具体实施方式

本公开的描述中使用的术语用于描述具体实施例，并不意图限制本公开。除非另外指出，否则单数术语包括复数形式。本公开的描述的术语“包括”、“包含”、“被构造为”等用于指示存在特征、数量、步骤、操作、元件、部件或它们的组合，而不排除组合或增加一个或更多个附加特征、数量、步骤、操作、元件、部件或它们的组合的可能性。此外，术语“设置在……上”、“位于……上”等可指示元件位于物体上或物体下，且不必然意味着该元件参照重力方向位于物体的上方。

术语“结合到”、“组合到”等，可不仅指示元件直接地且物理地彼此接触，而且包括另一元件介于元件之间使得元件也与其他组件接触的构造。

为了便于描述，附图中示出的元件的尺寸和厚度是作为示例而表明的，并且本公开不限于此。

在附图中，X方向是主体的第一方向或长度方向、Y方向是主体的第二方向或宽度方向、Z方向是主体的第三方向或厚度方向。

在下文中，将参照附图详细描述根据本公开的实施例的线圈组件。参照附图，相同或相应的组件可由相同的附图标记表示，并且将省略重复的描述。

在电子装置中，可使用各种类型的电子组件，并且可在电子组件之间使用用于去除噪声或者用于其他目的的各种类型的线圈组件。

换句话说，在电子装置中，线圈组件可用作功率电感器、高频(HF)电感器、普通磁珠、高频(GHz)磁珠、共模滤波器等。

第一实施例和修改示例

图1是示意性地示出根据本公开的第一实施例的线圈组件的视图。图2是当在方向A上观察图1时的示意图。图3是示出沿着图1的线I-I'截取的截面的视图。图4是示出沿着图1的线II-II'截取的截面的视图。图5是图3的部分B的放大图。图6是示出实验示例和比较示例中的每个的信号传输特性(S参数)的视图。

参照图1至图5，根据本公开的第一实施例的线圈组件1000可包括主体100、支撑基板200、线圈部300、绝缘层400、噪声去除部500以及第一外电极610、第二外电极620和第三外电极630。

主体100可形成根据该实施例的线圈组件1000的外观，并且线圈部300可嵌入主体100中。

主体100可形成为总体上具有六面体形状。

参照图1，主体100可包括在主体100的长度方向X上彼此相对的第一表面101和第二表面102、在主体100的宽度方向Y上彼此相对的第三表面103和第四表面104，以及在主体100的厚度方向Z上彼此相对的第五表面105和第六表面106。主体100的第一表面101、第二表面102、第三表面103和第四表面104中的每个可对应于主体100的连接主体100的第五表面105和第六表面106的壁表面。在下文中，主体100的两个端表面可指主体100的第一表面101和第二表面102，主体100的两个侧表面可指主体100的第三表面103和第四表面104。另外，主体100的一个表面和另一表面可分别指主体100的第六表面106和第五表面105。

例如，主体100可形成为使得根据该实施例的其中形成有稍后将描述的第一外电极610、第二外电极620和第三外电极630的线圈组件1000具有2.0mm的长度、1.2mm的宽度和0.65mm的厚度，但不限于此。由于上述数值仅仅是不反映工艺误差等的设计值，因此在它们被认为是工艺误差的程度上，应认为它们落入本公开的范围内。

上述线圈组件1000的长度、宽度和厚度可分别通过千分尺测量方法测量。可通过以下方式执行千分尺测量方法：利用具有Gage R&R技术(即，量具重复性和再现性技术)的千分尺(设备)设置零点，将线圈组件1000插入千分尺的尖端之间，并且转动千分尺的测量刻度盘。在通过千分尺测量方法测量线圈组件1000的长度时，线圈组件1000的长度可指一次测量的值，或者可指多次测量的值的算术平均值。这可等同地应用于线圈组件1000的宽度和厚度。

