具体实施方式

现在将更详细地参照在附图中示出的一些示例实施例的方面，其中，同样的附图标记始终指同样的元件。就这一点而言，本示例实施例可以具有不同的形式，并且不应被解释为限于这里阐述的描述。因此，下面仅通过参照图来描述示例实施例，以解释本描述的方面。如这里所使用的，术语“和/或”包括相关所列项中的一个或更多个的任何组合和所有组合。贯穿公开，表述“a、b和c中的至少一个”表示仅a、仅b、仅c、a和b两者、a和c两者、b和c两者、a、b和c中的全部或其变型。

现在将详细地参照实施例，实施例的示例在附图中示出，其中，同样的附图标记始终指同样的元件。参照下面详细地描述的实施例和附图，本公开的效果和特征以及实现其的方法将是明显的。然而，本公开可以以许多不同的形式实施，并且不应被解释为限于这里阐述的示例实施例。

将理解的是，当层、区域或组件被称为“形成在”另一层、区域或组件“上”时，该层、区域或组件可以直接地或间接地形成在所述另一层、区域或组件上，例如，可以存在中间层、中间区域或中间组件。为了便于说明，可以夸大附图中的组件的尺寸。换句话说，因为为了便于说明而任意地示出了附图中的元件的尺寸和厚度，所以下面的实施例不限于此。

X轴、Y轴和Z轴不限于直角坐标系的三个轴，并且可以以更广泛的含义解释。例如，X轴、Y轴和Z轴可以彼此垂直，或者可以表示彼此不垂直的不同方向。

虽然可以使用诸如“第一”、“第二”等的术语来描述各种元件，但是这样的元件不必限于以上术语。以上术语仅用来将一个组件与另一组件区分开。

在下面的示例实施例中，以单数使用的表述涵盖复数的表述，除非其在上下文中具有明显不同的含义。

在下面的示例实施例中，将理解的是，诸如“包括”和“具有”的术语旨在指示本公开中公开的特征或元件的存在，并且不旨在排除可能存在或可能添加一个或更多个其他特征或元件的可能性。

当可以不同地实现某个实施例时，可以与所描述的顺序不同地执行具体的工艺顺序。例如，可以基本上同时执行或者以与所描述的顺序相反的顺序执行两个连续描述的工艺。

现在将在下文中参照附图更全面地描述本公开的一些示例实施例的方面。附图中的同样的附图标记表示同样的元件，因此将省略其描述。

将理解的是，当层、区域或组件被称为连接到另一层、区域或组件时，该层、区域或组件可以直接地或间接地连接到所述另一层、区域或组件。即，例如，可以存在中间层、中间区域或中间组件。例如，将理解的是，当层、区域或组件被称为电连接到另一层、区域或组件时，该层、区域或组件可以直接地或间接地电连接到所述另一层、区域或组件。即，例如，可以存在中间层、中间区域或中间组件。

图1A和图1B是根据一些示例实施例的显示设备100的示意性平面图。

参照图1A，显示设备100可以是被构造为显示图像的设备。显示设备100包括第一基底101和第二基底102。密封构件103可以布置在第一基底101与第二基底102之间。密封构件103可以围绕第一基底101和第二基底102的外围，并且将第一基底101结合到第二基底102。

显示设备100包括显示区域DA和在显示区域DA周围(例如，在显示区域DA的外围周围或在显示区域DA的占用区外部周围)延伸的外围区域PA。显示设备100可以通过使用从布置在显示区域DA中的多个像素(例如，像素P)发射的光来提供某些图像。

显示区域DA包括连接到在Y方向上延伸的数据线DL以及在与Y方向交叉的X方向上延伸的扫描线SL的多个像素P。每个像素P可以连接到在Y方向上延伸的驱动电压线PL。

多个像素P中的每个可以包括诸如有机发光二极管(OLED)的显示元件。包括在多个像素P中的OLED中的全部可以发射相同颜色的光，并且每个像素P的颜色可以通过布置在OLED的上部上的滤色器来实现。根据一些示例实施例，每个像素P可以通过OLED发射例如红光、绿光、蓝光或白光。

每个像素P可以电连接到布置在外围区域PA中的多个内置电路。例如，第一电源线104、第二电源线105和垫(pad，或称为“焊盘”)单元106可以布置在外围区域PA中。

第一电源线104可以布置在显示区域DA的一侧上，例如，可以布置在显示设备100的下端上。第一电源线104可以连接到将驱动电压ELVDD传递到像素P的多条驱动电压线PL。

第二电源线105可以以一侧开口的环形部分地围绕显示区域DA。第二电源线105可以将共电压ELVSS提供到像素P的对电极。

垫单元106可以包括多个垫107，并且可以布置在第一基底101的一侧上。垫107中的每个可以连接到与第一电源线104连接的第一连接线108或延伸到显示区域DA的连接导线CW。垫107中的每个可以电连接到印刷电路板PCB。印刷电路板PCB的印刷电路板端子单元PCB-P可以电连接到垫单元106。

印刷电路板PCB可以将控制器的信号或电力传输到垫单元106。控制器可以分别经由第一连接线108和第二连接线109将驱动电压ELVDD和共电压ELVSS提供到第一电源线104和第二电源线105。

数据驱动电路110电连接到数据线DL。可以通过连接到垫单元106的连接导线CW和连接到连接导线CW的数据线DL将数据驱动电路110的数据信号提供到每个像素P。尽管图1示出了数据驱动电路110布置在印刷电路板PCB中，但是根据一些示例实施例，数据驱动电路110可以布置在第一基底101上方。例如，数据驱动电路110可以布置在垫单元106与第一电源线104之间。

坝单元111可以布置在外围区域PA中。当形成图3的薄膜封装层419的有机封装层422时，坝单元111可以通过阻挡有机材料在第一基底101的边缘方向上流动来防止或减少形成有机封装层422的边缘尾部。坝单元111可以围绕显示区域DA的至少一部分。坝单元111可以包括多个坝。当坝单元111包括多个坝时，每个坝可以彼此间隔开。坝单元111可以布置得比密封构件103靠近显示区域DA。

