具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

在本发明的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。

除非上下文另有要求，否则，在整个说明书和权利要求书中，术语“包括(comprise)”及其其他形式例如第三人称单数形式“包括 (comprises)”和现在分词形式“包括(comprising)”被解释为开放、包含的意思，即为“包含，但不限于”。在说明书的描述中，术语“一个实施例(one embodiment)”、“一些实施例(some embodiments)”、“示例性实施例(exemplary embodiments)”、“示例(example)”、“特定示例(specific example)”或“一些示例(some examples)”等旨在表明与该实施例或示例相关的特定特征、结构、材料或特性包括在本发明的至少一个实施例或示例中。上述术语的示意性表示不一定是指同一实施例或示例。此外，所述的特定特征、结构、材料或特点可以以任何适当方式包括在任何一个或多个实施例或示例中。

以下，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本发明实施例的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上。

在描述一些实施例时，可能使用了“耦接”和“连接”及其衍伸的表达。例如，描述一些实施例时可能使用了术语“连接”以表明两个或两个以上部件彼此间有直接物理接触或电接触。又如，描述一些实施例时可能使用了术语“耦接”以表明两个或两个以上部件有直接物理接触或电接触。然而，术语“耦接”或“通信耦合(communicatively coupled)”也可能指两个或两个以上部件彼此间并无直接接触，但仍彼此协作或相互作用。这里所公开的实施例并不必然限制于本文内容。

“A、B和C中的至少一个”与“A、B或C中的至少一个”具有相同含义，均包括以下A、B和C的组合：仅A，仅B，仅C，A和B 的组合，A和C的组合，B和C的组合，及A、B和C的组合。

“A和/或B”，包括以下三种组合：仅A，仅B，及A和B的组合。

“多个”是指至少两个。

本文中“适用于”或“被配置为”的使用意味着开放和包容性的语言，其不排除适用于或被配置为执行额外任务或步骤的设备。

另外，“基于”或“根据”的使用意味着开放和包容性，因为“基于”或“根据”一个或多个所述条件或值的过程、步骤、计算或其他动作在实践中可以基于额外条件或超出所述的值。

如本文所使用的那样，“约”、“近似”或“大致”包括所阐述的值以及处于特定值的可接受偏差范围内的平均值，其中所述可接受偏差范围如由本领域普通技术人员考虑到正在讨论的测量以及与特定量的测量相关的误差(即，测量系统的局限性)所确定。

本文参照作为理想化示例性附图的剖视图和/或平面图描述了示例性实施方式。在附图中，为了清楚，放大了层和区域的厚度。因此，可设想到由于例如制造技术和/或公差引起的相对于附图的形状的变动。因此，示例性实施方式不应解释为局限于本文示出的区域的形状，而是包括因例如制造而引起的形状偏差。例如，示为矩形的蚀刻区域通常将具有弯曲的特征。因此，附图中所示的区域本质上是示意性的，且它们的形状并非旨在示出设备的区域的实际形状，并且并非旨在限制示例性实施方式的范围。

显示装置是指具有图像显示功能的产品，示例性地，可以是：显示器，电视，广告牌，数码相框，具有显示功能的激光打印机，电话，手机，个人数字助理(Personal DigitalAssistant，PDA)，数码相机，便携式摄录机，取景器，监视器，导航仪，车辆，大面积墙壁、家电、信息查询设备(如电子政务、银行、医院、电力等部门的业务查询设备，监视器，汽车后视镜，试衣镜等。

在一些实施例中，显示装置包括显示面板，显示面板被配置为显示图像。示例性地，显示面板可以发出三基色(例如包括红、绿、蓝) 的光线，通过调节三基色光线的亮度使得显示面板显示彩色图像。又示例性地，显示面板可以发出三基色的光线和白光；通过调节三基色光线和白光的亮度，使得显示面板显示彩色图像。又示例性地，显示面板可以仅发出白光；通过调节白光的亮度，使得显示面板显示灰度图像。此时，显示装置可以还包括设置于显示面板出光侧的彩色滤光片，以将白光转换成三基色的光线，从而实现彩色图像的显示。

其中，显示面板例如可以是OLED(Organic Light Emitting Diode，有机发光二极管)显示面板、QLED(Quantum Dot Light Emitting Diodes，量子点发光二极管)显示面板、微LED(包括：miniLED或 microLED，LED为发光二极管)显示面板等。