上述线圈组件1000的长度、宽度和厚度可分别通过截面分析方法测量。作为示例，将描述通过截面分析方法用于测量线圈组件1000的长度的方法。基于由光学显微镜或扫描电子显微镜(SEM)捕获的主体100在宽度方向Y上的中部的截面(在长度方向X-厚度方向Z上的截面)的图像，如在捕获的图像中示出的，线圈组件1000的长度可指平行于主体100的长度方向X且连接线圈组件1000的最外部边界线的多个线段的长度中的最大值。可选地，如在捕获的图像中示出的，线圈组件1000的长度可指平行于主体100的长度方向X且连接线圈组件1000的最外部边界线的多个线段的长度中的最小值。可选地，如在捕获的图像中示出的，线圈组件1000的长度可指平行于主体100的长度方向X且连接线圈组件1000的最外部边界线的多个线段中的至少三个长度的算术平均值。这可等同地应用于线圈组件1000的宽度和厚度。

主体100可包括磁性材料和树脂。具体地，主体100可通过堆叠包括树脂和分散在树脂中的磁性材料的一个或更多个磁性复合片来形成。主体100可具有除了磁性材料可分散在树脂中的结构之外的结构。例如，主体100可利用诸如铁氧体的磁性材料形成。

磁性材料可以是铁氧体粉末颗粒或金属磁性粉末颗粒。

铁氧体粉末颗粒的示例可包括尖晶石型铁氧体(诸如Mg-Zn基铁氧体、Mn-Zn基铁氧体、Mn-Mg基铁氧体、Cu-Zn基铁氧体、Mg-Mn-Sr基铁氧体、Ni-Zn基铁氧体等)、六方晶系铁氧体(诸如Ba-Zn基铁氧体、Ba-Mg基铁氧体、Ba-Ni基铁氧体、Ba-Co基铁氧体、Ba-Ni-Co基铁氧体等)、石榴石型铁氧体(诸如Y基铁氧体等)以及Li基铁氧体中的至少一种。

金属磁性粉末颗粒可包括从由铁(Fe)、硅(Si)、铬(Cr)、钴(Co)、钼(Mo)、铝(Al)、铌(Nb)、铜(Cu)和镍(Ni)组成的组中选择的一种或更多种。例如，金属磁性粉末颗粒可以是纯铁粉末、Fe-Si基合金粉末、Fe-Si-Al基合金粉末、Fe-Ni基合金粉末、Fe-Ni-Mo基合金粉末、Fe-Ni-Mo-Cu基合金粉末、Fe-Co基合金粉末、Fe-Ni-Co基合金粉末、Fe-Cr基合金粉末、Fe-Cr-Si基合金粉末、Fe-Si-Cu-Nb基合金粉末、Fe-Ni-Cr基合金粉末和Fe-Cr-Al基合金粉末中的至少一种。

金属磁性粉末颗粒可以是非晶的或结晶的。例如，金属磁性粉末颗粒可以是Fe-Si-B-Cr基非晶合金粉末颗粒，但不限于此。

铁氧体粉末颗粒和磁性粉末颗粒可分别具有大约0.1μm至30μm的平均直径，但不限于此。在这种情况下，平均直径可指由D50或D90表示的粒度分布。

主体100可包括分散在树脂中的两种或更多种类型的磁性材料。在这种情况下，术语“不同类型的磁性材料”意指分散在树脂中的磁性材料通过直径、成分、结晶度和形状而彼此区分。

树脂可包括呈单一形式或呈组合形式的环氧树脂、聚酰亚胺、液晶聚合物等，但不限于此。

主体100可包括穿过稍后将描述的支撑基板200和线圈部300中的每个的中央部分的芯C。芯C可通过用磁性复合片填充线圈部300的通孔来形成，但不限于此。

支撑基板200可嵌入主体100中。支撑基板200可支撑稍后将描述的线圈部300。

支撑基板200可利用包括诸如环氧树脂的热固性绝缘树脂、诸如聚酰亚胺的热塑性绝缘树脂或感光绝缘树脂的绝缘材料形成，或者支撑基板200可利用其中增强材料(诸如玻璃纤维或无机填料)浸渍有这样的绝缘树脂的绝缘材料形成。例如，支撑基板200可利用诸如半固化片、味之素堆积膜(Ajinomoto Build-up Film，ABF)、FR-4、双马来酰亚胺三嗪(BT)树脂、感光电介质(PID)、覆铜层压件(CCL)等的材料形成，但不限于此。

