读取数据都会刷新一次列地址，即列地址错误只会影响1-3个突发读取长度的地址。由此，预先设定一个长度范围，该长度范围为1-3个突发读取长度。通过将单粒子翻转的错误长度与该预先设定的长度范围进行比对，从而确定错误长度是否落入预设的长度范围内。若错误长度落入预设长度范围内，则将与该错误数据对应的单粒子翻转归类为列地址寄存器单粒子翻转。
本申请的一些实施例中，请参阅图5，图5为本申请实施例提供的存储器的单粒子效应测试分析方法的测试分析流程图。如图5所示，首先对存储器进行上电，再对存储器进行初始化处理，包括预充电处理、自动刷新数据处理以及设置模式寄存器等。然后，在辐照条件下对存储器进行读写循环配置，即写入初始数据(随机码、全0、全1等)。由此进入单粒子效应测试阶段，第一次进行数据读取处理，获取存储器进行单粒子效应测试过程中发生单粒子翻转的错误数据，并统计出所有单粒子翻转的错误地址和错误数。根据存储器读取数据时一次读取的地址长度(即突发读取长度)，将连续地址错误数小于1个突发读取长度的错误数据对应的单粒子翻转归类为存储单元单粒子翻转；将连续地址错误数大于等于1个突发读取长度且小于等于3个突发读取长度的错误数据对应的单粒子翻转归类为列地址寄存器单粒子翻转。
在本实施例中，对于连续地址错误数大于3个突发读取长度的错误数据，则进行第二次数据读取处理，以使得行地址寄存器得以刷新，并读取出所有单粒子翻转的错误地址和错误数。把该第二次数据读取处理得到的连续地址错误数大于3个突发读取长度的错误数据与第一次读取的数据中连续地址错误数大于3个突发读取长度的错误数据进行比对，若第二次读取的错误数据的错误地址与第一次读取的错误数据的错误地址不一致，则将该第二次读取的连续地址错误数大于3个突发读取长度的错误数据对应的单粒子翻转归类为行地址寄存器单粒子翻转。
在本实施例中，若第一次和第二次读取的错误数据的错误地址一致，则对存储器进行初始化处理，以重新写入码型和配置寄存器，此后进行第三次数据读取处理，读取出所有单粒子翻转的错误地址和错误数。把该第三次数据读取处理得到的连续地址错误数大于3个突发读取长度的错误数据与第二次读取的数据中连续地址错误数大于3个突发读取长度的错误数据进行比对，若第三次读取的错误数据的错误地址与第二次读取的错误数据的错误地址不一致，则将该第三次读取的连续地址错误数大于3个突发读取长度的错误数据对应的单粒子翻转归类为模式寄存器单粒子翻转。
在本实施例中，若第二次和第三次读取的错误数据的错误地址一致，则对存储器进行重新上电处理，并进行初始化重新写入码型和配置寄存器，此后进行第四次数据读取处理，读取出所有单粒子翻转的错误地址和错误数。把该第四次数据读取处理得到的连续地址错误数大于3个突发读取长度的错误数据与第三次读取的数据中连续地址错误数大于3个突发读取长度的错误数据进行比对，若第四次读取的错误数据的错误地址与第三次读取的错误数据的错误地址不一致，则将该第四次读取的连续地址错误数大于3个突发读取长度的错误数据对应的单粒子翻转归类为控制模块单粒子翻转。否则，确定存储器器件已损坏。
本申请的一些实施例中，在获取存储器进行单粒子效应测试过程中发生单粒子翻转的错误数据时，还可以记录测试起始时间和测试结束的时间，从而依据所述测试起始时间和测试结束时间，计算出存储器进行单粒子效应测试的注量，由此，结合存储器发生的单粒子翻转数量、存储器进行单粒子效应测试的辐照时间以及注量，即可生成单粒子翻转横截面。从而实现了可以根据单粒子翻转的横截面，结合通过单粒子翻转的分类和错误地址的分布，推测出存储器出现单粒子翻转的敏感位置以及敏感程度。
可以理解的是，上述实施例中各步骤的序号的大小并不意味着执行顺序的先后，各过程的执行顺序应以其功能和内在逻辑确定，而不应对本申请实施例的实施过程构成任何限定。
在本申请的一些实施例中，请参阅图6，图6为本申请实施例提供的一种存储器的单粒子效应测试分析装置的结构示意图，详述如下：
