阅读说明：本技术 集成电路构造及在一对结构之间横向形成竖向延伸的导体的方法 (Integrated circuitry construction and the method that vertically extending conductor is transversely formed between a pair of of structure ) 是由 S·博尔萨里 于 2017-11-03 设计创作，主要内容包括：一种在一对结构之间横向形成竖向延伸的导体的方法包括：形成一对结构,所述对结构个别地包括竖向延伸的导电通路及电耦合到所述导电通路且横越于所述导电通路上方的导电线。在垂直横截面中,所述导电线及所述导电通路分别具有相对侧。在所述垂直横截面中沿着所述导电通路及所述导电线的所述相对侧形成竖向延伸的绝缘材料。所述形成所述绝缘材料包括：在所述垂直横截面中从所述导电通路及所述导电线的所述相对侧横向向外形成横向内绝缘体材料,所述横向内绝缘体材料包括硅、氧及碳。在所述垂直横截面中从所述横向内绝缘体材料的相对侧横向向外形成横向中间绝缘体材料,所述横向中间绝缘体材料包括硅及氧。所述横向中间绝缘体材料包括比所述横向内绝缘体材料更少的碳(如果有的话)。在所述垂直横截面中从所述横向中间绝缘体材料的相对侧横向向外形成横向外绝缘体材料,所述横向外绝缘体材料包括硅、氧及碳。所述横向外绝缘体材料包括比所述横向内绝缘体材料更多的碳。在所述垂直横截面中在所述绝缘材料之间且沿着所述绝缘材料横向形成竖向延伸的导体材料。本发明还揭示包含独立于制作方法的结构的额外方法方面。(A kind of method being transversely formed vertically extending conductor between a pair of of structure includes: to form a pair of of structure, described individually to include vertically extending conductive path to structure and be electrically coupled to the conductive path and cross the conductor wire above the conductive path.In vertical cross-section, the conductor wire and the conductive path are respectively provided with opposite side.Vertically extending insulating materials is formed along the opposite side of the conductive path and the conductor wire in the vertical cross-section.The formation insulating materials includes: laterally outward to form lateral interior insulation body material from the opposite side of the conductive path and the conductor wire in the vertical cross-section, and the transverse direction interior insulation body material includes silicon, oxygen and carbon.Lateral intermediate insulator material is laterally outward formed from the opposite side of the lateral interior insulation body material in the vertical cross-section, the transverse direction intermediate insulator material includes silicon and oxygen.The transverse direction intermediate insulator material includes carbon (if any) more less than the transverse direction interior insulation body material.Insulating material lateral out is laterally outward formed from the opposite side of the lateral intermediate insulator material in the vertical cross-section, the insulating material lateral out includes silicon, oxygen and carbon.The insulating material lateral out includes carbon more more than the transverse direction interior insulation body material.Vertically extending conductor material is being transversely formed in the vertical cross-section between the insulating materials and along the insulating materials.In terms of the present invention is also disclosed comprising the additional method independently of the structure of production method.)

集成电路构造及在一对结构之间横向形成竖向延伸的导体的 方法

技术领域

本文中所揭示的实施例涉及集成电路构造及在一对结构之间横向形成竖向延伸的导体的方法。

背景技术

存储器是一种类型的集成电路，且在计算机系统中用于存储数据。存储器可制作于个别存储器单元的一或多个阵列中。存储器单元可使用数字线(其还可称为位线、数据线、感测线)及存取线(其还可称为字线)而被写入或读取。感测线可沿着阵列的多列与存储器单元导电地互连，且存取线可沿着阵列的多行与存储器单元导电地互连。每一存储器单元可通过感测线与存取线的组合而唯一地寻址。

存储器单元可为易失性的、半易失性的或非易失性的。非易失性存储器单元可在不存在电力的情况下存储数据达延长的时间周期。非易失性存储器常规地指定为具有至少大约10年的保持时间的存储器。易失性存储器耗散且因此被刷新/重写以维持数据存储。易失性存储器可具有数毫秒或更少的保持时间。无论如何，存储器单元经配置而以至少两种不同可选择状态存留或存储存储器。在二进制系统中，所述状态被视为“0”或“1”。在其它系统中，至少一些个别存储器单元可经配置以存储两个以上电平或状态的信息。