作为无机填料，可使用从由二氧化硅(SiO₂)、氧化铝(Al₂O₃)、碳化硅(SiC)、硫酸钡(BaSO₄)、滑石粉、泥浆、云母粉末、氢氧化铝(Al(OH)₃)、氢氧化镁(Mg(OH)₂)、碳酸钙(CaCO₃)、碳酸镁(MgCO₃)、氧化镁(MgO)、氮化硼(BN)、硼酸铝(AlBO₃)、钛酸钡(BaTiO₃)和锆酸钙(CaZrO₃)组成的组中选择的至少一种。

当支撑基板200利用包括增强材料的绝缘材料形成时，支撑基板200可提供更好的刚性。当支撑基板200利用不包含玻璃纤维的绝缘材料形成时，支撑基板200可有利于减小整个线圈部300的厚度。当支撑基板200利用包含感光绝缘树脂的绝缘材料形成时，可减少形成线圈部300的工艺的数量。因此，在降低生产成本方面可以是有利的，并且可形成精细的过孔。

线圈部300可嵌入主体100中，并且可表现线圈组件的特性。例如，当该实施例的线圈组件1000用作功率电感器时，线圈部300可通过将电场存储为磁场并维持输出电压而起到稳定电子装置的电源的作用。

线圈部300可形成在支撑基板200的两个表面的至少一个上，并且可形成至少一匝。在该实施例中，线圈部300可包括第一线圈图案311和第二线圈图案312以及过孔320，第一线圈图案311和第二线圈图案312形成在支撑基板200的在主体100的厚度方向Z上彼此相对的两个表面上，过孔320穿过支撑基板200以将第一线圈图案311和第二线圈图案312彼此连接。

第一线圈图案311和第二线圈图案312中的每个可以是具有围绕芯C形成至少一匝的平面螺旋形状的形式。例如，基于图3和图4的方向，第一线圈图案311可在支撑基板200的下表面上围绕芯C形成至少一匝，第二线圈图案312可在支撑基板200的上表面上围绕芯C形成至少一匝。

第一线圈图案311的端部和第二线圈图案312的端部可分别连接到稍后将描述的第一外电极610和第二外电极620。例如，第一线圈图案311的端部可延伸为从主体100的第一表面101暴露以连接到形成在主体100的第一表面101上的第一外电极610，并且第二线圈图案312的端部可延伸为从主体100的第二表面102暴露以连接到形成在主体100的第二表面102上的第二外电极620。

线圈图案311和312以及过孔320中的至少一个可包括至少一个导电层。例如，当第二线圈图案312和过孔320通过镀覆形成在支撑基板200的另一表面上时，第二线圈图案312和过孔320可分别包括种子层和电镀层。种子层可通过诸如无电镀或溅射等的气相沉积方法形成。种子层和电镀层中的每者可具有单层结构或多层结构。多层结构的电镀层可通过其中一个电镀层被另一电镀层覆盖的共形膜结构形成，或者可具有其中仅在一个电镀层的一个表面上堆叠另一电镀层的形式。第二线圈图案312的种子层和过孔320的种子层可一体地形成，它们之间可没有边界，但不限于此。第二线圈图案312的电镀层和过孔320的电镀层可一体地形成，它们之间可没有边界，但不限于此。

作为另一示例，基于图3和图4的方向，当设置在支撑基板200的下表面侧上的第一线圈图案311和设置在支撑基板200的上表面侧上的第二线圈图案312分开形成并且然后共同地堆叠在支撑基板200上以形成线圈部300时，过孔320可包括高熔点金属层和低熔点金属层，低熔点金属层的熔点低于高熔点金属层的熔点。在这种情况下，低熔点金属层可利用包含铅(Pb)和/或锡(Sn)的焊料形成。低熔点金属层的至少一部分可由于在分批堆叠期间的压力和温度而熔融。由于这个原因，金属间化合物层(IMC层)可形成在低熔点金属层与第二线圈图案312之间的边界以及低熔点金属层与高熔点金属层之间的边界的至少一部分上。

