阅读说明：本技术 用于电子器件和显示装置的吖啶化合物 (Acridine compound for electronic device and display device ) 是由 弗朗索瓦·卡尔迪纳利 本杰明·舒尔策 杰罗姆·加尼耶 多玛果伊·帕维奇科 沃洛季米尔·森科维 于 2018-03-02 设计创作，主要内容包括：本发明涉及结构式(I)的吖啶化合物,并且涉及包含至少一种式(I)化合物的电子传输层,包含至少一种式(I)化合物的半导体层,以及包括其半导体层的电子器件。<Image he="503" wi="638" file="DDA0002185725520000011.GIF" imgContent="drawing" imgFormat="GIF" orientation="portrait" inline="no"></Image>(The invention relates to acridine compounds of formula (I), and to electron transport layers comprising at least one compound of formula (I), semiconductor layers comprising at least one compound of formula (I), and electronic devices comprising semiconductor layers thereof.)

用于电子器件和显示装置的吖啶化合物

技术领域

本发明涉及新的吖啶化合物及其作为半导体材料的用途。本发明还涉及包含吖啶化合物的电子器件，包含含有吖啶化合物的有机发光二极管的器件，其显示装置及其制造方法。

背景技术

有机发光二极管OLED是自发光器件，其具有宽视角，优异的对比度，快速响应，高亮度，优异的驱动电压特性和色彩再现。典型的OLED包括阳极、空穴传输层HTL、发光层EML、电子传输层ETL和阴极，它们依序层叠在基底上。在这方面，HTL、EML和ETL是由有机化合物形成的薄膜。

当电压施加到阳极和阴极时，从阳极注入的空穴经由HTL移动到EML，并且从阴极注入的电子经由ETL移动到EML。空穴和电子在EML中重新组合以产生激子。当激子从激发态下降到基态时，发出光。应平衡空穴和电子的注入和流动，使得具有上述结构的OLED具有优异的效率和/或长寿命。

有机发光二极管的性能可受到半导体器件的特性的影响，并且其中，可受到半导体器件的有机材料的特性的影响。

特别地，需要开发能够增加电子迁移率并同时增加电化学稳定性的有机材料，使得有机发光二极管可以应用于大尺寸平板显示器。

WO2011154131A1涉及一种电子器件，其包含至少一种式A)所示的有机半导体材料：在式中R1-4独立地选自H，卤素，CN，被取代或未被取代的C1-C20烷基或杂烷基，C6-C20芳基或C5-C20杂芳基，C1-C20烷氧基或C6-C20芳氧基，Ar选自被取代或未被取代的C6-C20芳基或C5-C20杂芳基，并且R5选自被取代或未被取代的C6-C20芳基或C5-C20杂芳基，H，F或式B)。

对于包含这些材料的OLED，玻璃化转变温度较低，工作电压较高，并且cd/A效率和寿命较低。

根据现有技术，仍然需要改进OLED和半导体器件的性能，特别是通过改善其中包含的化合物的特性来实现更高的效率和/或更长的寿命。

发明内容

本发明的一个方面提供结构式I的吖啶化合物，其具有环系K1和K2：

其中

n为0、1、2；

A¹和A²独立地选自H或未被取代或被取代的苯亚基的芳族环，并且所述取代基选自H、C₁至C₁₈烷基和C₁至C₁₈烷氧基，并且A¹和/或A²的至少一个芳族环与所述环系K2或所述环系K1环合；

A³具有式Ia，其具有环系L1，或

具有式Ib，其具有环系L2，或

具有式Ic，或

具有式Id，或

具有式Ie，或

具有式If：

R¹、R²独立地选自未被取代或被取代的C₆至C₂₄芳基和C₁至C₁₈烷基，并且所述取代基独立地选自H、C₁至C₁₈烷基和C₁至C₁₈烷氧基；

R³选自未被取代或被取代的C₆至C₂₄芳基，并且所述取代基独立地选自H、C₁至C₁₈烷基和C₁至C₁₈烷氧基；

R⁴、R⁵、R⁶和R⁷独立地选自H、未被取代或被取代的C₆至C₂₄芳基和未被取代或被取代的吡啶基，并且所述取代基独立地选自H、C₁至C₁₈烷基和C₁至C₁₈烷氧基；

A⁴至A¹²独立地选自未被取代或被取代的C₆至C₂₄芳基和未被取代或被取代的吡啶基，并且所述取代基独立地选自H、C₁至C₁₈烷基和C₁至C₁₈烷氧基；

其中

A⁵和/或A⁶中的至少一个与所述环系L1环合；

其中

A⁷和/或A⁸和/或A⁹中的至少一个与所述环系L2环合；并且

其中

A³的式Ia至If在用“*”标记的位置经由单键连接。

根据一个实施方式，提供了式I的吖啶化合物，其具有环系K1和K2：

其中

n为0、1、2；

A¹和A²独立地选自H或未被取代或被取代的苯亚基的芳族环，并且所述取代基选自H、C₁至C₁₈烷基和C₁至C₁₈烷氧基，并且A¹和/或A²的至少一个芳族环与所述环系K2或所述环系K1环合；

A³具有式Ia，其具有环系L1，或

具有式Ib，其具有环系L2，或

具有式Ic，或

具有式Id，或

具有式Ie，或

具有式If：

R¹、R²独立地选自未被取代或被取代的C₆至C₂₄芳基和C₁至C₁₈烷基，并且所述取代基独立地选自H、C₁至C₁₈烷基和C₁至C₁₈烷氧基；

R³选自未被取代或被取代的C₆至C₂₄芳基，并且所述取代基独立地选自H、C₁至C₁₈烷基和C₁至C₁₈烷氧基；

R⁴、R⁵、R⁶和R⁷独立地选自H、未被取代或被取代的C₆至C₂₄芳基和未被取代或被取代的吡啶基，并且所述取代基独立地选自H、C₁至C₁₈烷基和C₁至C₁₈烷氧基；

A⁴至A¹²独立地选自未被取代或被取代的C₆至C₂₄芳基和未被取代或被取代的吡啶基，并且所述取代基独立地选自H、C₁至C₁₈烷基和C₁至C₁₈烷氧基；

其中

A⁵和/或A⁶中的至少一个与所述环系L1环合；

其中

A⁷和/或A⁸和/或A⁹中的至少一个与所述环系L2环合；并且

其中

A³的式Ia至If在用“*”标记的位置经由单键连接；并且

其中对于取代基Id：n＝1或2，优选为1。

根据另一个实施方式，提供式I的吖啶化合物，其具有环系K1和K2：

其中

n为0、1、2；

A¹和A²独立地选自H或未被取代或被取代的苯亚基的芳族环，并且所述取代基选自H、C₁至C₁₈烷基和C₁至C₁₈烷氧基，并且A¹和/或A²的至少一个芳族环与所述环系K2或所述环系K1环合；

A³具有式Ia，其具有环系L1，或

具有式Ib，其具有环系L2，或

具有式Ic，或

具有式Id，或

具有式Ie，或

具有式If：

R¹、R²独立地选自未被取代或被取代的C₆至C₂₄芳基和C₁至C₁₈烷基，并且所述取代基独立地选自H、C₁至C₁₈烷基和C₁至C₁₈烷氧基；

R³选自未被取代或被取代的C₆至C₂₄芳基，并且所述取代基独立地选自H、C₁至C₁₈烷基和C₁至C₁₈烷氧基；

R⁴、R⁵、R⁶和R⁷独立地选自H、未被取代或被取代的C₆至C₂₄芳基和未被取代或被取代的吡啶基，并且所述取代基独立地选自H、C₁至C₁₈烷基和C₁至C₁₈烷氧基；

A⁴至A¹²独立地选自未被取代或被取代的C₆至C₂₄芳基和未被取代或被取代的吡啶基，并且所述取代基独立地选自H、C₁至C₁₈烷基和C₁至C₁₈烷氧基；

其中

A⁵和/或A⁶中的至少一个与所述环系L1环合；

其中

A⁷和/或A⁸和/或A⁹中的至少一个与所述环系L2环合；并且

其中

A³的式Ia至If在用“*”标记的位置经由单键连接；并且

其中

对于取代基Id：n＝1或2，优选为1，并且

对于取代基If：n＝1或2，优选为1。

根据另一个实施方式，提供了式I的吖啶化合物，其具有环系K1和K2：

其中

n为0、1、2；

A¹和A²独立地选自H或未被取代或被取代的苯亚基的芳族环，并且所述取代基选自H、C₁至C₁₈烷基和C₁至C₁₈烷氧基，并且A¹和/或A²的至少一个芳族环与所述环系K2或所述环系K1环合；

A³具有式Ia，其具有环系L1，或

具有式Ib，其具有环系L2，或

具有式Ic，或

具有式Id，或

具有式Ie，或

具有式If：

R¹、R²独立地选自未被取代或被取代的C₆至C₂₄芳基和C₁至C₁₈烷基，并且所述取代基独立地选自H、C₁至C₁₈烷基和C₁至C₁₈烷氧基；

R³选自未被取代或被取代的C₆至C₂₄芳基，并且所述取代基独立地选自H、C₁至C₁₈烷基和C₁至C₁₈烷氧基；

R⁴、R⁵、R⁶和R⁷独立地选自H、未被取代或被取代的C₆至C₂₄芳基和未被取代或被取代的吡啶基，并且所述取代基独立地选自H、C₁至C₁₈烷基和C₁至C₁₈烷氧基；

A⁴至A¹²独立地选自未被取代或被取代的C₆至C₂₄芳基和未被取代或被取代的吡啶基，并且所述取代基独立地选自H、C₁至C₁₈烷基和C₁至C₁₈烷氧基；

其中

A⁵和/或A⁶中的至少一个与所述环系L1环合；

其中

A⁷和/或A⁸和/或A⁹中的至少一个与所述环系L2环合；并且

其中

A³的式Ia至If在用“*”标记的位置经由单键连接；并且

其中如果n＝0，则R⁴、R⁵、R⁶和R⁷不包括吡啶基，优选地R⁴、R⁵、R⁶和R⁷不包括未被取代的吡啶基。

根据另一个实施方式，提供了式I的吖啶化合物，其具有环系K1和K2，其中对于式(I)：

n为0、1或2；

A¹和A²独立地选自H和或未被取代或被取代的苯亚基的芳族环，并且A¹和/或A²的苯亚基与所述环系K2或所述环系K1环合；

A³具有选自Ia、Ib、Ic、Id、Ie或If的式，

其中对于式(Ia)：

A⁴、A⁵和A⁶独立地选自未被取代或被取代的C₆至C₁₈芳基，并且所述取代基独立地选自H、C₁至C₁₂烷基和C₁至C₁₂烷氧基；

其中对于式(Ib)：

A⁷、A⁸和A⁹独立地选自未被取代或被取代的C₆至C₁₈芳基，并且所述取代基独立地选自H、C₁至C₁₂烷基和C₁至C₁₂烷氧基；

其中对于式(Ic)：

R¹、R²独立地选自未被取代或被取代的C₆至C₁₈芳基和C₁至C₁₈烷基，并且所述取代基独立地选自H、C₁至C₁₂烷基和C₁至C₁₂烷氧基；

R³选自未被取代或被取代的C₆至C₁₈芳基，并且所述取代基独立地选自H、C₁至C₁₂烷基和C₁至C₁₂烷氧基；

其中对于式(Id)、(Ie)和(If)：

R⁴、R⁵、R⁶和R⁷独立地选自H、未被取代或被取代的C₆至C₁₈芳基和未被取代或被取代的吡啶基，并且所述取代基独立地选自H、C₁至C₁₂烷基和C₁至C₁₂烷氧基，以及

A¹⁰、A¹¹、A¹²独立地选自未被取代或被取代的C₆至C₂₄芳基和未被取代或被取代的吡啶基，并且所述取代基独立地选自H、C₁至C₁₈烷基和C₁至C₁₈烷氧基；并且

其中

对于取代基Id：n＝1或2，优选为1；并且

任选地如果n＝0，则R⁴、R⁵、R⁶和R⁷不包括吡啶基，优选不包括未被取代的吡啶基。

根据另一个实施方式，提供了式I的吖啶化合物，其具有环系K1和K2，其中n＝1或2，优选为1。

根据另一个实施方式，提供了式I的吖啶化合物，其具有环系K1和K2，其中不包括以下化合物：

根据具有环系K1和K2的式I的吖啶化合物的另一个实施方式，其中所述式I的吖啶化合物仅包含一个N原子。

根据具有环系K1和K2的式I的吖啶化合物的另一个实施方式，其中所述式I的吖啶化合物含有一个N原子并且不包括额外杂原子。

根据具有环系K1和K2的式I的吖啶化合物的另一个实施方式，其中所述式I的吖啶化合物不包括吡啶基取代基。

根据具有环系K1和K2的式I的吖啶化合物的另一个实施方式，其中所述取代基R⁴、R⁵、R⁶、R⁷不包括吡啶基，优选不包括未被取代的吡啶基。

根据具有环系K1和K2的式I的吖啶化合物的另一个实施方式，其中所述取代基R⁴、R⁵、R⁶、R⁷为H。

根据具有环系K1和K2的式I的吖啶化合物的另一个实施方式，其中所述式I的吖啶化合物不包括单苯并吖啶，其中n＝0和A³＝Id，并且所述取代基R⁴、R⁵、R⁶、R⁷不包括吡啶基，优选不包括未被取代的吡啶基。