尽管图1A示出了一个印刷电路板PCB附着到垫单元106，但是如图1B中所示，多个印刷电路板PCB可以附着到垫单元106。垫单元106可以沿着第一基底101的两侧布置。垫单元106可以包括多个子垫单元106S，并且每个印刷电路板PCB可以附着到每个子垫单元106S。

图2A和图2B是根据一些示例实施例的可以包括在图1A和图1B的显示设备100中的像素P的等效电路图。

参照图2A，每个像素P包括连接到扫描线SL和数据线DL的像素电路PC以及连接到像素电路PC的有机发光二极管OLED。

像素电路PC包括驱动薄膜晶体管T1、开关薄膜晶体管T2和存储电容器Cst。开关薄膜晶体管T2连接到扫描线SL和数据线DL，并且被配置为根据通过扫描线SL输入的扫描信号Sn将通过数据线DL输入的数据信号Dm传送到驱动薄膜晶体管T1。

存储电容器Cst连接到开关薄膜晶体管T2和驱动电压线PL，并且存储与从开关薄膜晶体管T2接收的电压和供应到驱动电压线PL的驱动电压ELVDD之间的差对应的电压。

驱动薄膜晶体管T1可以连接到驱动电压线PL和存储电容器Cst，并且可以根据存储在存储电容器Cst中的电压值来控制从驱动电压线PL流到有机发光二极管OLED的驱动电流。有机发光二极管OLED可以根据驱动电流发射具有一定亮度的光。

尽管图2A示出了像素电路PC包括两个薄膜晶体管和一个存储电容器，但是根据本公开的实施例不限于此。

参照图2B，每个像素P可以包括有机发光二极管OLED和包括驱动有机发光二极管OLED的多个薄膜晶体管的像素电路PC。像素电路PC可以包括驱动薄膜晶体管T1、开关薄膜晶体管T2、感测薄膜晶体管T3和存储电容器Cst。

扫描线SL可以连接到开关薄膜晶体管T2的栅电极G2，数据线DL可以连接到开关薄膜晶体管T2的源电极S2，并且存储电容器Cst的第一电极CE1可以连接到开关薄膜晶体管T2的漏电极D2。因此，开关薄膜晶体管T2响应于来自每个像素P的扫描线SL的扫描信号Sn而将数据线DL的数据电压供应到第一节点N。

驱动薄膜晶体管T1的栅电极G1可以连接到第一节点N，驱动薄膜晶体管T1的源电极S1可以连接到被配置为传递驱动电压ELVDD的驱动电压线PL，并且驱动薄膜晶体管T1的漏电极D1可以连接到有机发光二极管OLED的阳极。因此，驱动薄膜晶体管T1可以根据驱动薄膜晶体管T1的源电极S1与栅电极G1之间的电压(即，驱动电压ELVDD与第一节点N之间的电压)来调整流到有机发光二极管OLED的电流量。

感测控制线SSL连接到感测薄膜晶体管T3的栅电极G3，感测薄膜晶体管T3的源电极S3连接到第二节点S，并且感测薄膜晶体管T3的漏电极D3连接到参考电压线RL。根据一些示例实施例，感测薄膜晶体管T3可以由扫描线SL而不是感测控制线SSL控制。

感测薄膜晶体管T3可以感测有机发光二极管OLED的像素电极(例如，阳极电极)的电位。感测薄膜晶体管T3在感测时段期间响应于来自感测控制线SSL的感测信号SSn而将来自参考电压线RL的预充电电压Vpre供应到第二节点S，或者将有机发光二极管OLED的像素电极(例如，阳极电极)的电压供应到参考电压线RL。

存储电容器Cst的第一电极CE1连接到第一节点N，并且存储电容器Cst的第二电极CE2连接到第二节点S。存储电容器Cst充有分别供应到第一节点N和第二节点S的电压之间的电压差，并且供应所充的电压差作为驱动薄膜晶体管T1的驱动电压。例如，存储电容器Cst可以充有分别供应到第一节点N和第二节点S的数据电压和预充电电压Vpre之间的电压差。

偏置电极BSM可以形成为与驱动薄膜晶体管T1对应，并且可以连接到感测薄膜晶体管T3的源电极S3。偏置电极BSM可以接收与感测薄膜晶体管T3的源电极S3的电位相关联的电压，因此，可以稳定驱动薄膜晶体管T1。根据一些示例实施例，偏置电极BSM可以不连接到感测薄膜晶体管T3的源电极S3，而是可以连接到单独的偏置线。

有机发光二极管OLED的对电极(例如，阴极电极)接收共电压ELVSS。有机发光二极管OLED接收来自驱动薄膜晶体管T1的驱动电流以发光。

尽管图2B示出了每个像素P包括信号线SL、SSL和DL、参考电压线RL和驱动电压线PL，但是根据本公开的实施例不限于此。例如，信号线SL、SSL和DL、参考电压线RL和驱动电压线PL中的至少一条可以由相邻的像素共享。

像素电路PC不限于参照图2A和图2B描述的薄膜晶体管和存储电容器的数量以及电路设计，并且薄膜晶体管和存储电容器的数量以及电路设计可以被各种改变。即，根据一些示例实施例，在不脱离根据本公开的实施例的精神和范围的情况下，图2A和图2B中示出的电子组件的数量可以改变，并且可以存在附加的或更少的电子组件。

图3是根据一些示例实施例的显示设备300的一部分的剖视图。

图3的显示设备300可以是沿着图1A的线III-III'截取的显示区域DA的一部分的剖视图。在图3的显示区域DA中示出了上述像素P的像素电路PC中的驱动薄膜晶体管T1和存储电容器Cst。

