具体实施方式

下面，将参照附图详细描述本发明的优选的实施例。本发明的优点和特征以及实现这些优点和特征的方法将通过参照下面与附图一起详细描述的实施例而变得清楚。然而，本发明并不限于以下所公开的实施例，而是能够以彼此不同的多种形态实现，本实施例只是为了使本发明的公开完整，并向本发明所属技术领域的普通技术人员完整地告知发明的范围而提供的，本发明仅由权利要求书的范围限定。在整个说明书中，相同的附图标记指代相同的构成要素。

元件或层被称为在另一个元件或层“上(on)”或“上方(on)”不仅包括其在另一个元件或层的正上方，而且还包括其他层或元件介于中间的情况。相反，元件被称为“直接”在“上”或者在正上方表示没有其他元件或层介于中间的情况。

为了容易地描述如图所示的一个元件或构成要素与另一个元件或构成要素的相关关系，可以使用空间相对术语“下方(below)”、“下面(beneath)”、“下部(lower)”、“上方(above)”、“上部(upper)”等。应该理解的是，除了图中所示的方向之外，空间相对术语是还包括元件在使用或操作时的彼此不同的方向的术语。例如，当图中所示的元件被翻转时，被描述为在另一个元件的“下方(below)”或“下面(beneath)”的元件可以位于另一个元件的“上方(above)”。因此，示例性的术语“下方”可以包括下方和上方两种方向。元件也可以以另一个方向定向，由此空间相对术语可以根据定向进行解释。

虽然术语“第一”、“第二”等用于描述各种元件、构成要素和/或部分，但是这些元件、构成要素和/或部分显然不被这些术语所限制。这些术语仅用于区分一个元件、构成要素和/或部分与另一个元件、构成要素和/或部分。因此，以下提及的第一元件、第一构成要素或第一部分在本发明的技术思想之内显然也可以是第二元件、第二构成要素或第二部分。

本说明书中使用的术语是为了说明实施例，并不是为了限制本发明。在本说明书中，除非在句中特别提及，单数形态也包括复数形态。说明书中使用的“包括(comprises)”和/或“包含(comprising)”不排除除了所提及的构成要素、步骤、操作和/或元件之外存在或增加一个以上的其他构成要素、步骤、操作和/或元件。

如果没有其他定义，则在本说明书中使用的所有术语(包括技术和科学术语)可以以本发明所属领域的普通技术人员能够共同理解的含义使用。此外，除非明确地特别定义，否则通常使用的词典中定义的用语不被理想化地或过度地解释。

以下，参照附图详细说明本发明的实施例，在参照附图说明时，与附图标记无关地，相同或对应的构成要素被赋予相同的参照标号，并省略对其的重复说明。

图1是示出根据本发明一实施例的异质复合物的制造方法的流程图。

参照图1，根据本发明一实施例的异质复合物的制造方法包括以下步骤：在形成于模具中的第一腔体中设置框架(S110)；将第一材料注入到框架的外侧空间中(S120)；去除框架以形成第二腔体(S130)；将第二材料注入到第二腔体中(S140)；以及压缩第一材料和第二材料以生成异质复合物(S150)。

根据本发明的实施例的异质复合物的制造方法可以通过为了制造异质复合物而制作的另外的异质复合物制造装置(未示出)执行。异质复合物制造装置可以包括至少一个附属装备(未图示)以生成异质复合物。异质复合物可以用于生产适用于半导体制造装备的部件，但本发明的异质复合物的适用对象不限于半导体制造装备的部件。

包括在异质复合物的制造装置的各个附属装备可以执行固有的作业。例如，一个附属装备可以执行图1所示的步骤中的一个或多个步骤，且多个附属装备可以执行图1所示的步骤中的一个步骤。

以下，将参照图2至图13详细说明图1所示的各个步骤。

图2至图4是示出具有图1的步骤S110的第一腔体的模具的视图，图5是用于说明在图1的步骤S110之前注入第一材料的视图，图6是用于说明图1的步骤S110的视图，图7是用于说明图1的步骤S120的视图，图8是用于说明图1的步骤S130的视图，图9和图10是用于说明图1的步骤S140的视图，以及图11至图13是用于说明通过图1的步骤S150生成的异质复合物的视图。