基于图3和图4的方向，线圈图案311和312可形成为分别从支撑基板200的下表面和上表面突出。作为另一示例，基于图3和图4的方向，第一线圈图案311可形成为从支撑基板200的下表面突出，并且第二线圈图案312可形成为嵌入支撑基板200中，但是可具有从支撑基板200的上表面突出的上表面。在这种情况下，凹部可形成在第二线圈图案312的上表面中，使得支撑基板200的上表面和第二线圈图案312的上表面可不位于同一平面上。作为另一示例，基于图3和图4的方向，第二线圈图案312可形成为从支撑基板200的上表面突出，并且第一线圈图案311可形成为嵌入支撑基板200的下表面中，但是可具有从支撑基板200的下表面突出的下表面。在这种情况下，凹部可形成在第一线圈图案311的下表面中，使得支撑基板200的下表面和第一线圈图案311的下表面可不位于同一平面上。

线圈图案311和312以及过孔320中的每个可利用诸如铜(Cu)、铝(Al)、银(Ag)、锡(Sn)、金(Au)、镍(Ni)、铅(Pb)、钛(Ti)、铬(Cr)或它们的合金的导电材料形成，但不限于此。

绝缘膜IF可设置在第一线圈图案311和第二线圈图案312中的每个与主体100之间。例如，参照图3和图4，绝缘膜IF可沿着第一线圈图案311、支撑基板200和第二线圈图案312的表面形成为共形膜。绝缘膜IF可保护线圈图案311和312中的每个，并使线圈图案311和312与主体100绝缘，并且可包括已知的绝缘材料(诸如聚对二甲苯等)。可使用任何绝缘材料包括在绝缘膜IF，而没有特别限制。绝缘膜IF可通过气相沉积等形成，但不限于此，并且可通过在支撑基板200上堆叠绝缘材料(诸如，味之素堆积膜(ABF)等)来形成。

绝缘层400可设置在稍后将描述的噪声去除部500与第一外电极610和第二外电极620之间。在该实施例中，由于噪声去除部500设置在主体100的第六表面106上，因此绝缘层400可设置在主体100的第六表面106上。

绝缘层400可通过在主体100的第六表面106(其上形成稍后将描述的噪声去除部500)上堆叠绝缘膜而形成。绝缘膜可以是常规的非感光的绝缘膜(诸如，味之素堆积膜(ABF)、半固化片等)，或感光绝缘膜(诸如感光电介质(PID)或干膜)。因为第一外电极610和第二外电极620以及噪声去除部500可电容耦合，所以绝缘层400可用作介电层。这稍后将详细描述。

噪声去除部500可设置在主体100的表面上，以将从根据该实施例的线圈组件1000产生的高频噪声和/或传输到根据该实施例的线圈组件1000的高频噪声排放到线圈组件1000的外部，诸如安装基板。具体地，噪声去除部500可电容耦合到第一外电极610和第二外电极620中的每个，以从传输到根据该实施例的线圈组件1000的输入信号和从根据该实施例的线圈组件1000向外传输的输出信号去除高频噪声。这稍后将详细描述。在这种情况下，当设计根据该实施例的线圈组件1000时，术语“高频噪声”可指具有超过设定为操作频率的频率范围的上限的频率的信号。作为非限制性示例，在该实施例中，高频噪声可指600MHz或更高的信号。

噪声去除部500可包括导体。例如，噪声去除部500可利用诸如铜(Cu)、铝(Al)、银(Ag)、锡(Sn)、金(Au)、镍(Ni)、铅(Pb)、钛(Ti)、铬(Cr)或它们的合金的导电材料形成，但不限于此。噪声去除部500可通过在主体100的第六表面上堆叠金属膜(诸如，铜膜)来形成，但不限于此。

