阅读说明：本技术 发光二极管支架的电镀方法及系统、发光二极管支架 (Electroplating method and system for light-emitting diode bracket and light-emitting diode bracket ) 是由 郑建国 罗小平 于 2019-09-03 设计创作，主要内容包括：一种发光二极管支架的电镀方法,该方法包括：对支架进行微蚀处理,去除支架表面的氧化层及活化支架的表面；对支架进行冲击镍电镀处理,在支架的表面形成第一电镀镍层；对支架进行镀碱铜处理,在第一电镀镍层上形成电镀铜层；对支架进行镀镍处理,在电镀铜层上形成第二电镀镍层；对支架进行镀银处理,在第二电镀镍层上形成电镀银层。本发明的发光二极管支架的电镀方法在电镀铜和银之前先在支架的表面形成了第一电镀镍层,第一电镀镍层能有效增强后续镀层与支架的结合力,有利于提高产品品质。本发明还涉及一种发光二极管支架和发光二极管支架的电镀系统。(A method for electroplating a light-emitting diode bracket comprises the following steps: carrying out microetching treatment on the bracket to remove an oxide layer on the surface of the bracket and activate the surface of the bracket; carrying out impact nickel electroplating treatment on the bracket to form a first electroplated nickel layer on the surface of the bracket; carrying out alkali copper plating treatment on the bracket to form a copper electroplating layer on the first nickel electroplating layer; carrying out nickel plating treatment on the bracket, and forming a second electroplated nickel layer on the electroplated copper layer; and carrying out silver plating treatment on the bracket to form a silver plating layer on the second nickel plating layer. According to the electroplating method of the light-emitting diode bracket, the first electroplated nickel layer is formed on the surface of the bracket before copper and silver are electroplated, and the first electroplated nickel layer can effectively enhance the binding force between a subsequent plating layer and the bracket, so that the improvement of the product quality is facilitated. The invention also relates to a light-emitting diode bracket and an electroplating system of the light-emitting diode bracket.)

发光二极管支架的电镀方法及系统、发光二极管支架

技术领域

本发明涉及电镀技术领域，特别涉及一种发光二极管支架的电镀方法及系统、发光二极管支架。

背景技术

现有的表面贴装型发光二极管(light emitting diode，LED)的制作流程如下：先将金属片材经冲压成型为表面贴装型LED支架，之后，所形成的表面贴装型LED支架经电镀、切片、包装、注塑、固晶、短烤固化、焊线、点胶、老化烤、镀锡等工序完成LED芯片的表面贴装，然后经测检和分选包装制成表面贴装型发光二极管产品。

其中，表面贴装型LED支架的电镀是表面贴装型发光二极管整个制作中的关键环节之一。表面贴装型LED支架的电镀主要是在表面贴装型LED支架的芯片功能区进行双面镀银，镀银的品质将直接影响到表面贴装型LED支架的导热和导电性能。现有的电镀系统是先在LED支架上镀铜和镍，最后在镍层上镀银，由于LED支架是由铜材制作形成，直接在LED支架上镀铜效果差，导致厚度镀层结合力较低，降低了产品品质。

发明内容

有鉴于此，本发明提供一种发光二极管支架的电镀方法，在电镀铜和银之前先在支架的表面形成了第一电镀镍层，第一电镀镍层能有效增强后续镀层与支架的结合力，有利于提高产品品质。

一种发光二极管支架的电镀方法，该方法包括：对支架进行微蚀处理，去除支架表面的氧化层及活化支架的表面；对支架进行冲击镍电镀处理，在支架的表面形成第一电镀镍层；对支架进行镀碱铜处理，在第一电镀镍层上形成电镀铜层；对支架进行镀镍处理，在电镀铜层上形成第二电镀镍层；对支架进行镀银处理，在第二电镀镍层上形成电镀银层。

一种发光二极管支架的电镀方法，该方法包括：

对支架进行微蚀处理，去除该支架表面的氧化层及活化该支架的表面；

对该支架进行冲击镍电镀处理，在该支架的表面形成第一电镀镍层；

对该支架进行镀镍处理，在该第一电镀镍层上形成第二电镀镍层；以及

对该支架进行镀银处理，在该第二电镀镍层上形成电镀银层。

在本发明的实施例中，对该支架进行冲击镍电镀处理的参数为：

电镀液中的氯化镍浓度：250～350g/L；盐酸浓度：5～25g/L；电流：20～50A；电压：1～4V；

对该支架进行镀镍处理的参数为：

电镀液中的镍离子浓度：60～100g/L；硼酸浓度：30～50g/L；氯化镍浓度：10～30g/L；电流：15～35A；电压：0.5～5.5V；PH值：3.5～4.5。

在本发明的实施例中，对该支架进行微蚀处理之前还包括：

在该支架上制作EMC或SMC胶杯。

在本发明的实施例中，对该支架进行镀碱铜处理后还包括：

对该支架进行镀酸铜处理，在该电镀铜层上再形成一层电镀铜层。

在本发明的实施例中，对该支架进行镀碱铜处理的参数为：

电镀液中铜离子浓度：50～90g/L；游离***浓度：25～45g/L；铜离子与游离***的比值为：1：0.5；温度：50～60℃；电流：15～35A；电压：1.5～5.5V；