本实施例中，所述存储器的单粒子效应测试分析装置包括：获取块601、处理模块602以及执行模块603。其中，所述获取模块601用于获取存储器进行单粒子效应测试时发生单粒子翻转的错误数据。所述处理模块602用于基于所述错误数据，按照预设的单粒子翻转分类识别规则对存储器发生的单粒子翻转进行分类识别，以获得单粒子翻转的分类类别。所述执行模块603用于根据所述单粒子翻转的分类类别对存储器进行单粒子翻转的数据统计分析，确定存储器发生单粒子翻转的敏感位置。
所述存储器的单粒子效应测试分析装置，与上述的存储器的单粒子效应测试分析方法一一对应，此处不再赘述。
在本申请的一些实施例中，请参阅图7，图7为本申请实施例提供的一种存储器的单粒子效应测试系统的基本结构示意图。如图7所示，存储器的单粒子效应测试系统包括上位机和单粒子试验板。其中，上位机用于控制所述单粒子试验板和显示试验结果。单粒子试验板包括非辐照区和辐照区。其中，非辐照区位于单粒子试验板的正面，用于安装与上位机连接的串口通信模块和FPGA控制模块，辐照区位于单粒子试验板的反面，用于安装待测芯片。存储器的单粒子效应测试系统用于获取存储器进行单粒子效应测试时发生单粒子翻转的错误数据。
在本申请的一些实施例中，请参阅图8，图8为本申请实施例提供的一种实现存储器的单粒子效应测试分析方法的电子设备的示意图。如图8所示，该实施例的电子设备8包括：处理器81、存储器82以及存储在所述存储器82中并可在所述处理器81上运行的计算机程序83，例如存储器的单粒子效应测试分析程序。所述处理器81执行所述计算机程序82时实现上述各个存储器的单粒子效应测试分析方法实施例中的步骤。或者，所述处理器81执行所述计算机程序83时实现上述各装置实施例中各模块/单元的功能。
示例性的，所述计算机程序83可以被分割成一个或多个模块/单元，所述一个或者多个模块/单元被存储在所述存储器82中，并由所述处理器81执行，以完成本申请。所述一个或多个模块/单元可以是能够完成特定功能的一系列计算机程序指令段，该指令段用于描述所述计算机程序83在所述电子设备8中的执行过程。例如，所述计算机程序83可以被分割成：
获取模块，用于获取存储器进行单粒子效应测试发生单粒子翻转的错误数据；
处理模块，用于基于所述错误数据，按照预设的单粒子翻转分类识别规则对存储器发生的单粒子翻转进行分类识别，以获得单粒子翻转的分类类别；
执行模块，用于根据所述单粒子翻转的分类类别对存储器进行单粒子翻转的数据统计分析，确定存储器发生单粒子翻转的敏感位置。
所述电子设备可包括，但不仅限于，处理器81、存储器82。本领域技术人员可以理解，图8仅仅是电子设备8的示例，并不构成对电子设备8的限定，可以包括比图示更多或更少的部件，或者组合某些部件，或者不同的部件，例如所述电子设备还可以包括输入输出设备、网络接入设备、总线等。
所称处理器81可以是中央处理单元(Central Processing Unit，CPU)，还可以是其他通用处理器、数字信号处理器(Digital Signal Processor，DSP)、专用集成电路(Application Specific Integrated Circuit，ASIC)、现成可编程门阵列(Field-Programmable Gate Array，FPGA)或者其他可编程逻辑器件、分立门或者晶体管逻辑器件、分立硬件组件等。通用处理器可以是微处理器或者该处理器也可以是任何常规的处理器等。
所述存储器82可以是所述电子设备8的内部存储单元，例如电子设备8的硬盘或内存。所述存储器82也可以是所述电子设备8的外部存储设备，例如所述电子设备8上配备的插接式硬盘，智能存储卡(Smart Media Card,SMC)，安全数字(Secure Digital,SD)卡，闪存卡(Flash Card)等。进一步地，所述存储器82还可以既包括所述电子设备8的内部存储单元也包括外部存储设备。所述存储器82用于存储所述计算机程序以及所述电子设备所需的其他程序和数据。所述存储器82还可以用于暂时地存储已经输出或者将要输出的数据。