根据具有环系K1和K2的式I的吖啶化合物的另一个实施方式，其中R⁴、R⁵、R⁶、R⁷为吡啶基，优选未被取代的吡啶基，则n＝1或2。

根据具有环系K1和K2的式I的吖啶化合物的另一个实施方式，其中n＝0并且A²与环K1环合以及A¹与环K2环合。

根据具有环系K1和K2的式I的吖啶化合物的另一个实施方式，其中n＝0，A¹和A²独立地选自未被取代或被取代的苯亚基的芳族环，并且所述取代基选自H、C₁至C₁₈烷基和C₁至C₁₈烷氧基，并且A¹和/或A²的至少一个芳族环与环系K2或环系K1环合。

根据具有环系K1和K2的式I的吖啶化合物的另一个实施方式，其中n＝0，A¹和A²不为H。

由式I表示的化合物和包含由式I表示的化合物的组合物具有强的电子传输特性，以增加电荷迁移率和稳定性，从而改善发光效率、电压特性和寿命特性。所述式I化合物可用于电子传输层、发光层和/或空穴注入层。然而，所述式I化合物可优选用于电子传输层。

在本说明书中，措词“寿命(life span)”和“寿命(life time)”同义地使用。

如果没有另外说明，则相对湿度(缩写为RH)为40％并且温度为23℃。

在本说明书中，当未另外提供定义时，“被取代的”可以指取代基，其独立地选自H、C₁至C₁₈烷基和C₁至C₁₈烷氧基。

在本说明书中，当没有另外提供定义时，“烷基基团”可以指脂族烃基团。烷基基团可以指不具有任何双键或三键的“饱和烷基基团”。

烷基基团可以是C₁至C₁₈烷基基团。更具体地，烷基基团可以是C₁至C₁₂烷基基团、C₁至C₆烷基基团或C₁至C₄烷基基团。例如，C₁至C₄烷基基团在烷基链中包含1至4个碳，并且可选自甲基、乙基、丙基、异丙基、正丁基、异丁基、仲丁基和叔丁基。

烷基基团的具体实例可以是甲基基团、乙基基团、丙基基团、异丙基基团、丁基基团、异丁基基团、叔丁基基团、戊基基团、己基基团、环丙基基团、环丁基基团、环戊基基团、环己基基团等。

在本说明书中，“芳基基团”可以指包括至少一个烃芳族部分的基团，并且所述烃芳族部分的所有元素可具有形成共轭的p轨道，例如苯基基团、萘基基团等，两个或更多个烃芳族部分可通过σ键连接并且可以是例如联苯基基团、三联苯基基团、四联苯基基团等。

芳基基团可包括单环、多环或稠环多环(即共享相邻碳原子对的环)官能团。

在本说明书中，单键是指直接键。

在本说明书中，空穴特性是指当施加电场时提供电子以形成空穴的能力，并且根据最高占据分子轨道(HOMO)能级，在阳极中形成的空穴由于导电特性可以容易地注入发光层并在发光层中传输。

此外，电子特性是指当施加电场时接受电子的能力，并且根据最低未占分子轨道(LUMO)能级，在阴极中形成的电子由于导电特性可以容易地注入发光层并在发光层中传输。

根据另一个实施方式，R¹、R²可独立地选自未被取代或被取代的C₆至C₂₄芳基和C₁至C₁₈烷基，并且所述取代基独立地选自H、C₁至C₁₈烷基和C₁至C₁₈烷氧基，并且优选地R¹、R²可独立地选自未被取代或被取代的C₆至C₁₂芳基，并且所述取代基选自H、C₁至C₁₂烷基和C₁至C₁₂烷氧基。

根据另一个实施方式，R³可选自未被取代或被取代的C₆至C₂₄芳基，并且所述取代基独立地选自H、C₁至C₁₈烷基和C₁至C₁₈烷氧基，并且优选地R³可选自未被取代或被取代的C₆至C₁₂芳基，并且所述取代基选自H、C₁至C₁₂烷基和C₁至C₁₂烷氧基。

根据另一个实施方式，A¹和A²可独立地选自H、未被取代或被取代的苯亚基，并且所述取代基选自H、C₁至C₁₈烷基和C₁至C₁₈烷氧基。

根据另一个实施方式，A¹和A²可独立地选自H、未被取代或被取代的苯亚基，并且所述取代基选自H、C₁至C₁₂烷基和C₁至C₁₂烷氧基。

根据另一个实施方式，A¹和A²独立地选自H或未被取代或被取代的苯亚基的芳族环，并且所述取代基选自H、C₁至C₁₈烷基和C₁至C₁₈烷氧基，并且A¹和/或A²的至少一个芳族环与环系K2或环系K1环合，其中所述未被取代或被取代的苯亚基优选是苯环。

根据另一个实施方式，A¹和A²可独立地选自H或未被取代的苯亚基，其中所述未被取代或被取代的苯亚基优选是苯环。

根据另一个实施方式，A⁴、A⁵、A⁶、A⁷、A⁸、A⁹、A¹⁰、A¹¹和A¹²可独立地选自未被取代或被取代的C₆至C₂₄芳基和未被取代或被取代的吡啶基，并且所述取代基独立地选自H、C₁至C₁₈烷基和C₁至C₁₈烷氧基。

根据另一个实施方式，A⁴、A⁵、A⁶、A⁷、A⁸、A⁹、A¹⁰、A¹¹和A¹²可独立地选自未被取代或被取代的C₆至C₁₈芳基，并且所述取代基独立地选自H、C₁至C₁₂烷基和C₁至C₁₂烷氧基。

根据另一个实施方式，A⁴、A⁵、A⁶、A⁷、A⁸、A⁹、A¹⁰、A¹¹和A¹²可独立地选自未被取代的C₆至C₁₂芳基。

根据另一个实施方式，A⁴、A⁵、A⁶、A⁷、A⁸和A⁹可独立地选自未被取代或被取代的C₆至C₂₄芳基和未被取代或被取代的吡啶基，并且所述取代基独立地选自H、C₁至C₁₈烷基和C₁至C₁₈烷氧基。

根据另一个实施方式，A⁴、A⁵、A⁶、A⁷、A⁸和A⁹可独立地选自未被取代或被取代的C₆至C₁₈芳基，并且所述取代基独立地选自H、C₁至C₁₂烷基和C₁至C₁₂烷氧基。

根据另一个实施方式，A⁴、A⁵、A⁶、A⁷、A⁸和A⁹可独立地选自未被取代的C₆至C₁₂芳基。

在一个实施方式中，A¹⁰至A¹²可独立地选自未被取代或被取代的C₆至C₂₄芳基和未被取代或被取代的吡啶基，并且所述取代基独立地选自H、C₁至C₁₈烷基和C₁至C₁₈烷氧基。

在另一个实施方式中，A¹⁰至A¹²可独立地选自未被取代的C₆至C₂₄芳基和未被取代的吡啶基。

在另一个实施方式中，A¹⁰至A¹²可独立地选自未被取代的C₆至C₁₈芳基。

在另一个实施方式中，A¹⁰至A¹²可独立地选自未被取代的C₆至C₁₂芳基。

在一个实施方式中，A¹⁰至A¹²可以是未被取代的C₆芳基。

根据另一个实施方式，R⁴、R⁵、R⁶和R⁷可独立地选自H、未被取代或被取代的C₆至C₂₄芳基和未被取代或被取代的吡啶基，并且所述取代基独立地选自H、C₁至C₁₈烷基和C₁至C₁₈烷氧基。

根据另一个实施方式，R⁴、R⁵、R⁶和R⁷可独立地选自H、未被取代或被取代的C₆至C₁₈芳基，并且所述取代基独立地选自H、C₁至C₁₂烷基和C₁至C₁₂烷氧基。

根据另一个实施方式，R⁴、R⁵、R⁶和R⁷可独立地选自H或未被取代的C₆至C₁₂芳基。

根据另一个实施方式，“n”可独立地选自0、1或2，优选地n＝0或1，并且此外优选地n＝0。

根据另一个实施方式，电子器件可包括彼此面对的阳极和阴极以及在阳极与阴极之间的至少一个有机层，其中所述有机层包含式I的吖啶化合物或由式I的吖啶化合物组成。

根据另一个实施方式，电子器件可以是有机光电器件、有机发光二极管(OLED)或光伏电池，优选地半导体器件可以是有机发光二极管(OLED)。

根据另一个实施方式，电子器件，优选地是OLED，可包括彼此面对的阳极和阴极，至少一个发光层和至少一个附加层，其中所述至少一个附加层布置在所述发光层与所述阴极之间，并且其中所述至少一个附加层包含用于有机光电器件的式I的吖啶化合物或由用于有机光电器件的式I的吖啶化合物组成。

根据另一个实施方式，提供了一种电子器件，优选地是显示装置，其包括至少一个包含本发明的式I化合物的半导体层。

与式If的取代基相比，式Ia至Ie的取代基可以导致更高的效率和/或更长的寿命。

根据另一方面，提供了式I的吖啶化合物，其具有环系K1和K2：

其中

n为0、1、2；

A¹和A²独立地选自H或未被取代或被取代的苯亚基的芳族环，并且所述取代基选自H、C₁至C₁₈烷基和C₁至C₁₈烷氧基，并且A¹和/或A²的至少一个芳族环与所述环系K2或所述环系K1环合；

A³具有式Ia，其具有环系L1，或

具有式Ib，其具有环系L2，或

具有式Ic，或

具有式Id，或

具有式Ie：

R¹、R²独立地选自未被取代或被取代的C₆至C₂₄芳基和C₁至C₁₈烷基，并且所述取代基独立地选自H、C₁至C₁₈烷基和C₁至C₁₈烷氧基；

R³选自未被取代或被取代的C₆至C₂₄芳基，并且所述取代基独立地选自H、C₁至C₁₈烷基和C₁至C₁₈烷氧基；

R⁴、R⁵、R⁶和R⁷独立地选自H、未被取代或被取代的C₆至C₂₄芳基和未被取代或被取代的吡啶基，并且所述取代基独立地选自H、C₁至C₁₈烷基和C₁至C₁₈烷氧基；

A⁴至A¹²独立地选自未被取代或被取代的C₆至C₂₄芳基和未被取代或被取代的吡啶基，并且所述取代基独立地选自H、C₁至C₁₈烷基和C₁至C₁₈烷氧基；

其中

A⁵和/或A⁶中的至少一个与所述环系L1环合；

其中

A⁷和/或A⁸和/或A⁹中的至少一个与所述环系L2环合；并且

其中

A³的式Ia至Ie在用“*”标记的位置经由单键连接。

根据另一方面，提供了式I的吖啶化合物，其具有环系K1和K2：

其中

n为0、1或2；

A¹和A²独立地选自H或未被取代或被取代的苯亚基的芳族环，并且所述取代基选自H、C₁至C₁₈烷基和C₁至C₁₈烷氧基，并且A¹和/或A²的至少一个芳族环与所述环系K2或所述环系K1环合；

A³具有式Ia，其具有环系L1，或

具有式Ib，其具有环系L2，或

具有式Ic：

R¹、R²独立地选自未被取代或被取代的C₆至C₂₄芳基和C₁至C₁₈烷基，并且所述取代基独立地选自H、C₁至C₁₈烷基和C₁至C₁₈烷氧基；

R³选自未被取代或被取代的C₆至C₂₄芳基，并且所述取代基独立地选自H、C₁至C₁₈烷基和C₁至C₁₈烷氧基；

A⁴至A⁹独立地选自未被取代或被取代的C₆至C₂₄芳基和未被取代或被取代的吡啶基，并且所述取代基独立地选自H、C₁至C₁₈烷基和C₁至C₁₈烷氧基；

其中

A⁵和/或A⁶中的至少一个与所述环系L1环合；

其中

A⁷和/或A⁸和/或A⁹中的至少一个与所述环系L2环合；并且

其中

A³的式Ia至Ic在用“*”标记的位置经由单键连接。

根据另一方面，提供了结构式I的吖啶化合物，其具有环系K1和K2：

其中

n为0、1、2；

A¹和A²独立地选自H或未被取代或被取代的苯亚基的芳族环，并且所述取代基选自H、C₁至C₁₈烷基和C₁至C₁₈烷氧基，并且A¹和/或A²的至少一个芳族环与所述环系K2或所述环系K1环合；

A³具有式Id，或具有式Ie：

R⁴、R⁵、R⁶和R⁷独立地选自H、未被取代或被取代的C₆至C₂₄芳基和未被取代或被取代的吡啶基，并且所述取代基独立地选自H、C₁至C₁₈烷基和C₁至C₁₈烷氧基；

A¹⁰至A¹²独立地选自未被取代或被取代的C₆至C₂₄芳基和未被取代或被取代的吡啶基，并且所述取代基独立地选自H、C₁至C₁₈烷基和C₁至C₁₈烷氧基；

其中

A³的式Id和Ie在用“*”标记的位置经由单键连接。

根据另一方面，A³可具有式Ia：

根据另一方面，A³可具有式Ib：

根据另一方面，A³可具有式Ic：

根据另一方面，A³可具有式Id：

根据另一方面，A³可具有式Ie：

根据另一方面，A³可具有式If：

然而，式Ia至Ie的取代基是更优选的。式If的取代基是不太优选的。

根据另一方面，提供了结构式I的吖啶化合物，其具有环系K1和K2：

其中

n为0、1、2；

A¹和A²独立地选自H或未被取代或被取代的苯亚基、优选未被取代的苯亚基的芳族环，并且所述取代基选自H、C₁至C₁₈烷基和C₁至C₁₈烷氧基，并且A¹和/或A²的苯亚基与所述环系K2或所述环系K1环合；