对该支架进行镀酸铜处理的参数为：

电镀液中五水硫酸铜浓度：135～205g/L；盐酸浓度：50～120ppm；硫酸浓度：50～90g/L；温度：18～28℃；电流：5～25A；电压：0.5～5.5V。

在本发明的实施例中，上述镀银处理包括预镀银处理和全镀银处理，其中：

对该支架进行预镀银处理时，在该第二电镀镍层上形成一层电镀银层，处理的参数为：

电镀液中银离子浓度：4～8g/L；游离***浓度：100～140g/L；温度：20～35℃；电流：4～8A；电压：1～5.5V；

对该支架进行全镀银处理时，在该电镀银层上再形成一层电镀银层，处理的参数为：

电镀液中银离子浓度：20～50g/L；游离***浓度：130～170g/L；温度：38～42℃。

在本发明的实施例中，对该支架进行预镀银处理之前还包括：

对该支架进行镍活化处理，处理的参数为：

活化液中***浓度：40～60g/L；温度：20～35℃；电流：10～30A；电压：1～5.5V。

在本发明的实施例中，对该支架进行微蚀处理之前还包括：

对该支架进行超声波脱脂处理，处理的参数为：

浸泡液的温度：45～55℃；PH值：6-7.5；正面电流：2.2～6.2A；反面电流：1.9～5.9A；频率：390。

本发明还提供一种发光二极管支架，该支架采用上述的发光二极管支架的电镀方法制作形成。

本发明还提供一种发光二极管支架的电镀系统，该系统采用上述的发光二极管支架的电镀方法，该系统包括：供料装置、收料装置以及依次设置于该供料装置与该收料装置之间的微蚀装置、冲击镍电镀装置、镀碱铜装置、电镀镍装置以及镀银装置，其中:

该供料装置输出的支架依次经过该微蚀装置、该冲击镍电镀装置、该镀碱铜装置、该电镀镍装置以及该镀银装置,该收料装置用于卷收镀银后的该支架；

该微蚀装置用于对该支架进行微蚀处理，去除该支架表面的氧化层及活化该支架的表面；

该冲击镍电镀装置用于对该支架进行冲击镍电镀处理，在该支架的表面形成第一电镀镍层；

该镀碱铜装置用于对该支架进行镀碱铜处理，在该第一电镀镍层上形成电镀铜层；

该电镀镍装置用于对该支架进行镀镍处理，在该电镀铜层上形成第二电镀镍层；

该镀银装置用于对该支架进行镀银处理，在该第二电镀镍层上形成电镀银层。

本发明还提供一种发光二极管支架的电镀系统，该系统采用上述的发光二极管支架的电镀方法，该系统包括：供料装置、收料装置以及依次设置于该供料装置与该收料装置之间的微蚀装置、冲击镍电镀装置、电镀镍装置以及镀银装置，其中:

该供料装置输出的支架依次经过该微蚀装置、该冲击镍电镀装置、该镀碱铜装置、该电镀镍装置以及该镀银装置,该收料装置用于卷收镀银后的该支架；

该微蚀装置用于对该支架进行微蚀处理，去除该支架表面的氧化层及活化该支架的表面；

该冲击镍电镀装置用于对该支架进行冲击镍电镀处理，在该支架的表面形成第一电镀镍层；

该电镀镍装置用于对该支架进行镀镍处理，在该第一电镀镍层上形成第二电镀镍层；

该镀银装置用于对该支架进行镀银处理，在该第二电镀镍层上形成电镀银层。

本发明的发光二极管支架的电镀方法在电镀铜和银之前先在支架的表面形成了第一电镀镍层，第一电镀镍层能有效增强后续镀层与支架的结合力，有利于提高产品品质。

附图说明

图1是本发明第一实施例的发光二极管支架的电镀方法的流程示意图。

图2是采用本发明第一实施例的发光二极管支架的电镀方法电镀后的支架的剖视示意图。

图3是支架上制作有EMC或SMC胶杯的局部剖视图。

图4是本发明第三实施例的发光二极管支架的电镀系统的结构示意图。

图5是本发明第四实施例的发光二极管支架的电镀方法的流程示意图。

图6是采用本发明第四实施例的发光二极管支架的电镀方法电镀后的支架的剖视示意图。

图7是本发明第五实施例的发光二极管支架的电镀系统的结构示意图。

具体实施方式

第一实施例

图1是本发明第一实施例的发光二极管支架的电镀方法的流程示意图，图2是采用本发明第一实施例的发光二极管支架的电镀方法电镀后的支架的剖视示意图，如图1和图2所示，发光二极管支架的电镀方法包括：