参照图2至图4，可以准备具有第一腔体CV1的模具200。

在本发明中，可以以圆柱或空心型圆柱的形态提供模具200、201。因此，包括在模具200、201的第一腔体CV1也可以具有圆柱或空心型圆柱的形状。这里，空心型圆柱表示内部形成有空心的圆柱。

关于通过异质复合物的制造装置生成异质复合物，可以执行下述的对材料的压缩作业。由于容纳材料的第一腔体CV1具有圆柱或空心型圆柱的形状，因此可以在压缩作业时向容纳在第一腔体CV1中的所有材料传递均匀的力。

图2示出了以空心型圆柱的形态提供的模具200，且图4示出了沿着图2所示的模具的线A-A'截取的剖视图。图3示出了以圆柱的形态提供的模具201。

以下，将主要说明以空心型圆柱的形态提供的模具200。

模具200构成为包括外侧板210、底板220和内侧板230。外侧板210和内侧板230可以形成为以相同的中心轴Ax为基准具有不同的直径。外侧板210和内侧板230的宽面可以平行于中心轴Ax形成。外侧板210和内侧板230可以通过底板220连接，并且可以由外侧板210、底板220和内侧板230形成第一腔体CV1。此外，如图3所示，在以圆柱的形态提供模具201的情况下，模具201可以构成为包括外侧板210和底板220，并且第一腔体CV1可以由外侧板210和底板220形成。

再次说明图2和图4，模具200可以包括与第一腔体CV1的一侧平面对应的开口OP。例如，开口OP可以形成在底板220的相对侧上。开口OP可以用作材料和框架的移动通道。例如，下述的第一材料和第二材料可以通过开口OP注入，且框架可以通过开口OP插入到第一腔体CV1中或者从第一腔体CV1排出。

参照图5，可以将第一材料310注入到形成于模具200中的第一腔体CV1中。

第一材料310作为用于生成异质复合物的材料，可以是氟树脂。例如，第一材料310可以是碳纳米管-聚四氟乙烯(CNT-PTFE；Carbon Nanotube-polytetrafluoroethylene)，但本发明的第一材料310不限于碳纳米管-聚四氟乙烯。

第一材料310可以通过模具200的开口OP注入，并且注入的第一材料310可以从第一腔体CV1的底部向上方装载。第一材料310可以不注入到第一腔体CV1的整个空间中。即，第一腔体CV1的整个空间中的一部分可以不被第一材料310填充。

如下所述，可以在第一腔体CV1中设置框架400。图5示出了在设置框架400之前第一材料310注入到第一腔体CV1中。根据本发明的实施例，在设置框架400之前，可以将第一材料310注入到第一腔体CV1中或者不注入到第一腔体CV1中。以下，将主要说明在设置框架400之前第一材料310注入到第一腔体CV1中的情况。

参照图6，可以在第一腔体CV1中设置框架400。

框架400可以通过开口OP插入到第一腔体CV1中。由于第一腔体CV1具有空心型圆柱的形状，因此框架400也可以设置为空心型圆柱的形状。即，框架400的中心轴Bx与模具200的中心轴Ax可以一致，且框架400可以具有以该中心轴Bx为基准具有恒定直径的空心型圆柱的形状。

框架400可以包括用于形成下述的第二腔体CV2(参照图8)的外侧面。例如，框架400的外侧面的截面可以是四边形，在这种情况下，第二腔体CV2的截面可以是四边形。

框架400构成为包括外侧板410、底板420和内侧板430。外侧板410和内侧板430可以形成为以相同的中心轴Bx为基准具有不同的直径。外侧板410和内侧板430的宽面可以平行于中心轴Bx形成。外侧板410和内侧板430可以通过底板420连接，并且可以由外侧板410、底板420和内侧板430形成第二腔体CV2。

上述的框架400的外侧面可以理解为外侧板410、底板420和内侧板430的外侧面。框架400的外侧面可以包括与框架400插入到模具200中或从模具200中排出的方向平行的面。即，外侧板410和内侧板430的外侧面可以平行于框架400的插入或排出方向。