A³具有式Ia，其具有环系L1，或

具有式Ib，其具有环系L2，或

具有式Ic，或

具有式Id，或

具有式Ie：

R¹、R²独立地选自未被取代或被取代的C₆至C₁₈芳基和C₁至C₁₂烷基，并且所述取代基独立地选自H、C₁至C₁₂烷基和C₁至C₁₂烷氧基；

R³选自未被取代或被取代的C₆至C₁₈芳基，并且所述取代基独立地选自H、C₁至C₁₂烷基和C₁至C₁₂烷氧基；

R⁴、R⁵、R⁶和R⁷独立地选自H、未被取代或被取代的C₆至C₁₈芳基和未被取代或被取代的吡啶基，并且所述取代基独立地选自H、C₁至C₁₂烷基和C₁至C₁₂烷氧基；

A⁴至A¹²独立地选自未被取代或被取代的C₆至C₁₈芳基和未被取代或被取代的吡啶基，并且所述取代基独立地选自H、C₁至C₁₂烷基和C₁至C₁₂烷氧基；

其中

A⁵和/或A⁶中的至少一个与所述环系L1环合；

其中

A⁷和/或A⁸和/或A⁹中的至少一个与所述环系L2环合；并且

其中

A³的式Ia至Ie在用“*”标记的位置经由单键连接。

根据另一方面，提供了一种吖啶化合物，其中

对于式I

n为0、1或2，优选为0或1；

A¹和A²独立地选自H和或未被取代或被取代的苯亚基的芳族环，并且A¹和/或A²的苯亚基与所述环系K2或所述环系K1环合；

A³具有选自Ia、Ib、Ic、Id、Ie、If的式或优选选自Ia、Ib、Ic、Id或Ie的式；

其中对于式Ia：

A⁴、A⁵和A⁶独立地选自未被取代或被取代的C₆至C₁₈芳基，并且所述取代基独立地选自H、C₁至C₁₂烷基和C₁至C₁₂烷氧基；

其中对于式Ib：

A⁷、A⁸和A⁹独立地选自未被取代或被取代的C₆至C₁₈芳基，并且所述取代基独立地选自H、C₁至C₁₂烷基和C₁至C₁₂烷氧基；

其中对于式Ic：

R¹、R²独立地选自未被取代或被取代的C₆至C₁₈芳基和C₁至C₁₈烷基，并且所述取代基独立地选自H、C₁至C₁₂烷基和C₁至C₁₂烷氧基；

R³选自未被取代或被取代的C₆至C₁₈芳基，并且所述取代基独立地选自H、C₁至C₁₂烷基和C₁至C₁₂烷氧基；

其中对于式Id、Ie和If：

R⁴、R⁵、R⁶和R⁷独立地选自H、未被取代或被取代的C₆至C₁₈芳基和未被取代或被取代的吡啶基，并且所述取代基独立地选自H、C₁至C₁₂烷基和C₁至C₁₂烷氧基，并且

A¹⁰、A¹¹、A¹²独立地选自未被取代或被取代的C₆至C₂₄芳基和未被取代或被取代的吡啶基，并且所述取代基独立地选自H、C₁至C₁₈烷基和C₁至C₁₈烷氧基。

根据另一方面，提供了一种吖啶化合物，其中

对于式I

n为0或1，优选为1；

A¹和A²独立地选自H和或未被取代或被取代的苯亚基的芳族环，并且A¹和/或A²的苯亚基与所述环系K2或所述环系K1环合；

A³具有选自Ia、Ib、Ic、Id、Ie、If的式或优选选自Ia、Ib、Ic、Id或Ie的式；

其中对于式Ia：

A⁴、A⁵和A⁶独立地选自未被取代或被取代的C₆至C₁₈芳基，并且所述取代基独立地选自H、C₁至C₁₂烷基和C₁至C₁₂烷氧基；

其中对于式Ib：

A⁷、A⁸和A⁹独立地选自未被取代或被取代的C₆至C₁₈芳基，并且所述取代基独立地选自H、C₁至C₁₂烷基和C₁至C₁₂烷氧基；

其中对于式Ic：

R¹、R²独立地选自未被取代或被取代的C₆至C₁₈芳基和C₁至C₁₈烷基，并且所述取代基独立地选自H、C₁至C₁₂烷基和C₁至C₁₂烷氧基；

R³选自未被取代或被取代的C₆至C₁₈芳基，并且所述取代基独立地选自H、C₁至C₁₂烷基和C₁至C₁₂烷氧基；

其中对于式Id、Ie和/或If：

R⁴、R⁵、R⁶和R⁷独立地选自H、未被取代或被取代的C₆至C₁₈芳基和未被取代或被取代的吡啶基，并且所述取代基独立地选自H、C₁至C₁₂烷基和C₁至C₁₂烷氧基，并且

A¹⁰、A¹¹、A¹²独立地选自未被取代或被取代的C₆至C₂₄芳基和未被取代或被取代的吡啶基，并且所述取代基独立地选自H、C₁至C₁₈烷基和C₁至C₁₈烷氧基。

根据另一方面，提供了一种吖啶化合物，其中

对于式I

n为0、1或2，优选为1或2；

A¹和A²独立地选自H或未被取代的苯亚基，优选未被取代的苯亚基，并且A¹和/或A²的未被取代的苯亚基与所述环系K2或所述环系K1环合；

A³具有选自Ia、Ib、Ic、Id、Ie、If的式或优选选自Ia、Ib、Ic、Id或Ie的式；

其中对于式Ia：

A⁴、A⁵和A⁶独立地选自未被取代的C₆至C₁₈芳基；

其中对于式Ib：

A⁷、A⁸和A⁹独立地选自未被取代的C₆至C₁₈芳基；

其中对于式Ic：

R¹、R²独立地选自未被取代的C₆至C₁₈芳基；

R³选自未被取代的C₆至C₁₈芳基；

其中对于式Id和Ie：

R⁴、R⁵、R⁶和R⁷独立地选自H、未被取代的C₆至C₁₈芳基和未被取代的吡啶基，并且

A¹⁰、A¹¹、A¹²独立地选自未被取代的C₆至C₂₄芳基和未被取代的吡啶基。

根据另一方面，提供了一种吖啶化合物，其中

对于式I

n为0或1，优选为1；

A¹和A²独立地选自H和苯亚基，并且A¹和/或A²的苯亚基与所述环系K2或所述环系K1环合；

A³具有结构式Ia、Ib、Ic、Id、Ie、If或优选选自Ia、Ib、Ic、Id或Ie；

其中对于式Ia：

A⁴、A⁵和A⁶独立地选自未被取代的C₆至C₁₈芳基；

其中对于式Ib：

A⁷、A⁸和A⁹独立地选自未被取代的C₆至C₁₈芳基；

其中对于式Ic：

R¹、R²独立地选自未被取代的C₆至C₁₈芳基和C₁至C₁₈烷基；

R³选自未被取代的C₆至C₁₈芳基；

其中对于式Id、Ie和/或If：

R⁴、R⁵、R⁶和R⁷独立地选自H、未被取代的C₆至C₁₈芳基，

A¹⁰、A¹¹和A¹²独立地选自未被取代的C₆至C₁₈芳基。

根据另一方面，提供了一种吖啶化合物，其中

对于式I

n为1或2，优选为1；

A¹和A²独立地选自H和苯亚基，并且A¹和/或A²的苯亚基与所述环系K2或所述环系K1环合；

A³具有结构式Ia、Ib、Ic、Id、Ie、If或优选选自Ia、Ib、Ic、Id或Ie；

其中对于式Ia：

A⁴、A⁵和A⁶独立地选自未被取代的C₆至C₁₂芳基；

其中对于式Ib:

A⁷、A⁸和A⁹独立地选自未被取代的C₆至C₁₂芳基；

其中对于式Ic：

R¹、R²独立地选自未被取代的C₆至C₁₂芳基和C₁至C₁₂烷基；

R³选自未被取代的C₆至C₁₂芳基；

其中对于式Ia、Ib、Ic、Id、Ie或If，优选地Ia、Ib、Ic、Id或Ie：

R⁴、R⁵、R⁶和R⁷独立地选自H、未被取代的C₆至C₁₂芳基，

A¹⁰、A¹¹和A¹²独立地选自未被取代的C₆至C₁₂芳基。

根据另一方面，提供了一种吖啶化合物，其中

对于式I

n为1或2，优选为1；

A¹和A²独立地选自H和苯亚基，并且A¹和/或A²的苯亚基与所述环系K2或所述环系K1环合；

A³具有结构式Ia、Ib、Ic、Id、Ie、If或优选选自Ia、Ib、Ic、Id或Ie；

其中对于式Ia：

A⁴、A⁵和A⁶独立地选自H或未被取代的C₆芳基；

其中对于式Ib：

A⁷、A⁸和A⁹独立地选自H或未被取代的C₆芳基；

其中对于式Ic：

R¹、R²、R³独立地选自H或未被取代的C₆芳基；

其中对于式Ia、Ib、Ic、Id、Ie或If，优选对于式Ia、Ib、Ic、Id或Ie：

R⁴、R⁵、R⁶和R⁷独立地选自H或未被取代的C₆芳基，

A¹⁰、A¹¹和A¹²是未被取代的C₆芳基。

根据一个实施方式，所述吖啶化合物可选自具有化学式F1至F5的化合物：

根据另一方面，所述吖啶化合物可选自具有化学式F1至F2的化合物：

根据另一方面，所述吖啶化合物可选自具有化学式F3至F5的化合物：

根据另一方面，所述吖啶化合物可选自具有化学式D1至D16的化合物：

根据另一方面，所述吖啶化合物可选自具有化学式D1至D14的化合物。

根据另一方面，所述吖啶化合物可选自具有化学式D15或D16的化合物。

根据另一个实施方式，提供一种半导体层。

根据一个实施方式，所述半导体层可包含至少一种式I化合物或由至少一种式I化合物组成，优选地包含至少一种本发明的式D1至D16的吖啶化合物或由至少一种本发明的式D1至D16的吖啶化合物组成。

包含式I的吖啶化合物或由式I的吖啶化合物组成，优选地包含至少一种式D1至D16的吖啶化合物或由至少一种式D1至D16的吖啶化合物组成的半导体层基本上不发光。

根据另一个实施方式，所述半导体层是有机半导体层。

根据另一个实施方式，所述半导体层是电子传输层。

根据另一个实施方式，所述半导体层另外包含至少一种碱金属卤化物或碱金属有机络合物。

根据另一个实施方式，提供了一种电子器件，其包括至少一个包含式I化合物的半导体层。

根据另一个实施方式，提供了一种半导体器件，其包括至少一个根据本发明的半导体层。

所述电子器件可以是有机电子器件。

根据一个实施方式，所述电子器件(其可以优选是OLED)可包括包含式I的吖啶化合物或由式I的吖啶化合物组成、或优选地包含至少一种式D1至D16的吖啶化合物或由至少一种式D1至D16的吖啶化合物组成的层。

根据另一个实施方式，所述电子器件包括至少一个半导体层，所述半导体层包含式I的吖啶化合物或由式I的吖啶化合物组成，优选地所述半导体层包含至少一种式D1至D16的吖啶化合物或由至少一种式D1至D16的吖啶化合物组成。

根据另一个实施方式，所述电子器件包括至少一个半导体层，所述半导体层包含式I的吖啶化合物或由式I的吖啶化合物组成，优选地所述半导体层包含至少一种式D1至D16的吖啶化合物或由至少一种式D1至D16的吖啶化合物组成，并且另外包含碱金属卤化物和/或碱金属有机络合物。

所述半导体层可以是有机半导体层。

根据另一个实施方式，所述电子器件包括至少一个半导体层，其中所述半导体层包含式I的吖啶化合物或由式I的吖啶化合物组成，优选地所述半导体层包含至少一种式D1至D16的吖啶化合物或由至少一种式D1至D16的吖啶化合物组成，其中所述半导体层是第一电子传输层。

根据另一个实施方式，所述电子器件可以是OLED，其包括至少一个半导体层，其中所述半导体层可以是包含式I化合物或优选至少一种式D1至D16或D1至D14的吖啶化合物的电子传输层。

根据另一个实施方式，所述至少一个电子传输层可另外包含碱金属卤化物和/或碱金属有机络合物.