对支架11进行微蚀处理，去除支架11表面的氧化层及活化支架11的表面；在本实施例中，支架11由铜材制成，对支架11进行微蚀可腐蚀掉支架11表面的氧化层或杂质及活化支架11的表面，同时中和残留在支架11表面的碱性膜，有利于提升后续的金属镀层与支架11的结合力。

进一步地，对支架11进行微蚀处理的参数为：

微蚀液中硫酸浓度：8～34ml/L，优选地，15、21、27ml/L，但并不以此为限；研磨剂或氧化剂。

对支架11进行冲击镍电镀处理，在支架11的表面形成第一电镀镍层12；在本实施例中，本发明的支架11在电镀铜和银之前先在支架11的表面形成了第一电镀镍层12，第一电镀镍层12能有效增强后续镀层与支架11的结合力，有利于提高产品品质。

进一步地，对支架11进行冲击镍电镀处理的参数为：

电镀液中的氯化镍浓度：250～350g/L，优选地，265、275、300、315、325、335、345g/L，但并不以此为限；盐酸浓度：5～25g/L，优选地，7、10、13、15、18、21、23g/L，但并不以此为限；电流：20～50A，优选地，25、35、45A，但并不以此为限；电压：1～4V，优选地，1.5、2.5、3.5V，但并不以此为限。

对支架11进行镀碱铜处理，在第一电镀镍层12上形成电镀铜层13；在本实施例中，支架11处于碱性环境，在第一电镀镍层12的表面镀一层薄铜，为后续电镀做预热，能保证后续镀层与支架11的结合力，优选地，该电镀铜层13的厚度大于或等于5μm。

进一步地，对支架11进行镀碱铜处理的参数为：

电镀液中铜离子浓度：50～90g/L，优选地，55、60、65、70、80、85g/L，但并不以此为限；游离***浓度：25～45g/L，优选地，27、30、33、35、40、42g/L，但并不以此为限；铜离子与游离***的比值为：1：0.5；温度：50～60℃，优选地，53、55、58℃，但并不以此为限；电流：15～35A，优选地，20、25、30A，但并不以此为限；电压：1.5～5.5V，优选地，2.5、3.5、4.5V，但并不以此为限。值得一提的是，根据实际需要对支架11可进行多次镀碱铜处理，具体次数根据实际需要自由选择。

对支架11进行镀镍处理，在电镀铜层13上形成第二电镀镍层14；在本实施例中，第二电镀镍层14的厚度为10～35μm，优选地，15、20、25、30μm；在电镀铜层13上形成第二电镀镍层14，能进一步增强后续镀层与支架11的结合力，进一步提高产品品质。

进一步地，对支架11进行镀镍处理的参数为：

电镀液中的镍离子浓度：60～100g/L，优选地，65、70、75、80、85、90、95g/L，但并不以此为限；硼酸浓度：30～50g/L，优选地，33、35、37、40、43、45、48g/L，但并不以此为限；氯化镍浓度：10～30g/L，优选地，13、15、17、20、25、28g/L，但并不以此为限；电流：15～35A，优选地，20、25、30A，但并不以此为限；温度：50～60℃，优选地，53、55、58℃；PH值：3.5～4.5，优选地,3.7、4、4.2；电压：0.5～5.5V，优选地，1.5、2.5、3、3.5、4.5V，但并不以此为限。

对支架11进行镀银处理，在第二电镀镍层14上形成电镀银层15。

进一步地，该镀银处理包括预镀银处理和全镀银处理，其中：

对支架11进行预镀银处理时，在第二电镀镍层14上形成一层电镀银层15；在本实施例中，第二电镀镍层14上会形成一层薄薄的银层，为后续全镀银作准备，保证镀层的结合力；该电镀银层15的厚度为1～10μm，优选地，3、5、7μm。

对支架11进行全镀银处理时，在电镀银层15上再形成一层电镀银层15。

进一步地，对支架11进行预镀银处理的参数为：

电镀液中银离子浓度：4～8g/L，优选地，5、6、7g/L，但并不以此为限；游离***浓度：100～140g/L，优选地，105、110、115、120、125、130、135g/L，但并不以此为限；温度：20～35℃，优选地，25、30℃，但并不以此为限；电流：4～8A，优选地，5、6、7A，但并不以此为限；电压：1～5.5V，优选地，2.5、3.5、4.5V，但并不以此为限。

进一步地，对支架11进行全镀银处理的参数为：

电镀液中银离子浓度：20～50g/L，优选地，25、30、35、40、45g/L，但并不以此为限；游离***浓度：130～170g/L，优选地，140、150、160g/L，但并不以此为限；温度：38～42℃，优选地，39、40、41℃，但并不以此为限。电流和电压的大小根据产品结构、膜厚进行设定。

