具体实施方式

本公开的描述中使用的术语用于描述具体的实施例，并不意在限制本公开。除非另外指出，否则单数术语包括复数形式。本公开的描述中的术语“包括”、“包含”、“被构造为”等用于指示存在特征、数量、步骤、操作、元件、部件或它们的组合，并不排除组合或添加一个或更多个额外的特征、数量、步骤、操作、元件、部件或它们的组合的可能性。此外，术语“设置在……上”、“位于……上”等可指示元件位于物体上或位于物体下方，并不必然意味着元件相对于重力方向位于物体上方。

术语“结合到”、“组合到”等不仅可指示元件彼此直接且物理接触，而且还可包括另一元件介于所述元件之间使得所述元件还与所述另一元件接触的构造。

为了易于描述，附图中示出的元件的尺寸和厚度指示为示例，并且本公开不限于此。

在附图中，X方向为主体的第一方向或长度方向，Y方向为主体的第二方向或宽度方向，Z方向为主体的第三方向或厚度方向。

在下文中，将参照附图详细地描述根据本公开的实施例的线圈组件。参照附图，相同或相应的组件可由相同的附图标记表示，并且将省略重复的描述。

在电子装置中，可使用各种类型的电子组件，并且可在电子组件之间使用各种类型的线圈组件以去除噪声或用于其他目的。

换句话说，在电子装置中，线圈组件可用作功率电感器、高频(HF)电感器、普通磁珠、高频(GHz)磁珠、共模滤波器等。

第一实施例&修改示例

图1是示意性示出根据本公开的第一实施例的线圈组件的示图。图2是示出沿着图1的线I-I'截取的截面的示图。图3是示出沿着图1的线II-II'截取的截面的示图。图4是示意性示出根据本公开的第一实施例的线圈组件在从图1的下部观察时的示图。

参照图1至图4，根据本公开的第一实施例的线圈组件1000可包括主体100、支撑基板200、线圈部300、介电层400、第一外电极510、第二外电极520和第三外电极530。

主体100可形成根据该实施例的线圈组件1000的外型，并且线圈部300可嵌在其中。

主体100可在总体上形成为具有六面体形状。

参照图1，主体100可包括在主体100的长度方向X上彼此相对的第一表面101和第二表面102、在主体100的宽度方向Y上彼此相对的第三表面103和第四表面104以及在主体100的厚度方向Z上彼此相对的第五表面105和第六表面106。主体100的第一表面101、第二表面102、第三表面103和第四表面104中的每个表面可与主体100的连接主体100的第五表面105和第六表面106的壁表面对应。在下文中，主体100的两个/相对的端表面可指的是主体100的第一表面101和第二表面102，主体100的两个/相对的侧表面可指的是主体100的第三表面103和第四表面104。另外，主体100的一个表面和另一表面可分别指的是主体100的第六表面106和第五表面105。

例如，主体100可形成为使得根据该实施例的其中形成有稍后将描述的第一外电极510、第二外电极520和第三外电极530的线圈组件1000具有2.0mm的长度、1.2mm的宽度和0.65mm的厚度，但不限于此。由于上述数值仅为不反映工艺误差等的说明性的设计值，因此在差异落在工艺误差的范围内的程度上，应认为尺寸与其不同的组件仍可落在本公开的范围内。注意，本公开还包含具有与上述尺寸不同的尺寸的组件。

上述线圈组件1000的长度、宽度和厚度可通过千分尺测量法测量。千分尺测量法可通过用具有Gage R&R技术(即，计量重复性和再现性技术)的千分尺(设备)设置零点，将线圈组件1000插设在千分尺的尖端之间并且转动千分尺的测量杆来执行。在通过千分尺测量法测量线圈组件1000的长度时，线圈组件1000的长度可指的是一次测量的值，或者可指的是以不同次数或在不同位置处测量的多个值的算术平均值。这可等同地应用于线圈组件1000的宽度和厚度。