根据另一个实施方式，所述电子器件包括至少一个半导体层，其为第一电子传输层。

根据另一个实施方式，所述电子器件，其优选为OLED，包括至少一个第一电子传输层、发光层、阳极电极(阳极层)和阴极电极(阴极层)，其中所述电子传输层包含至少一种式I化合物，或优选至少一种式D1至D16或D1至D14的吖啶化合物，并且所述第一电子传输层布置在所述发光层与所述阴极电极之间。

措词“阳极电极”或“阳极层”具有相同的含义。

措词“阴极电极”或“阴极层”具有相同的含义。

优选地，至少一个电子传输层布置在发光层与阴极之间，并且基本上不发光。

优选地，至少一个电子传输层布置在发光层与阴极之间并且基本上不发光，其中电子传输层、发光层和阴极的组分和/或组成可以不同，优选其组分不同。

根据另一个实施方式，包含式I化合物或优选至少一种式D1至D16或D1至D14的吖啶化合物的电子传输层，优选第一电子传输层，与阴极电极直接接触。

根据另一个实施方式，包含式I化合物或优选至少一种式D1至D16或D1至D14的吖啶化合物的电子传输层，优选第一电子传输层，与发光层直接接触。

根据另一个实施方式，所述电子传输层包含式I化合物或优选至少一种式D1至D16或D1至D14的吖啶化合物。

根据另一个实施方式，所述第一电子传输层包含式I化合物或优选至少一种式D1至D16或D1至D14的吖啶化合物。

根据另一个实施方式，所述第一电子传输层包含式I化合物或优选至少一种式D1至D16或D1至D14的吖啶化合物，并且所述第一电子传输层与第二电子传输层直接接触。

根据另一个实施方式，包含式I化合物或优选至少一种式D1至D16或D1至D14的吖啶化合物的电子传输层，优选第一电子传输层，与电子注入层直接接触。

根据另一个实施方式，包含式I化合物或优选至少一种式D1至D16或D1至D14的吖啶化合物的电子传输层，优选第一电子传输层，被接触夹在电子传输层与电子注入层之间。

根据另一个实施方式，包含式I化合物或优选至少一种式D1至D16或D1至D14的吖啶化合物的电子传输层，优选第一电子传输层，被接触夹在电子传输层与电子注入层之间，并且所述半导体器件还包含碱金属卤化物或碱金属有机络合物。

根据另一个实施方式，包含式I化合物或优选至少一种式D1至D16或D1至D14的吖啶化合物的第一电子传输层接触夹在第二电子传输层与阴极电极之间。

根据另一个实施方式，包含式I化合物或优选至少一种式D1至D16或D1至D14的吖啶化合物的第一电子传输层被接触夹在第二电子传输层与阴极电极之间，并且所述半导体器件还包含碱金属卤化物或碱金属有机络合物。

根据另一个实施方式，所述电子器件可以是发光二极管、薄膜晶体管、电池或光伏电池，优选是发光器件。

根据另一个实施方式，所述有机电子器件可以是有机发光二极管、有机薄膜晶体管、有机电池或有机光伏电池，优选是有机发光器件。

根据另一个实施方式，所述电子器件可以是有机电致发光器件。

根据另一个实施方式，所述电子器件可以是显示装置。

根据另一个实施方式，所述显示装置可以是有机显示装置。

由式I表示的化合物，或优选至少一种式D1至D16或D1至D14的吖啶化合物，可以是发光层或电子传输层或空穴注入层的主体材料。

通过包括包含用于有机光电器件的化合物的有机层，所述半导体器件可以实现低驱动电压、高效率、高亮度和长寿命。

根据另一个实施方式，提供了一种器件的制造方法。

有利效果

令人惊奇的是，发现式I的化合物和本发明的电子器件通过优于本领域已知的有机电致发光器件和化合物，特别是在玻璃化转变温度、寿命和cd/A效率方面，解决了本发明的潜在问题。

用于有机电子器件的二苯并吖啶化合物的耐久性和性能，例如作为电子传输层的基质材料或作为发光层的基质材料，对于这些层的稳定性是重要的，特别是在有机电子器件的层叠结构中与其它层组合时。本发明人发现的这种稳定性情形下的重要参数是层材料的玻璃化转变温度(Tg)。Tg通常不会足够高，以使得在一段时间内和在高温下操作时具有足够的层稳定性。通过改变分子结构来增加层材料的Tg可能伴随着层的电荷传输特性的劣化，并且可能导致器件性能和寿命的降低。

高玻璃化转变温度对于改善由式I化合物形成的层的热稳定性、从而改善了电子器件的热稳定性而言是重要的。高cd/A效率对于高效率是重要的，从而增加了移动装置(例如移动显示装置)的电池寿命。

本发明人惊奇地发现，式I的吖啶化合物具有显著更高的Tg(玻璃化转变温度)。

由于取代基Ia、Ib、Ic、Id、Ie和If中的sp³杂化碳原子(sp³杂化碳原子＝X)，本发明的式I化合物具有增加的Tg(玻璃化转变温度)。

然而，更优选具有取代基Ia、Ib、Ic、Id和/或Ie的式I化合物。

令人惊奇的是，这种分子结构显然不会妨碍材料的电子传输特性。结果，OLED器件的电流效率和寿命显著增强。

包括包含式1化合物作为未掺杂或掺杂的ETL的层的其它OLED显示出电流效率(Ceff)和寿命的增加，这也是出乎意料的。

本发明人惊奇地发现，当使用有机电致发光器件作为荧光蓝色器件时，可以实现特别好的性能。

发现本文提及的优选的特定配置是特别有利的。

同样地，令人惊奇地发现，落入本发明最宽泛定义范围内的一些化合物在所提及的cd/A效率特性方面表现特别好。这些化合物在本文中经讨论是特别优选的。

此外，可以实现具有高效率、长寿命的有机光电器件。

在下文中，描述了根据一个实施方式的用于有机光电器件的化合物。

根据一个实施方式的用于有机光电器件的化合物由本发明的式I表示。

具有吖啶结构元素和式Ia至If、优选Ia至Ie的取代基的式I的本发明化合物可以有助于注入或传输空穴或提高化合物的玻璃化转变温度，由于抑制分子间相互作用，因此可以提高发光效率，并且所述化合物可具有相对于分子量的低沉积温度。

不受特定理论的束缚，假设当由式I表示的用于有机光电器件的化合物形成膜时，由于与具有芳族基团的其它吖啶化合物相比，经由具有更优选结构的sp³杂化碳原子连接的吖啶结构元素和芳基基团的有利堆积，所述化合物可促进器件中电子的注入和传输。换句话说，由于式Ia至If、优选Ia至Ie的取代基的sp³杂化碳原子，所述式I的吖啶化合物变得体积更大并且包含所述式I的吖啶化合物的层变得更加无定形。因此，当由式I表示的用于有机光电器件的化合物特别用于形成电子传输层、电子注入层或电子注入辅助层时，所述化合物可由于优异的电子传输特性而降低器件的驱动电压，并且由于电子良好地注入发光层而提高发光效率。

由式I表示的用于有机光电器件的化合物可包括至少4至约15个、优选至少5至约8个被取代或未被取代的C₆至C₁₈芳基基团。当式I化合物可包括至少4至约15个、优选至少5至约8个被取代或未被取代的C₆至C₁₈芳基基团时，获得特别好的性能特性。

由式I表示的吖啶化合物可具有≥350至≤850g/mol并且优选≥400至≤830g/mol的分子量(Mw)。如果在该范围内选择式I的分子量，则在观察到良好的长期稳定性的温度下，在真空中可以实现特别可再现的蒸发和沉积。

另外，可以在有机光电器件中使用的化合物可优选地由式D1至D16之一表示。

式I化合物、优选式D1至D16的化合物中的一种或多种，可用于有机光电器件。

根据另一方面，式I化合物、优选式D1至D16的化合物，可具有选自≥100至≤200℃、优选≥120至≤200℃、还优选≥140至≤200℃的玻璃化转变温度(Tg)。

如在2010年3月公布的DIN EN ISO 11357中描述的，在Mettler Toledo DSC 822e差示扫描量热计中，在氮气下并使用10K/min的加热速率测量玻璃化转变温度。

优选地，式I化合物、优选式D1至D16的化合物，基本上不发光。

在本说明书的上下文中，术语“基本上不发光”是指化合物或层对来自器件的可见发光光谱的贡献相对于可见发光光谱小于10％，优选小于5％。可见发光光谱是波长为约≥380nm至约≤780nm的发光光谱。

优选地，式I化合物的偶极矩可选择为≥0至≤2.8德拜。当式I化合物、优选式D1至D16的化合物在该范围内选择时，获得特别好的性能。

含有N原子的分子的偶极矩由下式给出：

其中q_i和是分子中的原子i的部分电荷和位置。

所述偶极矩由半经验分子轨道方法确定。

使用如在程序包TURBOMOLE V6.5中实施的，使用Becke和Perdew BP的DFT泛函与def-SV(P)基组或杂化泛函B3LYP与def2-TZVP基组来获得部分电荷和原子位置。如果多于一种构象是可行的，则选择具有最低总能量的构象以确定偶极矩。

根据另一方面，式I化合物、优选式D1至D16的化合物的还原电位可以选择为相对于四氢呋喃中的Fc/Fc⁺比-2.1V更负但没有-2.35V这么负。

在室温下，通过循环伏安法用恒电位装置Metrohm PGSTAT30和软件MetrohmAutolab GPES测定还原电位。在氩气气氛下，利用铂工作电极之间的0.1M六氟磷酸四丁基铵支持电解质和利用Ag/AgCl伪标准电极(Metrohm银棒电极)(其由氯化银覆盖的银线组成并直接浸入测量溶液中)，在扫描速率100mV/s下，在氩气脱气的测试物质的0.1M THF无水溶液中测量在特定化合物下给出的氧化还原电位。第一次操作是在工作电极上设定的最宽电位范围内进行的，然后适当地在随后操作中调整范围。最后三次操作是通过加入二茂铁(0.1M浓度)作为标准进行的。对应于所研究化合物的阴极和阳极峰的电位的平均值，在减去关于标准Fc⁺/Fc氧化还原对观测到的阴极和阳极电位的平均值之后，最终得到上面报道的值。所有研究的化合物以及报道的对比化合物都显示出明确的可逆电化学行为。

进一步更详细地描述本发明。

电子传输区域/电子传输层

有机层的叠层结构的电子传输区域可以设置在发光层上。

有机层的叠层结构的电子传输区域至少包括第一电子传输层(第一ETL)和任选的第二电子传输层(第二ETL)。

第一电子传输层(第一ETL)布置得更靠近阴极，并且任选的第二电子传输层(第二ETL)布置得更靠近阳极。

根据一个实施方式，提供了一种电子传输层，其中所述电子传输层包含至少一种本发明的式I化合物，优选式D1至D16的化合物。优选地，至少一个第一电子传输层可包含至少一种本发明的式I化合物，优选式D1至D16的化合物。

根据另一个实施方式，提供了一种半导体器件，优选地是OLED，其包括电子传输层，其中所述电子传输层包含至少一种本发明的式I化合物，优选式D1至D16的化合物。

根据另一个实施方式，提供了一种半导体器件，优选地是OLED，其包括至少两个电子传输层，其中第一电子传输层(第一ETL)包含至少一种本发明的式I化合物，优选式D1至D16的化合物。

根据一个实施方式，提供了一种半导体器件，优选地是OLED，其包括至少两个电子传输层，其中第一电子传输层(第一ETL)包含至少一种本发明的式I化合物，优选式D1至D16的化合物，并且第二电子传输层(第二ETL)包含至少一种本发明的式I化合物，优选式D1至D16的化合物。

根据一个实施方式，提供了一种半导体器件，优选地是OLED，其包括至少两个电子传输层，其中第一电子传输层(第一ETL)包含至少一种本发明的式I化合物，或优选至少一种式D1至D16的吖啶化合物，并且第二电子传输层(第二ETL)包含至少一种本发明的式I化合物，或优选至少一种式D1至D16的吖啶化合物，其中第一电子传输层(第一ETL)的式I化合物或优选至少一种式D1至D16的吖啶化合物与第二电子传输层(第二ETL)的化合物相同或不同。

根据一个实施方式，提供了一种半导体器件，优选地是OLED，其包括至少两个电子传输层，其中第一电子传输层(第一ETL)包含至少一种本发明的式I化合物，或优选至少一种式D1至D16的吖啶化合物，并且第二电子传输层(第二ETL)包含至少一种本发明的式I化合物，其中第一电子传输层(第一ETL)的式I化合物不同于第二电子传输层(第二ETL)的化合物。

根据另一个实施方式，第一电子传输层(第一ETL)和/或第二电子传输层(第二ETL)另外包含至少一种碱金属卤化物或碱金属有机络合物。

根据一个实施方式，提供了一种半导体器件，优选地是OLED，其包括至少两个电子传输层，其中第一电子传输层(第一ETL)包含至少一种本发明的式I化合物，或优选至少一种式D1至D16的吖啶化合物，以及另外至少一种碱金属卤化物或碱金属有机络合物；第二电子传输层(第二ETL)包含至少一种本发明的式I化合物以及另外至少一种碱金属卤化物或碱金属有机络合物，其中第一电子传输层(第一ETL)的式I化合物与第二电子传输层(第二ETL)的式I化合物相同或不同；并且其中第一电子传输层(第一ETL)的至少一种碱金属卤化物或碱金属有机络合物与第二电子传输层(第二ETL)的至少一种碱金属卤化物或碱金属有机络合物相同或不同。

