阅读说明：本技术 自适应的Nand Flash读写速度调整系统 (Adaptive Nand Flash read-write speed adjusting system ) 是由 刘慧婕 仇旭东 赵斌 李岩 于 2019-10-22 设计创作，主要内容包括：本发明属于存储器技术领域,具体涉及一种自适应的Nand Flash读写速度调整系统。与现有技术相比较,本发明相较于通常采用的单一设定速率的Nand-flash读写放啊,该系统可以根据外界环境调节读写速率,最大限度的保证读写速度与正确性,且更加适应温度变化大的恶略环境的应用。由此,本发明提出一种随温度变化进行动态调节Nand-flash的读写速度的系统,即可以保证数据的正确性,也可以一定程度上保证读写效率。(The invention belongs to the technical field of memories, and particularly relates to a self-adaptive Nand Flash read-write speed adjusting system. Compared with the prior art, compared with the commonly adopted Nand-flash reading and writing with single set rate, the system can adjust the reading and writing rate according to the external environment, furthest ensures the reading and writing speed and correctness, and is more suitable for the application in severe environment with large temperature change. Therefore, the invention provides a system for dynamically adjusting the read-write speed of the Nand-flash along with the temperature change, which can ensure the correctness of data and the read-write efficiency to a certain extent.)

自适应的Nand Flash读写速度调整系统

技术领域

本发明属于存储器技术领域，具体涉及一种自适应的Nand Flash读写速度调整系统。

背景技术

Nand-flash存储器是Flash存储器的一种，其内部采用非线性宏单元模式，为固态大容量内存的实现提供了廉价有效的解决方案。Nand-flash存储器具有容量较大，改写速度快等优点，适用于大量数据的存储，因而在民用及军用领域都得到了越来越广泛的应用。

在某些工程试验项目中，除了试验环境恶劣之外，试验成本也极高，因此为节约试验成本，对测试设备的可靠性要求严苛，尤其对于试验数据的完整性和正确性有极高要求。Nand-flash以其高速度、高存储密度、抗震等优点成为此类应用的最佳选择。但是，由于结构特点与制造工艺限制，Nand-flash使用中存在误码，出错时一般不会造成整个块或者页的数据无效，而是在一页中发生单比特或多比特误码。另外，Nand-flash的读写性能会受到环境因素的影响，随着温度的增高或者降低，Nand-flash操作后响应速度会变慢，若依然按照较高的速度进行读写，可能会出现大规模的数据错误。单比特或几个比特的数据可以通过相应的纠错算法进行修正，但大规模的错误，无法得到合理的处理。所以，在高温或者低温的条件下，为保证其读写的正确性，必须降低其相应的读写速度。即在相对恶劣的环境中，温度变化相对较大，需根据外界温度来调整相应的读写速度，来保证数据的正确性。

目前阶段，为保持在低温与高温情况下数据读写的正确性，在设置Nand-flash的读写速度时，一般选取在高低温环境下也不会出错的较低的读写速度，来保证读写的正确性。但是，此时采用的速度只是理想实验条件下的速度，实验条件与实际应用中的环境条件还存在一定的差异，该速度条件下进行实际的读写仍有可能出现错误，另外，环境温度总在变化，在常温下可以采用较快的速度进行读写，从而保证一定的读写效率。

发明内容

(一)要解决的技术问题

本发明要解决的技术问题是：如何提供一种自适应的Nand Flash读写速度调整系统。

(二)技术方案

为解决上述技术问题，本发明提供一种自适应的Nand Flash读写速度调整系统，所述读写速度调整系统包括：核心控制模块、读写控制模块以及速度调节模块；其中，所述核心控制模块用于完成温度变化的感应以及错误的检测和纠错；所述读写控制模块用于完成读写控制；所述速度调节模块用于完成读写速度随温度变化的调节功能；