此外，显示装置还可以包括其他部件，例如，对显示面板进行供电的电源系统、与显示面板相连接的电路板等。

图1A示出了本发明的一些实施例提供的显示面板的俯视图。该显示面板1具有显示区AA和位于显示区AA至少一侧的周边区SS，图 1A中示出了周边区SS围绕显示区AA设置，但不限于此，例如，周边区SS可以仅设置在显示区AA的一侧。显示面板1还包括设置在显示区AA中的多个亚像素P，示例性地，显示面板1中的多个亚像素P 可以如图1A所示呈阵列排布，形成多个亚像素排和多个亚像素列。当然，亚像素P的个数和排布方式并不限于图中所示，其可以根据需要进行设计。

图1B为本发明的一些实施例提供的显示面板的剖面图。显示面板 1可以包括驱动背板10和多个发光器件20，示例性地，驱动背板10 包括衬底11和设置在衬底11上的多个像素驱动电路12，每个像素驱动电路12与一个发光器件20耦接，构成一个亚像素P，像素驱动电路 12被配置为驱动与其相耦接的发光器件20发光。其中，多个亚像素P 的排布方式取决于像素驱动电路的排布方式，多个像素驱动电路12可以在衬底11上有序排列，例如，多个像素驱动电路12在衬底11上呈阵列分布。

发光器件20是亚像素P实现发光的主体结构，每个发光器件20 可以为多层薄膜叠加的结构。示例性地，发光器件20包括阴极230和阳极210，以及位于阴极230和阳极210之间的发光功能层220。其中，发光功能层220例如可以包括发光层224、位于发光层224和阳极210 之间的空穴传输层222(Hole Transporting Layer)、位于发光层224和阴极230之间的电子传输层226(Election Transporting Layer)。当然，根据需要，在一些实施例中，还可以在空穴传输层222和阳极210之间设置空穴注入层221(Hole Injection Layer)，可以在电子传输层226和阴极230之间设置电子注入层227(Election Injection Layer)。此外，在空穴传输222与发光层224之间还可以设置电子阻挡层223(Electron Blocking Layer)，在电子传输层226与发光层224之间还可以设置空穴阻挡层225(Hole Blocking Layer)。

示例性地，阳极210例如可以包括由具有高功函数的导电材料形成的导电层，该导电材料可以是透明导电材料，例如包括氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化铟镓(IGO)、氧化镓锌(GZO)氧化锌(ZnO)、氧化铟(In2O3)、氧化铝锌(AlZO)和碳纳米管等。阴极230例如可包括由高导电性和低功函数的导电材料形成的导电层，导电材料可以包括镁铝合金(MgAl)和锂铝合金(LiAl)等合金或者镁(Mg)、铝(Al)、锂(Li)和银(Ag)等金属单质。发光层224的材料可以根据其发射光颜色的不同进行选择。例如，发光层224的材料包括荧光发光材料或磷光发光材料。又如，发光层224可以采用掺杂体系，即在主体发光材料中混入掺杂材料来得到可用的发光材料。例如，主体发光材料可以采用金属化合物材料、蒽的衍生物、芳香族二胺类化合物、三苯胺化合物、芳香族三胺类化合物、联苯二胺衍生物和三芳胺聚合物等。

图2为本发明的一些实施例提供的显示面板的局部俯视图，图3 为沿图2所示的显示面板的A-A’线截取的剖面图。参见图2和图3，显示面板1具有多个亚像素区PA，其中，一个亚像素区PA是指一个亚像素P在显示面板1中所占据的空间。示例性地，显示面板1包括多种颜色的亚像素P，不同颜色的亚像素的出光颜色不同。例如，显示面板1中的多个亚像素的出光颜色分别为光的三原色红(R)、绿(G)、蓝(B)以及白色(W)，对应的亚像素分别为红色亚像素Pr、绿色亚像素Pg、蓝色亚像素Pb以及白色亚像素Pw，上述四种颜色的亚像素 Pr、Pg、Pb以及Pw所对应的亚像素区分别为红色亚像素区PAr、绿色亚像素区PAg、蓝色亚像素区PAb以及白色亚像素区PAw。