第一电子传输层和第二电子传输层的组成和/或层厚度可以不同。

根据一个实施方式，提供了一种半导体器件，优选地是OLED，其包括至少两个电子传输层，其中第一电子传输层(第一ETL)包含至少一种本发明的式I化合物，或优选至少一种式D1至D16的吖啶化合物，以及另外至少一种碱金属卤化物或碱金属有机络合物；并且第二电子传输层(第二ETL)包含至少一种本发明的式I化合物以及另外至少一种碱金属卤化物或碱金属有机络合物，其中第一电子传输层(第一ETL)的式I化合物与第二电子传输层(第二ETL)的式I化合物不同；并且其中第一电子传输层(第一ETL)的至少一种碱金属卤化物或碱金属有机络合物与第二电子传输层(第二ETL)的至少一种碱金属卤化物或碱金属有机络合物不同。

根据一个实施方式，提供了一种半导体器件，优选地为OLED，其包括至少两个电子传输层，其中第一电子传输层(第一ETL)包含至少一种本发明的式I化合物，或优选至少一种式D1至D16的吖啶化合物或优选至少一种式D1至D146的吖啶化合物，以及另外至少一种碱金属卤化物或碱金属有机络合物；并且第二电子传输层(第二ETL)包含至少一种式I化合物并且不含碱金属卤化物或碱金属有机络合物，其中第一电子传输层(第一ETL)的式I化合物与第二电子传输层(第二ETL)的式I化合物相同或不同，优选不同。

根据一个实施方式，提供了一种半导体器件，优选地是OLED，其包括至少两个电子传输层，其中第一电子传输层(第一ETL)包含至少一种本发明的式I化合物以及另外至少一种碱金属卤化物或碱金属有机络合物；并且第二电子传输层(第二ETL)不包含至少一种式I化合物并且不含碱金属卤化物或碱金属有机络合物。

有机层的叠层结构的电子传输区域还可包括电子注入层。

例如，有机层的叠层结构的电子传输区域可具有电子注入层/第一电子传输层(第一ETL)或者作为替代电子注入层/第一电子传输层(第一ETL)/第二电子传输层(第二ETL)的结构，但不限于此。例如，根据一个实施方式，本发明的有机发光二极管包括至少一个电子传输层，并且在这种情况下，所述电子传输层包含式I化合物，或优选至少一种式D1至D16的吖啶化合物。

在另一个实施方式中，有机发光二极管可包括在有机层的叠层结构的电子传输区域中的至少两个电子传输层，并且在这种情况下，与发光层接触的电子传输层被定义为第二电子传输层(第二ETL)。

电子传输层可包括一种或两种或更多种不同的电子传输基质化合物。

第一电子传输层(第一ETL)的厚度可以为约2nm至约100nm，例如约3nm至约30nm。当第一电子传输层(第一ETL)的厚度在这些范围内时，第一电子传输层(第一ETL)可在不会显著增加驱动电压的情况下具有改善的电子传输辅助能力。

任选的第二电子传输层(第二ETL)的厚度可以是约0nm至约100nm，例如约5nm至约20nm。当电子传输层的厚度在这些范围内时，电子传输层可在不会显著增加驱动电压的情况下具有令人满意的电子传输能力。

碱金属卤化物

碱金属卤化物是具有化学式MX的无机化合物家族，其中M是碱金属并且X是卤素。

M可选自Li、Na、钾、铷和铯。

X可选自F、Cl、Br和I。

根据本发明的多种实施方式，卤化锂可以是优选的。卤化锂可选自LiF、LiCl、LiBr和LiI。然而，最优选的是LiF。

使用的碱金属卤化物基本上不发光。

碱金属有机络合物

根据本发明的多种实施方式，碱金属有机络合物的有机配体可以是喹啉盐。

使用的碱金属有机络合物基本上不发光。

根据本发明的多种实施方式，碱金属有机络合物的有机配体，优选锂有机络合物，可以是喹啉盐。

优选地，锂有机络合物是式III、IV或V的锂有机络合物：

其中

A1至A6相同或独立地选自CH、CR、N、O；

R相同或独立地选自氢，卤素，具有1至20个碳原子的烷基或芳基或杂芳基；并且更优选的A1至A6是CH。

可以合适使用的喹啉盐公开在WO 2013079217A1中，并通过引用并入。

根据本发明的多种实施方式，有机锂络合物的有机配体可以是基于硼酸盐的有机配体。优选地锂有机络合物是四(1H-吡唑-1-基)硼酸锂。可以合适使用的基于硼酸盐的有机配体公开在WO 2013079676A1中，并通过引用并入。

根据本发明的多种实施方式，锂有机络合物的有机配体可以是酚盐配体。优选地锂有机络合物是2-(二苯基磷酰基)苯酚锂。可以合适使用的酚盐配体公开在WO2013079678A1中，并通过引用并入。

此外，酚盐配体可选自吡啶酚盐，优选2-(二苯基磷酰基)吡啶-3-醇盐。可以合适使用的吡啶酚盐配体公开在JP 2008195623中，并通过引用并入。

此外，酚盐配体可选自咪唑酚盐，优选2-(1-苯基-1H-苯并[d]咪唑-2-基)苯酚盐。可以合适使用的咪唑酚盐配体公开在JP 2001291593中，并通过引用并入。

此外，酚盐配体可选自唑酚盐，优选2-(苯并[d]唑-2-基)苯酚盐。可以合适使用的唑酚盐配体公开在US 20030165711中，并通过引用并入。

可以使用锂席夫碱有机络合物。可以合适使用的锂席夫碱有机络合物具有结构100、101、102或103：

根据本发明的多种实施方式，锂有机络合物的有机配体是喹啉盐、硼酸盐、酚盐、吡啶酚盐或席夫碱配体；

-优选具有式III、IV或V的喹啉锂络合物：

其中

A1至A6相同或独立地选自CH、CR、N、O；

R相同或独立地选自氢，卤素，具有1至20个碳原子的烷基或芳基或杂芳基；并且更优选的A1至A6为CH；

-优选地基于硼酸盐的有机配体是四(1H-吡唑-1-基)硼酸盐；

-优选地酚盐是2-(吡啶-2-基)苯酚盐、2-(二苯基磷酰基)苯酚盐、咪唑酚盐或2-(吡啶-2-基)苯酚盐，并且更优选2-(1-苯基-1H-苯并[d]咪唑-2-基)苯酚盐；

-优选地吡啶酚盐是2-(二苯基磷酰基)吡啶-3-醇盐，

-优选地锂席夫碱具有结构100、101、102或103：

根据本发明的多种实施方式，第一电子传输层和/或第二电子传输层，优选地第一电子传输层，可包含至少一种本发明的式I化合物。

根据多种实施方式，第一电子传输层和/或第二电子传输层可另外包含基质化合物。

优选地，第一电子传输层包含至少一种本发明的式I化合物，并且第二电子传输层包含基质化合物，其选择为与本发明的式I化合物不同，并且可选自：

-基于蒽的化合物或基于杂取代蒽的化合物，优选2-(4-(9,10-二(萘-2-基)蒽-2-基)苯基)-1-苯基-1H-苯并[d]咪唑和/或N4,N4”-二(萘-1-基)-N4,N4”-二苯基-[1,1':4',1”-三联苯]-4,4”-二胺；

-基于氧化膦的化合物，优选(3-(二苯并[c,h]吖啶-7-基)苯基)二苯基氧化膦和/或苯基双(3-(芘-1-基)苯基)氧化膦和/或3-苯基-3H-苯并[b]二萘并[2,1-d:1',2'-f]磷杂环庚熳-3-氧化物；或

-被取代的菲咯啉化合物，优选2,4,7,9-四苯基-1,10-菲咯啉或2,9-二(联苯-4-基)-4,7-二苯基-1,10-菲咯啉。

OLED

根据本发明的OLED可包括阳极、空穴传输层(HTL)、发光层(EML)、包含至少一种本发明的式I化合物的第一电子传输层(ETL)和阴极，其依序层叠在基底上。在这方面，HTL、EML和ETL是由有机化合物形成的薄膜。

根据多种实施方式，所述OLED可以进一步包括至少一个选自空穴注入层(HIL)、空穴传输层、发光层和空穴阻挡层的层，其形成在第一阳极电极与第一电子传输层之间，其包含至少一种本发明的式I化合物。

根据一个实施方式，所述OLED可具有以下层结构，其中所述层具有以下顺序：

阳极，包含有机基质化合物和p型掺杂剂的空穴注入层，第一未掺杂空穴传输层，第二未掺杂空穴传输层，包含有机基质化合物和发光体掺杂剂的发光层，任选的第二未掺杂电子传输层，包含本发明的式I化合物和n型掺杂剂的第一电子传输层，包括电子注入层的中间层，和阴极。

根据一个实施方式，OLED可具有根据表1的以下层结构。

表1

OLED的层结构

阴极(透明)
	中间层(电子注入层)
掺杂的电子传输层＝本发明的式I:n型掺杂剂
	电子传输层(未掺杂)-任选的
发光层＝混合层主体:发光体掺杂剂
	空穴传输层(未掺杂)2
空穴传输层(未掺杂)1
	空穴注入层(HIL)＝混合层主体:p型掺杂剂
阳极

根据本发明的另一方面，提供了一种制造有机发光二极管(OLED)的方法，所述方法使用：

-至少一个沉积源，优选两个沉积源，并且更优选至少三个沉积源。

可以合适的沉积方法包括：

-通过真空热蒸发沉积；

-通过溶液处理沉积，优选所述处理选自旋涂、印刷、浇铸；和/或

-狭缝式模头挤出涂布。

根据本发明的多种实施方式，提供了一种方法，其使用：

-第一沉积源以释放本发明的式I化合物，和

-第二沉积源以释放碱金属卤化物或碱金属有机络合物，优选卤化锂或锂有机络合物；

所述方法包括形成电子传输层叠层结构的步骤；因此，对于有机发光二极管(OLED)：

-第一电子传输层是通过从第一沉积源释放本发明的式I化合物和从第二沉积源释放碱金属卤化物或碱金属有机络合物，优选卤化锂或锂有机络合物而形成。

根据本发明的多种实施方式，所述方法还可以包括在阳极电极上形成发光层，以及在阳极电极与第一电子传输层之间形成至少一个层，其选自形成空穴注入层、形成空穴传输层或形成空穴阻挡层。

根据本发明的多种实施方式，所述方法还可以包括形成有机发光二极管(OLED)的步骤，其中

-在基底上形成第一阳极电极，

-在所述第一阳极电极上形成发光层，

-在所述发光层上形成电子传输层叠层结构，优选地在所述发光层上形成第一电子传输层并且任选地形成第二电子传输层，

-最后形成阴极电极，

-任选的空穴注入层、空穴传输层和空穴阻挡层，依次形成在所述第一阳极电极与所述发光层之间，

-任选的电子注入层形成在所述电子传输层与所述阴极电极之间。

根据本发明的多种实施方式，所述方法还可以包括在第一电子传输层上形成电子注入层。然而，根据本发明的OLED的多种实施方式，所述OLED可以不包括电子注入层。

根据多种实施方式，所述OLED可具有以下层结构，其中所述层具有以下顺序：

阳极，第一空穴传输层，第二空穴传输层，发光层，任选的第二电子传输层，包含本发明的式I化合物的第一电子传输层，任选的包括电子注入层的中间层，和阴极。

氧化还原n型掺杂剂

氧化还原n型掺杂剂应被理解为是这样一种化合物，该化合物如果嵌入到电子传输或电子注入层中，则与相同物理条件下的纯基质相比，以包含氧化还原n型掺杂剂的层的电导率高于纯基质层的电导率的方式，来增加自由电子的浓度。

氧化还原n型掺杂剂在电致发光器件(例如OLED)的工作条件下不发光。在一种实施方式中，氧化还原n型掺杂剂选自电中性金属络合物和/或电中性有机基团。

n型掺杂剂强度的最实用基准是其氧化还原电位的值。就氧化还原电位的值可以为多大的负值而言，没有特别限制。

作为有机发光二极管中使用的常用电子传输基质的氧化还原电位，如果通过循环伏安法相对于二茂铁/二茂铁参比氧化还原对测量，则大致在约-1.8V至约-3.1V的范围内；对于n型掺杂剂，可以有效地对这些基质进行n型掺杂的氧化还原电位的实际上可应用范围在稍宽范围内，约-1.7V至约-3.3V。

氧化还原电位的测量实际上是针对由相同化合物的还原和氧化形式组成的相应氧化还原对进行的。在氧化还原n型掺杂剂是电中性金属络合物和/或电中性有机基团的情况下，其氧化还原电位的测量实际上是对由以下形成的氧化还原对进行的：

(i)电中性金属络合物及其通过从所述电中性金属络合物中提取一个电子而形成的阳离子基团，或

(ii)电中性有机基团及其通过从所述电中性有机基团中提取一个电子而形成的阳离子。

优选地，对于由以下组成的相应氧化还原对，如果通过循环伏安法相对于二茂铁/二茂铁参比氧化还原对测量，则电中性金属络合物和/或电中性有机基团的氧化还原电位值比-1.7V更负，优选比-1.9V更负，更优选比-2.1V更负，甚至更优选比-2.3V更负，最优选比-2.5V更负：

(i)电中性金属络合物及其通过从所述电中性金属络合物中提取一个电子而形成的阳离子基团，或

(ii)电中性有机基团及其通过从所述电中性有机基团中提取一个电子而形成的阳离子。

在一个优选的实施方式中，n型掺杂剂的氧化还原电位值在相比于所选择的电子传输基质的还原电位值更正约0.5V的值与更负约0.5V的值之间。

适合作为氧化还原n型掺杂剂的电中性金属络合物可以是例如呈低氧化态的一些过渡金属的强还原性络合物。特别强的氧化还原n型掺杂剂可以选自例如Cr(II)、Mo(II)和/或W(II)胍盐络合物如W₂(hpp)₄，如WO2005/086251中更详细描述的。