在另一较佳的实施例中，对支架11进行微蚀处理之前还包括：

在支架11上制作EMC或SMC胶杯16。值得一提的是，在支架11上制作EMC或SMC胶杯16可根据实际需要自由选择。

图3是支架上制作有EMC或SMC胶杯的局部剖视图，如图3所示，对支架11进行电镀前，先在支架11上制作(Moiding)EMC或SMC胶杯16，然后再对支架11进行微蚀和电镀，能避免先电镀后制作胶杯16给镀层带来的二次加工伤害，保持镀层处于原始状态进入封装环节；由于胶杯16直接做在支架11(支架11由铜材制成)上，胶杯16与铜材的结合力好于胶杯16与银层的结合力，且铜材更容易进行粗化，加工难度低，更有利于产品气密性。

在另一较佳的实施例中，对支架11进行镀碱铜处理后还包括：

对支架11进行镀酸铜处理，在电镀铜层13上再形成一层电镀铜层13；在本实施例中，对支架11进行镀酸铜处理可使镀层表面光滑平整；该电镀铜层13的厚度为40～150μm，优选地，60、80、100、120μm，但并不以此为限。值得一提的是，对支架11进行镀酸铜处理可根据实际需要自由选择。

进一步地，对该支架11进行镀酸铜处理的参数为：

电镀液中五水硫酸铜浓度：135～205g/L，优选地，140、150、160、170、180、190、200g/L，但并不以此为限；盐酸浓度：50～120ppm，优选地，65、75、85、95、105、115ppm，但并不以此为限；硫酸浓度：50～90g/L，优选地，55、60、65、70、75、80、85g/L，但并不以此为限；温度：18～28℃，优选地，20、23、25℃，但并不以此为限；电流：5～25A，优选地，10、15、20A，但并不以此为限；电压：0.5～5.5V，优选地，1.5、2.5、3、3.5、4.5V，但并不以此为限。

在另一较佳的实施例中，对支架11进行预镀银处理之前还包括：

对支架11进行镍活化处理；在本实施例中，对支架11进行预镀银处理之前以及对支架11进行镀镍处理之后进行镍活化处理，对第二电镀镍层14进行活化后，有利于增强电镀银层15与第二电镀镍层14的结合力。值得一提的是，对支架11进行镍活化处理可根据实际需要自由选择。

进一步地，对支架11进行镍活化处理的参数为：

活化液中***浓度：20～60g/L，优选地，25、30、35、40、45、50、55g/L，但并不以此为限；温度：20～35℃，优选地，25、27.5、30、32.5、35℃，但并不以此为限；电流：10～30A，优选地，15、20、25A，但并不以此为限；电压：1～5.5V，优选地，2.5、3、4.5V，但并不以此为限。

在另一较佳的实施例中，对支架11进行微蚀处理之前还包括：

对支架11进行超声波脱脂处理。

进一步地，对支架11进行超声波脱脂处理的参数为：

浸泡液的温度：45～55℃，优选地，47.5、50、52.5℃，但并不以此为限；PH值：6-7.5；正面电流：2.2～6.2A；反面电流：1.9～5.9A；频率：390。值得一提的是，对支架11进行超声波脱脂处理可根据实际需要自由选择。

在另一较佳的实施例中，对支架11进行超声波脱脂处理后还包括：

对支架11进行阴极电解处理。

进一步地，对支架11进行阴极电解处理的参数为：

浸泡液的温度：50～60℃，优选地，52、55、57℃，但并不以此为限；比重:3～5Bé；电流：25～35A，优选地，27、29、31、33A，但并不以此为限；电压：2～6V，优选地，3、4、4.5V，但并不以此为限。值得一提的是，对支架11进行阴极电解处理可根据实际需要自由选择。

在另一较佳的实施例中，对支架11进行镀银处理后还包括：

对支架11进行保护处理；在本实施例中，在支架11上镀银后，需要将支架11浸泡在一定浓度的保护剂中，增强镀层的抗氧化性以及防止支架11变色，之后经过超声波热水洗之后烘干支架11。

对支架11进行每一步处理后均需要经过多次水洗以及风刀吹干水分，避免污染后续电镀液，例如对该支架11进行超声波脱脂处理后，首先利用风刀将支架11表面的液体吹干，然后对支架11进行水洗工序，接着再次利用风刀将支架11表面的液体吹干，支架11吹干后对该支架11进行阴极电解处理，电解之后再次进行多次吹干和水洗。

值得一提的是，本发明的发光二极管支架的电镀方法可选取在支架11上制作(Moiding)EMC或SMC胶杯16、镀酸铜处理、镍活化处理、超声波脱脂处理、阴极电解处理中的一个或多个，然后将选取的处理工序按照上述处理顺序实施，此处不再赘述。

第二实施例

本发明还涉及一种发光二极管支架11，该支架11利用上述的发光二极管支架的电镀方法制作形成。

如图2所示，支架11的本体表面覆盖第一电镀镍层12，第一电镀镍层12与电镀铜层13的结合力强，因此经过镀碱铜和镀酸铜处理后，电镀铜层13可牢固地结合在第一电镀镍层12上，有利于增强后续镀层的结合力，进而提高产品质量，电镀铜层13上形成有第二电镀镍层14，第二电镀镍层14与电镀铜层13、电镀银层15的结合力强，因此经过对支架11进行预镀银处理后，电镀银层15可牢固地结合在第二电镀镍层14上，进一步增强了镀层的结合力，进而提高产品质量。

