阅读说明：本技术 半导体装置及其制造方法 () 是由 山口直 于 2019-04-18 设计创作，主要内容包括：本公开的实施例涉及半导体装置及其制造方法。形成包含铪、氧和诸如锆的第一元素的第一非晶膜,在第一非晶膜上形成包含与铪、氧和第一元素中的任何一种不同的第二元素的多个晶粒,在多个晶粒和第一非晶膜上形成由与第一非晶膜相同的材料制成的第二非晶膜,以及在第二非晶膜上形成金属膜。此后,通过执行热处理,使第一非晶膜结晶以形成第一斜方铁电膜,并且使第二非晶膜结晶以形成第二斜方铁电膜。()