上述线圈组件1000的长度、宽度和厚度可通过截面分析法测量。作为示例，将描述通过截面分析法测量线圈组件1000的长度的方法。基于通过光学显微镜或扫描电子显微镜(SEM)捕获的穿过主体100的在宽度方向Y上的中央部分的截面(沿着长度方向X和厚度方向Z延伸的截面)的图像，如捕获的图像中所示，线圈组件1000的长度可指的是与主体100的长度方向X平行且连接线圈组件1000的最外边界线的多个线段的长度之中的最大值。可选地，如捕获的图像中所示，线圈组件1000的长度可指的是与主体100的长度方向X平行且连接线圈组件1000的最外边界线的多个线段的长度之中的最小值。可选地，如捕获的图像中所示，线圈组件1000的长度可指的是与主体100的长度方向X平行且连接线圈组件1000的最外边界线的多个线段的三个或更多个长度的算术平均值。该测量方法可等同地应用于线圈组件1000的宽度和厚度。

主体100可包括磁性材料和树脂。具体地，主体100可通过堆叠包括树脂和分散在树脂中的磁性材料的一个或更多个磁性复合片来形成。主体100可具有除了其中磁性材料分散在树脂中的结构之外的结构。例如，主体100可利用诸如铁氧体的磁性材料制成。

磁性材料可以是铁氧体粉末颗粒或金属磁性粉末颗粒。

铁氧体粉末颗粒的示例可包括尖晶石型铁氧体(诸如Mg-Zn基铁氧体、Mn-Zn基铁氧体、Mn-Mg基铁氧体、Cu-Zn基铁氧体、Mg-Mn-Sr基铁氧体、Ni-Zn基铁氧体等)、六方晶系铁氧体(诸如Ba-Zn基铁氧体、Ba-Mg基铁氧体、Ba-Ni基铁氧体、Ba-Co基铁氧体、Ba-Ni-Co基铁氧体等)、石榴石型铁氧体(诸如Y基铁氧体等)和Li基铁氧体中的一种或更多种。

金属磁性粉末颗粒可包括从由铁(Fe)、硅(Si)、铬(Cr)、钴(Co)、钼(Mo)、铝(Al)、铌(Nb)、铜(Cu)和镍(Ni)组成的组中选择的一种或更多种。例如，金属磁性粉末颗粒可以是纯铁粉末、Fe-Si基合金粉末、Fe-Si-Al基合金粉末、Fe-Ni基合金粉末、Fe-Ni-Mo基合金粉末、Fe-Ni-Mo-Cu基合金粉末、Fe-Co基合金粉末、Fe-Ni-Co基合金粉末、Fe-Cr基合金粉末、Fe-Cr-Si基合金粉末、Fe-Si-Cu-Nb基合金粉末、Fe-Ni-Cr基合金粉末和Fe-Cr-Al基合金粉末中的一种或更多种。

金属磁性粉末颗粒可以是非晶质或结晶质。例如，金属磁性粉末颗粒可以是Fe-Si-B-Cr基非晶态合金粉末颗粒，但不限于此。

铁氧体粉末颗粒和金属磁性粉末颗粒可均具有约0.1μm至30μm的平均直径，但不限于此。在这种情况下，平均直径可指的是由D50或D90表示的粒度分布。

主体100可包括分散在树脂中的两种或更多种类型的磁性材料。在这种情况下，术语“不同类型的磁性材料”意味着分散在树脂中的磁性材料通过平均直径、成分、结晶度和形状彼此区分。

