具体实施方式

本申请中，“至少一个”是指一个或者多个，“多个”是指两个或两个以上。“和/或”，描述关联对象的关联关系，表示可以存在三种关系，例如，A和/或B，可以表示：单独存在A，同时存在A和B，单独存在B的情况，其中A，B可以是单数或者复数。字符“/”一般表示前后关联对象是一种“或”的关系。“以下至少一项(个)”或其类似表达，是指的这些项中的任意组合，包括单项(个)或复数项(个)的任意组合。例如，单独a，单独b或单独c中的至少一项(个)，可以表示：单独a，单独b，单独c，组合a和b，组合a和c，组合b和c，或组合a、b和c，其中a，b，c可以是单个，也可以是多个。

此外，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“上”、“下”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。

此外，除非另有明确的规定和限定，术语“连接”应做广义理解，例如，“连接”可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连。

本申请提供一种OLED显示模组、OLED显示屏、终端及OLED亮度自动调节的方法，利用有机薄膜晶体管(organic thin film transistor，OTFT)作为检测OLED器件的光强度的传感器，通过比较OLED器件对应的发光区域检测的光强度指示信息与预先获得的基准光强度指示信息，判断出OLED器件在使用后是否发生亮度下降，并按照OLED器件的光强度下降幅度及周围环境等综合因素对发光区域的驱动电流进行相应补偿。由此，对OLED器件的寿命进行有效补偿，避免了由于现有的寿命模型与OLED器件的实际寿命曲线之间的差异而造成 OLED器件的寿命补偿效果下降的问题，且覆盖了各种类型的OLED器件，有利于降低OLED显示模组中不同OLED器件的寿命差异，使得OLED显示模组中不同OLED器件的寿命均衡，提升了OLED显示屏的显示效果，增加了OLED显示屏的寿命，有益于降低了器件成本，从而提高了包括OLED显示屏的终端的竞争力。

其中，终端可以包括但不限于为手机、平板电脑、电子阅读器、遥控器、个人计算机(personal computer，PC)、笔记本电脑、个人数字助理(personal digital assistant，PDA)、车载设备、网络电视、可穿戴设备、电视机、智能手表、智能手环等具有显示界面的产品。为了便于说明，下述实施例以终端为手机为例进行示意。

如图1a所示，终端可以包括；壳体组件1和OLED显示屏2。壳体组件1用于对OLED显示屏2进行承载和保护。OLED显示屏2位于壳体组件1的内部。其中，OLED显示屏2可以可用于有源矩阵有机发光二极体或主动矩阵有机发光二极体(active-matrix organic light-emitting diode，AMOLED)显示场景或者micro-LED显示场景等，且OLED显示屏2可以为各种自发光显示屏，本申请对此不做限定。

如图1b所示，OLED显示屏2可以包括盖板10、OLED显示模组20以及背板30。OLED显示模组20位于背板10与盖板20之间。其中，盖板10起到保护OLED显示模组20的作用，在OLED显示模组20的厚度较小时能够保障OLED显示模组20的发光性能和可靠性能，还能够确保OLED显示模组20的弯折性能，避免弯折断裂等问题。背板30起到支撑作用，可以实现OLED显示模组20的固定设置。通常，背板10与OLED显示模组20之间以及盖板20与OLED显示模组20之间可以采用如OCA(optically clear adhesive)光学胶进行粘接。

另外，如图1a所示，终端还可以包括：光学器件3。光学器件3设置在OLED显示屏2的与出光面相对的背面的一侧，且光学器件3的受光面朝向OLED显示屏2。其中，光学器件3包括光敏传感器的部件。例如，光学器件3可以为闪光灯、摄像头、接近光传感器、环境光传感器以及指纹传感器等器件。

如图2a所示，OLED显示模组20具有用于显示图像画面的显示区域A1，以及位于显示区域A1外围的周边区域A2。其中，本申请对显示区域A1和周边区域A2的形状和相对位置不做限定。为了便于说明，图2a中，以周边区域A2围绕设置在显示区域A1的四周为例进行示意。