具体而言，

(1)首先读写控制模块控制按照常规速度对Nand-flash进行读写，若核心控制模块检测到出现错误，通过核心控制模块的温度感应装置获取当前温度；

(2)若温度无变化，则核心控制模块使用错误纠错算法，进行单比特或几个比特的数据纠错；

(3)若温度确实产生变化，则由速度调节模块调整读写控制模块相应的读写速度，避免出现大规模数据错误；

(4)若调整速度后核心控制模块仍检测到出现大规模的错误，则由速度调节模块继续降低读写控制模块的读写速度；

(5)读/写完一块数据后，由核心控制模块再次获取当前温度，看是否恢复常温，若恢复，由速度调节模块调整读写控制模块的读写速度为常规速度，若依然在高温或者低温环境下，则保持当前读写速度不变。

其中，多个模块相互配合，将对Nand-flash读写的速度根据外界温度的变化进行调整，保证正确且高效的读写。

其中，所述首先读写控制模块控制按照常规速度对Nand-flash进行读写，若核心控制模块检测到出现错误，通过核心控制模块的温度感应装置获取当前温度中：

读/写完一页后，进行由核心控制模块对相应数据的检错。

其中，所述若温度确实产生变化，则由速度调节模块调整读写控制模块相应的读写速度中：

速度调节模块的调节规则按照温度每升高或降低十度，则对应降低速度0.5M/S。

其中，所述若调整速度后核心控制模块仍检测到出现大规模的错误，则由速度调节模块继续降低读写控制模块的读写速度中：

速度调节完成后，读写控制模块开始按照调节的速度进行读写，完成一页的读写后，由核心控制模块再次检测是否仍出现大规模的错误，若出现大规模错误，继续由错误调节模块降低速度。

其中，所述继续由错误调节模块降低速度，是以0.5M/S的间隔降低。

其中，所述若依然在高温或者低温环境下，则保持当前读写速度不变中：

若温度依然在高温或者低温，则继续按调整后的当前速度进行读写，并在每次读/写完一块数据后由核心控制模块进行温度的重新检测。

(三)有益效果

与现有技术相比较，本发明相较于通常采用的单一设定速率的Nand-flash读写系统，该系统可以根据外界环境调节读写速率，最大限度的保证读写速度与正确性，且更加适应温度变化大的恶略环境的应用。由此，本发明提出一种随温度变化进行动态调节Nand-flash的读写速度的系统，即可以保证数据的正确性，也可以一定程度上保证读写效率。

附图说明

图1为本发明技术方案流程图。

具体实施方式

为使本发明的目的、内容、和优点更加清楚，下面结合附图和实施例，对本发明的具体实施方式作进一步详细描述。

为解决上述技术问题，本发明提供一种自适应的Nand Flash读写速度调整系统，所述读写速度调整系统包括：核心控制模块、读写控制模块以及速度调节模块；其中，所述核心控制模块用于完成温度变化的感应以及错误的检测和纠错；所述读写控制模块用于完成读写控制；所述速度调节模块用于完成读写速度随温度变化的调节功能；

具体而言，

(1)首先读写控制模块控制按照常规速度对Nand-flash进行读写，若核心控制模块检测到出现错误，通过核心控制模块的温度感应装置获取当前温度；

(2)若温度无变化，则核心控制模块使用错误纠错算法，进行单比特或几个比特的数据纠错；

(3)若温度确实产生变化，则由速度调节模块调整读写控制模块相应的读写速度，避免出现大规模数据错误；

(4)若调整速度后核心控制模块仍检测到出现大规模的错误，则由速度调节模块继续降低读写控制模块的读写速度；

(5)读/写完一块数据后，由核心控制模块再次获取当前温度，看是否恢复常温，若恢复，由速度调节模块调整读写控制模块的读写速度为常规速度，若依然在高温或者低温环境下，则保持当前读写速度不变。

其中，多个模块相互配合，将对Nand-flash读写的速度根据外界温度的变化进行调整，保证正确且高效的读写。

其中，所述首先读写控制模块控制按照常规速度对Nand-flash进行读写，若核心控制模块检测到出现错误，通过核心控制模块的温度感应装置获取当前温度中：

读/写完一页后，进行由核心控制模块对相应数据的检错。

其中，所述若温度确实产生变化，则由速度调节模块调整读写控制模块相应的读写速度中：

速度调节模块的调节规则按照温度每升高或降低十度，则对应降低速度0.5M/S。

其中，所述若调整速度后核心控制模块仍检测到出现大规模的错误，则由速度调节模块继续降低读写控制模块的读写速度中：

速度调节完成后，读写控制模块开始按照调节的速度进行读写，完成一页的读写后，由核心控制模块再次检测是否仍出现大规模的错误，若出现大规模错误，继续由错误调节模块降低速度。