参照图3，显示设备300包括发射面板400和颜色面板500。

多个像素区域PX(例如，第一像素区域PX1、第二像素区域PX2和第三像素区域PX3)可以布置在发射面板400中。这仅仅是示例，并且显示设备300可以包括更多像素区域PX。尽管在图3中将第一像素区域PX1、第二像素区域PX2和第三像素区域PX3示出为彼此相邻，但是根据本公开的实施例不限于此。第一像素区域PX1、第二像素区域PX2和第三像素区域PX3的剖面可以不是在相同方向上的剖面。

第一有机发光二极管OLED1、第二有机发光二极管OLED2和第三有机发光二极管OLED3分别与第一像素区域PX1、第二像素区域PX2和第三像素区域PX3对应地布置。像素区域PX可以对应于有机发光二极管OLED的发射区域。其中布置有第一电力线414的激光钻孔区域LD(例如，第一激光钻孔区域LD1、第二激光钻孔区域LD2或第三激光钻孔区域LD3)可以分别布置在第一像素区域PX1、第二像素区域PX2和第三像素区域PX3中的每个周围。激光钻孔区域LD可以是非像素区域NPX(参照图5)的一部分。

在下文中，因为第一像素区域PX1、第二像素区域PX2和第三像素区域PX3包括具有相同堆叠结构的元件，所以将描述第一像素区域PX1作为示例。

发射面板400包括第一基底401。第一基底401可以包括诸如玻璃、陶瓷、金属或聚合物的材料。第一缓冲层402可以布置在第一基底401上。第一缓冲层402可以阻挡穿过第一基底401的异物或湿气的渗透。例如，第一缓冲层402可以包括诸如氧化硅、氮化硅和氮氧化硅的无机材料，并且可以包括单层或多层。

偏置电极403(图2B中的BSM)可以布置在第一缓冲层402上以与驱动薄膜晶体管T1对应。偏置电极403可以与驱动薄膜晶体管T1的半导体层A1叠置。电压可以施加到偏置电极403。例如，偏置电极403可以连接到感测薄膜晶体管(图2B中的T3)的源电极(图2B中的S3)，并且源电极S3的电压可以施加到偏置电极403。另外，偏置电极403可以防止或减少外部光到达半导体层A1。因此，可以稳定驱动薄膜晶体管T1的特性。根据一些示例实施例，可以省略偏置电极403。

第二缓冲层404可以覆盖偏置电极403。第二缓冲层404可以遍及第一基底401的整个区域布置。第二缓冲层404可以包括诸如氧化硅、氮化硅和氮氧化硅的无机材料，并且可以包括单层或多层。

半导体层A1可以布置在第二缓冲层404上。半导体层A1可以包括多晶硅、非晶硅、氧化物半导体或有机半导体材料等。根据一些示例实施例，半导体层A1可以包括与驱动薄膜晶体管T1的栅电极G1叠置的沟道区、分别布置在沟道区的两侧上并且包括比沟道区的杂质的浓度高的浓度的杂质的源区和漏区。杂质可以包括N型杂质或P型杂质。

栅极绝缘层405可以覆盖半导体层A1。栅极绝缘层405可以包括诸如氮氧化硅、氧化硅和氮化硅的无机材料，并且可以包括单层或多层。栅电极G1可以布置在栅极绝缘层405上。栅电极G1可以包括钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)、钛(Ti)等。栅电极G1可以包括单层或多层。

存储电容器Cst的第一电极CE1可以与栅电极G1布置在同一层上。第一电极CE1可以包括与栅电极G1的材料相同的材料。例如，根据一些示例实施例，第一电极CE1和栅电极G1可以作为相同沉积操作的一部分来沉积或形成，尽管实施例不限于此。

第一层间绝缘层406可以覆盖栅电极G1和存储电容器Cst的第一电极CE1。第一层间绝缘层406可以包括诸如氮氧化硅、氧化硅和氮化硅的无机材料。第一层间绝缘层406可以包括单层或多层。

源电极S1、漏电极D1、存储电容器Cst的第二电极CE2和驱动电压线PL可以布置在第一层间绝缘层406上。源电极S1、漏电极D1、存储电容器Cst的第二电极CE2和驱动电压线PL可以包括Al、Cu、Ti等，并且可以包括单层或多层。根据一些示例实施例，源电极S1、漏电极D1、存储电容器Cst的第二电极CE2和驱动电压线PL可以包括Ti/Al/Ti的多层。源电极S1和漏电极D1可以分别通过接触孔连接到半导体层A1的源区和漏区。源电极S1可以连接到驱动电压线PL。

存储电容器Cst的第二电极CE2可以与第一电极CE1叠置且其间具有第一层间绝缘层406，以形成电容。在这种情况下，第一层间绝缘层406可以执行存储电容器Cst的介电层的功能。第一层间绝缘层406的厚度可以根据存储电容器Cst的电容值来设计。

保护层407可以覆盖源电极S1、漏电极D1、存储电容器Cst的第二电极CE2和驱动电压线PL。保护层407可以包括诸如氮氧化硅、氧化硅和氮化硅的无机材料。保护层407可以保护布置在第一层间绝缘层406上的导电层或线。

第一绝缘层408可以布置在保护层407上。第一绝缘层408可以是平坦化层。第一绝缘层408可以包括有机材料，并且有机材料可以包括酰亚胺聚合物、诸如聚(甲基丙烯酸甲酯)或聚苯乙烯的一般商业聚合物、具有酚基的聚合物衍生物、丙烯酸聚合物、芳基醚聚合物、酰胺聚合物、氟聚合物、对二甲苯聚合物、乙烯醇聚合物及其混合物。根据一些示例实施例，第一绝缘层408可以包括聚酰亚胺。

当省略包括无机材料的保护层407时，导电层或线(诸如驱动电压线PL)可能会通过与从第一绝缘层408渗透的氧反应而被氧化或腐蚀。然而，在其中如例如图3中示出的包括保护层407的实施例中，导电层或线(诸如驱动电压线PL)可以不直接接触第一绝缘层408。

在第一像素区域PX1中，第一有机发光二极管OLED1可以布置在第一绝缘层408上。第一有机发光二极管OLED1包括像素电极409、包括发射层的中间层410和对电极411。