需要说明的是，上述装置/单元之间的信息交互、执行过程等内容，由于与本申请方法实施例基于同一构思，其具体功能及带来的技术效果，具体可参见方法实施例部分，此处不再赘述。
本申请实施例还提供了一种计算机可读存储介质，所述计算机可读存储介质存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现可实现上述各个方法实施例中的步骤。
本申请实施例提供了一种计算机程序产品，当计算机程序产品在移动终端上运行时，使得移动终端执行时实现可实现上述各个方法实施例中的步骤。
所属领域的技术人员可以清楚地了解到，为了描述的方便和简洁，仅以上述各功能单元、模块的划分进行举例说明，实际应用中，可以根据需要而将上述功能分配由不同的功能单元、模块完成，即将所述装置的内部结构划分成不同的功能单元或模块，以完成以上描述的全部或者部分功能。实施例中的各功能单元、模块可以集成在一个处理单元中，也可以是各个单元单独物理存在，也可以两个或两个以上单元集成在一个单元中，上述集成的单元既可以采用硬件的形式实现，也可以采用软件功能单元的形式实现。另外，各功能单元、模块的具体名称也只是为了便于相互区分，并不用于限制本申请的保护范围。上述系统中单元、模块的具体工作过程，可以参考前述方法实施例中的对应过程，在此不再赘述。
所述集成的模块/单元如果以软件功能单元的形式实现并作为独立的产品销售或使用时，可以存储在一个计算机可读取存储介质中。基于这样的理解，本申请实现上述实施例方法中的全部或部分流程，也可以通过计算机程序来指令相关的硬件来完成，所述的计算机程序可存储于一计算机可读存储介质中，该计算机程序在被处理器执行时，可实现上述各个方法实施例的步骤。其中，所述计算机程序包括计算机程序代码，所述计算机程序代码可以为源代码形式、对象代码形式、可执行文件或某些中间形式等。所述计算机可读介质可以包括：能够携带所述计算机程序代码的任何实体或装置、记录介质、U盘、移动硬盘、磁碟、光盘、计算机存储器、只读存储器(ROM，Read-Only Memory)、随机存取存储器(RAM，Random Access Memory)、电载波信号、电信信号以及软件分发介质等。需要说明的是，所述计算机可读介质包含的内容可以根据司法管辖区内立法和专利实践的要求进行适当的增减，例如在某些司法管辖区，根据立法和专利实践，计算机可读介质不包括是电载波信号和电信信号。
在上述实施例中，对各个实施例的描述都各有侧重，某个实施例中没有详述或记载的部分，可以参见其它实施例的相关描述。
本领域普通技术人员可以意识到，结合本文中所公开的实施例描述的各示例的单元及算法步骤，能够以电子硬件、或者计算机软件和电子硬件的结合来实现。这些功能究竟以硬件还是软件方式来执行，取决于技术方案的特定应用和设计约束条件。专业技术人员可以对每个特定的应用来使用不同方法来实现所描述的功能，但是这种实现不应认为超出本申请的范围。
在本申请所提供的实施例中，应该理解到，所揭露的装置/终端设备和方法，可以通过其它的方式实现。例如，以上所描述的装置/终端设备实施例仅仅是示意性的，例如，所述模块或单元的划分，仅仅为一种逻辑功能划分，实际实现时可以有另外的划分方式，例如多个单元或组件可以结合或者可以集成到另一个系统，或一些特征可以忽略，或不执行。另一点，所显示或讨论的相互之间的耦合或直接耦合或通讯连接可以是通过一些接口，装置或单元的间接耦合或通讯连接，可以是电性，机械或其它的形式。
所述作为分离部件说明的单元可以是或者也可以不是物理上分开的，作为单元显示的部件可以是或者也可以不是物理单元，即可以位于一个地方，或者也可以分布到多个网络单元上。可以根据实际的需要选择其中的部分或者全部单元来实现本实施例方案的目的。
以上所述实施例仅用以说明本申请的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述实施例对本申请进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本申请各实施例技术方案的精神和范围，均应包含在本申请的保护范围之内。