其中，所述继续由错误调节模块降低速度，是以0.5M/S的间隔降低。

其中，所述若依然在高温或者低温环境下，则保持当前读写速度不变中：

若温度依然在高温或者低温，则继续按调整后的当前速度进行读写，并在每次读/写完一块数据后由核心控制模块进行温度的重新检测。

此外，本发明还提供一种自适应的Nand Flash读写速度调整方法，所述读写速度调整方法基于读写速度调整系统来实施，所述读写速度调整系统包括：核心控制模块、读写控制模块以及速度调节模块；所述读写速度调整方法包括如下步骤：

步骤1：读写控制模块控制按照常规速度对Nand-flash进行读写，若核心控制模块检测到出现错误，通过核心控制模块的温度感应装置获取当前温度；

步骤2：若温度无变化，则使用错误纠错算法，进行单比特或几个比特的数据纠错；

步骤3：若温度确实产生变化，则由速度调节模块调整相应读写速度，避免出现大规模数据错误；

步骤4：若调整速度后核心控制模块仍检测到出现大规模的错误，则由速度调节模块继续降低读写速度；

步骤5：读/写完一块数据后，由核心控制模块再次获取当前温度，看是否恢复常温，若恢复，由速度调节模块调整速度为常规速度，若依然在高温或者低温环境下，则保持当前读写速度不变。

其中，所述核心控制模块用于完成温度变化的感应以及错误的检测和纠错。

其中，所述读写控制模块用于完成正常的读写控制。

其中，所述速度调节模块用于完成读写速度随温度变化的调节功能。

其中，多个模块相互配合，将对Nand-flash读写的速度根据外界温度的变化进行调整，保证正确且高效的读写。

其中，所述步骤1中，读/写完一页后，进行由核心控制模块对相应数据的检错。

其中，所述步骤3中，速度调节模块的调节规则按照温度每升高或降低十度，则对应降低速度0.5M/S。

其中，所述步骤4中，速度调节完成后，读写控制模块开始按照调节的速度进行读写，完成一页的读写后，由核心控制模块再次检测是否仍出现大规模的错误，若出现大规模错误，继续由错误调节模块降低速度。

其中，所述继续由错误调节模块降低速度，是以0.5M/S的间隔降低。

其中，所述步骤5中，若温度依然在高温或者低温，则继续按调整后的当前速度进行读写，并在每次读/写完一块数据后由核心控制模块进行温度的重新检测。

实施例1

如图1所示，本实施例的具体实施方式如下所示：

(1)启动后，首先读写控制模块按照常规速度进行Nand-flash的读写；

(2)读/写完一页后，进行由核心控制模块对相应数据的检错；

(3)若出现错误，由核心控制模块的温度感应装置获取当前温度；

(4)若温度未出现变化，核心控制模块采用纠错算法进行单bit或几个bit的纠错；

(5)若温度出现变化，由速度调节模块调节读写速度，调节规则按照温度每升高或降低十度，则对应降低速度0.5M/S；

(6)速度调节完成后，读写控制模块开始按照调节的速度进行读写，完成一页的读写后，由核心控制模块再次检测是否仍出现大规模的错误，若出现大规模错误，继续由错误调节模块降低速度，以0.5M/S的间隔降低；

(7)若无错误，按照当前速度进行读写，若只出现单bit或几个bit的错误，由核心控制模块进行纠错，且按照当前速度进行读写；

(8)读/写完一块数据后，核心控制模块检测当前温度；

(9)若温度已恢复，则由速度调节模块再次更改读写速度为常规速度进行读写；

(10)若温度依然在高温或者低温，则继续按此速度进行读写，并在每次读/写完一块数据后由核心控制模块进行温度的重新检测。

以上所述仅是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明技术原理的前提下，还可以做出若干改进和变形，这些改进和变形也应视为本发明的保护范围。