树脂可包括单一形式或组合形式的环氧树脂、聚酰亚胺、液晶聚合物等，但不限于此。

主体100可包括贯穿稍后将描述的支撑基板200和线圈部300中的每个的中央部分的芯110。芯110可通过用磁性复合片填充线圈部300的通孔来形成，但不限于此。

支撑基板200可嵌在主体100中。支撑基板200可支撑稍后将描述的线圈部300。

支撑基板200可利用包括热固性绝缘树脂(诸如环氧树脂)、热塑性绝缘树脂(诸如聚酰亚胺)或感光绝缘树脂的绝缘材料形成，或者可利用其中增强材料(诸如玻璃纤维或无机填料)浸渍有绝缘树脂的绝缘材料形成。例如，支撑基板200可利用诸如半固化片、味之素堆积膜(ABF)、FR-4、双马来酰亚胺三嗪(BT)树脂、感光电介质(PID)、覆铜层压板(CCL)等的材料形成，但不限于此。

可使用从由二氧化硅(SiO₂)、氧化铝(Al₂O₃)、碳化硅(SiC)、硫酸钡(BaSO₄)、滑石粉、泥浆、云母粉末、氢氧化铝(Al(OH)₃)、氢氧化镁(Mg(OH)₂)、碳酸钙(CaCO₃)、碳酸镁(MgCO₃)、氧化镁(MgO)、氮化硼(BN)、硼酸铝(AlBO₃)、钛酸钡(BaTiO₃)和锆酸钙(CaZrO₃)组成的组中选择的一种或更多种作为无机填料。

当支撑基板200利用包括增强材料的绝缘材料形成时，支撑基板200可提供更好的刚性。当支撑基板200利用不包含玻璃纤维的绝缘材料形成时，支撑基板200可有利于减小整个线圈部300的厚度。当支撑基板200利用包含感光绝缘树脂的绝缘材料形成时，可减少用于形成线圈部300的工艺步骤的数量。因此，在降低生产成本方面可以是有利的，并且可形成精细的过孔。

线圈部300可嵌在主体100中，并且可表现出线圈组件的特性。例如，当该实施例的线圈组件1000用作功率电感器时，线圈部300可通过将电场存储为磁场并保持输出电压来起到稳定电子装置的电源的作用。

线圈部300可设置在主体100中，并且第一引出部331和第二引出部332可从主体100的表面暴露并彼此间隔开。具体地，应用于该实施例的线圈部300可包括：第一线圈图案311和第二线圈图案312，形成在支撑基板200的在主体100的厚度方向Z上彼此相对的相对表面上；过孔320，贯穿支撑基板200以将第一线圈图案311和第二线圈图案312彼此连接；以及第一引出部331和第二引出部332，分别连接到第一线圈图案311和第二线圈图案312并且分别从主体100的第一表面101和第二表面102暴露。

第一线圈图案311和第二线圈图案312中的每个可以是具有围绕芯110形成至少一匝的平面螺旋形状的形式。例如，基于图2和图3的方向，第一线圈图案311可在支撑基板200的下表面上围绕芯110形成至少一匝，第二线圈图案312可在支撑基板200的上表面上围绕芯110形成至少一匝。

第一引出部331可连接第一线圈图案331以及稍后将描述的第一外电极510，第二引出部332可连接第二线圈图案332以及稍后将描述的第二外电极520。例如，第一引出部331可从第一线圈图案311延伸以从主体100的第一表面101暴露，第二引出部332可从第二线圈图案312延伸以从主体100的第二表面102暴露。如稍后将描述的，由于第一外电极510和第二外电极520可分别形成在主体100的第一表面101和第二表面102上，因此第一引出部331可与第一外电极510接触并连接到第一外电极510，第二引出部332可与第二外电极520接触并连接到第二外电极520。

线圈图案311和引出部331可彼此一体地形成，线圈图案312和引出部332可彼此一体地形成，使得在它们之间可不形成边界。例如，第一线圈图案311和第一引出部331可通过同一工艺同时形成，从而在竖直方向上可不形成边界。该实施例的范围不限于此。

