具体实施方式

下面结合附图对本申请提供的硅片载台、沉积方法、及薄膜沉积设备的实施例做详细说明。

图1是本申请一实施例的硅片载台的结构图。所述硅片载台，包括：基座1，所述基座上表面具有盲孔2；高度能够调整的支撑柱3，所述支撑柱3嵌入所述基座1的盲孔2，用于支撑置于所述基座1上表面的硅片4；所述支撑柱3与所述盲孔2内壁的间隙大小被配置为随环境温度变化而变化，以适应基座由于温度变化而产生的形变。通过将所述支撑柱3固定在所述盲孔2中从而防止了支撑柱3的移动，进而防止了置于支撑柱3上的硅片4移动。

图2是本申请一实施例中支撑柱置于盲孔的示意图。所述支撑柱3包括：螺柱31、螺环32、及螺母33。所述螺柱31的外壁具有螺纹结构(未示出)。所述螺环32内壁开设有螺纹槽(未示出)，并嵌套在所述螺柱31外壁上。所述螺母33内壁开设有螺纹槽(未示出)，并嵌套在所述螺柱31顶部。所述支撑柱3高于所述盲孔2的高度且所述支撑柱3的高度能够通过所述螺环32和所述螺母33在所述螺柱31上的位置进行调整。在本实施例中所述螺柱31的螺纹数量大于所述螺环32的螺纹数量，以使所述螺环32能够被固定在所述螺柱的不同高度上。在本实施例中所述螺母33的顶部为弧形，以减少硅片与支撑柱的接触面积。

图3A～3C是本申请一实施例中盲孔在基座上的分布图。所述基座1上表面的盲孔2设置为一个以上且为中心对称分布。如图3A所示盲孔2在基座1上呈中心对称分布，使得置于基座上的硅片能够均匀受力，并且由于基座1上的盲孔2分布在不同的区域，调整不同区域盲孔2内的支撑柱的高度以适应不同的工艺需求。盲孔的设置也可以如图3B或图3C所示，所述基座1上表面的盲孔2设置为为中心对称分布。在其他实施例中，基座上的盲孔也可以不呈中心对称分布，可以将盲孔设置在基座上的任意位置，以达到调整所需区域支撑柱的高度的目的。

在第一温度下通过调整螺环的高度来设置所述支撑柱的初始高度。所述第一温度是工艺制程开始前的闲置温度或对基座的控制温度，所述支撑柱的初始高度可以依据前一片晶圆的数据设置，或者通过测算获得所需的初始高度。在第二温度下固定所述支撑柱，所述第二温度是工艺制程开始时的晶圆加工时的温度或对基座的控制温度。由于物体受到温度的影响会产生形变，因此支撑柱与所述盲孔内壁的间隙大小被配置为随环境温度变化而变化，通过升高温度使得盲孔内壁的间隙变小，进而在第二温度下所述支撑柱的位置以及高度被固定。

下面以图3C中盲孔在基座上的分布为例介绍支撑柱在第一温度及第二温度下的高度变化。图4A～4C中的C1～C5为置于图3C中硅片载台横向方向盲孔中的支撑柱，横坐标为支撑柱在硅片载台上横向位置，纵坐标为支撑柱的高度。图4A是本申请一实施例中第一温度下支撑柱的示意图。下面请参阅图4A，在第一温度下，调整各支撑柱至同一的高度，此时支撑柱的高度为初始高度。当第二温度高于第一温度时，由于晶圆受热，发生形变，导致中间区域的晶圆远离硅片载台的上表面，此时需要调整中间区域支撑柱C2～C4的高度，以适应晶圆的形变，确保支撑柱能够对晶圆起到支撑的作用，避免硅片移动。在调整中间区域支撑柱C2～C4的高度的同时，也可以通过调整边缘区域支撑柱C1、C5的高度来适应晶圆的形变。图4B是本申请一实施例中第二温度下支撑柱的示意图。下面请参阅图4B，当第二温度高于第一温度时对支撑柱的调整结果如图4B所示。当第二温度小于第一温度时，降低中间区域的支撑柱C2～C4的高度，或提高边缘区域支撑柱C1、C5的高度以适应晶圆的形变。图4C是本申请一实施例中第二温度下支撑柱的示意图。下面请参阅图4C，当第二温度低于第一温度时对支撑柱的调整结果如图4C所示。