一种类型的存储器单元具有至少一个晶体管及至少一个电容器。在一些此类结构中，一个导电通路从感测线向下延伸到晶体管的一个源极/漏极区域(例如，电路节点)。另外，另一导电通路可横向邻近一个导电通路，且从电容器的存储节点向下延伸到晶体管的另一源极/漏极区域。遗憾地，寄生电容横向存在于一个导电通路与另一导电通路之间。此寄生电容可不利地影响电路性能。其它电路中的横向介于导电通路之间的寄生电容也可不利地影响电路性能。

具体实施方式

本发明的实施例囊括在一对结构之间横向形成竖向延伸的导体的方法及独立于制造方法的集成电路构造。首先参考图1到13描述方法实施例。

参考图1到5，衬底结构8的实例性片段包括阵列或阵列区10，在一个实施例中，所述阵列或阵列区可包括相对于基底衬底11而制作的存储器单元。衬底11可包括导电性/导体/导电材料(即，本文中，电材料)、半导电性/半导体/半导电材料及绝缘性/绝缘体/绝缘材料(即，本文中，电材料)中的任何一或多者。在基底衬底11上方已竖向形成各种材料。材料可处于图1到5所描绘的材料旁边、从图1到5所描绘的材料竖向向内或从图1到5所描绘的材料竖向向外。举例来说，集成电路的其它经部分或完全制作的组件可设置于在基底衬底11上方、围绕基底衬底11或在基底衬底11内的某处。用于操作存储器阵列内的组件的控制件及/或其它***电路也可被制作，且可或可不完全或部分地位于存储器阵列或子阵列内。此外，多个子阵列还可相对于彼此独立地、先后地或以其它方式制作及操作。如此文档中所使用，“子阵列”也可被视为阵列。

基底衬底11包括半导体材料12(例如，经适当地及不同地掺杂的单晶硅)、沟槽隔离区域14(例如，氮化硅及/或经掺杂或未经掺杂二氧化硅)及有效面积区域16，有效面积区域16包括经适当地掺杂的半导体材料12。在一个实施例中且如将展示，结构8将包括个别包括场效应晶体管25及电容器(图1到5中未展示)的存储器单元。然而，如从继续论述将明了，无论电路的类型及独立于制造方法的集成电路结构如何，根据本发明的实施例均涵盖其它存储器单元的制作以及导电通路的制作。在所描绘实例中，场效应晶体管25展示为呈凹入式存取装置(RAD)的形式。此类凹入式存取装置包含埋入基底衬底11中的存取线构造18，且所述存取线构造包括栅极绝缘体20(例如，包括二氧化硅及/或氮化硅、基本上由二氧化硅及/或氮化硅组成，或由二氧化硅及/或氮化硅组成)及导电栅极材料22(例如，包括经导电掺杂的半导体材料及/或金属材料、基本上由经导电掺杂的半导体材料及/或金属材料组成，或由经导电掺杂的半导体材料及/或金属材料组成)。存取线构造18上方展示绝缘体材料27(例如，包括氮化硅及/或经掺杂或未经掺杂二氧化硅、基本上由氮化硅及/或经掺杂或未经掺杂二氧化硅组成，或由氮化硅及/或经掺杂或未经掺杂二氧化硅组成)。个别场效应晶体管25包括从存取线构造18横向向外且位于存取线构造18上方的一对源极/漏极区域24、26。当将适合电压施加到存取线构造18的栅极材料22时，导电沟道可接近栅极绝缘体20而形成于半导体材料12内，使得电流能够在个别有效面积区域16内、在存取线构造18下方于一对源极/漏极区域24与26之间流动。因此，在实例性实施例中，每一有效面积区域16包括各自共享中心源极/漏极区域26的两个场效应晶体管25。