线圈图案311和312、过孔320以及引出部331和332中的至少一者可包括至少一个导电层。例如，当第二线圈图案312、过孔320和第二引出部332通过镀覆形成在支撑基板200的另一表面上时，第二线圈图案312、过孔320和第二引出部332可包括种子层和电镀层。种子层可通过诸如无电镀、溅射等的气相沉积方法形成。种子层和电镀层中的每个可具有单层结构或多层结构。多层结构的电镀层可利用其中一个电镀层被另一电镀层覆盖的共形膜结构形成，或者可具有其中一个电镀层仅堆叠在另一电镀层的一个表面上的形式。第二线圈图案312的种子层、过孔320的种子层和第二引出部332的种子层可彼此一体地形成，从而在它们之间可不出现边界，但不限于此。第二线圈图案312的电镀层、过孔320的电镀层和第二引出部332的电镀层可彼此一体地形成，从而在它们之间可不出现边界，但不限于此。

基于图2和图3的方向，线圈图案311和312以及引出部331和332可形成为分别从支撑基板200的下表面和上表面突出。作为另一示例，基于图2和图3的方向，第一线圈图案311和第一引出部331可形成为从支撑基板200的下表面突出，第二线圈图案312和第二引出部332可形成为嵌在支撑基板200中，但可具有从支撑基板200的上表面突出的上表面。在这种情况下，可在第二线圈图案312和第二引出部332的上表面中形成凹陷，使得支撑基板200的上表面与第二线圈图案312和第二引出部332的上表面可不位于同一平面上。作为另一示例，基于图2和图3的方向，第二线圈图案312和第二引出部332可形成为从支撑基板200的上表面突出，第一线圈图案311和第一引出部331可形成为嵌在支撑基板200的下表面中，但可具有从支撑基板200的下表面突出的下表面。在这种情况下，可在第一线圈图案311和第一引出部331的下表面中形成凹陷，使得支撑基板200的下表面与第一线圈图案311和第一引出部331的下表面可不位于同一平面上。作为另一示例，基于图2和图3的方向，当设置在支撑基板200的下表面侧上的第一线圈图案311和第一引出部331以及设置在支撑基板200的上表面侧上的第二线圈图案312和第二引出部332单独形成，然后共同堆叠在支撑基板200上以形成线圈部300时，过孔320可包括高熔点金属层和具有比高熔点金属层的熔点低的熔点的低熔点金属层。在这种情况下，低熔点金属层可利用包含铅(Pb)和/或锡(Sn)的焊料形成。低熔点金属层的至少一部分可由于在批量堆叠期间的压力和温度而熔化。为此，可在低熔点金属层与第二线圈图案312之间的边界以及低熔点金属层与高熔点金属层之间的边界的至少一部分上形成金属间化合物层(IMC层)。

线圈图案311和312、过孔320以及引出部331和332中的每者可利用诸如铜(Cu)、铝(Al)、银(Ag)、锡(Sn)、金(Au)、镍(Ni)、铅(Pb)、钛(Ti)、铬(Cr)或它们的合金的导电材料形成，但不限于此。

绝缘膜IF可设置在线圈图案311和312以及引出部331和332中的每者与主体100之间。例如，参照图2和图3，绝缘膜IF可沿着线圈图案311和312、引出部331和332以及支撑基板200的表面形成为共形膜。绝缘膜IF可保护线圈图案311和312以及引出部331和332中的每者，可使线圈部300与主体100绝缘，并且可包括诸如聚对二甲苯等的已知的绝缘材料。可使用任意绝缘材料包括在绝缘膜IF中，而没有特别限制。绝缘膜IF可通过气相沉积等形成，但不限于此，并可通过在支撑基板200上堆叠诸如味之素堆积膜(ABF)等的绝缘材料来形成。

介电层400可设置在主体100的表面上。具体地，介电层400可设置在主体100的其上设置有稍后将描述的第三外电极530的表面与第三外电极530之间。介电层400可被构造为设置在第三外电极530与线圈部300之间的重叠区域(例如，在Y方向上叠置)中，使得在第三外电极530与线圈部300之间形成电容耦合。在该实施例中，介电层400可形成为彼此间隔开的多个介电层，并且多个介电层可分别设置在主体100的第三表面103和第四表面104上。

