具体实施方式

为使本申请的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本申请的具体实施方式做详细的说明。

在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本申请，但是本申请还可以采用其它不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本申请内涵的情况下做类似推广，因此本申请不受下面公开的具体实施例的限制。

实施例1

本发明的一个具体实施例，公开了一种自旋轨道转矩磁阻式随机存储器，俯视图示意图如图1所示，剖面图示意图如图2所示，包括：

铁电薄膜层，设置有两个金属电极，通过两个金属电极向铁电薄膜层施加第一电压。

底电极，位于铁电薄膜层之上并设置于铁电薄膜层中部，呈长条形，在底电极两端施加第二电压；

隧道结，位于底电极之上并设置于底电极中部，包括由下至上依次层叠的自由层、隧穿层和参考层。

其中，两个金属电极相对设置在铁电薄膜层相对的两个边缘上，且两个边缘位于所述底电极长边方向的两侧，通过两个金属电极施加第一电压的方向与底电极短边方向平行；通过第一电压与第二电压的正负，控制磁化的定向翻转。

与现有技术相比，本实施例在底电极下设置铁电薄膜层，设置有两个金属电极，通过两个金属电极向铁电薄膜层施加第一电压，实现铁电薄膜层的局部极化，局部极化导致铁电薄膜层产生应力梯度，从而实现铁电薄膜层局部形变，进而使得铁电薄膜上的形变出现不均匀性，底电极，位于铁电薄膜层之上并设置于铁电薄膜层中部，呈长条形，在底电极两端施加第二电压；底电极受形变不均匀的影响产生非均匀自旋轨道耦合效应，可以实现调控底电极自旋霍尔效应，从而在底电极形成自旋流梯度，隧道结，位于底电极之上并设置于底电极中部；其中，两个金属电极相对设置在铁电薄膜层相对的两个边缘上，且两个边缘位于底电极长边方向的两侧，通过两个金属电极施加第一电压的方向与底电极短边方向平行；通过第一电压与第二电压的正负，实现自由层的定向磁化翻转，由此，可以利用电流通过控制隧道结中自由层的定向磁化翻转，使自由层与参考层的磁化方向相同或相反，将存储数据“0”或“1”写入SOT-MRAM，完成数据存储。此外，通过增加铁电薄膜实现磁化翻转，有利于实现SOT-MRAM器件的集成和产业化。

实施时，铁电薄膜层采用的铁电材料可以为HfZrO或PZT；优选的为HfZrO，可以与CMOS工艺兼容，有助于器件的集成。铁电薄膜层的厚度为3～10nm，优选的为3nm，可以减小铁电薄膜层的控制电压。

具体的，铁电薄膜层设置为方形，且底电极部分覆盖铁电膜薄层。可以理解的是，底电极小于铁电薄膜层，即底电极的底面积小于铁电薄膜层的上表面积。将铁电薄膜层设置为方形，有助于器件的小型化发展，也便于后续的集成和产业化。

实施时，金属电极的材料可以选择Al、Cu、W，厚度可以为100～400nm，可达到与金属薄膜层互连，施加电压后能使铁电薄膜层产生更好的局部形变；更具体，金属电极可设置为长方形结构。可以理解的是，金属电极设置在铁电薄膜层的边缘部分，可以部分与铁电薄膜层连接，用于向铁电薄膜层施加电压。

具体的，两个金属电极长度与所在铁电薄膜层边缘长度相等。应当注意的是，两个金属电极长度与所在铁电薄膜层边缘长度相等，是为了让铁电薄膜层产生的应力的梯度较大，实现增加自旋流梯度的效果。

实施时，第一电压和第二电压的范围为-2～2V。应当注意的是，第一电压和第二电压的具体数值可根据实际应用中的要求分别进行选择确定。

具体实施时，底电极可以是具有自旋耦合效应的金属层或拓扑绝缘层，进一步地，可选择自旋轨道耦合效应强的材料制备，可以选择Ta、Pt、Hf、Ir、CuIr等金属材料，也可以选择BiSn、BiSe等拓扑绝缘体材料，还可以选择SrRuO 3等金属氧化物材料。更进一步的，底电极的厚度可以选择0～20nm。

可以理解的是，底电极用于提供自旋轨道矩，在底电极中通入电流，底电极中自旋向上的电子与自旋向下的电子在底电极的两侧聚集，底电极产生的很强的自旋耦合作用产生自旋流，利用该自旋流实现隧道结中自由层的磁向翻转。