由于OLED显示模组20是自发光的，因此，如图2b所示，显示区域A1设置有多个呈矩阵形式排列的亚像素211(sub pixel)。其中，本申请对亚像素211的形状和具体排列方式不做限定。每个像素21包括至少三个分别用于显示三原色的亚像素211。为了便于说明，图2b中，以一个像素21包括虚线框中的一个填充有交叉线的圆角矩形的红色亚像素、一个空心圆角矩形的蓝色亚像素和两个填充有多个点的圆形的绿色亚像素为例进行示意。

此外，每个亚像素211可以划分为发光区域B1和非发光区域B2。每个亚像素211中的发光区域B1是通过OLED器件23发光得到，且OLED器件23可以在驱动芯片212(图3a和图3b中未进行示意)的驱动作用下实现发光。

本申请中，驱动芯片212可以为多个元器件组成的电路，也可以为集成芯片，本申请对此不做限定。另外，驱动芯片212中除了可以包括用于驱动OLED器件23发光的像素驱动电路之外，还可以包括数据存储器和输入/输出接口等。其中，像素驱动电路可以包括但不限于为2T1C、 7T1C、6T1C或者6T2C等架构。

如图3a和图3b所示，OLED显示模组20可以包括：基板221。其中，像素驱动电路中的TFT 以及电容可以设置在基板221中。

另外，继续图3a和图3b，可选地，本申请的OLED显示模组20还可以包括：衬底222，衬底222位于基板221远离OLED显示模组20的出光面的一侧。其中，衬底222采用的材料可以包括但限于为玻璃、石英、树脂或者金属等。例如，树脂衬底可以为聚对苯二甲酸类塑料(polyethylene terephthalate，PET)、聚碳酸酯树脂、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)等。

在发光区域B1中设置有与驱动芯片212电连接的OLED器件23，OLED器件23可以包括如图3a和图3b所示的多个第一电极231(图3a和图3b以一个为例进行示意)、多个有机发光层232 (图3a和图3b以一个为例进行示意)和多个第二电极233(图3a和图3b以多个电极233电连接在一起为例进行示意)，第一电极231和第二电极233位于有机发光层232的两侧，每个第二电极233与驱动芯片212中的像素驱动电路电连接，使得第二电极233与驱动芯片212中的像素驱动电路共地，且每个第二电极233可以位于一个有机发光层232上且覆盖该有机发光层232。

其中，有机发光层232的厚度和材料取决于OLED器件23的性能需求。例如，有机发光层 232可以为红色发光层，以形成红色亚像素。有机发光层232可以为蓝色发光层，以形成蓝色亚像素。有机发光层232可以为绿色发光层，以形成绿色亚像素。

为了便于说明，第一电极231为阳极(anodic，a)，第二电极233为阴极(cathode，c)。其中，第一电极231的材料可以采用金属材料。例如，银(Ag)、氧化铟锡(indium tinoxide， ITO)等。第二电极233的材料可以采用半透明或者全透明导电材料。例如，银镁合金(AgMg)、银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、ITO、氧化铟锌(indium zinc oxide，IZO)等。

基于此，第一电极231与驱动芯片212中像素驱动电路的驱动晶体管电连接，并在驱动芯片212中的像素驱动电路向第一电极231和第二电极233施加电压后，基于驱动芯片212中的像素驱动电路与每个第一电极231的电连接关系，第一电极231可以接收该驱动晶体管产生的驱动电流，进而第一电极231和第二电极233中的载流子在有机发光层232中相遇，并激发出光子，使得有机发光层232在驱动电流的驱动作用下发光。又由于第一电极231的透光率较小，第二电极233透光，使得OLED器件23发出的光可以沿着出光方向AA由第二电极233所在的一侧射出，从而使得包含有多个OLED器件23的OLED显示模组20能够显示图像画面。

本领域技术人员可以理解，各个亚像素211中的OLED器件23的第二电极233通常连接相同的电压，如低电平电源电压ELVSS。因此，为了确保阴极的连续性，可选地，本申请中，位于不同亚像素211中的各个OLED器件23的第二电极233可以电连接在一起，形成一层阴极层，有利于向OLED器件23提供相同的电压，还使得该阴极层覆盖OELD显示屏20中的全部的OLED器件23的有机发光层232，确保了OLED器件23的发光效率。