介电层400可具有与主体100不同的成分。可选地，介电层400可包括电介质。可选地，介电层400可利用诸如具有相对高介电常数(ε＝ε₀ε_r)的钛酸钡(BaTiO₃)的铁电材料形成，可利用其中无机填料分散在绝缘树脂中的复合材料形成，或者可利用由绝缘树脂构成的复合材料形成。在这种情况下，无机填料可以是诸如钛酸钡的铁电粉末颗粒，但不限于此。

介电层400可使用用于形成介电层的材料通过覆膜法以膜的形式形成在主体100的表面上，或者可通过在主体100的表面上印刷或喷涂用于形成介电层的材料而以膏的形式形成，但不限于此。

第一外电极510和第二外电极520可分别连接到线圈部300的第一引出部331和第二引出部332。在该实施例中，第一外电极510可设置在主体100的第一表面101上，以与线圈部300的从主体100的第一表面101暴露的第一引出部331接触并连接到第一引出部331，并且延伸到主体100的第六表面106的一部分。第二外电极520可设置在主体100的第二表面102上，以与线圈部300的从主体100的第二表面102暴露的第二引出部332接触并连接到第二引出部332，并且延伸到主体100的第六表面106的一部分。在主体100的第六表面106上，第一外电极510和第二外电极520可设置为彼此间隔开。

第三外电极530可设置在主体100的表面上并与第一外电极510和第二外电极520间隔开，并且可覆盖介电层400。当根据该实施例的线圈组件1000安装在安装基板等上时，第三外电极530可连接到安装基板的地，或者当根据该实施例的线圈组件1000封装在电子组件封装件中时，第三外电极530可连接到电子组件封装件的地。第三外电极530可以是根据该实施例的线圈组件1000的接地电极。在该实施例中，第三外电极530可设置为彼此间隔开的多个第三外电极，并分别形成在主体100的第三表面103和第四表面104上，以覆盖分别设置在主体100的第三表面103和第四表面104上的介电层400。另外，多个第三外电极530中的每个可延伸到主体100的第六表面106，并且可设置在主体的第六表面106上并彼此间隔开。第三外电极530可覆盖介电层400并且延伸超过介电层400的边缘以接触主体100的表面。

第一外电极510、第二外电极520和第三外电极530中的每者可包括导电树脂层和电镀层中的至少一个。导电树脂层可通过在主体100的表面上印刷导电膏并固化印刷的导电膏来形成，并且导电树脂层可包括从由铜(Cu)、镍(Ni)和银(Ag)组成的组中选择的任意一种或更多种导电金属以及热固性树脂。电镀层可包括从由镍(Ni)、铜(Cu)和锡(Sn)组成的组中选择的任意一种或更多种。

第三外电极530可通过介电层400电容耦合到线圈部300。具体地，由于第三外电极530与线圈部300形成重叠区域，并且介电层400设置在第三外电极530与线圈部300之间，因此第三外电极530和线圈部300可形成电容。在该实施例中，介电层400和第三外电极530可形成在主体100的表面上，从而以相对简单的方式去除高频噪声。另外，在该实施例中，由于介电层400和第三外电极530可形成在主体100的从主体100的表面到线圈部300具有相对短的距离的第三表面103和第四表面104上，因此可进一步提高第三外电极530与线圈部300之间的电容耦合。在这种情况下，在设计根据该实施例的线圈组件1000时，术语“高频噪声”可指的是，具有超过设置为操作频率的频率范围的上限的频率的信号。作为非限制性的示例，在该实施例中，高频噪声可指的是大于等于600MHz的信号。