适合作为氧化还原n型掺杂剂的电中性有机基团可以是例如通过从其稳定的二聚体、低聚物或聚合物提供额外能量而产生的有机基团，如EP 1837926B1、WO2007/107306或WO2007/107356中更详细描述的。这种合适的基团的具体实例可以是二唑基基团、唑基基团和/或噻唑基基团。

元素金属应被理解为纯金属状态、金属合金状态、或游离原子或金属簇状态的金属。应理解，通过真空热蒸发从金属相(例如从纯净的大块金属)沉积的金属以其元素形式汽化。还应理解，如果汽化的元素金属与共价基质一起沉积，则金属原子和/或簇嵌入共价基质中。换句话说，应理解，通过真空热蒸发制备的任何金属掺杂的共价材料都含有至少部分呈其元素形式的金属。

对于在消费电子产品中的使用，可以适用仅含有稳定核素或具有非常长的放射性衰变半衰期的核素的金属。作为可接受的核稳定性水平，可以采用天然钾的核稳定性。

在一个实施方式中，n型掺杂剂选自正电性金属，所述正电性金属选自碱金属，碱土金属，稀土金属和第一过渡周期金属Ti、V、Cr和Mn。优选地，n型掺杂剂选自Li、Na、K、Rb、Cs、Mg、Ca、Sr、Ba、Sm、Eu、Tm、Yb；更优选地选自Li、Na、K、Rb、Cs、Mg和Yb，甚至更优选地选自Li、Na、Cs和Yb，最优选地选自Li、Na和Yb。

氧化还原掺杂剂可以基本上不发光。

空穴注入层

空穴注入层可以改善阳极与用于空穴传输层的有机材料之间的界面性质，并且可以施加在非平坦化的阳极上，从而可使阳极的表面平坦化。例如，空穴注入层可包括最高占据分子轨道(HOMO)的能级中值介于阳极材料的逸出功与空穴传输层的HOMO能级之间的材料，以为了调整阳极的逸出功与空穴传输层的HOMO能级之间的差异。

当空穴传输区域包括空穴注入层36时，空穴注入层可以通过多种方法例如真空沉积、旋涂、浇铸、Langmuir-Blodgett(LB)法等中的任何一种形成在阳极上。

当使用真空沉积形成空穴注入层时，真空沉积条件可根据用于形成空穴注入层的材料以及要形成的空穴注入层的期望结构和热性质而变化，并且例如，真空沉积可以在约100℃至约500℃的温度、约10^-6Pa至约10^-1Pa的压力和约0.1至约10nm/sec的沉积速率下进行，但沉积条件不限于此。

当使用旋涂形成空穴注入层时，涂覆条件可根据用于形成空穴注入层的材料以及要形成的空穴注入层的期望结构和热性质而变化。例如，涂覆速率可以在约2000rpm至约5000rpm的范围内，并且在涂覆后进行热处理以除去溶剂的温度可以在约80℃至约200℃的范围内，但涂覆条件不限于此。

空穴传输层

形成空穴传输层和电子阻挡层的条件可以基于上述空穴注入层的形成条件来限定。

电荷传输区域的空穴传输部分的厚度可为约10nm至约1000nm，例如约10nm至约100nm。当电荷传输区域的空穴传输部分包括空穴注入层和空穴传输层时，空穴注入层的厚度可为约10nm至约1000nm，例如约10nm至约100nm，并且空穴传输层的厚度可为约5nm至约200nm，例如约10nm至约150nm。当电荷传输区域的空穴传输部分、HIL和HTL的厚度在这些范围内时，可以在不会显著增加驱动电压的情况下获得令人满意的空穴传输特性。

用于空穴传输区域的空穴传输基质材料没有特别限制。优选的是包含至少6个离域电子的共轭体系的共价化合物，优选包含至少一个芳环的有机化合物，更优选包含至少两个芳环的有机化合物，甚至更优选包含至少三个芳环的有机化合物，最优选包含至少四个芳环的有机化合物。在空穴传输层中广泛使用的空穴传输基质材料的典型实例是多环芳族烃、三芳基胺化合物和杂环芳族化合物。在空穴传输区域的各个层中有用的空穴传输基质的前沿轨道能级的合适范围是众所周知的。就氧化还原对HTL基质/HTL基质的阳离子基团的氧化还原电位而言，优选值(如果通过循环伏安法相对于作为参比的二茂铁/二茂铁氧化还原对来测量)可以在0.0-1.0V的范围内，更优选在0.2-0.7V的范围内，甚至更优选在0.3-0.5V的范围内。

除了如上所述的材料之外，有机层的叠层结构的空穴传输区域还应包括p型电掺杂剂，其改善来自阳极的电导率和/或空穴注入。

p型电掺杂剂

电荷产生材料可以均匀地或不均匀地分散在第一空穴传输层中。

p型电掺杂剂可以是醌衍生物、轴烯化合物、金属氧化物和含氰基化合物中的一种，但不限于此。p型掺杂剂的非限制性实例是醌衍生物如四氰基醌二甲烷(TCNQ)、2,3,5,6-四氟-四氰基-1,4-苯醌二甲烷(F4-TCNQ)，轴烯化合物如PD-2等；金属氧化物如氧化钨、氧化钼等；以及含氰基化合物如以下化合物HT-D1。

缓冲层

电荷传输区域的空穴传输部分还可包括缓冲层。

可以合适使用的缓冲层公开在US6140763、US6614176和US2016/248022中。

缓冲层可以根据从EML发射的光的波长来补偿光的光学共振距离，因此可以提高效率。

发光层

可以通过使用真空沉积、旋涂、浇铸、LB法等在空穴传输区域上形成发光层(EML)。当使用真空沉积或旋涂形成发光层时，沉积和涂覆的条件可以类似于空穴注入层的形成条件，但沉积和涂覆的条件可根据用于形成发光层的材料而变化。发光层可包括发光体主体(EML主体)和发光体掺杂剂(此外仅发光体)。

发光体可以是红色、绿色或蓝色发光体。

在一个实施方式中，发光体主体材料是极性发光体主体化合物，其具有在约≥0.2德拜至约≤2.0德拜范围内的气相偶极矩。

在一个实施方式中，发光体主体材料是具有至少三个芳环的极性发光体主体化合物，所述芳环独立地选自碳环和杂环，所述化合物具有在约≥0.2德拜至约≤2.0德拜范围内的气相偶极矩。

在一个实施方式中，发光体主体材料是由化学式1表示的极性发光体主体化合物：

其中

A¹选自被取代或未被取代的C₆-C₆₀芳基或C₆-C₆₀杂芳基；

A²选自被取代或未被取代的C₁至C₁₀烷基基团、被取代或未被取代的C₆-C₆₀芳基或C₆-C₆₀杂芳基；

A³选自被取代或未被取代的C₁至C₁₀烷基基团、被取代或未被取代的C₆-C₆₀芳基或C₆-C₆₀杂芳基；

A⁴选自被取代或未被取代的C₆-C₆₀芳基或C₆-C₆₀杂芳基，优选C₆-C₆₀杂芳基。

发光体主体

极性发光体主体化合物具有至少三个芳环，所述芳环独立地选自碳环和杂环。

极性发光体主体化合物具有在约≥0.2德拜至约≤2.0德拜范围内的气相偶极矩。

根据电致发光器件的一个实施方式，极性发光体主体化合物具有至少三个芳环，所述芳环独立地选自碳环和杂环，并且具有在约≥0.2德拜至约≤2.0德拜范围内的气相偶极矩。

在另一个实施方式中，发光体主体化合物具有在约≥0.3德拜至约≤1.8德拜范围内，优选在约≥0.5德拜至约≤1.6德拜范围内，甚至更优选在约≥0.6德拜至约≤1.4德拜范围内并且最优选在约≥0.7德拜至约≤1.3德拜范围内的气相偶极矩。

如果多于一种构象是可行的，则选择具有最低总能量的构象以确定偶极矩。

电子注入层

根据本发明的另一方面，有机电致发光器件还可包括在第一电子传输层(第一ETL)与阴极之间的电子注入层。

电子注入层(EIL)可以促进从阴极注入电子。

根据本发明的另一方面，电子注入层包含：

(i)正电性金属，其选自呈基本上元素形式的碱金属、碱土金属和稀土金属，优选地选自Li、Na、K、Rb、Cs、Mg、Ca、Sr、Ba、Eu和Yb，更优选地选自Li、Na、Mg、Ca、Sr和Yb，甚至更优选地选自Li和Yb，最优选Yb；和/或

(ii)碱金属络合物和/或碱金属盐，优选Li络合物和/或盐，更优选喹啉锂，甚至更优选8-羟基喹啉锂，最优选第二电子传输层(第二ETL)的碱金属盐和/或络合物与注入层的碱金属盐和/或络合物相同。

电子注入层可包括选自LiF、NaCl、CsF、Li₂O和BaO中的至少一种。

EIL的厚度可以是约0.1nm至约10nm，或约0.3nm至约9nm。当电子注入层的厚度在这些范围内时，电子注入层可在不会显著增加驱动电压的情况下具有令人满意的电子注入能力。

阴极

用于阴极的材料可以是具有低逸出功的金属、合金或导电化合物，或其组合。用于阴极的材料的具体实例可以是锂(Li)、镁(Mg)、铝(Al)、铝-锂(Al-Li)、钙(Ca)、镁-铟(Mg-In)、镁-银(Mg-Ag)等。为了制造具有沉积在基底上的反射阳极的顶部发光的发光器件，阴极可以成形为由例如氧化锡铟(ITO)或氧化铟锌(IZO)制成的透射电极。

在包括透明金属氧化物阴极或反射金属阴极的器件中，所述阴极可具有约50nm至约100nm的厚度，而半透明金属阴极可薄至约5nm至约15nm。

阳极

用于阳极的材料可以是金属或金属氧化物，或有机材料，优选逸出功高于约4.8eV，更优选高于约5.1eV，最优选高于约5.3eV的材料。优选的金属是贵金属如Pt、Au或Ag，优选的金属氧化物是透明的金属氧化物如ITO或IZO，它们可以有利地用于具有反射阴极的底部发光OLED中。

在包括透明金属氧化物阳极或反射金属阳极的器件中，所述阳极可具有约50nm至约100nm的厚度，而半透明金属阳极可薄至约5nm至约15nm。

电致发光器件

根据电致发光器件的另一个实施方式，其中第一空穴传输层与阳极层相邻布置。

根据电致发光器件的另一个实施方式，其中所述电致发光器件另外包括第二空穴传输层，所述第二空穴传输层包含第二空穴传输基质化合物，优选地第二空穴传输层由第二空穴传输基质化合物形成，其中第二空穴传输层布置在第一空穴传输层与发光层之间，并且此外优选第二空穴传输层与第一空穴传输层和发光层相邻布置。

根据另一个实施方式，提供一种显示装置，其包括至少一个本发明的电致发光器件。

根据另一个实施方式，空穴传输区域可包括第三空穴传输层，其可以与发光层直接接触。

根据另一个实施方式，第三空穴传输层可以与第二空穴传输层直接接触。

根据另一个实施方式，第二电子传输层(第二ETL)可以接触夹在发光层与第一电子传输层(第一ETL)之间。

根据另一个实施方式，第二电子传输层(第二ETL)可以与发光层直接接触。

根据另一个实施方式，第一电子传输层(第一ETL)可以被接触夹在第二电子传输层(第二ETL)与电子注入层之间。

根据另一个实施方式，第一电子传输层(第一ETL)可以与阴极电极直接接触。

根据另一个实施方式，第二电子传输层(第二ETL)可以被接触夹在第一电子传输层(第一ETL)与阴极层之间。

根据本发明的另一方面，提供了一种电子器件，其包括至少一个整个本申请中描述的任何实施方式的有机发光器件，优选地，所述电子器件包括在整个本申请中描述的一个实施方式中的有机发光二极管。更优选地，所述电子器件是显示装置。

在下文中，参考实施例更详细地说明实施方式。然而，本公开不限于以下实施例。

附图说明

图1是示出根据一个实施方式的有机发光二极管的横截面图。

图2是具体示出根据一个实施方式的有机发光二极管的有机层的横截面图。

图3和图4是具体示出根据一个实施方式的有机发光二极管的有机层的一部分的横截面图。

具体实施方式

由式I表示的用于有机光电器件的化合物可适用于有机光电器件的有机层，例如发光层、电子传输层或电子注入层的主体或基质材料，在本说明书中也称为基质化合物。

应注意，电子传输层以及电子注入层不发射可见光(基本上不发光)。

通过包括用于有机光电器件的化合物的有机层，有机光电器件可以实现低驱动电压、高效率、高亮度和长寿命。

在下文中，参考实施例更详细地说明附图。然而，本公开不限于以下附图。

图1至图4是根据本发明的一个实施方式的有机发光二极管100、200、300和400的示意性横截面图。在下文中，参看图1，根据本发明的一个实施方式的有机发光二极管的结构及其制造方法如下。有机发光二极管100具有以下结构，其中阴极110，包括任选的空穴传输区域的有机层105；包含式I的化合物的发光层130；以及阳极150依序层叠。