在基底衬底11上方已制作结构/构造28。在一对紧邻结构28之间横向形成竖向延伸的导体的方法中继续论述关于此对结构28的制作。已形成包括竖向延伸的导电通路30及电耦合到导电通路30且横越于导电通路30上方的导电线32的个别结构28。在一个实施例中且如所展示，个别导电线32直接电耦合到且直接抵靠导电通路30的顶部37。在一个实施例中，导电线32包括第一导电材料34，且导电通路30包括具有与第一导电材料34的组合物不同的组合物的第二导电材料36。在一个实施例中，第一导电材料34包括金属材料(例如，TiN、Ti、WN、WSi_x等中的一或多者)。在一个实施例中，第二导电材料36包括经导电掺杂的半导体材料(例如，磷掺杂的多晶硅)。在垂直横截面(例如，图2所描绘的横截面)中，导电线32及导电通路30分别具有相对侧35及33。结构28展示为包括绝缘材料40、41及42，所述绝缘材料相对于彼此可具有相同或不同组合物(例如，氮化硅及/或经掺杂或未经掺杂二氧化硅)。

在垂直横截面中分别沿着导电通路30及导电线32的相对侧35及33形成竖向延伸的绝缘材料。此展示为包含：在垂直横截面中从导电通路30的相对侧33及导电线32的相对侧35横向向外形成横向内绝缘体材料46，所述横向内绝缘体材料包括硅、氧及碳、基本上由硅、氧及碳组成，或由硅、氧及碳组成。理想地，碳键结到硅，而非作为未键结掺杂剂而存在，且材料46包括碳氧化硅、基本上由碳氧化硅组成，或由碳氧化硅组成。在一个实施例中，横向内绝缘体材料46包括大于4.0碳原子百分比及小于15.0碳原子百分比。在一个实施例中，横向内绝缘体材料46具有大于4.2且小于4.5的k(介电常数)。横向内绝缘体材料46的实例性厚度为10埃到30埃。在一个实施例中，结构28延伸到基底衬底11中的开口(图1及2)中，绝缘体材料46至少部分地衬砌所述开口，且绝缘材料56(例如，氮化硅)也位于此开口中。如所展示，横向内绝缘体材料46包括相对侧47。

参考图6，在垂直横截面中从横向内绝缘体材料46的相对侧47横向向外形成横向中间绝缘体材料48，所述横向中间绝缘体材料包括硅及氧(例如，二氧化硅)、基本上由硅及氧(例如，二氧化硅)组成，或由硅及氧(例如，二氧化硅)组成。横向中间绝缘体材料48包括比横向内绝缘体材料46更少的碳(如果有的话)。在一个实施例中，横向中间绝缘体材料48直接抵靠横向内绝缘体材料46而形成。横向中间绝缘体材料48可视为具有相对侧49。在垂直横截面中从横向中间绝缘体材料48的相对侧49横向向外已形成横向外绝缘体材料50，所述横向外绝缘体材料包括硅、氧及碳(例如，使碳与硅键结的碳氧化硅)、基本上由硅、氧及碳(例如，使碳与硅键结的碳氧化硅)组成，或由硅、氧及碳(例如，使碳与硅键结的碳氧化硅)组成。横向外绝缘体材料50包括比横向内绝缘体材料46更多的碳。在一个实施例中，横向外绝缘体材料50直接抵靠横向中间绝缘体材料48而形成。无论如何，且在一个实施例中，沿着导电线32的相对侧35且沿着导电通路30的相对侧33已形成竖向延伸的绝缘材料44。

在一个实施例中，横向中间绝缘体材料48无碳，且在另一实施例中包括碳。在此文档中，“无碳”意指从0碳原子百分比到不超过0.01碳原子百分比，而包括碳的材料具有超过0.01碳原子百分比。在一个实施例中，横向中间绝缘体材料48包括至少1.0碳原子百分比，且在一个实施例中包括不超过4.0碳原子百分比。在一个实施例中，横向中间绝缘体材料48具有不大于4.1的k。横向中间绝缘体材料48的实例性厚度为30埃到50埃。