介电层400在主体100的厚度方向Z上的测量值可大于等于从第一线圈图案311的下表面到第二线圈图案312的上表面的测量值。另外，介电层400可分别设置在主体100的第三表面103和第四表面104上，以覆盖线圈部300与第三外电极530之间的重叠区域。为此，介电层400可设置在线圈部300与第三外电极530之间的重叠区域中，以进一步提高线圈部300与第三外电极530之间的电容耦合。

图5是在与图4对应的示图中示意性示出本公开的第一实施例的第一修改示例的示图。

参照图5，在第一修改示例中，介电层400可设置在主体100的第三表面103和第四表面104中的每个上，并可彼此间隔开，并且第三外电极530可一体地形成在主体100的第三表面103、第四表面104和第六表面106上。因此，第三外电极530可形成为从主体100的第六表面106延伸到主体100的宽度方向Y的两端。在这种情况下，第三外电极530可通过印刷方法容易地形成，以改善与安装基板的结合可靠性。

图6和图7是示意性示出本公开的第一实施例的第二修改示例并且分别与图3和图4中所示的示图对应的示图。

参照图6和图7，在第二修改示例的情况下，介电层400和第三外电极530中的每者可以以单个形式一体地形成在主体100的第三表面103、第四表面104和第六表面106上。在这种情况下，介电层400和第三外电极530中的每者可通过印刷方法容易地形成，并且线圈部300与第三外电极530之间的电容耦合还可形成在主体100的第六表面106上。

在上文中，已在假设第一外电极510和第二外电极520中的每个为L形状的情况下进行了描述，但该实施例的范围不限于此。例如，第一外电极510和第二外电极520的形状没有限制，只要它们设置在主体100的第六表面106上并彼此间隔开并且与第三外电极530间隔开即可。例如，第一外电极510和第二外电极520中的每个可修改为具有仅设置在主体100的第六表面106上的形式(例如，在这种情况下，线圈部300的两个引出部331和332仅暴露于主体100的第六表面106)，设置在主体100的第一表面101上并延伸到主体100的第五表面105和第六表面106中的每个的至少一部分的形式，或者设置在主体100的第一表面101上并延伸到主体100的第三表面103、第四表面104、第五表面105和第六表面106中的每个的至少一部分的形式。

第二实施例

图8是示意性示出根据本公开的第二实施例的线圈组件的示图。图9是示出根据本公开的第二实施例的线圈组件的分解部分的示图。图10是示出沿着图8的线III-III'截取的截面的示图。

参照图1至图4以及图8至图10，当将根据该实施例的线圈组件2000与根据本公开的第一实施例的线圈组件1000进行比较时，线圈部300可不同地设置。因此，在描述该实施例时，将仅描述与本公开的第一实施例不同的线圈部300。该实施例的构造的其余部分可如本公开的第一实施例中所描述的那样应用。

参照图8至图10，应用于根据该实施例的线圈组件2000的线圈部300还可包括馈电部341和342，馈电部341和342通过主体100的表面暴露并与第一引出部331和第二引出部332间隔开。具体地，第一馈电部341可连接到第一线圈图案311，可与第一引出部331间隔开，并且可通过主体100的第三表面103暴露。第二馈电部342可连接到第二线圈图案312，可与第二引出部332间隔开，并且可通过主体100的第四表面104暴露。介电层400可分别设置在馈电部341和342的暴露表面上，以覆盖馈电部341和342的暴露表面。

馈电部341和线圈图案311可在同一工艺中一起形成，馈电部342和线圈图案312可在同一工艺中一起形成，以在不形成边界的情况下彼此一体地形成，但该实施例的范围不限于此。

在该实施例中，线圈部300的馈电部341和342可形成为具有从线圈图案311和312延伸以分别通过主体100的第三表面103和第四表面104暴露的形式。因此，可减小线圈部300与第三外电极530之间的距离。因此，可提高线圈部300与第三外电极530之间的电容耦合，并且可改善由线圈部300、第三外电极530和介电层400形成的电容。结果，可改善该实施例的用于去除高频噪声的效果。