实施时，隧道结包括由下至上依次层叠的自由层、隧穿层和参考层，其中，所述自由层与底电极连接；自由层与参考层为磁性层，自由层与参考层之间具有垂直各向异性，隧穿层为非磁性层。

实施时，所述隧道结为圆形、椭圆形或矩形；优选地，隧道结呈圆柱形，垂直设置于底电极上。

可以理解的是，隧道结磁化方向与底电极短边方向，即通入电流的方向垂直。在隧道结中自由层的磁化方向是可以变化的，用于进行数据的写入和存储，参考层中的磁化方向固定，底电极通入电流后产生垂直于电流方向的自旋流，当自旋流流过自由层时可以诱导自由层的磁化方向进行翻转，使得自由层与参考层的磁化方向相同或相反，实现数据的写入和存储。其中，当自由层和参考层的方向相同，隧道结呈现低阻态，用于表征低电平“0”；当自由层和参考层的方向相反，隧道结呈现高阻态，用于表征低电平“1”。

具体的，自由层和参考层由具有垂直各向异性的铁磁材料制备，可以选择单质铁磁材料、合金铁磁材料或者是具有磁性的金属氧化物，此外，自由层和参考层可以选择同种材料也可选择不同的材料制备。隧穿层由非磁金属或者绝缘材料制备，可以选择Cu或Ag等非磁金属，也可以选择氧化铝或氧化镁等绝缘材料。

更具体的，自由层和参考层的厚度可选择0～3nm；隧穿层的厚度可选择0～2nm。

进一步地，自由层和参考层可以采用多层膜结构，可以采用钴铂多层膜或钴镍多层膜，可以使得自由层和参考层具有更好的垂直磁各向异性。

应当注意的是，隧道结采用圆柱形，其底面直径小于等于底电极的短边长度，用以降低制备成本，并且有利于尺寸小型化，也更适用于不同结构的存储器。此外，在参考层上连接输出端。

具体实施时，隧道结还可以在参考层之上设置钉扎层，用于固化磁化方向，可以采用IrMn或CoPt。隧道结还可以在最上层设置保护层，用于保护隧道结不受损害，可以采用Ta或Ru。

实施例2

本发明的一个具体实施例2，公开了一种自旋轨道转矩磁阻式随机存储器的制造方法，如图3所示，包括：

S1、在电路片上生长铁电薄膜形成铁电薄膜层。

实施时，所述铁电薄膜层的材料为HfZrO或PZT，厚度为3～10nm。

具体的，所述铁电薄膜的生长方式为物理气相沉积和原子层沉积中的一种。

更具体的，可以采用物理气相沉积物理气相沉积(Physical Vapour Deposition，PVD)和原子层沉积(Atomic layer deposition，ALD)在电路片上生长HrZrO等与互补金属氧化物半导体(Complementary Metal-Oxide-Semiconductor，CMOS)兼容的铁电薄膜。

具体的，将所述铁电薄膜层加工为方形，且使底电极位于铁电薄膜层中部，加工方式包括离子束刻蚀、反应离子刻蚀。可以理解的，将铁电薄膜层设置为方形，有助于器件的小型化发展，也便于后续的集成和产业化。

S2、在所述铁电薄膜层上生长底电极，所述底电极呈长条形。

具体的，可以采用分子束外延生长或者采用磁控溅射的方式在铁电薄膜层上生长BiSn或SnTe等拓扑绝缘体材料形成底电极，其厚度可以为3-10nm。可以理解的，在底电极中通入电流，由于强自旋轨道耦合效应产生自旋流，进而通过自旋流实现磁性自由层的磁向翻转。

S3、在所述底电极长边方向两侧的所述铁电薄膜层的两个边缘上沉积金属电极。

具体的，可通过离子束刻蚀将金属电极刻蚀为长方形结构。

实施时，两个金属电极长度与所在铁电薄膜层边缘长度相等。应当注意的是，两个金属电极长度与所在铁电薄膜层边缘长度相等，是为了让铁电薄膜层产生的应力的梯度较大，实现增加自旋流梯度的效果。