第一外电极610和第二外电极620可连接到线圈部300。在该实施例中，第一外电极610可设置在主体100的第一表面101上，可与第一线圈图案311的从主体100的第一表面101暴露的端部接触并且连接到第一线圈图案311的从主体100的第一表面101暴露的端部，并且可延伸到主体100的第三表面103、第四表面104、第五表面105和第六表面106中的每个的一部分。第二外电极620可设置在主体100的第二表面102上，可与第二线圈图案312的从主体100的第二表面102暴露的端部接触并且连接到第二线圈图案312的从主体100的第二表面102暴露的端部，并且可延伸到主体100的第三表面103、第四表面104、第五表面105和第六表面106中的每个的一部分。在主体100的第三表面103、第四表面104、第五表面105和第六表面106中的每个上，第一外电极610和第二外电极620可布置为彼此间隔开。

第一外电极610和第二外电极620中的每个可延伸到主体100的第六表面106的一部分以与噪声去除部500叠置。当根据该实施例的线圈组件1000安装在安装基板上时，第一外电极610和第二外电极620可以是将线圈组件1000电连接到安装基板的输入电极/输出电极。在该实施例中，噪声去除部500(可以是导体)以及第一外电极610和第二外电极620(可以是导体)可布置为彼此叠置。绝缘层400(可以是电介质)可设置在噪声去除部500与第一外电极610和第二外电极620中的每个之间，使得噪声去除部500与第一外电极610和第二外电极620中的每个可电容耦合。例如，噪声去除部500与第一外电极610和第二外电极620中的每个可通过绝缘层400形成电容。由于上述电容耦合，传输到第一外电极610和第二外电极620中的每个的高频噪声可传输到噪声去除部500。噪声去除部500可连接到稍后将描述的第三外电极630，第三外电极630可连接到诸如安装基板的接地件，以将高频噪声去除到安装基板等。考虑到将要去除的高频噪声的频率范围，噪声去除部500与第一外电极610和第二外电极620中的每个之间的叠置面积、绝缘层400的介电常数以及绝缘层400的厚度可分别以适当的方式进行改变。

第三外电极630可设置为与第一外电极610和第二外电极620间隔开，并且可与噪声去除部500接触并且连接到噪声去除部500。当根据该实施例的线圈组件1000安装在安装基板等上时，第三外电极630可连接到安装基板的接地件，或者当根据该实施例的线圈组件1000封装在电子组件封装件中时，第三外电极630可连接到电子组件封装件的接地件。第三外电极630可以是根据该实施例的线圈组件1000的接地电极。

在该实施例的情况下，第三外电极630可形成在主体100的第三表面103、第四表面104、第五表面105和第六表面106上，但可形成为从完全矩形的截面去除了上侧的一部分。由于这个原因，第三外电极630可设置为在主体100的第三表面103、第四表面104、第五表面105和第六表面106上与第一外电极610和第二外电极620间隔开。

第三外电极630可贯穿绝缘层400以接触噪声去除部500并且连接到噪声去除部500。例如，参照图2和图3，凸起可形成在第三外电极630的设置在主体100的第六表面106上的一个区域中，并且凸起可贯穿绝缘层400的一部分，以使第三外电极630和噪声去除部500接触并连接。因此，对应于凸起的开口O可形成在绝缘层400中。作为另一示例，基于图2的方向，从主体100的第六表面106的下边缘延伸到主体100的第六表面106的上边缘的狭缝可形成在绝缘层400上，并且第三外电极630可通过狭缝与噪声去除部500接触并且连接到噪声去除部500。在这种情况下，狭缝的宽度可等于第三外电极630的设置在主体100的第六表面106上的区域的宽度(图2中的第三外电极630在X方向上的距离)，但不限于此。

第一外电极610、第二外电极620和第三外电极630中的每个可包括导电树脂层和电镀层中的至少一个。导电树脂层可通过在主体100的表面上印刷导电膏并固化印刷的导电膏来形成，并且可包括从由铜(Cu)、镍(Ni)和银(Ag)组成的组中选择的任何一种或更多种导电金属以及热固性树脂。电镀层可包括从由镍(Ni)、铜(Cu)和锡(Sn)组成的组中选择的任何一种或更多种。