像素电极409可以通过穿透第一绝缘层408的接触孔电连接到漏电极D1。像素电极409可以经由导电保护层413连接到漏电极D1。导电保护层413可以覆盖漏电极D1。导电保护层413可以是被配置为防止或减少对漏电极D1的损坏的金属层。

像素电极409可以是(半)透明电极或反射电极。根据一些示例实施例，像素电极409可以包括反射层和形成在反射层上的透明或半透明电极层，反射层包括银(Ag)、镁(Mg)、Al、铂(Pt)、钯(Pd)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、其复合物等。透明或半透明电极层可以包括氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟(In₂O₃)、氧化铟镓(IGO)和氧化铝锌(AZO)中的至少一种。根据一些示例实施例，像素电极409可以是ITO/Ag/ITO。

第二绝缘层412可以布置在第一绝缘层408上。第二绝缘层412可以是像素限定膜。第二绝缘层412可以具有使像素电极409的一部分暴露的用于像素电极409的开口OPp，从而限定发射区域。第二绝缘层412可以包括诸如聚酰亚胺或六甲基二硅氧烷的有机材料。

中间层410可以包括发射层。根据一些示例实施例，中间层410可以公共地设置在分别布置在第一像素区域PX1、第二像素区域PX2和第三像素区域PX3中的第一有机发光二极管OLED1、第二有机发光二极管OLED2和第三有机发光二极管OLED3中。因此，第一有机发光二极管OLED1、第二有机发光二极管OLED2和第三有机发光二极管OLED3可以发射相同颜色的光。例如，中间层410可以包括包含发射蓝光的荧光材料或磷光材料的有机发射层。

诸如空穴传输层(HTL)、空穴注入层(HIL)、电子传输层(ETL)、电子注入层(EIL)等的功能层还可以选择性地布置在发射层上方或发射层下方。具有发射层的中间层410可以遍及第一有机发光二极管OLED1、第二有机发光二极管OLED2和第三有机发光二极管OLED3一体地延伸。

对电极411可以是透明电极或反射电极。根据一些示例实施例，对电极411可以是透明或半透明电极，并且可以包括具有小逸出功的金属薄膜，包括锂(Li)、钙(Ca)、氟化锂(LiF)、Ag、Mg及其复合物。另外，诸如ITO、IZO、ZnO、In₂O₃等的透明导电氧化物(TCO)膜还可以布置在金属薄膜上方。对电极411不仅可以延伸到显示区域DA，而且可以延伸到图1中示出的显示区域DA的外部的外围区域PA。对电极411可以布置在中间层410上。

其中布置有第一电力线414的激光钻孔区域LD(例如，第一激光钻孔区域LD1、第二激光钻孔区域LD2或第三激光钻孔区域LD3)可以分别布置在第一像素区域PX1、第二像素区域PX2和第三像素区域PX3中的每个周围。

在下文中，因为第一激光钻孔区域LD1、第二激光钻孔区域LD2和第三激光钻孔区域LD3包括具有相同堆叠结构的元件，所以将描述第一激光钻孔区域LD1作为示例。

第一电力线414可以布置在第一激光钻孔区域LD1中。第一电力线414可以是施加共电压ELVSS的线。每条第一电力线414可以在Y方向上延伸(见例如图5)，并且多条第一电力线414可以布置成在与Y方向交叉的X方向上彼此间隔开。第一电力线414可以布置在第一层间绝缘层406上。第一电力线414可以与源电极S1、漏电极D1、存储电容器Cst的第二电极CE2和驱动电压线PL布置在同一层上。第一电力线414可以包括诸如Al、Cu、Ti等的导电材料，并且可以由单层或多层形成。

下线415和416中的至少一者可以布置在第一电力线414下方。例如，第一下线415和第二下线416可以布置在第一电力线414下方。第一下线415可以布置在与栅电极G1的层相同的层上，并且可以包括与栅电极G1的材料相同的材料。第二下线416可以布置在与偏置电极403的层相同的层上，并且可以包括与偏置电极403的材料相同的材料。当显示设备具有相对大的面积时，会发生由于第一电力线414的自电阻或内部电阻而导致的电压降。然而，当第一电力线414电连接到第一下线415和第二下线416时，可以有效地防止或减小(例如，最小化)由于第一电力线414的自电阻导致的电压降。

导电保护层417可以覆盖第一电力线414的一部分。导电保护层417可以覆盖第一电力线414的暴露的部分，以防止或减少对第一电力线414的损坏。导电保护层417可以包括多层结构，并且可以是具有比设置在第一电力线414的最上层上的材料的氧化程度低的氧化程度的导电材料或金属，或者具有比设置在第一电力线414的最上层上的材料的耐腐蚀性高的耐腐蚀性的导电材料或金属。

根据一些示例实施例，第一电力线414的最上层可以包括铜，并且导电保护层417可以包括钛。根据一些示例实施例，导电保护层417可以包括具有导电性的氧化物。例如，导电保护层417可以包括ITO、IZO、ZnO、In₂O₃、IGO和AZO中的至少一种。

第一绝缘层408可以覆盖堆叠的第一电力线414和导电保护层417。连接电极418可以布置在第一绝缘层408上。连接电极418可以布置在与像素电极409的层相同的层上，并且可以包括与像素电极409的材料相同的材料。连接电极418可以通过穿透第一绝缘层408的接触孔连接到第一电力线414。连接电极418可以经由导电保护层417连接到第一电力线414。

第二绝缘层412可以布置在连接电极418上。第二绝缘层412可以具有使连接电极418的一部分暴露的用于连接电极418的开口OPc。第二绝缘层412可以覆盖连接电极418的边缘，并且连接电极418的除了边缘之外的部分可以暴露于外部。

中间层410可以布置在第二绝缘层412上。如上所述，中间层410可以公共地设置在分别布置在第一像素区域PX1、第二像素区域PX2和第三像素区域PX3中的第一有机发光二极管OLED1、第二有机发光二极管OLED2和第三有机发光二极管OLED3中。中间层410可以作为单一体从第一像素区域PX1、第二像素区域PX2和第三像素区域PX3分别延伸到第一激光钻孔区域LD1、第二激光钻孔区域LD2和第三激光钻孔区域LD3。