在一个实施例中，横向外绝缘体材料50包括至少15.0碳原子百分比，在一个实施例中包括不超过30碳原子百分比，且在一个实施例中包括不超过20碳原子百分比。在一个实施例中，横向外绝缘体材料50具有至少4.5的k，在一个实施例中具有不大于6.5的k，且在一个实施例中具有不大于5.3的k。

在垂直横截面中在竖向延伸的绝缘材料44之间且沿着竖向延伸的绝缘材料44横向形成竖向延伸的导体材料。接下来参考图7到13描述这样做的一个实例性实施例。

参考图7，且在一个实施例中，在绝缘材料44上方已形成绝缘体材料52以填充且过填充横向介于结构28之间的剩余空隙空间。实例性材料且仅以实例方式为旋涂电介质。

参考图8，已使绝缘体材料52密化，在一个实施例中，这会减小横向外绝缘体材料50的横向厚度。举例来说，此可导致将碳从绝缘体材料50中驱出到绝缘体材料52中，借此绝缘体材料50的横向及竖向最外部部分转化为二氧化硅。

参考图9及10，且在一个实施例中，已将绝缘体材料52往回平面化及图案化，以形成开口53(图9)，同时使源极/漏极区域24覆盖有绝缘体材料52。

参考图11及12，且在一个实施例中，在开口53中已形成电介质材料72(例如，氮化硅)，且已移除绝缘体材料52(未展示)。接着(或更早)，绝缘材料44已经受适合蚀刻以暴露源极/漏极区域24。接着在垂直横截面中在绝缘材料44之间且沿着绝缘材料44已横向形成竖向延伸的导体材料54(例如，代替移除的绝缘体材料52)。在一个实施例中，此类竖向延伸的导体材料包括金属材料。在一个实施例中，此类竖向延伸的导体材料包括直接抵靠源极/漏极区域24的经导电掺杂的半导体材料(例如，磷掺杂的多晶硅)。

在一个实施例中，在包括结构28的衬底(例如，图1到5中的构造8)上进行绝缘材料44(例如，图6)的形成。在此实施例中，形成绝缘材料44包括：在沉积室(未展示)中原位依序形成至少横向中间绝缘体材料48及横向外绝缘体材料50，而在开始形成横向中间绝缘体材料48到开始形成横向外绝缘体材料50之间且理想地在沉积所有正沉积的横向外绝缘体材料50之前不从沉积室移除衬底。在一个此类实施例中，还可与材料48及50一起原位形成横向内绝缘体材料46(未展示)。举例来说，所有材料46、48及50均可经沉积以共同地填充基底衬底11中的开口(例如，不沉积绝缘材料56)，接着对材料46、48及50进行干法蚀刻以清除此些材料以免覆盖源极/漏极区域24。无论如何，实例性沉积工具为远程等离子体化学气相沉积反应器/工具(例如，可从加利福尼亚州弗里蒙特市的泛林集团(LAM ResearchCorporation)购得的Striker)，其操作条件为0.5托到30.0托室压、150℃到450℃基座温度、2,000瓦到5,000瓦电力、处于5sccm到25sccm的适合的含硅、氧及碳前驱物流、200sccm到1,000sccm的H₂流及1.5sccm到50sccm的O₂流(例如，其中O₂流及H₂流的量用于控制相应层中的碳量)。

横向中间绝缘体材料48可完全地、部分地或完全不保留为成品电路构造的一部分。在一个实施例中，且如图13中所展示，已移除横向介于多对结构28之间的横向中间绝缘体材料48(未展示)以形成个别地横向介于横向内绝缘体材料46与横向外绝缘体材料50之间的一对空隙空间75(例如，空气间隙)。此移除动作可发生于形成导体材料54之前或形成导体材料54之后。在一个实施例中，至少大部分(即，超过一半)移除发生于形成导体材料54之后。如本文中所描述的用于移除SiO₂或低含碳量的碳氧化硅材料48的实例性技术为使用稀释的HF(例如，H₂O:HF的体积比为100:1到1,000:1)进行蚀刻。在一个实施例中，横向中间绝缘体材料48(即，至少一些)保留在成品电路构造中。在一个实施例中，在垂直横截面中，空隙空间75个别地横向介于至少大部分的横向内绝缘体材料46的竖向厚度与横向外绝缘体材料50的竖向厚度之间，且沿着至少大部分的横向内绝缘体材料46的竖向厚度及横向外绝缘体材料50的竖向厚度竖向延伸。在一个实施例中且如所展示，结构8可包括个别地包括场效应晶体管25(图3)及电容器80(图12及13)的存储器单元。