其中，该阴极层可以选择图4a所示的不进行图形化工艺，且采用整面膜层制备，以简化工艺流程，也可以选择图4b所示的在该阴极层中的非发光区域B2进行图形化工艺，使得图形化后的阴极层能够覆盖OLED显示模组20中的全部的OLED器件23对应的发光区域B1，以节省掩膜成本。且为了进一步说明，图3a中的第二电极233采用图4a所示的整面膜层，图3b中的第二电极233采用图4b所示的图形化后的阴极层。

此外，考虑到OLED显示模组20的产品成本、亮度以及发光效率等因素，OLED器件23除了设置有第一电极231、有机发光层232和第二电极233之外，还可以设置其他膜层234，如用于平衡电子和空穴的电子传输层和空穴传输层，以及用于增强电子和空穴的注入的电子注入层和空穴注入层。通常，空穴注入层、空穴传输层、有机发光层232、电子传输层以及电子注入层可以顺次地层叠设置。或者，电子注入层、电子传输层、有机发光层232、空穴传输层以及空穴注入层可以顺次地层叠设置。其中，其他膜层234可以选择进行图形化工艺，以节省掩膜成本，也可以选择不进行图形化工艺，而采用整面膜层制备，以简化工艺流程。

在OLED显示模组20显示图像画面的过程中，不同亚像素211发出的光线颜色或者光线亮度可能不相同。因此，为了防止相邻亚像素211发出的光混光，继续结合图3a和图3b，OLED 显示模组20还可以包括：像素定义层24(pixel define layer，PDL)。通常，像素定义层24为单层结构，由聚酰亚胺(PI)制备形成。当然，像素定义层24也可以多层结构，本申请对此不做限定。

本申请中，像素定义层24可以具有多个间隔设置的像素开口241和像素凸台242。一个像素开口241的底部露出一个第一电极231，使得多个第一电极231间隔设置在基板221上。其中，每个第一电极231的面积通常大于等于发光区域B1的面积。且每个有机发光层232位于一个像素开口241内，每个第二电极233对应一个有机发光层，且每个第二电极233将对应的有机发光层233全部覆盖。从而，每个像素开口241用于界定每个亚像素211的发光区域B1和非发光区域B2，像素开口241对应的区域为发光区域B1，像素开口241之外的区域为非发光区域B2，使得像素定义层24可以界定每个亚像素211的发光区域B1的形状和大小。

基于上述描述，像素定义层24的设置不仅可以确保后续形成的有机发光层232能够至少将像素开口241全部覆盖，即有机发光层232设置在像素开口241中，以保证了OLED器件23的发光效率。其中，每个有机发光层232可以将发光区域B1全部覆盖，即设置在每个像素开口241 内(如图3a和图3b所示)，也可以将第一电极231全部覆盖，即设置在每个像素开口241内并沿着与该像素开口241相邻的像素凸台242的侧壁上铺设。

同时，像素定义层24的设置还可以确保后续形成的第二电极233能够连续沿着像素定义层 24的侧壁进行铺设，使得阴极能够连续。另外，在第二电极233进行图形化工艺时，第二电极 233可以在每个像素凸台242的顶壁对应区域内进行图形化工艺，如图3b所示，以节省掩膜成本。

为了避免OLED器件23暴露在有水汽或者氧气的环境中，因此，继续结合图3a和图3b， OLED显示模组20还可以包括：薄膜封装层25，薄膜封装层25位于多个第二电极233的上方，且薄膜封装层25填充每个像素开口241，不仅有助于隔绝OLED器件23周围的水汽和氧气，还增强了薄膜封装层25与第二电极233之间的粘附能力，提高了OLED显示模组20的抗剪切能力，减少或避免了薄膜封装层25与第二电极233之间以及OLED器件23中的各个膜层之间出现分离或位置偏移的现象。

其中，薄膜封装层25可以包括一层或者多层结构。为了便于说明，本申请中薄膜封装层 25为三层结构为例进行示意。薄膜封装层25可以采用有机膜层、无极膜层或者有机膜层与无极膜层的叠层结构。本申请对薄膜封装层25的厚度不做限定，具体根据薄膜封装层25的材料、工艺水平以及实际需求进行相应调整。且薄膜封装层25的顶面可以为平坦的(如图3a和图3b 所示)，也可以为具有一定坡度，本申请对此不做限定。通常，由薄膜封装层25中有机膜层的厚度对薄膜封装层25的顶面的平坦度进行调整。