中间层410可以包括与形成在第二绝缘层412中的、用于连接电极418的开口OPc叠置的通孔410h。如示出显示设备100的放大图的图4中所示，中间层410可以包括第一功能层410a、发射层410b和第二功能层410c。通孔410h可以穿透第一功能层410a、发射层410b和第二功能层410c。通孔410h可以通过激光钻孔操作穿过第一功能层410a、发射层410b和第二功能层410c来形成。第一功能层410a可以包括HTL和/或HIL，并且第二功能层410c可以包括ETL和/或EIL。

对电极411可以布置在中间层410上。与中间层410相同，对电极411可以作为单一体分别从第一像素区域PX1、第二像素区域PX2和第三像素区域PX3延伸到第一激光钻孔区域LD1、第二激光钻孔区域LD2和第三激光钻孔区域LD3。

对电极411可以通过通孔410h和用于连接电极418的开口OPc连接到连接电极418，通孔410h和开口OPc彼此连通。对电极411可以经由连接电极418和导电保护层417电连接到第一电力线414。因为对电极411具有相对大的面积以完全覆盖图1中示出的显示区域DA，所以对电极411的电阻可能会根据每个区域中的对电极411的自电阻而变化。然而，当穿过显示区域DA的第一电力线414电连接到对电极411时，可以防止或减小由于对电极411的自电阻而导致的电压降。

第一有机发光二极管OLED1、第二有机发光二极管OLED2和第三有机发光二极管OLED3会容易被来自外部的湿气或氧等损坏。薄膜封装层419可以覆盖第一有机发光二极管OLED1、第二有机发光二极管OLED2和第三有机发光二极管OLED3。

薄膜封装层419不仅可以延伸到图3中示出的显示区域DA的一部分，而且可以从显示区域DA延伸到图1中示出的外围区域PA。薄膜封装层419可以包括无机封装层420和421中的至少一个和至少一个有机封装层422。根据一些示例实施例，薄膜封装层419可以是其中第一无机封装层420、有机封装层422和第二无机封装层421顺序地堆叠的结构。

第一无机封装层420可以覆盖对电极411，并且可以包括氮氧化硅、氧化硅、氮化硅等。根据一些示例实施例，诸如盖层的其他层可以布置在对电极411与第一无机封装层420之间。第一无机封装层420沿着下面的结构形成，第一无机封装层420的上表面可以不是平坦的。

有机封装层422可以覆盖第一无机封装层420。有机封装层422的厚度可以比第一无机封装层420和第二无机封装层421的厚度大。有机封装层422可以具有足以使第一像素区域PX1、第二像素区域PX2和第三像素区域PX3中的台阶以及第一激光钻孔区域LD1、第二激光钻孔区域LD2和第三激光钻孔区域LD3中的台阶平坦化的厚度。

有机封装层422可以包括聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚碳酸酯、聚乙烯磺酸酯(盐)、聚酰亚胺、聚芳酯、聚甲醛和六甲基二硅氧烷中的至少一种。

第二无机封装层421可以覆盖有机封装层422，并且可以包括氮氧化硅、氧化硅、氮化硅等。

即使当薄膜封装层419中发生裂纹时，也可以防止或减少第一无机封装层420与有机封装层422之间或有机封装层422与第二无机封装层421之间的裂纹的连接。

由具有以上结构的发射面板400产生的光可以入射在颜色面板500上。颜色面板500上的入射光Lib可以转换为具有不同的颜色的光，或者可以以相同的颜色发射到外部。

颜色面板500包括第二基底501。第二基底501可以是透明基底。第二基底501可以包括透明玻璃或透明树脂。第二基底501可以是包括氧化硅作为主要成分的透明玻璃基底。根据一些示例实施例，第二基底501可以包括聚合物树脂。聚合物树脂可以包括诸如聚醚砜、聚丙烯酸酯、聚醚酰亚胺、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚苯硫醚、聚芳酯、聚酰亚胺、乙酸丙酸纤维素和聚碳酸酯的聚合物树脂。

第一颜色区域R、第二颜色区域G和第三颜色区域B可以布置在第二基底501的面对发射面板400的下表面上。尽管第一颜色区域R、第二颜色区域G和第三颜色区域B在图3中被示出为彼此相邻，但是根据本公开的实施例不限于此。另外，第一颜色区域R、第二颜色区域G和第三颜色区域B的剖面可以不是在同一方向上的剖面。阻光区域BA可以布置在第一颜色区域R、第二颜色区域G和第三颜色区域B之间。阻光区域BA可以是光不能穿过的区域，并且可以以网格形式布置在第一颜色区域R、第二颜色区域G和第三颜色区域B之间。

第一颜色区域R、第二颜色区域G和第三颜色区域B可以与第一像素区域PX1、第二像素区域PX2和第三像素区域PX3对应。可以根据发射的光的颜色来区分第一颜色区域R、第二颜色区域G和第三颜色区域B。例如，第一颜色区域R可以是发射第一颜色Lr的光的区域，第二颜色区域G可以是发射第二颜色Lg的光的区域，并且第三颜色区域B可以是发射第三颜色Lb的光的区域。

第一颜色Lr的光可以是红光，第二颜色Lg的光可以是绿光，并且第三颜色Lb的光可以是蓝光。红光可以具有580nm或更大且小于750nm的峰值波长，绿光可以具有495nm或更大且小于580nm的峰值波长，并且蓝光可以具有400nm或更大且小于495nm的峰值波长。

入射光Lib可以是第三颜色Lb的光，并且入射光Lib可以通过第一颜色区域R、第二颜色区域G和第三颜色区域B而转换或透射。因此，第一颜色Lr、第二颜色Lg和第三颜色Lb的光可以通过颜色面板500发射。