参照图3至图5，噪声去除部500可设置为接触主体100的第六表面106。由于噪声去除部500设置在主体100的第六表面106上，因此高频噪声可相对快速地排放到组件的外部。例如，由于噪声去除部500设置在主体100的第六表面106上，因此用于去除高频噪声的电容可形成在相对靠近安装基板的位置，以缩短用于去除高频噪声的路径。另外，由于噪声去除部500设置在主体100和安装基板之间，因此由线圈部300形成的磁通量可降低由安装基板的电路图案等引起的噪声。另外，噪声去除部500可设置为接触主体100的第六表面106，以最小化由于噪声去除部500的形成而导致的整个组件的厚度的增加。另外，噪声去除部500可设置为接触主体100的第六表面106，以最小化经由具有非零的介电常数的主体100而相对彼此布置的线圈部300与噪声去除部500之间的距离，并且在线圈部300与噪声去除部500之间形成电容耦合以去除高频噪声。

噪声去除部500可设置为与主体100的一个表面(即，第六表面)与主体100的两个端表面和主体100的两个侧表面中的每个交汇的边缘间隔开。例如，参照图2，噪声去除部500可设置在主体100的第六表面106上，但可不延伸到主体100的第六表面106与主体100的第一表面101、第二表面102、第三表面103和第四表面104交汇的边缘。出于这个原因，噪声去除部500的侧表面可布置为具有与上述边缘间隔开的分离空间。绝缘层400可设置在该分离空间内，并且绝缘层400可覆盖噪声去除部500的侧表面。根据上述结构，噪声去除部500可与主体100的第六表面106与主体100的第一表面101和第二表面102交汇的边缘间隔开。因此，可防止第一外电极610和第二外电极620由于噪声去除部500而彼此短路。由于应力的集中，导电金属磁性粉末颗粒可从主体100的第六表面106的边缘暴露。根据上述结构，可防止第一外电极610和第二外电极620由于噪声去除部500和暴露在该边缘周围的金属磁性粉末而短路。

图6是示出实验示例和比较示例中的每个的信号传输特性(S参数)的视图。

比较示例是不包括上述噪声去除部500的线圈组件，实验示例是包括上述噪声去除部500的线圈组件。在比较示例和实验示例中，除了存在或不存在上述噪声去除部500之外，其它全部条件是相同的。例如，在比较示例和实验示例中，线圈部的匝数、构成线圈部的金属线的直径以及主体的尺寸可全部相同。在比较示例和实验示例中，使用第一外电极作为输入端子并且使用第二外电极作为输出端子通过3D EM模拟器HFSS来确认端口之间的信号传输特性(S21)。在比较示例和实验示例中，确认了在600MHz、800MHz和1GHz频率下的信号传输特性(S21)。总之，其结果在下面的表1中示出。

[表1]

参照图6和表1，可以看出，与比较示例相比，在实验示例中更易于去除高频信号。例如，可以看出，其中没有形成噪声去除部的比较示例使相对高频率的信号通过。这意味着高频信号可相对良好地从输入端子传输到输出端子，并且意味着去除高频噪声的效果可忽略不计。可以看出，其中形成噪声去除部的实验示例没有使相对高频率的信号很好地通过。结果，可以看出，当对比实验示例和比较示例时，实验示例有效地防止了不必要的高频噪声。

图7是示意性地示出本公开的第一实施例的第一修改示例并且对应于图5的视图。

参照图5和图7，在第一实施例的情况下，可进一步包括设置在主体100的第六表面106与噪声去除部500之间的粘合层AL。噪声去除部500可设置在主体100的第六表面106上。由于包括绝缘树脂的主体100和包括导体的噪声去除部500可以是异质材料，因此它们之间的结合强度可能相对较弱。在该修改示例中，可通过在噪声去除部500与主体100的第六表面106之间设置粘合层AL来防止噪声去除部500被剥离。粘合层AL和噪声去除部500可通过在主体100的第六表面106上堆叠诸如涂覆树脂的铜(RCC)的材料来形成，但不限于此。粘合层AL可包括诸如环氧树脂的热固性树脂，但不限于此。