S4、在所述底电极上的中部形成隧道结。

实施时，所述在底电极上的中部形成隧道结，具体为：

在底电极上依次生长自由层、隧穿层和参考层；

对自由层、隧穿层和参考层进行离子束刻蚀，形成隧道结。

具体的，可以采用溅射的方式在底电极上依次生长磁性自由层、非磁性隧穿层和磁性参考层。更具体的，将自由层、隧穿层和参考层加工为圆柱形，使得所述隧道结呈圆柱形，且垂直于底电极上，在参考层上连接输出端。

实施时，还可以在隧道结的参考层上生长钉扎层，用于固化磁化方向；更进一步的，可以在最上层生长一层保护层，用于保护隧道结不受损害。

实施例3

本发明的一个具体实施例3，提供了一种自旋轨道转矩磁阻式随机存储器的写入方法，根据实施例1中的自旋轨道转矩磁阻式随机存储器，可进行相应的信息存储，具体为：

通过所述两个金属电极向所述铁电薄膜层输入第一电压，通过所述底电极两端向所述底电极层输入第二电压，通过控制所述第一电压和第二电压的正负，完成SOT-MRAM的写入。也就是说，在进行SOT-MRAM的写入时，在铁电薄膜层施加的第一电压正负确定时，可通过改变底电极施加的第二电压的正负将不同的数据写入；也可在底电极施加的第二电压的正负确定时，通过改变铁电薄膜层施加的第一电压的正负将不同的数据写入。

具体的，所述第一电压和第二电压的范围为-2～2V。应当注意的是，第一电压和第二电压的具体数值可根据实际应用中的要求分别进行选择确定。

示例性的，如图1所示，本实施例中的SOT-MRAM的两个金属电极设置在也就是底电极长边方向的两侧，将金属电极V3作为正电极，金属电极V4作为负电极，在金属电极V3和金属电极V4两端施加第一电压；将底电极左端作为正电极，底电极右端作为负电极，在底电极两端施加第二电压。

具体的，在铁电层未施加电压的情况下，底电极输入电压，不能引起磁矩的定向翻转，也就是说，此时写入的数据是“0”或“1”是随机的。向铁电层施加电压后，通过改变铁电层施加电压和底电极施加电压的正负，写入数据“0”或“1”，具体为：

当第一电压为正电压，第二电压为正电压，底电极左端到右端通正电流，使隧道结的自由层磁矩翻转，自由层的磁矩方向与参考层的磁矩方向相反，磁隧道结的电阻为高阻态，写入数据为“1”。

当第一电压为负电压，向第二电压为正电压，即底电极左端到右端通正电流，使隧道结的自由层磁矩翻转，自由层的磁矩方向与参考层的磁矩方向相同，磁隧道结的电阻为高阻态，写入数据为“0”。

当第一电压为正电压，向第二电压为负电压，即底电极左端到右端通负电流，使隧道结的自由层磁矩翻转，自由层的磁矩方向与参考层的磁矩方向相同，磁隧道结的电阻为低阻态，写入数据为“0”。

当第一电压为负电压，向第二电压为负电压，即底电极左端到右端通负电流，使隧道结的自由层磁矩翻转，自由层的磁矩方向与参考层的磁矩方向相反，磁隧道结的电阻为高阻态，写入数据为“1”。

综上所述，通过控制第一电压和第二电压的正负，即通过控制铁电薄膜层和底电极的施加电压方向，实现了SOT-MRAM的定向写入。

本领域技术人员可以理解，实现上述实施例方法的全部或部分流程，可以通过计算机程序来指令相关的硬件来完成，所述的程序可存储于计算机可读存储介质中。其中，所述计算机可读存储介质为磁盘、光盘、只读存储记忆体或随机存储记忆体等。

本说明书中的各个实施例均采用递进的方式描述，各个实施例之间相同相似的部分互相参见即可，每个实施例重点说明的都是与其它实施例的不同之处。

以上所述仅是本申请的优选实施方式，虽然本申请已以较佳实施例披露如上，然而并非用以限定本申请。任何熟悉本领域的技术人员，在不脱离本申请技术方案范围情况下，都可利用上述揭示的方法和技术内容对本申请技术方案做出许多可能的变动和修饰，或修改为等同变化的等效实施例。因此，凡是未脱离本申请技术方案的内容，依据本申请的技术实质对以上实施例所做的任何的简单修改、等同变化及修饰，均仍属于本申请技术方案保护的范围内。