本领域技术人员可以理解，OTFT的漏电流会随着光强度的增大而增大。基于上述描述，继续结合图3a和图3b，OLED显示模组20还可以包括：至少一个OTFT 26。

其中，至少一个OTFT 26位于薄膜封装层25上，且能接收到至少一个亚像素211的发光区域B1发出的光。且至少一个OTFT 26可以通过导线与OLED显示模组20中的用于驱动OTFT 26的电路电连接，以便该电路控制OTFT 26导通或者关断。另外，OTFT 26可以采用顶栅结构或者底栅结构，本申请对此不做限定。

由于像素定义层24可以界定每个亚像素211的发光区域B1的形状和大小，且OTFT26需要接收到OLED器件23发出的光。因此，每个像素凸台242的侧壁与底壁之间的夹角θ设置在预设范围内，使得像素定义层24靠近基板221的一端的截面宽度大于像素定义层24远离基板221的一端的截面宽度，即像素定义层24为上窄下宽的结构，以便OLED器件23发出的光能够照射在OTFT 26上，从而通过检测OTFT 26的漏电流来感知OLED器件23的光强度。

其中，每个像素凸台242侧壁与底壁之间的夹角θ可以相同或者不同，具体结合实际制作工艺进行设置。且本申请对预设范围的大小不做限定。可选地，预设范围可以设置为大于0°且小于等于30°。且本申请对像素开口241和像素凸台242的尺寸和形状不做限定。例如，像素凸台242垂直于基板221表面且平行于像素定义层24的宽度方向的纵截面可以为梯形或者不规则形状。为了便于说明，本申请中像素凸台242的纵截面以等腰梯形为例进行示意。

为了实现对OLED器件23的寿命补偿，本申请中，驱动芯片212通过OTFT 26的漏电流能够获取到发光区域B1的光强度指示信息，且基于预先获得的基准光强度指示信息和检测的光强度指示信息，可以判断出发光区域B1的光强度的下降幅度，并按照发光区域B1的光强度的下降幅度及周围环境等综合因素对驱动电流进行相应补偿。

从而，驱动芯片212可以指示像素驱动电路在每个发光区域B1对应的第一电极231和第二电极233之间以驱动电流来驱动发光区域B1发光，从而实现OLED器件23的亮度补偿，达到延长OLED器件23寿命的效果。

在一个具体的实施例中，若光强度指示信息采用光强度进行表示，驱动芯片212每个发光区域B1对应的第一电极231和第二电极233之间以驱动电流来驱动发光区域B1发光的具体内容为：

步骤1：驱动芯片212可以获取在OLED器件23生产后经过出厂测试得到的OLED器件23的出厂光强度L_BL。

步骤2：驱动芯片212在OLED器件23使用一段时长t后，通过检测OTFT 26的漏电流，确定出当前的环境光强度L_BG。驱动芯片212再在OLED器件23发光时，通过检测OTFT 26的漏电流，确定出当前的环境光强度L_BG与OLED器件23的光强度L_EL之和L_BG+L_EL。接着，驱动芯片212用当前的环境光强度L_BG与OLED器件23的光强度L_EL之和L_BG+L_EL减去当前的环境光强度L_BG，得到OLED器件23的光强度L_EL。

步骤3：驱动芯片212基于OLED器件23的出厂光强度L_BL和OLED器件23的光强度L_EL，如计算出L_EL/L_BL或者(L_EL－L_BL)/L_BL的比值等方式，可以确定出使用一段时长t后的OLED器件23的寿命下降幅度，再通过查表或预设的对应关系等方式，确定OLED器件23的驱动电流。

步骤4：驱动芯片212指示像素驱动电路以OLED器件23的驱动电流驱动OLED器件23发光，从而实现OLED器件23的亮度补偿，达到延长OLED器件23寿命的效果。