颜色面板500可以包括布置在第二基底501的下表面上的阻光层502、颜色层505和颜色转换透射层510。

阻光层502可以包括第一阻光层503和第二阻光层504。

第一阻光层503和第二阻光层504可以具有黑色或白色，或者可以具有诸如包括黑色或蓝色的各种颜色。例如，第一阻光层503和第二阻光层504中的一个可以是黑色，另一个可以是黑色或蓝色。根据一些示例实施例，第一阻光层503和第二阻光层504可以具有相同的颜色。第一阻光层503和第二阻光层504可以包括诸如氧化铬或氧化钼等的不透明无机材料，或者可以包括诸如黑树脂等的不透明有机绝缘材料。第一阻光层503和/或第二阻光层504可以包括诸如白树脂、蓝树脂等的有机绝缘材料。当第一阻光层503包括蓝色有机绝缘材料时，第一阻光层503可以包括与第三滤色器508的材料相同的材料，并且可以以与第三滤色器508的操作相同的操作来形成。

第一阻光层503可以布置在第二基底501的下表面上。第一开口OP1可以布置在第一阻光层503之间，并且颜色层505可以布置在第一开口OP1中。

颜色层505可以是包括染料或颜料的有机材料图案。颜色层505可以包括针对每个像素区域PX布置的滤色器。详细地，颜色层505可以包括布置在第一像素区域PX1中的第一滤色器506、布置在第二像素区域PX2中的第二滤色器507和布置在第三像素区域PX3中的第三滤色器508。

第一滤色器506可以包括第一颜色(例如，红色)的颜料或染料。第一滤色器506可以通过形成包括第一颜色的颜料或染料的第一光敏颜色层然后对第一光敏颜色层进行图案化来形成。第二滤色器507可以包括第二颜色(例如，绿色)的颜料或染料。第二滤色器507可以通过形成包括第二颜色的颜料或染料的第二光敏颜色层然后对第二光敏颜色层进行图案化来形成。第三滤色器508可以包括第三颜色(例如，蓝色)的颜料或染料。第三滤色器508可以通过形成包括第三颜色(例如，蓝色)的颜料或染料的第三光敏颜色层然后对第三光敏颜色层进行图案化来形成。

第一盖层509可以布置在第一阻光层503和颜色层505的下表面上。第一盖层509可以覆盖第一滤色器506、第二滤色器507和第三滤色器508。第一盖层509可以包括诸如氮化硅、氧化硅或氮氧化硅的无机绝缘材料。

第二阻光层504可以布置在第一盖层509的下表面上。第二开口OP2可以布置在第二阻光层504之间，并且颜色转换透射层510可以位于第二开口OP2中。

颜色转换透射层510可以在显示设备300的竖直方向上布置在与颜色层505对应的区域中。颜色转换透射层510可以包括针对每个像素区域PX布置的颜色转换单元511或512或透射单元513。详细地，颜色转换透射层510可以包括布置在第一像素区域PX1中的第一颜色转换单元511、布置在第二像素区域PX2中的第二颜色转换单元512和布置在第三像素区域PX3中的透射单元513。

当第一颜色转换单元511在第一像素区域PX1中与第一滤色器506叠置时，入射光Lib可以转换为第一颜色Lr的光。第一颜色转换单元511可以包括第一量子点，第一量子点可以被入射光Lib激发并且发射具有比入射光Lib的波长长的波长的第一颜色Lr的光。

当第二颜色转换单元512在第二像素区域PX2中与第二滤色器507叠置时，入射光Lib可以转换为第二颜色Lg的光。第二颜色转换单元512可以包括第二量子点，第二量子点可以被入射光Lib激发并且发射具有比入射光Lib的波长长的波长的第二颜色Lg的光。

第一量子点和第二量子点是仅具有2nm至10nm的直径的半导体颗粒，并且可以是具有不寻常的电学和光学性质的颗粒。当第一量子点和第二量子点暴露于光时，第一量子点和第二量子点可以根据颗粒尺寸和材料类型而发射特定频率的光。例如，量子点可以在接收光时根据颗粒尺寸和/或材料类型而发射红光、绿光和蓝光。第一量子点和第二量子点的核可以选自于II-VI族化合物、III-V族化合物、IV-VI族化合物、IV族元素、IV族化合物及其组合。

当透射单元513在第三像素区域PX3中与第三滤色器508叠置时，可以透射入射光Lib。因此，第三颜色Lb的光可以通过透射单元513和第三滤色器508发射。第三颜色Lb的光是具有与入射光Lib的波长范围相同的波长范围内的峰值波长的蓝光。

第一颜色转换单元511、第二颜色转换单元512和透射单元513可以包括被构造为改善光效率的多个散射颗粒。散射颗粒可以是氧化钛(TiO₂)或金属颗粒。

第一颜色转换单元511、第二颜色转换单元512和透射单元513可以通过喷墨方法分别形成在由第二阻光层504限定的第二开口OP2中。

第二盖层514可以布置在第二阻光层504和颜色转换透射层510的下表面上。第二盖层514可以覆盖第一颜色转换单元511、第二颜色转换单元512和透射单元513。第二盖层514可以包括诸如氮化硅、氧化硅或氮氧化硅的无机绝缘材料。

填料515可以布置在发射面板400与颜色面板500之间。填料515的上表面可以与第二盖层514的下表面接触，并且填料515的下表面可以与薄膜封装层419的第二无机封装层421接触。填料515可以用作抵抗外部压力的缓冲器。填料515可以包括诸如甲基硅树脂、苯基硅树脂、聚酰亚胺等的有机材料。然而，填料515不限于此。填料515可以包括作为有机密封剂的聚氨酯树脂、环氧树脂、丙烯酸树脂或作为无机密封剂的硅化合物。根据一些示例实施例，填料515可以是透射绝缘层或空气层。

列间隔件516可以布置在填料515中。列间隔件516可以保持发射面板400与颜色面板500之间的间隔。列间隔件516可以是包括例如聚酰亚胺、聚酰胺、丙烯酸树脂、苯并环丁烯和酚醛树脂的至少一种有机绝缘材料。列间隔件516不限于任何一种材料，只要它是可以保持发射面板400与颜色面板500之间的间隔的绝缘材料即可。