本发明的实施例还囊括独立于制造方法的集成电路构造。然而，在本发明的结构方面中可找到上文关于方法实施例所描述的结构属性中的任一者，且反之亦然。在一个实施例中，一对结构(例如，28)个别地包括竖向延伸的导电通路(例如，30)及电耦合到导电通路且横越于导电通路上方的导电线(例如，32)。在垂直横截面中，导电线及导电通路分别具有相对侧(例如，分别为35、33)。在垂直横截面中，竖向延伸的绝缘材料(例如，44)是沿着导电线及导电通路的相对侧。绝缘材料包括在垂直横截面中从导电通路及导电线的相对侧横向向外的横向内绝缘体材料(例如，46)，所述横向内绝缘体材料包括硅、氧及碳。包括硅及氧的横向中间绝缘体材料(例如，48)在垂直横截面中从横向内绝缘体材料的相对侧(例如，47)横向向外。横向中间绝缘体材料包括比横向内绝缘体材料更少的碳(如果有的话)。包括硅、氧及碳的横向外绝缘体材料(例如，50)在垂直横截面中从横向中间绝缘体材料的相对侧(例如，49)横向向外。横向外绝缘体材料包括比横向内绝缘体材料更多的碳。在垂直横截面中，竖向延伸的导体材料(例如，54)横向介于绝缘材料44之间且沿着绝缘材料44。

可使用如本文中关于其它实施例所展示及/或描述的任何其它属性或方面。

在一个实施例中，一对结构(例如，28)个别地包括竖向延伸的导电通路(例如，30)及电耦合到导电通路且横越于导电通路上方的导电线(例如，32)。在垂直横截面中，导电线及导电通路分别具有相对侧(例如，分别为35、33)。在垂直横截面中，竖向延伸的绝缘材料(例如，44)是沿着导电线及导电通路的相对侧。绝缘材料包括在垂直横截面中从导电通路及导电线的相对侧横向向外的横向内绝缘体材料(例如，46)，所述横向内绝缘体材料包括硅、氧及碳。包括硅、氧及碳的横向外绝缘体材料(例如，50)在垂直横截面中从横向内绝缘体材料的相对侧(例如，47)横向向外。横向外绝缘体材料包括比横向内绝缘体材料更多的碳。在垂直横截面中，空隙空间(例如，75)横向介于至少大部分的横向内绝缘体材料的竖向厚度与横向外绝缘体材料的竖向厚度之间，且沿着至少大部分的横向内绝缘体材料的竖向厚度及横向外绝缘体材料的竖向厚度竖向延伸。在垂直横截面中，竖向延伸的导体材料(例如，54)横向介于绝缘材料44之间且沿着绝缘材料44。

可使用如本文中关于其它实施例所展示及/或描述的任何其它属性或方面。

在一个实施例中，集成电路构造包括在多个电路元件上方延伸的导电线。所述导电线包含侧表面。绝缘结构沿着导电线的侧表面。绝缘结构包括第一绝缘体材料及第二绝缘体材料。第一绝缘体材料介于导电线的侧表面与第二绝缘体材料之间。第一绝缘体材料包括硅、氧及碳。第二绝缘体材料包括硅、氧及碳。此实施例可包含本文中的技术方案22到技术方案40的标的物中的任一者。此外，可使用如本文中关于其它实施例所展示及/或描述的任何其它属性或方面。