第三实施例

本发明还涉及一种发光二极管支架的电镀系统，该系统采用上述的发光二极管支架的电镀方法。

图4是本发明第三实施例的发光二极管支架的电镀系统的结构示意图，如图1、图2和图4所示，发光二极管支架11的电镀系统包括：供料装置22、收料装置33以及依次设置于供料装置22与收料装置33之间的微蚀装置25、冲击镍电镀装置26、镀碱铜装置27、电镀镍装置29以及镀银装置32，其中:

供料装置22输出的支架11依次经过微蚀装置25、冲击镍电镀装置26、镀碱铜装置27、电镀镍装置29以及镀银装置32,收料装置33用于卷收镀银后的支架11；在本实施例中，供料装置22进行供料，提供状态的表面贴装型发光二极管支架11，支架11卷绕在供料装置22，供料装置22将支架11匀速输出。

微蚀装置25用于对支架11进行微蚀处理，去除支架11表面的氧化层及活化支架11的表面；在本实施例中，微蚀装置25例如包括酸洗槽以及设置在酸洗槽内的硫酸和研磨剂，具体参数请参照上述实施例。

冲击镍电镀装置26用于对支架11进行冲击镍电镀处理，在支架11的表面形成第一电镀镍层12；在本实施例中，冲击镍电镀装置26例如包括冲击镍电镀槽以及设置在冲击镍电镀槽内的氯化镍和盐酸，具体参数请参照上述实施例。在冲击镍电镀装置26中，支架11与电源负极电连接，阳极板与电源正极电连接。

镀碱铜装置27用于对支架11进行镀碱铜处理，在第一电镀镍层12上形成电镀铜层13；在本实施例中，镀碱铜装置27例如包括镀碱铜槽以及设置在镀碱铜槽内的铜离子和游离***，具体参数请参照上述实施例。在镀碱铜装置27中，支架11与电源负极电连接，阳极板与电源正极电连接。

电镀镍装置29用于对支架11进行镀镍处理，在电镀铜层13上形成第二电镀镍层14；在本实施例中，电镀镍装置29例如包括镍电镀槽以及设置在镍电镀槽内的镍离子、氯化镍和硼酸，具体参数请参照上述实施例。在电镀镍装置29中，支架11与电源负极电连接，阳极板与电源正极电连接。

镀银装置32用于对支架11进行镀银处理，在第二电镀镍层14上形成电镀银层15。

进一步地，镀银装置32包括预镀银装置321和全镀银装置322，其中，预镀银装置321用于对支架11进行预镀银处理，在第二电镀镍层14上形成一层电镀银层15；在本实施例中，预镀银装置321例如包括预镀银槽以及设置在预镀银槽内的银离子和游离***，具体参数请参照上述实施例。在预镀银装置321中，支架11与电源负极电连接，阳极板与电源正极电连接。

全镀银装置322用于对支架11进行全镀银处理，在电镀银层15上再形成一层电镀银层15。在本实施例中，全镀银装置322例如包括全镀银槽以及设置在全镀银槽内的银离子和游离***，具体参数请参照上述实施例。在全镀银装置322中，支架11与电源负极电连接，阳极板与电源正极电连接。

在另一较佳的实施例中，发光二极管支架的电镀系统还包括点胶成型装置21，点胶成型装置21设置在供料装置22之前，点胶成型装置21用于在支架11上制作EMC或SMC胶杯16，如图3和图4所示，制作有EMC或SMC胶杯16的支架11卷收在供料装置22上，供料装置22输出的支架11依次经过微蚀装置25、冲击镍电镀装置26、镀碱铜装置27、电镀镍装置29以及预镀银装置321、全镀银装置322。

在另一较佳的实施例中，发光二极管支架的电镀系统还包括镀酸铜装置28，镀酸铜装置28设置于镀碱铜装置27与电镀镍装置29之间，供料装置22输出的支架11依次经过微蚀装置25、冲击镍电镀装置26、镀碱铜装置27、镀酸铜装置28、电镀镍装置29以及预镀银装置321、全镀银装置322。镀酸铜装置28用于对支架11进行镀酸铜处理，在电镀铜层13上再形成一层电镀铜层13；在本实施例中，镀酸铜装置28例如包括镀酸铜槽以及设置在镀酸铜槽内的五水硫酸铜、硫酸和盐酸，具体参数请参照上述实施例。在镀酸铜装置28中，支架11与电源负极电连接，阳极板与电源正极电连接。

在另一较佳的实施例中，发光二极管支架的电镀系统还包括镍活化装置31，镍活化装置31设置于电镀镍装置29与预镀银装置321之间，供料装置22输出的支架11依次经过微蚀装置25、冲击镍电镀装置26、镀碱铜装置27、镀酸铜装置28、电镀镍装置29、镍活化装置31以及预镀银装置321、全镀银装置322。镍活化装置31用于对支架11进行镍活化处理；在本实施例中，镍活化装置31例如包括镍活化槽以及设置在镍活化槽内的***，具体参数请参照上述实施例。