列间隔件516可以布置在第一像素区域PX1、第二像素区域PX2和第三像素区域PX3中的每个周围。列间隔件516的至少一部分可以在显示设备300的竖直方向上与第一激光钻孔区域LD1、第二激光钻孔区域LD2和第三激光钻孔区域LD3叠置。在第一激光钻孔区域LD1至第三激光钻孔区域LD3中，对电极411可以经由连接电极418和导电保护层417电连接到第一电力线414。列间隔件516可以位于对电极411和第一电力线414连接的区域中。

参照图5，第一像素区域PX1和第二像素区域PX2可以布置成在X方向上彼此间隔开一定距离，并且第二像素区域PX2和第三像素区域PX3可以布置成在Y方向上彼此间隔开一定距离。第一像素区域PX1、第二像素区域PX2和第三像素区域PX3可以被非像素区域NPX围绕。非像素区域NPX可以包括激光钻孔区域LD。

第一电力线414可以在激光钻孔区域LD中通过通孔410h和用于连接电极(图3中的418)的开口OPc电连接到对电极(图3中的411)。列间隔件516可以位于激光钻孔区域LD中。

详细地，薄膜封装层(图3中的419)可以具有可以使发射面板400的上表面平坦化的厚度。当发射面板400的最上层由于薄膜封装层419的厚度而被平坦化时，列间隔件516可以不需要布置成不与激光钻孔区域LD叠置。因此，列间隔件516可以从由虚线区域指示的部分B移动以定位在激光钻孔区域LD中。列间隔件516可以与对电极411和第一电力线414所连接的激光钻孔区域LD完全叠置。

随着显示设备300以高分辨率而增大，其中布置在第二基底501上的颜色层505和颜色转换透射层510可以被图案化的空间会不足。当列间隔件516与激光钻孔区域LD叠置时，诸如颜色层505、颜色转换透射层510等的元件的设计自由度可以增大。另外，还可以确保其中可以设计第二基底501上的像素区域PX的空间，从而增大孔径比。

图6示出了根据一些示例实施例的显示设备600。

除了其中列间隔件616与激光钻孔区域LD叠置的部分之外，图6的显示设备600是与图3的显示设备300的结构基本上相同的结构，因此，下面将主要描述其差异。与图3中的附图标记相同的附图标记表示相同的构件。

参照图6，在第一基底401上，激光钻孔区域LD(诸如第一激光钻孔区域LD1、第二激光钻孔区域LD2和第三激光钻孔区域LD3)可以布置在第一像素区域PX1、第二像素区域PX2和第三像素区域PX3中的每个周围。

第一电力线414可以布置在激光钻孔区域LD中。第一电力线414可以是施加共电压ELVSS的线。第一电力线414可以经由导电保护层417和连接电极418电连接到对电极411。

薄膜封装层419可以布置在第一基底401的最上层上。根据一些示例实施例，薄膜封装层419可以是其中第一无机封装层420、有机封装层422和第二无机封装层421顺序地堆叠的结构。

第一颜色区域R、第二颜色区域G和第三颜色区域B可以布置在第二基底501的面对第一基底401的下表面上。第一颜色区域R、第二颜色区域G和第三颜色区域B可以与第一像素区域PX1、第二像素区域PX2和第三像素区域PX3对应。第一颜色区域R、第二颜色区域G和第三颜色区域B可以被填料615覆盖。填料615的下表面可以与薄膜封装层419的上表面接触。

列间隔件616可以布置在填料615中。列间隔件616可以保持发射面板400与颜色面板500之间的间隔。列间隔件616的至少一部分可以在显示设备600的竖直方向上与第一激光钻孔区域LD1、第二激光钻孔区域LD2和第三激光钻孔区域LD3叠置。列间隔件616可以位于对电极411和第一电力线414连接的区域中。

参照图7，第一电力线414可以在Y方向上从非像素区域NPX延伸。非像素区域NPX可以包括激光钻孔区域LD。第一电力线414可以在激光钻孔区域LD中通过通孔410h和用于连接电极(图6的418)的开口OPc电连接到对电极(图3中的411)。

列间隔件616可以从由虚线区域指示的部分C移动到激光钻孔区域LD。此时，列间隔件616不像图3的情况下那样位于激光钻孔区域LD中，而是列间隔件616的一部分(例如，与列间隔件616的半圆形区域对应的部分)可以与激光钻孔区域LD叠置。换句话说，列间隔件616可以不完全与激光钻孔区域LD叠置，并且列间隔件616的至少一部分可以与激光钻孔区域LD叠置。即使当列间隔件616的至少一部分与激光钻孔区域LD叠置时，非像素区域NPX的其他区域中的空间利用率也增大。结果，可以增大诸如颜色层505、颜色转换透射层510等的元件的设计自由度。

图8是根据一些示例实施例的显示设备800的剖视图。

除了激光钻孔区域LD的堆叠结构之外，图8的显示设备800是与图3的显示设备300的结构基本上相同的结构，因此，下面将主要描述其差异。与图3中的附图标记相同的附图标记表示相同的构件。

参照图8，第一电力线414可以布置在第一激光钻孔区域LD1中。第一电力线414可以是施加共电压ELVSS的线。第一电力线414可以布置在第一层间绝缘层406上。第一电力线414可以与源电极S1、漏电极D1、存储电容器Cst的第二电极CE2和驱动电压线PL布置在同一层上。

保护层407可以覆盖第一电力线414的边缘。导电保护层417可以布置在第一电力线414的暴露的部分上。

第一绝缘层808可以包括使堆叠的第一电力线414的一部分和/或导电保护层417的一部分暴露的用于第一电力线414的开口OPf。第一绝缘层808可以覆盖导电保护层417的边缘，并且导电保护层417的除了所述边缘之外的部分可以暴露于外部。当省略导电保护层417时，第一电力线414的一部分可以暴露于外部。