基底可以进一步设置在阴极110下方或阳极150上。基底可以是用于普通有机发光二极管的基底，并且可以是具有强机械强度、热稳定性、透明度、表面平滑度、易于处理和防水性的玻璃基底或透明塑料基底。

可以通过在基底上沉积或溅射阳极材料来形成阳极150。阳极材料可选自具有高逸出功的材料，其使得空穴注入容易。阳极150可以是反射电极、透反电极或透射电极。阳极材料可使用氧化锡铟(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锡(SnO₂)、氧化锌(ZnO)等。或者，它可以是诸如镁(Mg)、铝(Al)、铝-锂(Al-Li)、钙(Ca)，镁-铟(Mg-In)或镁-银(Mg-Ag)的金属。

阳极150可具有单层或者两个或更多个层的多层结构。

根据本发明的一个实施方式的有机发光二极管100、200、300和400可包括空穴传输区域；发光层120；和包含式I的化合物的第一电子传输层34。

例如，参看图2，描述了根据本发明的一个实施方式的有机发光二极管。根据本发明的一个实施方式的有机发光二极管100、200、300和400可以在阳极120与发光层130之间进一步包括空穴辅助层140。

参看图3，空穴传输区域105可包括至少两个层状空穴辅助层，并且在这种情况下，与发光层接触的空穴辅助层被定义为空穴传输辅助层33，并且与阳极接触的空穴辅助层被定义为空穴传输层31；以及两个电子传输层，即包含式I的化合物的电子传输层(第二ETL)135/包含式I化合物的第一电子传输层34，所述式I化合物与第二电子传输层的式I的化合物不同地选择。空穴传输区域可包括空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层和缓冲层中的至少一个。

空穴传输区域可以仅包括空穴注入层或仅包括空穴传输层。或者，空穴传输区域可具有其中从阳极120起依序层叠的空穴注入层37/空穴传输层31或空穴注入层37/空穴传输层31/电子阻挡层的结构。

例如，另外包括空穴注入层37和电子注入层36，如图4所示，阳极120/空穴注入层37/空穴传输层31/空穴传输辅助层33/发光层130/包含式I的化合物的第二电子传输层(第二ETL)135/包含式I化合物(其与第二电子传输层的式I的化合物不同地选择)的第一电子传输层34/电子注入层37/阳极110依序层叠。

在另一个实施例中，另外包括空穴注入层37和电子注入层36，如图4所示，阳极120/空穴注入层37/空穴传输层31/空穴传输辅助层33/发光层130/包含式I的化合物的第二电子传输层(第二ETL)135/包含式I化合物(其与第二电子传输层的式I的化合物不同地选择)的第一电子传输层34/电子注入层37/阳极110依序层叠。

空穴注入层37可以改善作为阳极的ITO与用于空穴传输层31的有机材料之间的界面特性，并且施加在非平坦化的ITO上，因此可以使ITO的表面平坦化。例如，空穴注入层37可包括具有中值的材料、特别是具有介于ITO的逸出功与空穴传输层31的HOMO之间的所需电导率的材料，以便调节作为阳极的ITO的逸出功与空穴传输层31的HOMO之间的差异。

当空穴传输区域包括空穴注入层37时，空穴注入层可以通过多种方法例如真空沉积、旋涂、浇铸、Langmuir-Blodgett(LB)法等中的任何一种形成在阳极150上。

当使用真空沉积形成空穴注入层时，真空沉积条件可根据用于形成空穴注入层的材料以及要形成的空穴注入层的期望结构和热性质而变化，并且例如可以在约100℃至约500℃的温度、约10^-8托至约10^-3托的压力和约0.01至约的沉积速率下进行真空沉积，但是沉积条件不限于此。

当使用旋涂形成空穴注入层时，涂覆条件可根据用于形成空穴注入层的材料以及要形成的空穴注入层的期望结构和热性质而变化。例如，涂覆速率可以在约2000rpm至约5000rpm的范围内，并且在涂覆之后进行热处理以除去溶剂的温度可以在约80℃至约200℃的范围内，但是涂覆条件不限于此。

用于形成空穴传输层和电子阻挡层的条件可以基于上述用于空穴注入层的形成条件来限定。

空穴传输区域的厚度可以是约至约例如约至约当空穴传输区域包括空穴注入层和空穴传输层时，空穴注入层的厚度可以是约至约例如约至约并且空穴传输层的厚度可以是约至约例如约至约当空穴传输区域、HIL和HTL的厚度在这些范围内时，可以在不会显著增加驱动电压的情况下获得令人满意的空穴传输特性。

除了如上所述的材料之外，空穴传输区域还可以包括电荷产生材料以提高电导率。电荷产生材料可以均匀地或非均匀地分散在空穴传输区域中。电荷产生材料可以是例如p型掺杂剂。p型掺杂剂可以是醌衍生物、金属氧化物和含氰基化合物中的一种，但不限于此。p型掺杂剂的非限制性实例是醌衍生物，例如四氰基醌二甲烷(TCNQ)、2,3,5,6-四氟-四氰基-1,4-苯醌二甲烷(F4-TCNQ)等；金属氧化物如氧化钨、氧化钼等；以及含氰基化合物如以下化合物HT-D1。

空穴传输区域还可包括缓冲层。

缓冲层可以根据从EML发射的光的波长来补偿光的光学共振距离，因此可以提高效率。

可以通过使用真空沉积、旋涂、浇铸、LB法等在空穴传输区域上形成发光层(EML)。当使用真空沉积或旋涂形成发光层时，沉积和涂覆的条件可以类似于形成空穴注入层的条件，但沉积和涂覆的条件可以根据用于形成发光层的材料而变化。发光层可包括主体和掺杂剂。

例如，包含式I化合物的组合物可用作用于有机光电器件如OLED的发光材料。在本文中，式I化合物可以用作发光体主体(亦称为EML主体)，并且还可以包括至少一种掺杂剂。掺杂剂可以是红色、绿色或蓝色掺杂剂。

可以用作发光体主体的其它化合物是由下式400表示的蒽基质化合物：

在式400中，Ar₁₁₁和Ar₁₁₂可以各自独立地是被取代或未被取代的C₆-C₆₀芳亚基基团；Ar₁₁₃至Ar₁₁₆可以各自独立地是被取代或未被取代的C₁-C₁₀烷基基团或被取代或未被取代的C₆-C₆₀芳基基团；并且g、h、i和j可以各自独立地是0至4的整数。

在一些实施方式中，式400中的Ar₁₁₁和Ar₁₁₂可以各自独立地是苯亚基基团、萘亚基基团、菲亚基基团或芘亚基基团中的一个；或者苯亚基基团、萘亚基基团、菲亚基基团、芴基基团或芘亚基基团，各自被苯基基团、萘基基团或蒽基基团中的至少一个取代。

在式400中，g、h、i和j可以各自独立地是0、1或2的整数。

在式400中，Ar₁₁₃至Ar₁₁₆可以各自独立地是以下之一：

-被苯基基团、萘基基团或蒽基基团中的至少一个取代的C₁-C₁₀烷基基团；

-苯基基团、萘基基团、蒽基基团、芘基基团、菲基基团或芴基基团；

-苯基基团、萘基基团、蒽基基团、芘基基团、菲基基团或芴基基团，各自被氘原子、卤素原子、羟基基团、氰基基团、硝基基团、氨基基团、脒基基团、肼基团、腙基团、羧基基团或其盐中的至少一个取代，

-磺酸基团或其盐、磷酸基团或其盐，

-C₁-C₆₀烷基基团、C₂-C₆₀烯基基团、C₂-C₆₀炔基基团、C₁-C₆₀烷氧基基团、苯基基团、萘基基团、蒽基基团、芘基基团、菲基基团，或

-芴基基团

或

-式2或3

其中在式2和3中，X选自氧原子和硫原子，但本发明的实施方式不限于此。

在式2中，R₁₁至R₁₄中的任一个用于与Ar₁₁₁键合。不用于与Ar₁₁₁键合的R₁₁至R₁₄以及R₁₅至R₂₀与R₁至R₈相同。

在式3中，R₂₁至R₂₄中的任一个用于与Ar₁₁₁键合。不用于与Ar₁₁₁键合的R₂₁至R₂₄以及R₂₅至R₃₀与R₁至R₈相同。

优选地，EML主体包含一至三个选自N、O或S的杂原子。更优选的EML主体包含一个选自S或O的杂原子。

优选地，EML主体的偶极矩选择为≥0.2德拜且≤1.45德拜，优选≥0.4德拜且≤1.2德拜，此外优选≥0.6德拜且≤1.1德拜。

如在程序包TURBOMOLE V6.5中实施的，偶极矩是使用杂化泛函B3LYP与6-31G*基组使用优化计算的。如果多于一种构象是可行的，则选择具有最低总能量的构象来确定分子的偶极矩。使用该方法，2-(10-苯基-9-蒽基)-苯并[b]萘并[2,3-d]呋喃(CAS 1627916-48-6)的偶极矩为0.88德拜，2-(6-(10-苯基蒽-9-基)萘-2-基)二苯并[b,d]噻吩(CAS1838604-62-8)的偶极矩为0.89德拜，2-(6-(10-苯基蒽-9-基)萘-2-基)二苯并[b,d]呋喃(CAS 1842354-89-5)的偶极矩为0.69德拜，2-(7-(菲-9-基)四苯-12-基)二苯并[b,d]呋喃(CAS 1965338-95-7)的偶极矩为0.64德拜，4-(4-(7-(萘-1-基)四苯-12-基)苯基)二苯并[b,d]呋喃(CAS 1965338-96-8)的偶极矩为1.01德拜。

掺杂剂以少量混合而引起发光，并且通常可以是诸如通过多重激发成三重态或更高态而发光的金属络合物的材料。掺杂剂可以是例如无机、有机或有机/无机化合物，并且可以使用其中的一种或多种。

掺杂剂可以是荧光掺杂剂，例如三联芴，结构如下所示。4,4'-双(4-二苯基氨基苯乙烯基)联苯(DPAVBI，2,5,8,11-四叔丁基苝(TBPe))和下面的化合物4是荧光蓝色掺杂剂的实例。

掺杂剂可以是磷光掺杂剂，并且磷光掺杂剂的实例可以是包含Ir、Pt、Os、Ti、Zr、Hf、Eu、Tb、Tm、Fe、Co、Ni、Ru、Rh、Pd或其组合的有机金属化合物。磷光掺杂剂可以是例如由式Z表示的化合物，但不限于此：

L₂MX(Z)。

在式Z中，M是金属，并且L和X相同或不同，并且是与M形成络合化合物的配体。

M可以是例如Ir、Pt、Os、Ti、Zr、Hf、Eu、Tb、Tm、Fe、Co、Ni、Ru、Rh、Pd或其组合，并且L和X可以是例如双齿配体。

发光层的厚度可以是约至约例如约至约当发光层的厚度在这些范围内时，发光层可在不会显著增加驱动电压的情况下具有改善的发光特性。

接着，在发光层上设置电子传输区域。

电子传输区域可包括第二电子传输层、第一电子传输层和电子注入层中的至少一种。

例如，电子传输区域可具有第二电子传输层/第一电子传输层/电子注入层或第一电子传输层/电子注入层的结构，但不限于此。例如，根据本发明的一个实施方式的有机发光二极管在电子传输区域中包括至少两个电子传输层，并且在这种情况下，与发光层接触的电子传输层被定义为电子传输层(第二ETL)135。

电子传输层(第二ETL)可具有单层或多层结构，其包括两种或更多种不同的材料。

电子传输区域可包括至少一种由式I表示的化合物。例如，电子传输区域可包括电子传输层(第二ETL)，并且电子传输层(第二ETL)可包括由式I表示的用于有机光电器件的化合物。更具体地，电子传输层(第二ETL)135可包括由式I表示的用于有机光电器件的化合物。

根据本发明的另一方面，电子传输层(第二ETL)135由式I化合物组成。

电子传输区域的电子传输层(第二ETL)135、电子传输层(第一ETL)34和电子注入层36的形成条件是指空穴注入层的形成条件。

当电子传输区域包括电子传输层(第二ETL)135时，电子传输层可包括BCP、Bphen和BAlq中的至少一种，但不限于此。

电子传输层的厚度可以是约至约例如约至约当电子传输层的厚度在这些范围内时，电子传输层可在不会显著增加驱动电压的情况下具有改善的电子传输辅助能力。

根据本发明的另一方面，电子传输层(第一ETL)34包含式I化合物。

根据本发明的另一方面，第一电子传输层34包含式I化合物并且还包含碱金属卤化物和/或碱金属有机络合物。

第一或第二电子传输层可另外包括BCP、Bphen以及下列Alq₃、Balq、TAZ和NTAZ中的至少一种；

或者，电子传输层可包括下列化合物ET1和ET2中的至少一种，但不限于此：

电子传输层的厚度可以是约至约例如约至约当电子传输层的厚度在这些范围内时，电子传输层可在不会显著增加驱动电压的情况下具有令人满意的电子传输能力。

除了上述材料之外，第二电子传输层135还可包括碱金属卤化物和/或碱金属有机络合物。优选地，第二电子传输层135包含碱金属有机络合物。

优选地，第二电子传输层不含金属、碱金属卤化物和/或碱金属有机络合物。

碱金属有机络合物可包括锂(Li有机络合物)。Li络合物可包括例如以下化合物ET-D1(喹啉锂，LiQ)或ET-D2。

碱金属卤化物可选自LiF、LiCl、LiBr、LiI、NaF、NaCl、NaBr、NaI、KF、KBr和CsF。

另外，电子传输区域可包括电子注入层(EIL)36，其可以促进从阳极110注入电子。

电子注入层36设置在电子传输层上，并且可以起到促进从阴极注入电子并最终提高功率效率的作用，并且可以通过使用现有技术中使用的任何材料形成而没有特别限制，例如，LiF、Liq、NaCl、CsF、Li₂O、BaO、Yb等。