在硅片载台上对晶圆进行薄膜沉积时，支撑柱高度越低，晶圆距离基座越近，通过基座的内置加热装置，提供反应温度，升高温度即可加快反应速度，使得晶圆表面的薄膜沉积厚度增大。当需要较薄的薄膜沉积厚度，只需要调整支撑柱的高度，使支撑柱的高度升高，从而达到降低反应速度使薄膜厚度减小的目的。

上述技术方案通过在所述硅片载台的基座1上设置盲孔2，将所述支撑柱3嵌入所述基座1的盲孔2，防止了支撑柱3的移动，进而防止了置于支撑柱3上的硅片4移动。将所述支撑柱3设置为高度可调整的结构，以适应不同的工艺需求，避免在一个设备上运行多个进程常常需要更换底座的情况。通过将所述支撑柱3与所述盲孔2内壁的间隙大小配置为随环境温度变化而变化，并在第一温度下设置所述支撑柱的初始高度，利用物体受到温度的影响会产生形变的原理在第二温度下固定所述支撑柱，解决了更换底座使得设备成本的增加和制程时间的延长的问题，一个硅片载台就能够适用于不同的工艺制程，提高了半导体设备的生产效率。

图5是本申请一实施例中沉积方法的示意图。所述沉积方法包括：步骤S101，在硅片载台上表面设置高度能够调整的支撑柱；步骤S102，量测前一片晶圆的沉积结果并记录所述支撑柱的高度；步骤S103，根据所述沉积结果及目标沉积结果调整所述支撑柱的高度；沉积后一片晶圆。

所述硅片载台如上个实施例所述，所述硅片载台上表面具有盲孔，所述支撑柱嵌入所述盲孔。所述硅片载台的结构如图1所示。图1是本申请一实施例的硅片载台的结构图。所述硅片载台，包括：基座1，所述基座上表面具有盲孔2；高度能够调整的支撑柱3，所述支撑柱3嵌入所述基座1的盲孔2，用于支撑置于所述基座1上表面的硅片4；所述支撑柱3与所述盲孔2内壁的间隙大小被配置为随环境温度变化而变化，以适应基座由于温度变化而产生的形变。通过将所述支撑柱3固定在所述盲孔2中从而防止了支撑柱3的移动，进而防止了置于支撑柱3上的硅片4移动。

图2是本申请一实施例中支撑柱置于盲孔的示意图。所述支撑柱3包括：螺柱31、螺环32、及螺母33。所述螺柱31的外壁具有螺纹结构(未示出)。所述螺环32内壁开设有螺纹槽(未示出)，并嵌套在所述螺柱31外壁上。所述螺母33内壁开设有螺纹槽(未示出)，并嵌套在所述螺柱31顶部。所述支撑柱3高于所述盲孔2的高度且所述支撑柱3的高度能够通过所述螺环32和所述螺母33在所述螺柱31上的位置进行调整。在本实施例中所述螺柱31的螺纹数量大于所述螺环32的螺纹数量，以使所述螺环32能够被固定在所述螺柱的不同高度上。在本实施例中所述螺母33的顶部为弧形，以减少硅片与支撑柱的接触面积。

图3A～3C是本申请一实施例中盲孔在基座上的分布图。所述基座1上表面的盲孔2设置为一个以上且为中心对称分布。如图3A所示盲孔2在基座1上呈中心对称分布，使得置于基座上的硅片能够均匀受力，并且由于基座1上的盲孔2分布在不同的区域，调整不同区域盲孔2内的支撑柱的高度以适应不同的工艺需求。盲孔的设置也可以如图3B或图3C所示，所述基座1上表面的盲孔2设置为为中心对称分布。在其他实施例中，基座上的盲孔也可以不呈中心对称分布，可以将盲孔设置在基座上的任意位置，以达到调整所需区域支撑柱的高度的目的。

在第一温度下通过调整螺环的高度来设置所述支撑柱的初始高度。所述第一温度是工艺制程开始前的闲置温度或对基座的控制温度，所述支撑柱的初始高度可以依据前一片晶圆的数据设置，或者通过测算获得所需的初始高度。在第二温度下固定所述支撑柱，所述第二温度是工艺制程开始时的晶圆加工时的温度或对基座的控制温度。由于物体受到温度的影响会产生形变，因此支撑柱与所述盲孔内壁的间隙大小被配置为随环境温度变化而变化，通过升高温度使得盲孔内壁的间隙变小，进而在第二温度下所述支撑柱的位置以及高度被固定。