在此文档中，除非另有指示，否则“竖向”、“较高”、“上部”、“下部”、“顶部”、“顶上”、“底部”、“上方”、“下方”、“下面”、“底下”、“向上”及“向下”一般是参考垂直方向来说。“水平”是指沿着主要衬底表面的大体方向，且可与在制作期间衬底被处理的位置有关，且垂直是大体正交于水平的方向。此外，如本文中所使用，“垂直”及“水平”相对于彼此为大体垂直方向且在三维空间中独立于衬底的定向。另外，“竖向延伸的”及“竖向延伸”是指与水平成至少45°角的方向。此外，相对于场效应晶体管的“竖向延伸”及“竖向延伸的”是参考在操作中电流在源极/漏极区域之间流动所沿的晶体管沟道长度的定向来说的。对于双极结晶体管，“竖向延伸”及“竖向延伸的”是参考在操作中电流在射极与集电极之间流动所沿的基底长度的定向来说的。

此外，“直接在...上方”需要两个所述区域/材料/组件相对于彼此的至少一些横向重叠(即，水平地)。此外，并未前述有“直接”的“在...上方”的使用仅需要在另一区域/材料/组件上方的所述区域/材料/组件的某一部分从另一区域/材料/组件竖向向外(即，不管是否存在两个所述区域/材料/组件的任何横向重叠)。

本文中所描述的材料、区域及结构中的任一者可为同质或非同质的，且无论如何，可在此类材料所上覆的任何材料上方为连续或不连续的。此外，除非另外陈述，否则可使用任何适合或尚待开发的技术形成每一材料，其中原子层沉积、化学气相沉积、物理气相沉积、外延生长、扩散掺杂及离子植入是实例。

另外，“厚度”本身(不存在前述方向性形容词)定义为从不同组合物的紧邻材料或紧邻区域的最靠近表面垂直地穿过给定材料或区域的平均直线距离。另外，本文中所描述的各种材料或区域可具有基本上恒定厚度或具有可变厚度。如果具有可变厚度，那么厚度是指平均厚度，除非另有指示，且由于厚度是可变的，因此此材料或区域将具有某一最小厚度及某一最大厚度。如本文中所使用，“不同组合物”仅需要两种所述材料或区域的可彼此直接抵靠的那些部分在化学上及/或物理上是不同的(举例来说，假设此些材料或区域不是同质的)。如果两种所述材料或区域并不彼此直接抵靠，那么“不同组合物”仅需要两种所述材料或区域的彼此最靠近的那些部分在化学上及/或物理上是不同的(假设此些材料或区域不是同质的)。在此文档中，当存在所述材料、区域或结构相对于彼此的至少某一物理触及接触时，一材料、区域或结构是“直接抵靠”另一者。相比之下，并未前述有“直接”的“在...上方”、“在...上”、“邻近”、“沿着”及“抵靠”囊括“直接抵靠”以及其中中间材料、区域或结构导致所述材料、区域或结构相对于彼此并非物理触及接触的构造。

本文中，如果在正常操作期间，电流能够持续地从一个区域/材料/组件流动到另一区域/材料/组件，且在亚原子正及/或负电荷被充分产生时，主要通过移动亚原子正及/或负电荷而进行此，那么区域/材料/组件相对彼此是“电耦合”的。另一电子组件可介于区域/材料/组件之间且电耦合到区域/材料/组件。相比之下，当区域/材料/组件称为“直接电耦合”时，直接电耦合的区域/材料/组件之间不存在中间电子组件(例如，不存在二极管、晶体管、电阻器、传感器、开关、熔丝等)。

另外，“金属材料”为元素金属、两种或多于两种元素金属的混合物或合金及任何导电金属化合物中的任一者或组合。

在此文档中，选择性蚀刻或移除是其中使一种材料相对于另一(另外)所述材料以至少2.0:1的速率被移除的蚀刻或移除。此外，选择性地生长或选择性地形成是使一种材料相对于另一(另外)所述材料以至少2.0:1的速率生长或形成达至少生长或形成的前100埃。