为了便于操作，可选地，本申请可将电容与OTFT 26实现电连接，驱动芯片212通过检测电容的电荷量Q来表征OTFT 26的漏电流的变化情况，进而驱动芯片212可以获得OLED器件23 的光强度的大小。一般情况下，光强度越强，电容的电荷量Q越大。其中，本申请对电容与 OTFT 26的电连接方式不做限定。

需要说明的是，除了采用电容的检测方式之外，本申请还可以通过其他检测方式来表征 OTFT 26的漏电流的变化情况，以获知OLED器件23的光强度的大小。另外，用于驱动OTFT 26 的电路与驱动芯片212中的像素驱动电路为实现不同功能的两个电路，两者可以整合在一个电路板上，也可以分别设置在不同的电路板上，本申请对此不做限定。当然，用于驱动OTFT 26 的电路与驱动芯片212中的像素驱动线路也可以由一个芯片或者电路实现。且用于驱动OTFT 26的电路可以集成在驱动芯片212中，也可以与驱动芯片212分开设置，本申请对此也不做限定。

本申请提供的OLED显示模组，通过像素定义层中像素凸台的底壁和侧壁之间的夹角在预设范围内，使得像素定义层靠近基板的一端的截面宽度大于像素定义层远离基板的一端的截面宽度，使得位于薄膜封装层上的至少一个OTFT能接收到至少一个发光区域发出的光。基于驱动芯片与OTFT的电连接关系，驱动芯片通过OTFT的漏电流能够获取到发光区域的光强度指示信息，且基于预先获得的基准光强度指示信息和检测的光强度指示信息，可以判断出发光区域的光强度的下降幅度，并按照发光区域的光强度的下降幅度及周围环境等综合因素对驱动电流进行相应补偿。基于驱动芯片分别与第一电极和第二电极的电连接关系，驱动芯片可以驱动在每个发光区域对应的第一电极和第二电极之间以驱动电流驱动发光区域发光。从而，能够有效实现对OLED器件的寿命补偿，避免了由于现有的寿命模型与OLED器件的实际寿命曲线之间的差异而造成OLED器件的寿命补偿效果下降的问题，且覆盖了各种类型的 OLED器件，有利于降低OLED显示模组中不同OLED器件的寿命差异，使得OLED显示模组中不同OLED器件的寿命均衡，提升了OLED显示屏的显示效果，增加了OLED显示屏的寿命，有益于降低了器件成本，从而提高了包括OLED显示屏的终端的竞争力。

在上述实施例的基础上，本申请对OTFT 26的位置、数量、大小和形状等参数均不做限定。可选地，OTFT 26可以位于除了全部发光区域B1在薄膜封装层25上的正投影区域之外的区域(即非发光区域B2)内，使得OTFT 26不会挡住至少一个亚像素211的发光区域B1，避免造成OLED器件23的亮度和发光效率的下降。

为了实现OLED显示模组20中各个OLED器件23的寿命补偿，可选地，每个发光区域B1 在薄膜封装层25上的正投影区域之外的区域(即非发光区域B2)设置有至少一个OTFT26，即每个亚像素211的非发光区域B2设置有至少一个OTFT 26，使得至少一个OTFT 26能够监测每个OLED器件23的光强度，以便对OLED显示模组20中全部的OLED器件23的寿命进行补偿。

举例而言，以图2b所示的一个像素21中的一个蓝色亚像素为例，结合图5a，对OTFT26 的具体位置进行举例说明。如图5a所示，由于该蓝色亚像素的发光区域B1的四周包含在该蓝色亚像素的非发光区域B2内，故OTFT 26可以设置在该蓝色亚像素的发光区域B1的四周，以 OTFT 26位于该蓝色亚像素的上方、下方、左方和右方为例进行示意。

由于每个像素凸台242的位置是相对固定的，因此，为了节省空间和器件成本，可选地，每个像素凸台242的顶壁在薄膜封装层25上的正投影区域内设置有一个OTFT 26，使得每个 OTFT 26均可以有效检测OLED器件23的光强度。为了便于说明，图3a和图3b中OTFT26采用该种设置方式为例进行示意。

另外，由于发光区域B1发出的光的波段以及每个像素凸台242的位置是相对固定的，因此，为了便于操作和简化制作工艺，可选地，位于发出相同波段的光的发光区域B1的相同方位对应的像素凸台242的顶壁在薄膜封装层25上的正投影区域内设置有一个OTFT26。