图8是示意性地示出本公开的第一实施例的第二修改示例并且对应于图5的视图。

参照图5和图8，在第一实施例中，噪声去除部500可包括第一导电层11以及设置在第一导电层11上的第二导电层12。第一导电层11可以是用于通过电镀工艺形成第二导电层12的种子层，并且第二导电层12可以是通过对主体100的第六表面106上的作为种子层的第一导电层11进行镀覆而形成的电镀层。第一导电层11可通过诸如溅射工艺或无电镀工艺的气相沉积工艺形成。第一导电层11和第二导电层12中的每个可利用诸如铜(Cu)、铝(Al)、银(Ag)、锡(Sn)、金(Au)、镍(Ni)、铅(Pb)、钛(Ti)或它们的合金的导电材料形成，但不限于此。图8示出了第二导电层12镀覆为覆盖第一导电层11的侧表面，但不限于此。作为另一示例，与图8不同，当使用抗镀剂形成第二导电层12时，第二导电层12可不覆盖第一导电层11的侧表面。

图9是示意性地示出本公开的第一实施例的第三修改示例并且对应于图4的视图。图10是示意性地示出本公开的第一实施例的第三修改示例并且对应于图2的视图。

参照图2和图4以及图9和图10，在第一实施例的情况下，可修改为进一步包括设置为与第一外电极610、第二外电极620和第三外电极630间隔开的第四外电极640。在该修改示例中，第三外电极630可设置在主体100的第三表面103上，使得第三外电极630的两个端部布置为延伸到主体100的第五表面105和第六表面106中的每个。第四外电极640可设置在主体100的第四表面104上，使得第四外电极640的两个端部布置为延伸到主体100的第五表面105和第六表面106中的每个。第四外电极640可与噪声去除部500接触并且连接到噪声去除部500，并且可与第三外电极630一起用作根据该实施例的线圈组件1000的接地电极。在这种情况下，上述凸起以及开口O或狭缝可分别应用到应用于该修改示例的第四外电极640和绝缘层400。与图9和图10不同，第四外电极640可不与噪声去除部500接触并且可不连接到噪声去除部500。在这种情况下，当安装根据该修改示例的线圈组件时，第四外电极640可用作非接触端子，并且可连接到安装基板等的接地件，或者可连接到封装件的接地件。当通过TWA印刷工艺等在主体100的第三表面103和第四表面104上形成第三外电极630和第四外电极640时，可容易地形成上述第三外电极630和第四外电极640的结构。

尽管未示出，但是外绝缘层可形成在主体100的第一表面101、第二表面102、第三表面103、第四表面104、第五表面105和第六表面6上的除了其中形成有第一外电极610、第二外电极620、第三外电极630和第四外电极640的区域之外的区域中，但本公开的范围不限于此。

尽管上面已经在假设第一外电极610和第二外电极620分别布置在主体100的五个表面上的情况下进行了描述，但这仅仅是说明性的。作为另一示例，外电极610和620可形成为三面电极的形式(例如，第一外电极610可设置在主体100的第一表面101上，使得第一外电极610的两个端部分别仅延伸到主体100的第五表面105和第六表面106)，或者L型电极(例如，第一外电极610可设置在主体100的第一表面101上且仅延伸到主体100的第六表面106)。

第二实施例和修改示例

图11是示意性地示出根据本公开的第二实施例的线圈组件并且对应于图3的视图。图12是示意性地示出根据本公开的第二实施例的线圈组件并且对应于图4的视图。

参照图1至图5以及图11和图12，当将根据该实施例的线圈组件2000与根据本公开的第一实施例的线圈组件1000进行比较时，噪声去除部510和520以及绝缘层410和420的结构可不同地设置。因此，在描述该实施例时，将仅描述与本公开的第一实施例不同的噪声去除部510和520以及绝缘层410和420的结构。对于该实施例的其余构造，本公开的第一实施例的描述和第一实施例的修改示例的描述可照原样应用。