尽管在该实施例中未描述，但在本公开的第一实施例中描述的修改示例可应用于根据该实施例的线圈组件2000。

第三实施例

图11是示意性示出根据本公开的第三实施例的线圈组件的示图。图12是示出根据本公开的第三实施例的线圈组件的分解部分的示图。图13是示出沿着图11的线IV-IV'截取的截面的示图。

参照图8至图10以及图11至图13，当将根据该实施例的线圈组件3000与根据本公开的第二实施例的线圈组件2000进行比较时，馈电部341和342以及导体膜600可不同地设置。因此，在描述该实施例时，将仅描述与本公开的第二实施例不同的馈电部341和342以及导体膜600。该实施例的构造的其余部分可如本公开的第二实施例中所描述的那样应用。

参照图11至图13，根据该实施例的线圈组件3000还可包括设置在主体100的第三表面103和第四表面104与介电层400之间并且分别覆盖馈电部341和342的暴露表面的导体膜600。导体膜600可分别与馈电部341和342接触并连接到馈电部341和342。

导体膜600可利用诸如铜(Cu)、铝(Al)、银(Ag)、锡(Sn)、金(Au)、镍(Ni)、铅(Pb)、钛(Ti)、铬(Cr)或它们的合金的导电材料形成，但不限于此。

介电层400可覆盖导体膜600。由于介电层400覆盖导体膜600，因此可防止导体膜600与第三外电极530之间的短路。

由于导体膜600连接到线圈部300，因此可减小设置在主体100中的馈电部341和342的体积。因此，可相对提高主体100中的磁体的比例。另外，由于导体膜600设置在主体100的表面上，因此可容易地控制其相对于第三外电极530形成的重叠区域。

尽管在该实施例中未描述，但在本公开的第一实施例中描述的修改示例可应用于根据该实施例的线圈组件3000。

第四实施例

图14是示意性示出根据本公开的第四实施例的线圈组件的示图。图15是示意性示出图14中所示的线圈组件在从上方观察时的示图。图16是示出沿着图14的线V-V'截取的截面的示图。此外，在图14的情况下，省略内绝缘层800以清楚地示出线圈部300和噪声去除部700的布置。

参照图1至图4以及图14至图16，当将根据该实施例的线圈组件4000与根据本公开的第一实施例的线圈组件1000进行比较时，噪声去除部700和内绝缘层800可不同地设置。因此，在描述该实施例时，将仅描述与本公开的第一实施例不同的噪声去除部700和内绝缘层800。该实施例的构造的其余部分可如本公开的第一实施例中所描述的那样应用。

参照图14至图16，根据该实施例的线圈组件4000还可包括噪声去除部700和内绝缘层800。

噪声去除部700可设置在主体100中，以将传递到组件的噪声和/或从组件产生的噪声排放到安装基板等。具体地，噪声去除部700可包括：环图案710，在主体100中设置为与线圈部300间隔开并且具有彼此间隔开的相对的端部以形成开环；以及引出图案720，连接到环图案710和第三外电极530。在该实施例中，噪声去除部700可设置在稍后将描述的内绝缘层800上，并且可设置在第二线圈图案312上(例如，设置为与第二线圈图案312在厚度方向Z上叠置)。噪声去除部700可通过内绝缘层800和绝缘膜IF与线圈部300电绝缘并且电容耦合到线圈部300。