参见图2和图3，显示面板1包括衬底11、电路层120、第一图案层121以及第二图案层122。第一图案层121位于衬底11上，包括：位于一亚像素区PAr的第一导电图案C1；电路层120位于第一图案层 121远离衬底11的一侧，包括：位于该亚像素区PA的薄膜晶体管TFT、第二导电图案C2和第三导电图案C3，第三导电图案C3与薄膜晶体管 TFT的栅极G和第二导电图案C2分别耦接，且第二导电图案C2比第三导电图案C3靠近衬底11；第二图案层122位于电路层120远离衬底 11的一侧，第二图案层122包括位于亚像素区PAr的第四导电图案C4。

衬底11被配置为承载显示面板1的多个膜层，示例性地，衬底11 可以是刚性衬底，刚性衬底的材料例如可以为玻璃或聚甲基丙烯酸甲酯(Polymethyl methacrylate，简称PMMA)等。又示例性地，衬底11 可以为柔性衬底，柔性衬底的材料例如可以为聚对苯二甲酸乙二醇酯 (Polyethylene terephthalate，简称PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(Polyethylene naphthalate two formic acid glycol ester，简称PEN)或聚酰亚胺(Polyimide，简称PI)等。

电路层120为显示面板1中的若干个膜层的总称，示例性地，电路层120包括多个膜层，电路层120中的多个膜层包括多个功能图案，各个功能图案之间相耦接可以形成电路。例如，电路层120中的部分功能图案可以形成薄膜晶体管TFT。电路层120中的功能图案可以是导电图案或者半导体图案等。

电路层120包括第二导电图案C2和第三导电图案C3，并且第二导电图案C2和第三导电图案C3到衬底11的距离不同，示例性地，第二导电图案C2与第三导电图案C3分别位于不同的膜层，例如，第二导电图案C2所在的膜层比第三导电图案C3所在的膜层更靠近衬底11，使得第二导电图案C2到衬底11的距离小于第三导电图案C3到衬底11的距离。

第一导电图案C1和第二导电图案C2构成第一电容器Cst1的两个极板，第三导电图案C3和第四导电图案C4构成第二电容器Cst2的两个极板，第一导电图案C1和第四导电图C1案耦接。示例性地，第一电容器Cst1包括第一导电图案C1与第二导电图案C2之间的正对部分 C11和C21，例如，第二导电图案C2中的C21部分作为第一电容器 Cst1第一极板，第一导电图案C1中的C11部分作为第一电容器Cst1 第二极板，其中，正对部分是指第一导电图案C1在衬底11上的正投影与第二导电图案C2在衬底11上的正投影之间的重叠部分所对应的第一导电图案C1和第二导电图案C2中的部分。类似地，第二电容器 Cst2包括第三导电图案C3与第四导电图案C4之间的正对部分C32和 C42，例如，第三导电图案C3中的C32部分作为第二电容器Cst2第一极板，第四导电图案C4中的C42部分作为第二电容器Cst2第二极板。此外，在第一电容器Cst1和第二电容器Cst2的两个极板之间均可以包括至少一层绝缘层。

第二导电图案C2与第三导电图案C3耦接，第一导电图案C1与第四导电图案C4耦接，使得第一电容器Cst1中的第一极板与第二电容器Cst2中的第一极板耦接，第一电容器Cst1中的第二极板与第二电容器Cst2中的第二极板耦接，那么，第一电容器Cst1与第二电容器 Cst2将形成并联电容，从而增大了位于该亚像素区PAr中的电容器的总容量。

在显示面板1中，可以控制第一电容器Cst1中的两个极板的正对面积大于第二电容器Cst2中的两个极板的正对面积，使得第一电容器 Cst1在亚像素Pr中起主要作用。在第二电容器Cst2中的第一极板(第三导电图案C3中的一部分)位于SD层的情况下，第一电容器Cst1被置于SD层与衬底11之间，那么，在亚像素P中起主要作用的第一电容器Cst1可以比SD层更靠近衬底11，即，第一电容器Cst1中的两个极板均位于SD层靠近衬底11的一侧，使得位于亚像素区PAr中的电容器的总容量对SD层及以上膜层的依赖性可以因此降低。

此外，在一些实施例中，第四导电图案C4可以复用发光器件的阳极，SD层与发光器件的阳极之间至少包括一层有机绝缘层，有机绝缘层的厚度大于无机绝缘层的厚度，而第一导电图案C1与第二导电图案 C2之间可以仅包括一层无机绝缘层，使得第一电容器Cst1中的两个极板之间的距离小于第二电容器Cst2中的两个极板之间的距离，进一步增大了第一电容器Cst1的容量；同时，第二电容器Cst2中的两个极板之间还可以容置其他部件，例如，在显示面板1包括彩膜图案CF的情况下，可以将彩膜图案CF设置在第二电容器Cst2的两个极板之间，从而使显示面板1的空间利用率增大。