参照图11和图12，应用于根据该实施例的线圈组件2000的噪声去除部510和520可包括设置为接触主体100的第六表面106的第一噪声去除部510，以及设置为接触主体100的第五表面105的第二噪声去除部520。绝缘层410和420可包括设置在第一噪声去除部510上的第一绝缘层410，以及设置在第二噪声去除部520上的第二绝缘层420。第一外电极610和第二外电极620可分别延伸到主体100的第五表面105和第六表面106的一部分，以分别电容耦合到主体100的第六表面106上的第一噪声去除部510，并且分别电容耦合到主体100的第五表面105上的第二噪声去除部520。例如，在该实施例中，基于图11的方向，在本公开的第一实施例中描述的噪声去除部500与第一外电极610和第二外电极620中的每个之间的电容耦合可形成在主体100的上表面和下表面中的每个上。在该实施例中，可增加第一外电极610和第二外电极620中的每个与噪声去除部510和520之间的电容耦合，以提高去除高频噪声的效果。

与本公开的第一实施例不同，第三外电极630可连续地形成在主体100的第三表面103、第四表面104、第五表面105和第六表面106上，以具有矩形的截面形状。在这种情况下，在本公开的第一实施例中描述的凸起和开口也可形成在设置在主体100的第五表面105上的第二绝缘层420和第三外电极630中。也就是说，第三外电极630可形成为围绕主体100的闭环形状，并且可通过限定在第一绝缘层410和第二绝缘层420上的每个开口O连接到设置在主体100的相对表面(例如，第五表面105和第六表面106)上的第一噪声去除部510和第二噪声去除部520。第三外电极的这种闭环形状可应用于线圈组件的另一示例性实施例，在另一示例性实施例中，第一噪声去除部510和第二噪声去除部520设置在主体100的侧表面(例如，第三表面103和第四表面104)上。

在该实施例中，可修改为进一步包括在本公开的第一实施例的第三修改示例中描述的第四外电极。在这种情况下，第三外电极630可与第一噪声去除部510和/或第二噪声去除部520接触，并且第四外电极可与第一噪声去除部510和/或第二噪声去除部520接触。

第三实施例和修改示例

图13是示意性地示出根据本公开的第三实施例的线圈组件的视图。图14是当在C方向上观察图13时的示意图。图15是示出沿着图13的线III-III'截取的截面的视图。

参照图1至图5以及图13至图15，当将根据该实施例的线圈组件3000与根据本公开的第一实施例的线圈组件1000进行比较时，噪声去除部510和520以及绝缘层410和420可不同地设置。因此，在描述该实施例时，将仅描述与本公开的第一实施例不同的噪声去除部510和520以及绝缘层410和420的结构。对于该实施例的构造的其余部分，本公开的第一实施例的描述和第一实施例的修改示例的描述可照原样应用。

参照图13至图15，应用于根据该实施例的线圈组件3000的噪声去除部可设置为接触主体的两个侧表面中的至少一个。另外，绝缘层可设置在主体的其上设置有噪声去除部的表面上。在下文中，将在噪声去除部510和520以及绝缘层410和420分别形成在主体100的第三表面和第四表面上的假设下进行描述，但是这仅仅是说明性的。因此，噪声去除部510和520仅设置在主体100的第三表面103和第四表面104中的一个上的事实不排除在本实施例的范围之外。

在该实施例中，噪声去除部510和520可包括设置为接触主体100的第三表面103的第一噪声去除部510，以及设置为接触主体100的第四表面104的第二噪声去除部520。绝缘层410和420可包括设置在第一噪声去除部510上的第一绝缘层410，以及设置在第二噪声去除部520上的第二绝缘层420。第一外电极610和第二外电极620可分别延伸到主体100的第三表面103和第四表面104的一部分，以分别电容耦合到主体100的第三表面103上的第一噪声去除部510，并且分别电容耦合到主体100的第四表面104上的第二噪声去除部520。

虽然图13和图15示出了该实施例包括第四外电极640，但是本实施例的范围不限于此。在该实施例中可省略第四外电极640。另外，可将第三外电极630单独修改为接触第一噪声去除部510和第二噪声去除部520中的每个。

在该实施例中，可修改在该实施例中描述的噪声去除部510和520以组合在本公开的第一实施例中描述的噪声去除部500，和/或在本公开的第二实施例中描述的噪声去除部510和520。

根据本公开的实施例，可容易地去除高频噪声。

尽管上面已经示出并描述了示例实施例，但是对于本领域技术人员将明显的是，可在不脱离由所附权利要求限定的本公开的范围的情况下作出修改示例和变型。