在另一较佳的实施例中，发光二极管支架的电镀系统还包括超声波脱脂装置23，超声波脱脂装置23设置于供料装置22与微蚀装置25之间，供料装置22输出的支架11依次经过超声波脱脂装置23、微蚀装置25、冲击镍电镀装置26、镀碱铜装置27、镀酸铜装置28、电镀镍装置29、镍活化装置31以及预镀银装置321、全镀银装置322。超声波脱脂装置23用于对支架11进行超声波脱脂处理，具体参数请参照上述实施例。

在另一较佳的实施例中，发光二极管支架的电镀系统还包括阴极电解装置24，阴极电解装置24设置于超声波脱脂装置23与微蚀装置25之间，供料装置22输出的支架11依次经过超声波脱脂装置23、阴极电解装置24、微蚀装置25、冲击镍电镀装置26、镀碱铜装置27、镀酸铜装置28、电镀镍装置29、镍活化装置31以及预镀银装置321、全镀银装置322。

本发明的发光二极管支架的电镀系统还包括多个水洗池和吹风装置，且超声波脱脂装置23之后、阴极电解装置24之后、微蚀装置25之后、冲击镍电镀装置26之后、镀碱铜装置27之后、镀酸铜装置28之后、电镀镍装置29之后、镍活化装置31之后以及预镀银装置321之后、全镀银装置322之后均设有多个交替设置的水洗池和风刀装置，避免污染后续电镀液。

值得一提的是，本发明的发光二极管支架的电镀系统可设置点胶成型装置21、镀酸铜装置28、镍活化装置31、超声波脱脂装置23、阴极电解装置24中的一个或者多个，具体请参照上述，此处不再赘述。

第四实施例

图5是本发明第四实施例的发光二极管支架的电镀方法的流程示意图，

图6是采用本发明第四实施例的发光二极管支架的电镀方法电镀后的支架的剖视示意图，如图5和图6所示，发光二极管支架的电镀方法包括：

对支架11进行微蚀处理，去除支架11表面的氧化层及活化支架11的表面；在本实施例中，支架11由铜材制成，对支架11进行微蚀可腐蚀掉支架11表面的氧化层或杂质及活化支架11的表面，同时中和残留在支架11表面的碱性膜，有利于提升后续的金属镀层与支架11的结合力。

进一步地，对支架11进行微蚀处理的参数为：

微蚀液中硫酸浓度：8～34ml/L，优选地，15、21、27ml/L，但并不以此为限；研磨剂或氧化剂。

对支架11进行冲击镍电镀处理，在支架11的表面形成第一电镀镍层12；在本实施例中，本发明的支架11在电镀铜和银之前先在支架11的表面形成了第一电镀镍层12，第一电镀镍层12能有效增强后续镀层与支架11的结合力，有利于提高产品品质。

进一步地，对支架11进行冲击镍电镀处理的参数为：

电镀液中的氯化镍浓度：250～350g/L，优选地，265、275、300、315、325、335、345g/L，但并不以此为限；盐酸浓度：5～25g/L，优选地，7、10、13、15、18、21、23g/L，但并不以此为限；电流：20～50A，优选地，25、35、45A，但并不以此为限；电压：1～4V，优选地，1.5、2.5、3.5V，但并不以此为限。

对支架11进行镀镍处理，在第一电镀镍层12上形成第二电镀镍层14；在本实施例中，第二电镀镍层14的厚度为10～35μm，优选地，15、20、25、30μm；在第一电镀镍层12上形成第二电镀镍层14，能进一步增强后续镀层与支架11的结合力，进一步提高产品品质。

进一步地，对支架11进行镀镍处理的参数为：

电镀液中的镍离子浓度：60～100g/L，优选地，65、70、75、80、85、90、95g/L，但并不以此为限；硼酸浓度：30～50g/L，优选地，33、35、37、40、43、45、48g/L，但并不以此为限；氯化镍浓度：10～30g/L，优选地，13、15、17、20、25、28g/L，但并不以此为限；电流：15～35A，优选地，20、25、30A，但并不以此为限；温度：50～60℃，优选地，53、55、58℃；PH值：3.5～4.5，优选地,3.7、4、4.2；电压：0.5～5.5V，优选地，1.5、2.5、3、3.5、4.5V，但并不以此为限。

对支架11进行镀银处理，在第二电镀镍层14上形成电镀银层15。

进一步地，该镀银处理包括预镀银处理和全镀银处理，其中：

对支架11进行预镀银处理时，在第二电镀镍层14上形成一层电镀银层15；在本实施例中，第二电镀镍层14上会形成一层薄薄的银层，为后续全镀银作准备，保证镀层的结合力；该电镀银层15的厚度为1～10μm，优选地，3、5、7μm。