环图案710可具有彼此间隔开以形成开环的相对的端部。例如，环图案710可形成为整体上具有与线圈部300的上表面的形状对应的环形状，但狭缝S可形成在环图案710中以形成开环。环图案710的相对的端部可通过狭缝S彼此分离，并且环图案710可因此形成开环。在这种情况下，如图14中所示，“环图案710可形成开环”可指的是，环图案710可整体上具有其中在中央部分中形成通孔的板状环的形状，但由于狭缝S等，环图案710的一个端部和另一端部可彼此完全间隔开，以形成彼此不接触的结构。可选地，“环图案710可形成开环”可指的是围绕其中的中央开口的大部分周边延伸但包括穿过其的中断部或狭缝的图案，使得图案不围绕中央开口的整个周边延伸。如图14和图15中所示，只要环图案710满足一个端部和另一端部彼此间隔开以形成开环的条件，其内侧表面和外侧表面可在整体上形成为具有环形状、椭圆环形状，但不限于此。作为另一示例，环图案710可形成为具有其中内侧表面完全是圆形并且外侧表面完全是矩形的环形状。

环图案710可设置为与其中设置有线圈部300的区域对应(或与其中设置有线圈部300的区域在厚度Z方向上叠置)。作为示例，参照图14至图16，环图案710的在Y方向上投影到主体100的第三表面103侧上的区域的线宽可具有与第二线圈图案312的在Y方向上投影到第三表面103侧上的区域的最内匝与最外匝之间的距离类似的值。由于环图案710设置在与线圈部300对应(或与线圈部300在Z方向上叠置)的区域中，因此可使主体100中的磁性材料的减少最小化，同时容易地去除噪声。因此，由于使磁性材料的减少最小化，可使组件的特性的劣化最小化。

可修改环图案710中的狭缝S的位置。具体地，参照图15，从环图案710的一个端部到主体100的第三表面103的距离d2可大于或等于从环图案710的另一端部到主体100的第四表面104的距离d1。在这种情况下，从环图案710的一个端部到主体100的第三表面103的距离d2可指的是在环图案710的线宽方向上从环图案710的一个端部的形成狭缝S的内壁的侧表面的中央到主体100的第三表面103的最短直线距离d2。另外，从环图案710的另一端部到主体100的第四表面104的距离d1可指的是在环图案710的线宽方向上从环图案710的另一端部的形成狭缝S的内壁的侧表面的中央到主体100的第四表面104的最短直线距离d1。在这种情况下，由于狭缝S形成在环图案710的与主体100的第四表面104相邻的区域中，并且引出图案720从主体100的第三表面103暴露，因此可使通过环图案710传输到引出图案720的高频噪声的路径最小化。例如，可改善去除高频噪声的效果。

引出图案720可从主体100的第三表面103暴露。由于引出图案720从主体100的第三表面103暴露，因此噪声去除部700可与第三外电极530接触并连接到第三外电极530。

噪声去除部700可利用诸如铜(Cu)、铝(Al)、银(Ag)、锡(Sn)、金(Au)、镍(Ni)、铅(Pb)、钛(Ti)或它们的合金的导电材料形成，但不限于此。噪声去除部700和狭缝S可通过包括无电镀法、电镀法、诸如溅射等的气相沉积法以及蚀刻法中的至少一种的方法形成，但不限于此。

内绝缘层800可设置在线圈部300与噪声去除部700之间。例如，如图16中所示，内绝缘层800可设置在第二线圈图案312上，并且可设置在第二线圈图案312与噪声去除部700之间。

内绝缘层800可通过在支撑基板200的其上形成有线圈部300和绝缘膜IF的表面上堆叠绝缘膜来形成。绝缘膜可以是常规的非感光绝缘膜(诸如味之素堆积膜(ABF)或半固化片)，或者干膜或感光绝缘膜(诸如PID)。由于线圈部300和噪声去除部700可彼此电容耦合，因此内绝缘层800可与绝缘膜IF一起用作介电层。

尽管在该实施例中未描述，但在本公开的第一实施例中描述的修改示例可应用于根据该实施例的线圈组件4000。

根据本公开的实施例，可容易地去除高频噪声。

虽然以上已经示出并描述了示例实施例，但对于本领域技术人员来说将显而易见的是，在不脱离本公开的由所附权利要求限定的范围的情况下，可做出修改示例。