连接电极818可以布置在第一绝缘层808的外表面上。连接电极818可以布置在与像素电极409的层相同的层上，并且可以包括与像素电极409的材料相同的材料。连接电极818可以经由用于第一电力线414的开口OPf连接到第一电力线414。连接电极818可以经由导电保护层417连接到第一电力线414。

第二绝缘层812可以布置在连接电极818上。第二绝缘层812可以包括使连接电极818的一部分暴露的用于连接电极818的开口OPc。第二绝缘层812中的用于连接电极818的开口OPc可以与第一绝缘层808中的用于第一电力线414的开口OPf叠置。第二绝缘层812可以覆盖连接电极818的边缘，并且连接电极818的除了所述边缘之外的部分可以暴露于外部。

中间层410可以布置在第二绝缘层812上。中间层410可以从第一像素区域PX1一体地延伸到第一激光钻孔区域LD1。中间层410可以覆盖第二绝缘层812和连接电极818。中间层410可以包括与用于连接电极818的开口OPc和用于第一电力线414的开口OPf叠置的通孔410h。通孔410h可以通过激光钻孔操作穿过中间层410形成。

对电极411可以通过第一绝缘层808中的用于第一电力线414的开口OPf、第二绝缘层812中的用于连接电极818的开口OPc和中间层410中的通孔410h连接到连接电极818。对电极411可以经由连接电极818和导电保护层417电连接到第一电力线414。

图9是根据一些示例实施例的显示设备900的剖视图。

除了第一电力线914的堆叠结构之外，图9的显示设备900是与图3的显示设备300的结构基本上相同的结构，因此，下面将主要描述其差异。与图3中的附图标记相同的附图标记表示相同的构件。

参照图9，源电极S1、漏电极D1、存储电容器Cst的第二电极CE2和驱动电压线PL可以布置在第一层间绝缘层406上。源电极S1、漏电极D1、存储电容器Cst的第二电极CE2和驱动电压线PL可以布置在同一层上。

第二层间绝缘层907可以布置在第一层间绝缘层406上。第二层间绝缘层907可以覆盖源电极S1、漏电极D1、存储电容器Cst的第二电极CE2和驱动电压线PL。辅助驱动电压线PL'可以布置在第二层间绝缘层907上。辅助驱动电压线PL'可以通过穿透第二层间绝缘层907的接触孔与布置在辅助驱动电压线PL'下方的驱动电压线PL或驱动薄膜晶体管T1的源电极S1接触。辅助驱动电压线PL'可以连接到驱动电压线PL，以用作被配置为传递驱动电压的线。因为设置了辅助驱动电压线PL'，所以可以防止或减少驱动电压的电压降现象。总的来说，显示设备900可以提供有均匀的驱动电压。

第一电力线914可以布置在第一激光钻孔区域LD1中。第一电力线914可以是施加共电压ELVSS的线。第一电力线914可以包括第一导电层915和与第一导电层915布置在不同的层上的第二导电层916。

第一导电层915可以布置在第一层间绝缘层406上。第一导电层915可以与源电极S1、漏电极D1、存储电容器Cst的第二电极CE2和驱动电压线PL布置在同一层上。

第二层间绝缘层907可以覆盖第一导电层915。第二导电层916可以布置在第二层间绝缘层907上。第二导电层916可以与辅助驱动电压线PL'布置在同一层上。第二导电层916可以通过穿透第二层间绝缘层907的接触孔与第一导电层915接触。包含无机材料的保护层908可以覆盖第二导电层916。导电保护层417可以布置在第二导电层916的暴露的部分上。导电保护层417可以覆盖第二导电层916的暴露的部分。

对电极411可以通过连通的通孔410h和用于连接电极418的开口OPc连接到连接电极418。对电极411可以经由连接电极418和导电保护层417电连接到包括第一导电层915和第二导电层916的第一电力线914。

图10是示出根据一些示例实施例的激光钻孔区域LD和列间隔件516彼此叠置的平面图。

参照图10，多条第一电力线414可以在显示区域DA中彼此间隔开地布置。与形成在图3的第二绝缘层412中的用于连接电极418的开口OPc对应的开口OP可以与第一电力线414叠置。与形成在图3的中间层410中的通孔410h对应的通孔h可以与开口OP叠置。

虚拟单元VU可以重复地布置在显示区域DA中。对电极(图3的411)和第一电力线414电连接的位置(例如，开口OP和通孔h的叠置部分)可以位于具有M×N个的虚拟单元VU的四个拐角处。在M×N个虚拟单元VU中的多个开口OP之中，其中未形成通孔h的开口OP可以具有虚设连接结构。

列间隔件516可以位于作为对电极411和第一电力线414连接的区域的激光钻孔区域LD中。列间隔件516的至少一部分可以与其中开口OP与通孔h叠置的激光钻孔区域LD叠置。

图11和图12是根据一些示例实施例的包括显示设备1100和1200的电子装置的图。

参照图11和图12，显示设备1100和1200可以设置在诸如电视或监视器的电子装置中，或者设置在诸如膝上型计算机的电子装置中。可选地，显示设备1100和1200可以用在诸如智能相框或大型广告牌的各种电子装置中。

显示设备1100和1200不仅用在具有水平长矩形屏幕的电子装置中。例如，显示设备1100和1200可以用在具有竖直长矩形屏幕的电子装置中。

根据本公开的一些示例实施例的显示设备可以实现一种其中基底的空间利用率因为激光钻孔区域与列间隔件叠置而相对改善的显示设备。

除了以上描述之外，还可以通过参照附图描述的内容理解根据本公开的实施例的特性。

应当理解的是，这里描述的示例实施例应当仅以描述性的含义考虑，而不是出于限制的目的。每个实施例中的特征或方面的描述通常应被认为可用于其他实施例中的其他相似特征或方面。虽然已经参照图描述了一个或更多个实施例，但是本领域普通技术人员将理解的是，在不脱离由权利要求和它们的等同物限定的精神和范围的情况下，可以在其中做出形式和细节上的各种改变。