其中，本申请对发光区域B1的具体方位不做限定。例如，亚像素的上方、下方、左方和右方等。且发出不同波段的光的亚像素211各自对应的OTFT 26可以位于同一方位，比如红色亚像素对应的OTF可以位于红色亚像素的左方且绿色亚像素对应的OTF可以位于绿色亚像素的左方，也可以位于不同方位，比如红色亚像素对应的OTF可以位于红色亚像素的左方且绿色亚像素对应的OTF可以位于绿色亚像素的上方，本申请对此不做限定。

由于红色亚像素、绿色亚像素以及蓝色亚像素的使用寿命会不同，因此，本申请可以选择实现OLED显示模组20中部分OLED器件23进行寿命补偿，以节省器件成本。可选地，本申请每个发出预设波段光的发光区域B1在薄膜封装层25上的正投影区域之外的区域设置有至少一个OTFT 26。其中，预设波段可以为红色亚像素、绿色亚像素以及蓝色亚像素中任意一种亚像素发出的光的波段，也可以为红色亚像素、绿色亚像素以及蓝色亚像素中任意两种的亚像素发生的光的波段的叠加范围。从而，使得至少一个OTFT 26能够监测部分OLED器件23 的光强度，以便对OLED显示模组20中部分的OLED器件23的寿命进行补偿。

例如，相较于红色亚像素和绿色亚像素而言，蓝色亚像素的使用寿命最短。因此，本申请可以设置预设波段为蓝色亚像素发出的光的波段，以便至少一个OTFT 26可以对OLED显示模组20中的每个蓝色亚像素中的OLED器件23的寿命进行补偿，达到均衡OLED显示模组20中各个OLED器件23的寿命的效果，从而延长了OLED显示模组20的使用寿命，还节省了器件成本。

本申请中，针对设置在任意一个亚像素211的非发光区域B2内的OTFT 26而言，以图6中位于中间位置的OTFT 26检测位于左侧的发光区域B1对应的亚像素211的光强度为例，如图6 所示，由于该亚像素211的非发光区域B2同为与该亚像素211相邻的亚像素211(即位于右侧的发光区域B1的亚像素211)的非发光区域B2，因此，当通过OTFT 26检测该亚像素211中的 OLED器件23的光强度时，在该亚像素211中的OLED器件23发出的光照射到OTFT 26上的同时，与该亚像素211相邻的亚像素211中的OLED器件23发出的光难免也会照射到OTFT 26上。这样，本申请需要去除掉混入OTFT 26的漏电流的部分，才能通过去除后的OTFT 26的漏电流准确地确定出该亚像素211中的OELD器件的光强度。

基于此，为了提高补偿效率及简化操作，可选地，本申请可以设置OTFT 26吸收预设响应波段内的光，而不会吸收预设响应波段外的光，使得OTFT 26仅可以检测预设响应波段内的光的光强度，且预设响应波段可以与照射在OTFT 26上的光的波段相同，或者，在照射在 OTFT 26上的光的波段之内，使得OTFT 26可以吸收任意一个亚像素211中的OLED器件23发出的光，而不会吸收与该亚像素211相邻的亚像素211中的OLED器件23发出的光。这样，OTFT 26的漏电流便可以准确地确定出该亚像素211中的OELD器件23的光强度，实现了对该亚像素 211中的OLED器件23的寿命有效补偿。

具体地，OTFT 26中的感光材料可以设置为预设响应波段内的材料，使得OTFT 26吸收预设响应波段内的光，而不会吸收预设响应波段外的光。其中，本申请对预设响应波段的具体大小不做限定。例如，预设响应波段可以设置为半高宽10nm-50nm之间。或者，本申请也可以结合OLED器件23发出的光的波长，对预设响应波段的具体大小进行设置。例如，预设响应波段可以设置为响应峰值440nm-480nm之间或响应峰值520nm-570nm之间或响应峰值610nm-650nm之间。