在相关技术中，参见图4，显示面板1’通常使用SD层中的导电图案C3’和发光器件的阳极210’之间的正对部分分别作为电容器的第一极板Cst1’和第二极板Cst2’，为了减小第一极板Cst1’与第二极板Cst2’之间的距离以增大电容器的容量，需要在二者之间的有机绝缘层上形成过孔V’。过孔V’在衬底11’上的正投影需要尽可能地与SD层中的导电图案C3’在衬底11’上的正投影重叠，才能保证电容器两个极板之间具有足够的正对面积。因此，相关技术中，在有机绝缘层上形成的过孔V’的面积通常较大。

在本发明的实施例中，参见图3，由于第一电容器Cst1可以不依赖SD层及其以上的膜层，第四导电图案C4与第三导电图案C3之间的有机绝缘层上的第一过孔V1无需占据很大的空间，示例性地，第一过孔V1在衬底11上的正投影可以比第三导电图案C3在衬底11上的正投影小很多，例如，第一过孔V1仅需要满足使得第四导电图案C4 与下层图案(例如第一导电图案C1)耦接的空间需求即可。

在一些实施例中，参见图5，第二导电图案C2包括第一露出部分 C21，第一露出部分C21为第二导电图案C2中未被第三导电图案C3 遮挡的部分，也就是，第一露出部分C21在衬底11上的正投影与第三导电图案C3在衬底11上的正投影没有重叠部分，第一露出部分C21 与第四导电图案C4构成第三电容器Cst3的两个极板。

示例性地，第一露出部分C21在衬底11上的正投影和第四导电图案C4在衬底11上的正投影具有重叠部分，第三电容器Cst3包括第一露出部分C21与第四导电图案C4之间的正对部分C213和C43，例如，第一露出部分C21中的C213部分作为第三电容器Cst3第一极板，第四导电图案C4中的C43部分作为第三电容器Cst3的第二极板。在显示面板1中，由于第一露出部分C21为第二导电图案C2的一部分， C43为第四导电图案C4的一部分，那么，第三电容器Cst3的第一极板与第一电容器Cst1的第一极板耦接，第三电容器Cst3的第二极板与第二电容器Cst2的第二极板耦接，使得第三电容器Cst3与第一电容器 Cst1和第二电容器Cst2进一步形成并联关系，从而进一步增大了位于该亚像素区PAr中的电容器的总容量。

在一些实施例中，第一导电图案C1、第二导电图案C2和第三导电图案C3均能够透光。示例性地，第一导电图案C1、第二导电图案 C2和第三导电图案C3均能够将发光器件发出的光透射出来，例如，第一导电图案C1、第二导电图案C2和第三导电图案C3中的至少一者为透明电极。

在相关技术中，参见图4，在电容器的第一极板Cst1’(导电图案 C3’)由非透光材料形成的情况下，例如，导电图案C3’在显示面板1’中位于SD层，SD层通常使用金属材料形成，对于底发射型显示面板 1’而言，发光器件的阳极210’与导电图案C3’的正对部分(即第二极板 Cst2’)无法用于发光，并且，发光器件的阳极210’与导电图案C3’的正对部分面积越大，亚像素中用于发光的面积越小，因此，为了保证电容器足够的容量，必须牺牲亚像素的开口率。而在本发明的实施例中，参见图3，在第三导电图案C3由非透光材料形成的情况下，由于显示面板中的电容器不再完全依赖SD层及其以上的膜层，使得电容器的总容量也不依赖第三导电图案C3的面积。因此，可以将第三导电图案C3的面积适当缩小，以增大亚像素Pr的开口率。

在一些实施例中，参见图5，第三导电图案C3包括第二露出部分 C32，第二露出部分C32与第一导电图案C1构成第四电容器Cst4的两个极板。其中，第二露出部分C32是指第三导电图案C3中未被其他图案遮挡，且与第一导电图案C1直接正对的部分。直接正对是指二者之间在显示面板的厚度方向上没有导电材料。示例性地，第二露出部分 C32为第三导电图案C3未被第二导电图案C2和驱动晶体管TFT所遮挡的部分。