下面以图3C中盲孔在基座上的分布为例介绍支撑柱在第一温度及第二温度下的高度变化。图4A～4C中的C1～C5为置于图3C中硅片载台横向方向盲孔中的支撑柱，横坐标为支撑柱在硅片载台上横向位置，纵坐标为支撑柱的高度。图4A是本申请一实施例中第一温度下支撑柱的示意图。下面请参阅图4A，在第一温度下，调整各支撑柱至同一的高度，此时支撑柱的高度为初始高度。当第二温度高于第一温度时，由于晶圆受热，发生形变，导致中间区域的晶圆远离硅片载台的上表面，此时需要调整中间区域支撑柱C2～C4的高度，以适应晶圆的形变，确保支撑柱能够对晶圆起到支撑的作用，避免硅片移动。在调整中间区域支撑柱C2～C4的高度的同时，也可以通过调整边缘区域支撑柱C1、C5的高度来适应晶圆的形变。图4B是本申请一实施例中第二温度下支撑柱的示意图。下面请参阅图4B，当第二温度高于第一温度时对支撑柱的调整结果如图4B所示。当第二温度小于第一温度时，降低中间区域的支撑柱C2～C4的高度，或提高边缘区域支撑柱C1、C5的高度以适应晶圆的形变。图4C是本申请一实施例中第二温度下支撑柱的示意图。下面请参阅图4C，当第二温度低于第一温度时对支撑柱的调整结果如图4C所示。

在硅片载台上对晶圆进行薄膜沉积时，支撑柱高度越低，晶圆距离基座越近，通过基座的内置加热装置，提供反应温度，升高温度即可加快反应速度，使得晶圆表面的薄膜沉积厚度增大。当需要较薄的薄膜沉积厚度，只需要调整支撑柱的高度，使支撑柱的高度升高，从而达到降低反应速度使薄膜厚度减小的目的。

上述技术方案通过在所述硅片载台的基座1上设置盲孔2，将所述支撑柱3嵌入所述基座1的盲孔2，防止了支撑柱3的移动，进而防止了置于支撑柱3上的硅片4移动。将所述支撑柱3设置为高度可调整的结构，以适应不同的工艺需求，避免在一个设备上运行多个进程常常需要更换底座的情况。通过将所述支撑柱3与所述盲孔2内壁的间隙大小配置为随环境温度变化而变化，并在第一温度下设置所述支撑柱的初始高度，利用物体受到温度的影响会产生形变的原理在第二温度下固定所述支撑柱，解决了更换底座使得设备成本的增加和制程时间的延长的问题，一个硅片载台就能够适用于不同的工艺制程，提高了半导体设备的生产效率。

图6是本申请一实施例中薄膜沉积设备的示意图。所述薄膜沉积设备包括：控制机台U1、喷射装置U2、及硅片载台U3。所述硅片载台U3用于放置硅片，所述硅片载台U3如上个实施例及图1所示包括：基座1，所述基座上表面具有盲孔2；高度能够调整的支撑柱3，所述支撑柱3嵌入所述基座1的盲孔2，用于支撑置于所述基座1上表面的硅片4；所述支撑柱3与所述盲孔2内壁的间隙大小被配置为随环境温度变化而变化，以适应基座由于温度变化而产生的形变。所述控制机台控制喷射装置在硅片上沉积薄膜。通过将所述支撑柱3固定在所述盲孔2中从而防止了支撑柱3的移动，进而防止了置于支撑柱3上的硅片4移动。

图2是本申请一实施例中支撑柱置于盲孔的示意图。所述支撑柱3包括：螺柱31、螺环32、及螺母33。所述螺柱31的外壁具有螺纹结构(未示出)。所述螺环32内壁开设有螺纹槽(未示出)，并嵌套在所述螺柱31外壁上。所述螺母33内壁开设有螺纹槽(未示出)，并嵌套在所述螺柱31顶部。所述支撑柱3高于所述盲孔2的高度且所述支撑柱3的高度能够通过所述螺环32和所述螺母33在所述螺柱31上的位置进行调整。在本实施例中所述螺柱31的螺纹数量大于所述螺环32的螺纹数量，以使所述螺环32能够被固定在所述螺柱的不同高度上。在本实施例中所述螺母33的顶部为弧形，以减少硅片与支撑柱的接触面积。