另外，由于一般情况下，相较于与红色亚像素和绿色亚像素而言，蓝色亚像素的寿命最短，因此，为了节省器件成本，本申请中，每个蓝色亚像素的非发光区域B2内设置有至少一个OTFT 26，以便集中补偿蓝色亚像素中的OLED器件23的寿命，达到均衡OLED显示模组20 中各个OLED器件23的寿命的效果，从而延长了OLED显示模组20的使用寿命。

举例而言，以图2b所示的多个亚像素211为例，结合图5b，对OTFT 26的具体位置进行举例说明。如图5b所示，由于每个亚像素211中的一个蓝色亚像素的发光区域B1的四周包含在该蓝色亚像素的非发光区域B2内，故至少一个OTFT 26可以设置在每个蓝色亚像素的发光区域B1的四周，以一个OTFT 26位于每个蓝色亚像素的右方为例进行示意。

进一步地，为了消除OTFT 26可能会吸收除蓝色之外的其他颜色的光的影响，因此，OTFT 26中的感应材料可以设置为预设响应波段在响应峰值440nm-480nm之间的材料，使得OTFT 26 仅可以吸收蓝光，而无法吸收其他颜色的光，使得蓝色亚像素中的OELD器件具有良好的寿命补偿效果。

示例性地，本申请还提供一种OLED显示屏。本申请的OLED显示屏，具体实现方式可参见图1a-图6所示实施例中的技术方案，其实现原理和技术效果类似，其中各个部件的实现操作可以进一步参考实施例的相关描述，此处不再赘述。

示例性地，本申请还提供一种终端。本申请的终端，具体实现方式可参见图1a-图6所示实施例中的技术方案，其实现原理和技术效果类似，其中各个部件的实现操作可以进一步参考实施例的相关描述，此处不再赘述。

示例性地，本申请还提供一种亮度调节方法。图7为本申请一实施例提供的OLED亮度自动调节的方法的流程示意图。本申请的OLED亮度自动调节的方法的执行主体可以为图1a-图6 中的驱动芯片。如图7所示，本申请提供的OLED亮度自动调节的方法可以包括：

S101、获得检测到的有机发光二极管OLED发光区域对应的光强度指示信息，其中，光强度指示信息用于表示检测到的发光区域的光强度。

S102、基于预先获得的基准光强度指示信息和检测的光强度指示信息，确定发光区域的驱动电流。

S103、指示以确定的驱动电流驱动发光区域发光。

本申请中，驱动芯片基于预先获得的基准光强度指示信息和检测的光强度指示信息，可以判断出发光区域的光强度是否发生下降，即发光区域对应的OLED器件在使用后是否发生亮度下降，并按照光强度下降幅度及周围环境等综合因素对发光区域的驱动电流进行相应补偿。

其中，光强度指示信息可以采用如电流、电压、电阻、电荷量、光强度等参数中的至少一个进行表示，本申请对此不做限定。例如，光强度指示信息可以为发光区域对应的OTFT的漏电流所对应的光强度。

从而，驱动芯片可以指示驱动芯片中的像素驱动电路基于确定的驱动电流以驱动发光区域发光，便可对OLED器件的寿命进行有效补偿，避免了由于现有的寿命模型与OLED器件的实际寿命曲线之间的差异而造成OLED器件的寿命补偿效果下降的问题，且覆盖了各种类型的OLED器件，有利于降低OLED显示模组中不同OLED器件的寿命差异，使得OLED显示模组中不同OLED器件的寿命均衡，提升了OLED显示屏的显示效果，增加了OLED显示屏的寿命，有益于降低了器件成本，从而提高了包括OLED显示屏的终端的竞争力。

在一些实施例中，S102的确定驱动电路的一种可行的实现方式中，驱动芯片可以确定预先获得的基准光强度指示信息和检测的光强度指示信息的比值，或者，确定预先获得的基准光强度指示信息和检测的光强度指示信息的差值与预先获得的基准光强度指示信息的比值。从而，驱动芯片中事先存储的表格或者比值与驱动电流之间的对应关系，来确定比值对应的驱动电流。由此，为确定驱动电流提供了各种可能性，以便选择更加准确的方式来确定驱动电流。