电子注入层可包括选自LiF、NaCl、CsF、Li₂O和BaO中的至少一种。

EIL的厚度可以为约至约或约至约当电子注入层的厚度在这些范围内时，电子注入层可在不会显著增加驱动电压的情况下具有令人满意的电子注入能力。

阳极150设置在有机层105上。用于阳极150的材料可以是具有低逸出功的金属、合金或导电化合物，或其组合。用于阳极150的材料的具体实例可以是锂(Li)、镁(Mg)、铝(Al)、铝-锂(Al-Li)、钙(Ca)、镁-铟(Mg-In)、镁-银(Mg-Ag)等。为了制造顶部发光的发光器件，阳极150可以由例如氧化锡铟(ITO)或氧化铟锌(IZO)形成为透射电极。

根据本发明的另一方面，提供了一种制造有机电致发光器件(400)的方法，其中

-在阳极电极上依序沉积其它层：空穴注入层(37)、空穴传输层(31)、任选的电子阻挡层(33)、发光层(130)、第一电子传输层(第一ETL)(34)、第二电子传输层(第二ETL)(135)、电子注入层(36)和阴极(110)；或

-从阴极(110)开始，以相反的方式沉积所述层。

在下文中，参考实施例更详细地说明实施方式。然而，本公开不限于以下实施例。

在表2中，示出了对比化合物C-1，其用于对比例中。

在表3中，示出了式I的本发明化合物Inv-1、Inv-2和Inv-3，其用于实施例1至4中。

在表4中，示出了现有技术的化合物，其用于器件实施例中。

表2

器件实施例中使用的对比化合物C-1

表3

实施例1至4中使用的式I的本发明化合物Inv-1、Inv-2和Inv-3

表4

实施例中使用的现有技术化合物

式(I)化合物的一般合成：

通过相同的偶联反应合成式(I)化合物，例如Inv-1、Inv-2和Inv-3。给出化合物Inv-1的示例的详细描述：

7-(3'-(9-苯基-9H-芴-9-基)-[1,1'-联苯]-3-基)二苯并[c,h]吖啶的合成

方案1：7-(3'-(9-苯基-9H-芴-9-基)-[1,1'-联苯]-3-基)二苯并[c,h]-吖啶的合成。

用氮气冲洗250mL Schenk烧瓶。在氮气的逆流中，向烧瓶中加入7-(3-溴苯基)二苯并[c,h]吖啶CAS-1352166-95-0(6.0g，13.8mmol)、4,4,5,5-四甲基-2-(3-(9-苯基-9H-芴-9-基)苯基)-1,3,2-二氧杂硼杂环戊烷CAS-1260032-45-8(6.73g，15.2mmol)和Pd(dppf)Cl₂(0.20g，0.28mmol)。同时，通过用氮气吹扫25分钟将2M K₂CO₃水溶液(3.80gK₂CO₃，128.0mmol于14mL H₂O中)脱气。在氮气的逆流中，将脱气的甲苯(85mL)和脱气的K₂CO₃溶液加入到250mL Schenk烧瓶中，并在搅拌下在氮气气氛下将反应混合物加热至100℃(浴温)。深棕色悬浮液在回流温度下显示出大量溶解。22小时后，TLC(二氧化硅，正己烷/DCM，1:1)和HPLC(MSt5186-a，96.63％产物)显示定量转化(R_t(7-(3-溴苯基)二苯并[c,h]-吖啶)＝8.4分钟)。

在23小时的总反应时间后，将反应混合物冷却至室温，并且沉淀物通过在烧结玻璃过滤器上抽滤分离并用甲苯(2×4mL)和正己烷(3×6mL)洗涤。使用旋转蒸发器将合并的滤液浓缩至约20mL并且将所得悬浮液在室温下搅拌30分钟。沉淀物通过在烧结玻璃过滤器上抽滤分离并用正己烷(4×6mL)洗涤。

在第一次过滤步骤后，粗产物的产率(约8.8g，约92％)出乎意料地低(应远高于100％)，因此如上所述分离第二批(2.3g)。这可以通过将甲苯的初始量减少至约11.8mL/g7-(3-溴苯基)二苯并[c,h]吖啶来避免。

将合并的固体(约11.1g)悬浮在二氯甲烷(约50mL)中，并通过在干燥的Florisil垫(直径：6cm，高度：4cm，用滤纸覆盖)上抽滤过滤。使用另外的二氯甲烷(约650mL)定量冲洗产物。将两种滤液合并。使用旋转蒸发器将合并的滤液浓缩至约150mL的大致体积。加入正己烷(约25mL)并使用旋转蒸发器将溶剂体积进一步缩减至约50mL。将所得悬浮液搅拌过夜。通过在烧结玻璃过滤器上抽滤收集固体，并用正己烷(3×约30mL)洗涤。在约40℃下在真空(约5毫巴)下干燥后，获得约8.22g(约88％)浅黄色固体(MSt5186-b，约99.49％)。为了提高纯度，将固体溶解在热二氯甲烷(约150mL)中，并使用旋转蒸发器将溶液浓缩至约100mL。加入MTBE(约70mL)，并且使用旋转蒸发器进一步蒸发溶剂至残余体积为约50mL。将得到的悬浮液在室温下搅拌约2小时。通过在烧结玻璃过滤器上抽滤收集固体并用MTBE(2×约5mL)洗涤。使用油泵在约120℃下真空干燥固体，得到约7.5g(约11.2mmol，约81％)的浅黄色固体，根据HPLC(MSt5186-c)，纯度为约99.81％。

用于制造OLED的一般程序

对于顶部发光器件，实施例1至4和对比例1，将玻璃基底切割成50mm×50mm×0.7mm的尺寸，用异丙醇超声清洗5分钟，然后用纯水清洗5分钟，再用紫外线臭氧清洗30分钟。在10^-5至10^-7毫巴的压力下将100nm Ag作为阳极沉积在玻璃上。

制备OLED以证明在有机电子器件中利用式1化合物的技术益处。表5示出了在混合材料电子传输层中包含重量比为1:1的本发明式1化合物和金属络合物添加剂LiQ的OLED的性能参数。

在OLED器件实施例1中，使用另外的未掺杂电子传输层作为空穴阻挡层。

层叠结构由以下文本字符串描述，其中斜线代表两个相邻层之间的界面：Ag(100nm)/HTM-1:DP-1[8重量％](10nm)/HTM-1(118nm)/HTM-2(5nm)/主体-1:发光体掺杂剂-1[3重量％](20nm)/ETM-1(0-5nm)/Inv1:LiQ或Inv-2:LiQ或Inv-3:LiQ[50重量％](31-36nm)/Yb(2nm)/Ag(11nm)。

根据实施例1表5，通过在发光层130上沉积ETM-1而形成5nm厚度的电子传输层(第二ETL)135(如果存在的话)。

第一电子传输层34根据对比例1和实施例2至4(表5)直接形成在发光层130上，或者根据实施例1形成在第二电子传输层(第二ETL)135上。如果电子传输层34与发光层130直接接触，则厚度为36nm。如果电子传输层34沉积在第二电子传输层(第二ETL，第二电子传输层)的顶部，则厚度为31nm。

电子传输层包含50重量％的基质化合物和50重量％的LiQ。

然后，通过沉积厚度为1.5nm的LiQ或厚度为2nm的Yb，在第一电子传输层34的顶部形成电子注入层36。

阴极是在10^-7毫巴的超高真空下蒸发。因此，以0.1至10nm/s(0.01至)的速率进行一种或多种金属的热单源共蒸发，以产生厚度为11nm的均匀Ag阴极。

在阴极上形成联苯-4-基(9,9-二苯基-9H-芴-2-基)-[4-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)苯基]-胺的覆盖层，在MgAg阴极的情况下厚度为60nm并且在Ag阴极的情况下厚度为75nm。

通过用载玻片封装器件来保护OLED叠层结构免受环境条件的影响。由此，形成腔，其包括用于进一步保护的吸气材料。

为了评估与现有技术相比的本发明实施例的性能，在环境条件(20℃)下测量电流效率。使用Keithley 2400源表进行电流电压测量，并以V记录。对于顶部发光器件，在10mA/cm²下，使用来自Instrument Systems的校准光谱仪CAS140测量CIE坐标和亮度(以坎德拉计)。使用Keithley 2400源表在环境条件(20℃)和10mA/cm²下测量器件的寿命LT，并以小时记录。

使用校准的光电二极管测量器件的亮度。寿命LT定义为器件亮度降至其初始值的97％的时间。

对于顶部发光器件，外部效率EQE和功率效率(lm/W效率)的光输出在10mA/cm²下确定。

为了确定效率EQE(％)，使用校准的光电二极管测量器件的光输出。

为了确定功率效率(lm/W)，在第一步中，使用已由DeutscheAkkreditierungsstelle(DAkkS)校准的来自Instrument Systems的阵列光谱仪CAS140 CT测量亮度(坎德拉/平方米，cd/m²)。在第二步中，然后将亮度乘以π并除以电压和电流密度。

在底部发光器件中，发光主要是朗伯型并以外量子效率百分比(EQE)和功率效率(lm/W)量化。

在顶部发光器件中，发光是正向的，非朗伯型，并且也高度依赖于微腔。因此，与底部发光器件相比，外量子效率(EQE)和功率效率(lm/W)将更高。

顶部发光器件

在对比例1中，OLED仅包括第一电子传输层并且不含第二电子传输层。第一电子传输层(第一ETL)包含吖啶化合物C-1和碱金属有机络合物LiQ。C-1的结构式为

玻璃化转变温度为121℃。工作电压为约3.20V，效率为约7.0cd/A并且寿命为约<100小时。

在实施例1和2中，第一电子传输层(第一ETL)包含式I化合物即Inv-1和碱金属有机络合物LiQ。

根据实施例1，OLED器件另外包括由化合物ETM-1组成的第二ETL。

实施例2至4不含第二电子传输层(第二ETL)。

Inv-1的结构式为：

ETM-1的结构式为：

在实施例3中，第一电子传输层(第一ETL)包含式I化合物即Inv-2和碱金属有机络合物LiQ。实施例3不含第二电子传输层(第二ETL)。

Inv-2的结构式为：

在实施例4中，第一电子传输层(第一ETL)包含式I化合物即Inv-3和碱金属有机络合物LiQ。实施例4不含第二电子传输层(第二ETL)。

Inv-3的结构式为：

工作电压为约3.42。

在实施例5中，第一电子传输层(第一ETL 34)包含重量％比为1:1的化合物ETM-2和8-羟基喹啉锂(LiQ)的混合物。第二电子传输层(第二ETL 135)包含式(I)的化合物Inv-3。

实施例5的层叠结构由以下文本字符串描述，其中斜线代表两个相邻层之间的界面并且层厚度在括号中给出：Ag(100nm)/HTM-1:DP-1[8重量％](10nm)/HTM-1(117nm)/HTM-2(5nm)/主体-1:发光体掺杂剂-1[3重量％](20nm)/Inv-3(5nm)/ETM-2:LiQ[50重量％](31nm)/Yb(2nm)/Ag(11nm)。

参看表5和表6，与根据对比例1的有机发光二极管相比，根据实施例1至4的有机发光二极管同时表现出改善的发光效率和/或寿命特性。对于实施例1至4，效率显著提高，在约7.5至约7.8cd/A的范围内，并且寿命显著提高，在约150至约420小时的范围内。

表5示出了对于实施例1至4和对比例1测试的OLED器件的物理数据。

表5

*¹＝ETM-2为2-([1,1'-联苯]-4-基)-4-(9,9-二苯基-9H-芴-4-基)-6-苯基-1,3,5-三嗪(CAS 1801992-44-8)。

表6示出了实施例2至4和对比例1的经测试的OLED器件的Tg和寿命LT97。

使用Keithley 2400源表在环境条件(20℃)和10mA/cm²下测量器件的寿命LT，并以小时记录。使用校准的光电二极管测量器件的亮度。寿命LT97定义为器件亮度降至其初始值的97％的时间。

表6

化合物名称	Tg[℃]	LT97(小时)
			C-1	约121	<100
Inv-1	约147	>150
			Inv-2	约159	>150
Inv-3	约163	≥420

表6清楚地表明，与对比例C-1的吖啶化合物相比，式I的本发明化合物的Tg显著提高并且寿命显著提高。

虽然已经结合目前被认为是实用的示例性实施方式描述了本发明，但是应该理解，本发明不限于所公开的实施方式，而是相反，旨在涵盖在权利要求的精神和范围内包括的多种修改和等同布置。因此，上述实施方式应该被理解为示例性的，但不以任何方式限制本发明。