示例性地，第二露出部分C32在衬底11上的正投影和第一导电图案C1在衬底11上的正投影具有重叠部分，第四电容器Cst4包括第二露出部分C32与第一导电图案C1之间的正对部分C324和C14，例如，第二露出部分C32中的C324部分作为第四电容器Cst4第一极板，第一导电图案C1中的C14部分作为第四电容器Cst4的第二极板。在显示面板1中，由于第二露出部分C32为第三导电图案C3的一部分， C14为第一导电图案C1的一部分，那么，第四电容器Cst4的第一极板与第二电容器Cst2的第一极板耦接，第四电容器Cst4的第二极板与第一电容器Cst1的第二极板耦接，使得第四电容器Cst4与第一电容器 Cst1和第二电容器Cst2进一步形成并联关系，进一步增大了该亚像素区PAr中的电容器的总容量。

在一些实施例中，参见图3和图5，电路层120包括：第三图案层 123、第四图案层124和第五图案层125。第三图案层123包括：第二导电图案C2以及薄膜晶体管TFT的有源层A、第一极区部分S1和第二极区部分S2，其中，第一极区部分S1可以是薄膜晶体管TFT的源极区部分和漏极区部分中的一者，第二极区部分S2是薄膜晶体管TFT 的源极区部分和漏极区部分中的另一者。第四图案层124位于第三图案层123远离衬底11的一侧，第四图案层124包括薄膜晶体管TFT的栅极G。第五图案层125位于第四图案层124远离衬底11的一侧，第五图案层125包括第三导电图案C3和位于亚像素区PAr的第五导电图案C5。其中，第五导电图案C5与第四导电图案C4以及第一导电图案 C1分别耦接。

示例性地，第三图案层123可以为显示面板1中的有源层，第四图案层124可以为显示面板1中的Gate层，第五图案层125可以为显示面板1中的SD层。

参见图6，图6为本发明的实施例提供的像素驱动电路的等效电路图。该像素驱动电路为3T1C结构，包括：一个驱动晶体管DT、两个开关晶体管T1、T2和一个电容器Cst，其中，电容器Cst由第一电容器Cst1和第二电容器Cst2并联得到。该像素驱动电路的驱动过程包括：数据写入阶段、保持阶段和发光阶段。在数据写入阶段，开关晶体管T1、 T2响应于扫描信号端GL提供的有效信号打开，以将数据信号端DA提供的数据信号(数据电压)写入驱动晶体管DT的栅极和电容器的其中一个极板，并且将感测信号端Se提供的感测信号(初始电压)写入发光器件20 的阳极和电容器Cst的另一个极板；在保持阶段，开关晶体管T1、T2响应于扫描信号端GL提供的无效信号关断，驱动晶体管DT在电容器Cst的保持作用下持续打开，并且在电容器Cst的“自举”作用下，将栅极电压逐渐抬高，以使得驱动晶体管DT打开地越来越充分，直到流经驱动晶体管DT 的电流增加到OLED器件的发光电流，进入发光阶段；在发光阶段，发光器件20在电容器Cst的作用下持续发光。

其中，参见图8A，上述扫描信号端GL、数据信号端DA、感测信号端 Se在本发明的实施例提供的显示面板中可以分别由扫描信号线GL、数据信号线DA、感测信号线Se提供。

在一些实施例中，第五导电图案C5与薄膜晶体管TFT的第二极区部分S2耦接。示例性地，在显示面板1中的像素驱动电路为3T1C 结构的情况下，参见图3、图5和图6，上述薄膜晶体管TFT可以是图 6所示的像素驱动电路中的驱动晶体管DT。其中，第四导电图案C4 复用为发光器件20的阳极。第三导电图案C3与第二导电图案C2耦接形成电容器Cst中的一个极板，该极板与薄膜晶体管TFT(驱动晶体管) 的栅极耦接，第一导电图案C1与第二导电图案C2通过第五导电图案 C5耦接形成电容器Cst中的另一个极板，该极板进一步通过第五导电图案C5与薄膜晶体管TFT的第二极区部分S2耦接。