在一个具体的实施例中，若光强度指示信息为光强度时，预先获得的基准光强度指示信息可以为OLED生产后的出厂光强度，检测的光强度指示信息可以为OLED器件使用后的光强度。从而，驱动芯片通过比较OLED器件使用后的光强度与OLED器件生产后的出厂光强度，判断出OLED器件在使用后是否发生亮度下降，并按照OLED器件的光强度下降幅度及周围环境等综合因素对OLED器件的驱动电流进行相应补偿。

其中，OLED器件使用后的光强度可以通过如下过程得到：

驱动芯片可以获取在OLED器件生产后经过出厂测试得到的OLED器件的出厂光强度L_BL。驱动芯片在OLED器件使用一段时长t后，通过检测OTFT的漏电流，确定出当前的环境光强度 L_BG。驱动芯片再在OLED器件发光时，通过检测OTFT的漏电流，确定出当前的环境光强度 L_BG与OLED器件的光强度L_EL之和L_BG+L_EL。接着，驱动芯片用当前的环境光强度L_BG与OLED 器件的光强度L_EL之和L_BG+L_EL减去当前的环境光强度L_BG，得到OLED器件的光强度L_EL。

这样，驱动芯片基于OLED器件的出厂光强度L_BL和OLED器件的光强度L_EL，如计算出L_EL/L_BL或者(L_EL－L_BL)/L_BL的比值等方式，可以确定出使用一段时长t后的OLED器件的寿命下降幅度，再通过查表或预设的对应关系等方式，对OLED器件的驱动电流进行调整，从而实现OLED器件的亮度补偿，达到延长OLED器件寿命的效果。

示例性地，本申请还提供一种电子设备。图8为本申请一实施例提供的一种电子设备的结构示意图，如图8所示，本申请的电子设备100可以包括：

存储器101，用于存储程序指令，该存储器101可以是flash(闪存)。

处理器102，用于调用并执行存储器101中的程序指令，以实现图7所示实施例的OLED亮度自动调节的方法中对应的各个步骤。具体可以参见前面方法实施例中的相关描述。

还可以包括通信接口103，即输入/输出接口。通信接口103可以包括独立的输出接口和输入接口，也可以为集成输入和输出的集成接口。其中，输出接口用于输出数据，输入接口用于获取输入的数据，上述输出的数据为上述方法实施例中输出的统称，输入的数据为上述方法实施例中输入的统称。

该电子设备可以用于执行上述方法实施例中对应的各个步骤和/或流程。

本申请还提供一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，计算机程序被处理器执行时实现上述方法实施例的OLED亮度自动调节的方法。

本申请还提供一种计算机程序产品，包括：执行指令，执行指令存储在可读存储介质中，电子设备的至少一个处理器可以从可读存储介质读取执行指令，至少一个处理器执行执行指令使得电子设备实现上述方法实施例的OLED亮度自动调节的方法。

本申请还提供一种芯片，该芯片与存储器相连，或者芯片上集成有存储器，当存储器中存储的软件程序被执行时，实现上述方法实施例的OLED亮度自动调节的方法。

本领域普通技术人员可以理解：在上述实施例中，可以全部或部分地通过软件、硬件、固件或者其任意组合来实现。当使用软件实现时，可以全部或部分地以计算机程序产品的形式实现。计算机程序产品包括一个或多个计算机指令。在计算机上加载和执行计算机程序指令时，全部或部分地产生按照本申请实施例的流程或功能。计算机可以是通用计算机、专用计算机、计算机网络、或者其他可编程装置。计算机指令可以存储在计算机可读存储介质中，或者从一个计算机可读存储介质向另一个计算机可读存储介质传输，例如，计算机指令可以从一个网站站点、计算机、服务器或数据中心通过有线(例如同轴电缆、光纤、数字用户线 (DSL))或无线(例如红外、无线、微波等)方式向另一个网站站点、计算机、服务器或数据中心进行传输。计算机可读存储介质可以是计算机能够存取的任何可用介质或者是包含一个或多个可用介质集成的服务器、数据中心等数据存储设备。可用介质可以是磁性介质，(例如，软盘、硬盘、磁带)、光介质(例如，DVD)、或者半导体介质(例如固态硬盘SolidState Disk (SSD))等。

最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本申请的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本申请进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本申请各实施例技术方案的范围。