图3A～3C是本申请一实施例中盲孔在基座上的分布图。所述基座1上表面的盲孔2设置为一个以上且为中心对称分布。如图3A所示盲孔2在基座1上呈中心对称分布，使得置于基座上的硅片能够均匀受力，并且由于基座1上的盲孔2分布在不同的区域，调整不同区域盲孔2内的支撑柱的高度以适应不同的工艺需求。盲孔的设置也可以如图3B或图3C所示，所述基座1上表面的盲孔2设置为为中心对称分布。在其他实施例中，基座上的盲孔也可以不呈中心对称分布，可以将盲孔设置在基座上的任意位置，以达到调整所需区域支撑柱的高度的目的。

在第一温度下通过调整螺环的高度来设置所述支撑柱的初始高度。所述第一温度是工艺制程开始前的闲置温度或对基座的控制温度，所述支撑柱的初始高度可以依据前一片晶圆的数据设置，或者通过测算获得所需的初始高度。在第二温度下固定所述支撑柱，所述第二温度是工艺制程开始时的晶圆加工时的温度或对基座的控制温度。由于物体受到温度的影响会产生形变，因此支撑柱与所述盲孔内壁的间隙大小被配置为随环境温度变化而变化，通过升高温度使得盲孔内壁的间隙变小，进而在第二温度下所述支撑柱的位置以及高度被固定。

下面以图3C中盲孔在基座上的分布为例介绍支撑柱在第一温度及第二温度下的高度变化。图4A～4C中的C1～C5为置于图3C中硅片载台横向方向盲孔中的支撑柱，横坐标为支撑柱在硅片载台上横向位置，纵坐标为支撑柱的高度。图4A是本申请一实施例中第一温度下支撑柱的示意图。下面请参阅图4A，在第一温度下，调整各支撑柱至同一的高度，此时支撑柱的高度为初始高度。当第二温度高于第一温度时，由于晶圆受热，发生形变，导致中间区域的晶圆远离硅片载台的上表面，此时需要调整中间区域支撑柱C2～C4的高度，以适应晶圆的形变，确保支撑柱能够对晶圆起到支撑的作用，避免硅片移动。在调整中间区域支撑柱C2～C4的高度的同时，也可以通过调整边缘区域支撑柱C1、C5的高度来适应晶圆的形变。图4B是本申请一实施例中第二温度下支撑柱的示意图。下面请参阅图4B，当第二温度高于第一温度时对支撑柱的调整结果如图4B所示。当第二温度小于第一温度时，降低中间区域的支撑柱C2～C4的高度，或提高边缘区域支撑柱C1、C5的高度以适应晶圆的形变。图4C是本申请一实施例中第二温度下支撑柱的示意图。下面请参阅图4C，当第二温度低于第一温度时对支撑柱的调整结果如图4C所示。

在硅片载台上对晶圆进行薄膜沉积时，支撑柱高度越低，晶圆距离基座越近，通过基座的内置加热装置，提供反应温度，升高温度即可加快反应速度，使得晶圆表面的薄膜沉积厚度增大。当需要较薄的薄膜沉积厚度，只需要调整支撑柱的高度，使支撑柱的高度升高，从而达到降低反应速度使薄膜厚度减小的目的。

上述技术方案通过在所述硅片载台的基座1上设置盲孔2，将所述支撑柱3嵌入所述基座1的盲孔2，防止了支撑柱3的移动，进而防止了置于支撑柱3上的硅片4移动。将所述支撑柱3设置为高度可调整的结构，以适应不同的工艺需求，避免在一个设备上运行多个进程常常需要更换底座的情况。通过将所述支撑柱3与所述盲孔2内壁的间隙大小配置为随环境温度变化而变化，并在第一温度下设置所述支撑柱的初始高度，利用物体受到温度的影响会产生形变的原理在第二温度下固定所述支撑柱，解决了更换底座使得设备成本的增加和制程时间的延长的问题，一个硅片载台就能够适用于不同的工艺制程，提高了半导体设备的生产效率。

以上所述仅是本申请的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员，在不脱离本申请原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本申请的保护范围。