在一些实施例中，薄膜晶体管TFT的有源层A的材料是氧化物半导体或多晶硅；第二导电图案C2以及薄膜晶体管TFT的第一极区部分 S1和第二极区部分S2的材料是由氧化物半导体或多晶硅经导体化得到的。其中，所述氧化物半导体可以包括氧化铟锡(ITO)，铟镓锌氧化物(IGZO)等。示例性地，显示面板1中的第三图案层123为有源图案层，形成第三图案层123的步骤包括：首先形成半导体有源图案层，其中，半导体有源图案层包括由氧化物半导体或多晶硅形成的第二半导体图案、薄膜晶体管TFT的有源层、薄膜晶体管TFT的第一半导体区和第二半导体区，之后将第二半导体图案、薄膜晶体管TFT的第一半导体区和第二半导体区导体化得到第二导电图案C2、薄膜晶体管TFT的第一极区部分S1和第二极区部分S2。

在一些实施例中，参见图3和图5，显示面板1还包括第一绝缘层 126和第二绝缘层127，第一绝缘层126位于电路层120远离衬底11 的一侧，第二绝缘层127位于第一绝缘层126与第二图案层122之间。示例性地，第一绝缘层126为无机绝缘层，第二绝缘层127为有机绝缘层，其中，第一绝缘层126致密，形成在电路层120上可以对电路层120起保护作用，例如，第一绝缘层126将第五图案层125中的第三导电图案C3和第五导电图案C5覆盖，以防止水汽、氧气等对其的腐蚀，第二绝缘层127可以起到平坦作用，例如，第二绝缘层127可以为第四导电图案C4提供更加平坦的承载面。

在一些实施例中，显示面板1还包括金属图案层128，金属图案层 128包括位于亚像素区PAr的遮光图案1281，遮光图案1281在衬底11 上的正投影覆盖薄膜晶体管TFT的有源层A在衬底11上的正投影。示例性地，遮光图案1281比薄膜晶体管TFT的有源层A更靠近衬底 11，例如，遮光图案1281直接形成在衬底11上；又如，遮光图案1281 位于第一图案层121与薄膜晶体管TFT的有源层A之间。其中，金属图案层128可以由金属单质或金属合金材料形成，遮光图案1281用来阻挡光线对薄膜晶体管TFT的有源层的照射。

在一些实施例中，遮光图案1281和第一导电图案C1接触。示例性地，第一导电图案C1与遮光图案1281部分重叠。

值得注意的是，上述实施例均以红色亚像素Pr(对应红色亚像素区PAr)作为示例进行描述，但是并非限制性的，上述任一实施例所描述的显示面板的特征对于显示面板中的任一亚像素均适用。

图7为本发明的一些实施例提供的显示面板的局部俯视图，在一些实施例中，参见图7，显示面板1中的多个亚像素区包括：第一亚像素区和第二亚像素区，第一亚像素区和第二亚像素区的出光颜色不同。示例性地，第一亚像素区和第二亚像素区分别为不同颜色的亚像素所对应的亚像素区，例如，第一亚像素区和第二亚像素区分别为红色亚像素区PAr、绿色亚像素区PAg、蓝色亚像素区PAb以及白色亚像素区PAw中的任两种，如，第一亚像素区为红色亚像素区PAr，第二亚像素区为绿色亚像素区PAg，或者，第一亚像素区为红色亚像素区 PAr，第二亚像素区为蓝色亚像素区PAb，又或者，第一亚像素区为蓝色亚像素区PAb，第二亚像素区为绿色亚像素区PAg等。

第一亚像素区中第一电容器Cst1的两个极板之间的正对面积，与第二亚像素区中第一电容器Cst1的两个极板之间的正对面积不同。示例性地，各个亚像素区中的第一电容器Cst1的两个极板之间的正对面积是根据该亚像素区的出光颜色设置的，不同出光颜色的亚像素区中的第一电容器Cst1的两个极板之间的正对面积不相同。例如，显示面板1中的红色亚像素区PAr、绿色亚像素区PAg、蓝色亚像素区PAb 以及白色亚像素区PAw中的第一电容器Cst1的两个极板之间的正对面积均不同。由于不同颜色的亚像素的出光强度不同，为不同的亚像素匹配不同的正对面积，可以使不同颜色亚像素中的第一电容器Cst1具有匹配该亚像素的容量，进而使各种颜色的亚像素的出光强度更加均匀。

类似地，参见图8A和图8B，第一亚像素区中第二电容器Cst2的两个极板之间的正对面积，与第二亚像素区中第二电容器Cst2的两个极板的正对面积不同。其实施方式和有益效果与上述第一电容器Cst1 类似，不再赘述。