结论

在一些实施例中，一种在一对结构之间横向形成竖向延伸的导体的方法包括：形成一对结构，所述对结构个别地包括竖向延伸的导电通路及电耦合到所述导电通路且横越于所述导电通路上方的导电线。在垂直横截面中，所述导电线及所述导电通路分别具有相对侧。在所述垂直横截面中沿着所述导电通路及所述导电线的所述相对侧形成竖向延伸的绝缘材料。所述形成所述绝缘材料包括：在所述垂直横截面中从所述导电通路及所述导电线的所述相对侧横向向外形成横向内绝缘体材料，所述横向内绝缘体材料包括硅、氧及碳。在所述垂直横截面中从所述横向内绝缘体材料的相对侧横向向外形成横向中间绝缘体材料，所述横向中间绝缘体材料包括硅及氧。所述横向中间绝缘体材料包括比所述横向内绝缘体材料更少的碳(如果有的话)。在所述垂直横截面中从所述横向中间绝缘体材料的相对侧横向向外形成横向外绝缘体材料，所述横向外绝缘体材料包括硅、氧及碳。所述横向外绝缘体材料包括比所述横向内绝缘体材料更多的碳。在所述垂直横截面中在所述绝缘材料之间且沿着所述绝缘材料横向形成竖向延伸的导体材料。

在一些实施例中，一种集成电路构造包括一对结构，所述对结构个别地包括竖向延伸的导电通路及电耦合到所述导电通路且横越于所述导电通路上方的导电线。在垂直横截面中，所述导电线及所述导电通路分别具有相对侧。在所述垂直横截面中，竖向延伸的绝缘材料是沿着所述导电通路及所述导电线的所述相对侧。所述绝缘材料包括在所述垂直横截面中从所述导电通路及所述导电线的所述相对侧横向向外的横向内绝缘体材料，所述横向内绝缘体材料包括硅、氧及碳。包括硅及氧的横向中间绝缘体材料在所述垂直横截面中从所述横向内绝缘体材料的相对侧横向向外。所述横向中间绝缘体材料包括比所述横向内绝缘体材料更少的碳(如果有的话)。包括硅、氧及碳的横向外绝缘体材料在所述垂直横截面中从所述横向中间绝缘体材料的相对侧横向向外。所述横向外绝缘体材料包括比所述横向内绝缘体材料更多的碳。在所述垂直横截面中，竖向延伸的导体材料横向介于所述绝缘材料之间且沿着所述绝缘材料。

在一些实施例中，一种集成电路构造包括一对结构，所述对结构个别地包括竖向延伸的导电通路及电耦合到所述导电通路且横越于所述导电通路上方的导电线。在垂直横截面中，所述导电线及所述导电通路分别具有相对侧。在所述垂直横截面中，竖向延伸的绝缘材料是沿着所述导电通路及所述导电线的所述相对侧。所述绝缘材料包括在所述垂直横截面中从所述导电通路及所述导电线的所述相对侧横向向外的横向内绝缘体材料，所述横向内绝缘体材料包括硅、氧及碳。包括硅、氧及碳的横向外绝缘体材料在所述垂直横截面中从所述横向内绝缘体材料的相对侧横向向外。所述横向外绝缘体材料包括比所述横向内绝缘体材料更多的碳。在所述垂直横截面中，空隙空间横向介于至少大部分的所述横向内绝缘体材料的竖向厚度与所述横向外绝缘体材料的竖向厚度之间，且沿着至少大部分的所述横向内绝缘体材料的竖向厚度及所述横向外绝缘体材料的竖向厚度竖向延伸。在所述垂直横截面中，竖向延伸的导体材料横向介于所述绝缘材料之间且沿着所述绝缘材料。

在一些实施例中，一种集成电路构造包括在多个电路元件上方延伸的导电线。所述导电线包含侧表面。绝缘结构是沿着所述导电线的所述侧表面。所述绝缘结构包括第一绝缘体材料及第二绝缘体材料。所述第一绝缘体材料介于所述导电线的所述侧表面与所述第二绝缘体材料之间。所述第一绝缘体材料包括硅、氧及碳。所述第二绝缘体材料包括硅、氧及碳。