对支架11进行全镀银处理时，在电镀银层15上再形成一层电镀银层15。

进一步地，对支架11进行预镀银处理的参数为：

电镀液中银离子浓度：4～8g/L，优选地，5、6、7g/L，但并不以此为限；游离***浓度：100～140g/L，优选地，105、110、115、120、125、130、135g/L，但并不以此为限；温度：20～35℃，优选地，25、30℃，但并不以此为限；电流：4～8A，优选地，5、6、7A，但并不以此为限；电压：1～5.5V，优选地，2.5、3.5、4.5V，但并不以此为限。

进一步地，对支架11进行全镀银处理的参数为：

电镀液中银离子浓度：20～50g/L，优选地，25、30、35、40、45g/L，但并不以此为限；游离***浓度：130～170g/L，优选地，140、150、160g/L，但并不以此为限；温度：38～42℃，优选地，39、40、41℃，但并不以此为限。电流和电压的大小根据产品结构、膜厚进行设定。

在另一较佳的实施例中，对支架11进行微蚀处理之前还包括：

在支架11上制作EMC或SMC胶杯16。值得一提的是，在支架11上制作EMC或SMC胶杯16可根据实际需要自由选择。

请参照图3，对支架11进行电镀前，先在支架11上制作(Moiding)EMC或SMC胶杯16，然后再对支架11进行微蚀和电镀，能避免先电镀后制作胶杯16给镀层带来的二次加工伤害，保持镀层处于原始状态进入封装环节；由于胶杯16直接做在支架11(支架11由铜材制成)上，胶杯16与铜材的结合力好于胶杯16与银层的结合力，且铜材更容易进行粗化，加工难度低，更有利于产品气密性。

在另一较佳的实施例中，对支架11进行预镀银处理之前还包括：

对支架11进行镍活化处理；在本实施例中，对支架11进行预镀银处理之前以及对支架11进行镀镍处理之后进行镍活化处理，对第二电镀镍层14进行活化后，有利于增强电镀银层15与第二电镀镍层14的结合力。值得一提的是，对支架11进行镍活化处理可根据实际需要自由选择。

进一步地，对支架11进行镍活化处理的参数为：

活化液中***浓度：20～60g/L，优选地，25、30、35、40、45、50、55g/L，但并不以此为限；温度：20～35℃，优选地，25、27.5、30、32.5、35℃，但并不以此为限；电流：10～30A，优选地，15、20、25A，但并不以此为限；电压：1～5.5V，优选地，2.5、3、4.5V，但并不以此为限。

在另一较佳的实施例中，对支架11进行微蚀处理之前还包括：

对支架11进行超声波脱脂处理。

进一步地，对支架11进行超声波脱脂处理的参数为：

浸泡液的温度：45～55℃，优选地，47.5、50、52.5℃，但并不以此为限；PH值：6-7.5；正面电流：2.2～6.2A；反面电流：1.9～5.9A；频率：390。值得一提的是，对支架11进行超声波脱脂处理可根据实际需要自由选择。

在另一较佳的实施例中，对支架11进行超声波脱脂处理后还包括：

对支架11进行阴极电解处理。

进一步地，对支架11进行阴极电解处理的参数为：

浸泡液的温度：50～60℃，优选地，52、55、57℃，但并不以此为限；比重:3～5Bé；电流：25～35A，优选地，27、29、31、33A，但并不以此为限；电压：2～6V，优选地，3、4、4.5V，但并不以此为限。值得一提的是，对支架11进行阴极电解处理可根据实际需要自由选择。

在另一较佳的实施例中，对支架11进行镀银处理后还包括：

对支架11进行保护处理；在本实施例中，在支架11上镀银后，需要将支架11浸泡在一定浓度的保护剂中，增强镀层的抗氧化性以及防止支架11变色，之后经过超声波热水洗之后烘干支架11。

对支架11进行每一步处理后均需要经过多次水洗以及风刀吹干水分，避免污染后续电镀液，例如对该支架11进行超声波脱脂处理后，首先利用风刀将支架11表面的液体吹干，然后对支架11进行水洗工序，接着再次利用风刀将支架11表面的液体吹干，支架11吹干后对该支架11进行阴极电解处理，电解之后再次进行多次吹干和水洗。

值得一提的是，本发明的发光二极管支架的电镀方法可选取在支架11上制作(Moiding)EMC或SMC胶杯16、镀酸铜处理、镍活化处理、超声波脱脂处理、阴极电解处理中的一个或多个，然后将选取的处理工序按照上述处理顺序实施，此处不再赘述。

第五实施例

本发明还涉及一种发光二极管支架的电镀系统，该系统采用第四实施例所述的发光二极管支架的电镀方法。

图7是本发明第五实施例的发光二极管支架的电镀系统的结构示意图，如图5、图6和图7所示，发光二极管支架11的电镀系统包括：供料装置22、收料装置33以及依次设置于供料装置22与收料装置33之间的微蚀装置25、冲击镍电镀装置26、电镀镍装置29以及镀银装置32，其中:

供料装置22输出的支架11依次经过微蚀装置25、冲击镍电镀装置26、电镀镍装置29以及镀银装置32,收料装置33用于卷收镀银后的支架11；在本实施例中，供料装置22进行供料，提供状态的表面贴装型发光二极管支架11，支架11卷绕在供料装置22，供料装置22将支架11匀速输出。

微蚀装置25用于对支架11进行微蚀处理，去除支架11表面的氧化层及活化支架11的表面；在本实施例中，微蚀装置25例如包括酸洗槽以及设置在酸洗槽内的硫酸和研磨剂，具体参数请参照上述实施例。

冲击镍电镀装置26用于对支架11进行冲击镍电镀处理，在支架11的表面形成第一电镀镍层12；在本实施例中，冲击镍电镀装置26例如包括冲击镍电镀槽以及设置在冲击镍电镀槽内的氯化镍和盐酸，具体参数请参照上述实施例。在冲击镍电镀装置26中，支架11与电源负极电连接，阳极板与电源正极电连接。

电镀镍装置29用于对支架11进行镀镍处理，在第一电镀镍层12上形成第二电镀镍层14；在本实施例中，电镀镍装置29例如包括镍电镀槽以及设置在镍电镀槽内的镍离子、氯化镍和硼酸，具体参数请参照上述实施例。在电镀镍装置29中，支架11与电源负极电连接，阳极板与电源正极电连接。

镀银装置32用于对支架11进行镀银处理，在第二电镀镍层14上形成电镀银层15。

进一步地，镀银装置32包括预镀银装置321和全镀银装置322，其中，预镀银装置321用于对支架11进行预镀银处理，在第二电镀镍层14上形成一层电镀银层15；在本实施例中，预镀银装置321例如包括预镀银槽以及设置在预镀银槽内的银离子和游离***，具体参数请参照上述实施例。在预镀银装置321中，支架11与电源负极电连接，阳极板与电源正极电连接。

全镀银装置322用于对支架11进行全镀银处理，在电镀银层15上再形成一层电镀银层15。在本实施例中，全镀银装置322例如包括全镀银槽以及设置在全镀银槽内的银离子和游离***，具体参数请参照上述实施例。在全镀银装置322中，支架11与电源负极电连接，阳极板与电源正极电连接。

在另一较佳的实施例中，发光二极管支架的电镀系统还包括点胶成型装置21，点胶成型装置21设置在供料装置22之前，点胶成型装置21用于在支架11上制作EMC或SMC胶杯16，如图6和图7所示，制作有EMC或SMC胶杯16的支架11卷收在供料装置22上，供料装置22输出的支架11依次经过微蚀装置25、冲击镍电镀装置26、电镀镍装置29以及预镀银装置321、全镀银装置322。

在另一较佳的实施例中，发光二极管支架的电镀系统还包括镍活化装置31，镍活化装置31设置于电镀镍装置29与预镀银装置321之间，供料装置22输出的支架11依次经过微蚀装置25、冲击镍电镀装置26、电镀镍装置29、镍活化装置31以及预镀银装置321、全镀银装置322。镍活化装置31用于对支架11进行镍活化处理；在本实施例中，镍活化装置31例如包括镍活化槽以及设置在镍活化槽内的***，具体参数请参照上述实施例。

在另一较佳的实施例中，发光二极管支架的电镀系统还包括超声波脱脂装置23，超声波脱脂装置23设置于供料装置22与微蚀装置25之间，供料装置22输出的支架11依次经过超声波脱脂装置23、微蚀装置25、冲击镍电镀装置26、电镀镍装置29、镍活化装置31以及预镀银装置321、全镀银装置322。超声波脱脂装置23用于对支架11进行超声波脱脂处理，具体参数请参照上述实施例。

在另一较佳的实施例中，发光二极管支架的电镀系统还包括阴极电解装置24，阴极电解装置24设置于超声波脱脂装置23与微蚀装置25之间，供料装置22输出的支架11依次经过超声波脱脂装置23、阴极电解装置24、微蚀装置25、冲击镍电镀装置26、电镀镍装置29、镍活化装置31以及预镀银装置321、全镀银装置322。

本发明的发光二极管支架的电镀系统还包括多个水洗池和吹风装置，且超声波脱脂装置23之后、阴极电解装置24之后、微蚀装置25之后、冲击镍电镀装置26之后、电镀镍装置29之后、镍活化装置31之后以及预镀银装置321之后、全镀银装置322之后均设有多个交替设置的水洗池和风刀装置，避免污染后续电镀液。

值得一提的是，本发明的发光二极管支架的电镀系统可设置点胶成型装置21、镍活化装置31、超声波脱脂装置23、阴极电解装置24中的一个或者多个，具体请参照上述，此处不再赘述。

本发明并不限于上述实施方式中的具体细节，在本发明的技术构思范围内，可以对本发明的技术方案进行多种简单变型，这些简单变型均属于本发明的保护范围。在上述具体实施方式中所描述的各个具体技术特征，在不矛盾的情况下，可以通过任何合适的方式进行组合。为了避免不必要的重复，本发明对各种可能的组合方式不再另行说明。