在一些实施例中，参见图7，位于第一亚像素区中的第一导电图案 C1的形状、大小与位于第二亚像素区中的第一导电图案C1的形状、大小不相同。由于第一亚像素区与第二亚像素区中的第一导电图案C1 的形状、大小不相同，使得第一亚像素区与第二亚像素区中的第一电容器Cst1的两个极板之间的正对面积不同。类似地，位于第一亚像素区中的第二导电图案C2的形状、大小与位于第二亚像素区中的第二导电图案C2的形状、大小也不相同。

在一些实施例中，参见图8A和图8B，第五图案层125还包括电源线VDD，电源线VDD与薄膜晶体管TFT的第一极区部分S1耦接。第四图案层124还包括辅助线GA，电源线VDD与辅助线GA在多个连接位置处耦接。其中，连接位置是指对应的电源线VDD与辅助线 GA之间的第二过孔V2所在的位置，一个过孔V2对应一个连接位置，电源线VDD与辅助线GA通过多个第二过孔V2耦接。由于电源线VDD 与辅助线GA分别位于不同层，使得电源线VDD与辅助线GA并联，有利于降低电源线VDD上的压降，提高电压传输的准确性。

在一些实施例中，数据线DA、感测信号线Se也在多个连接位置处与辅助线GA耦接，以提高数据信号传输的准确性。

在一些实施例中，电源线VDD还可以通过转接图案1282与薄膜晶体管TFT的第一极区部分S1耦接。示例性地，显示面板1中的一个像素包括四个亚像素，例如，一个像素包括一个红色亚像素Pr、一个绿色亚像素Pg、一个蓝色亚像素Pb以及一个白色亚像素Pw，一个像素中的其中两个亚像素，例如白色亚像素Pw和蓝色亚像素Pb可以通过转接图案1282与对应的电源线VDD耦接，这样，可以使两个亚像素共用一条电源线VDD，节约显示面板1的布局面积。示例性地，转接图案1282可以位于金属图案层128。

本发明的实施例提供了一种显示面板的制备方法。其中，所述显示面板为上述任一实施例提供的显示面板，该显示面板具有多个亚像素区。

参见图9和图10，显示面板的制备方法包括：

St1：形成衬底11；

St2：在衬底11上形成第一图案层121，第一图案层121包括：位于一亚像素区的第一导电图案C1；

St3：在第一图案层121远离衬底11的一侧形成电路层120，电路层120包括：位于上述亚像素区的薄膜晶体管TFT、第二导电图案C2 和第三导电图案C3，第三导电图案C3与薄膜晶体管TFT的栅极G和第二导电图案C2分别耦接，且第二导电图案C2比第三导电图案C3靠近衬底11；

St4：在电路层120远离衬底11的一侧形成第二图案层122，第二图案层122包括：位于上述亚像素区的第四导电图案C4。

其中，第一导电图案C1和第二导电图案C2构成第一电容器Cst1 的两个极板，第三导电图案C3和第四导电图案C4构成第二电容器Cst2 的两个极板，第一导电图案C1和第四导电图案C4耦接。

在一些实施例中，所述显示面板的制备方法还包括：

St11:在形成第一图案层121之前，在衬底11上形成金属图案层 128，金属图案层128包括位于上述亚像素区的遮光图案1281。

在一些实施例中，所述在第一图案层121远离衬底11的一侧形成电路层120的步骤进一步包括：

St301：在第一图案层121远离衬底11的一侧形成第三图案层 123，其中，第三图案层123包括：第二导电图案C2以及薄膜晶体管TFT的有源层A、第一极区部分S1和第二极区部分S2。

St302：在第三图案层123远离衬底11的一侧形成第四图案层 124，其中，第四图案层124包括薄膜晶体管TFT的栅极G。

St303：在第四图案层124远离衬底11的一侧形成第五图案层 125，其中，第五图案层125包括第三导电图案C3和位于上述亚像素区的第五导电图案C5。其中，第五导电图案C5与第四导电图案C4以及第一导电图案C1分别耦接。

此外，上述显示面板的制备方法还包括：在相邻两个图案层之间形成绝缘层，例如，在第五图案层125与第二图案层122层之间形成第一绝缘层126和第二绝缘层127。

最后应说明的是：以上实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的精神和范围。