如下所述，第一材料310和第二材料320可以布置在界面的两侧。框架400可以包括形成界面的边界侧面440。界面可以形成为与边界侧面440对应的形状。边界侧面440可以包括平行于框架400的中心轴Bx的平行面和倾斜于框架400的中心轴Bx形成的倾斜面中的至少一者。图6示出了边界侧面440仅由平行于中心轴Bx的平行面构成。

参照图7，可以将第一材料310注入到框架400的外侧空间中。第一材料310可以与步骤S110之前注入的第一材料310相同。第一材料310可以通过模具200的开口OP注入。注入的第一材料310的一个侧面可以紧贴于框架400的边界侧面440。

参照图8，可以从模具200去除模具400以形成第二腔体CV2。框架400可以通过模具200的开口OP从第一腔体CV1排出。

在本发明中，第一材料310可以以粉末的形态注入到第一腔体CV1中。此外，恒定大小以上的结合力可以作用于构成第一材料310的各个粉末颗粒之间，并且即使去除模具400，也可以保持其形态。

因此，当从第一材料310去除框架400时，可以形成具有与框架400的外侧面对应的形状的第二腔体CV2。即，第二腔体CV2可以与框架400一样具有空心型圆柱的形状。此时，第二腔体CV2可以包括与第一材料310接触的界面330。

如上所述，框架400的内侧板430和外侧板410的外侧面可以平行于框架400的插入或排出方向。因此，即使从第一材料310去除框架400，第一材料310的形状也可以保持不变。

参照图9和图10，可以将与第一材料310不同的第二材料320注入到第二腔体CV2中。第二材料320可以通过模具200的开口OP注入。第二材料320可以以粉末的形态注入到第二腔体CV2中。

第二材料320可以是氟树脂。第二材料320可以具有与第一材料310相似的粉末的形态，当第一材料310和第二材料320被容纳在相同的空间中并被压缩时，第一材料310和第二材料320可以和谐地融合。例如，第二材料320可以是聚四氟乙烯(PTFE；polytetrafluoroethylene)，但本发明的第二材料320不限于聚四氟乙烯。

在第一材料310与第二材料320之间可以存在界面330。界面330可以是以框架400的中心轴Bx为基准具有恒定半径R的圆形。

第一材料310的至少一部分与第二材料320的至少一部分可以以在界面330彼此接触的状态布置在界面330的两侧。换言之，第一材料310的一部分和第二材料320的一部分可以以框架400的中心轴Bx为基准具有不同的半径。

在模具200中，材料310、320可以布置为混合层或单独层。混合层是包括第一材料310和第二材料320的层，且单独层是仅包括第一材料或第二材料的层。在模具中可以布置有混合层和单独层中的至少一个，尤其是至少一个混合层可以布置在模具中。图9示出了仅由第一材料310构成的单独层以及包括第一材料310和第二材料320的混合层布置在模具200中。然而，这仅仅是示例性的，混合层和单独层可以以各种形态组合并布置在模具200中。

如上所述，第一材料310作为用于生成异质复合物的材料，可以是氟树脂。第一材料310可以是碳纳米管-聚四氟乙烯(以下称为CNT-PTFE)。CNT-PTFE的单价可能相对较高。

当在第一腔体CV1中填充满CNT-PTFE的状态下生成异质复合物，并由此制造半导体制造装备的部件时，会发生CNT-PTFE的浪费。可以通过切削或研磨异质复合物来生成半导体制造装备的部件，而在异质复合物的整个区域中，切削或研磨的部分是不能再使用的部分，从而会发生费用的浪费。此外，在将模具400等插入到第一腔体CV1中并进行压缩的情况下，异质复合物中可能会发生皲裂。

因此，在异质复合物的整个区域中，不用于生成半导体制造装备的部件的部分可以用单价相对低的聚四氟乙烯(以下称为PTFE)填充。当在CNT-PTFE和PTFE填充满第一腔体CV1的状态下进行压缩时，压缩产物中不会发生皲裂，并且可以防止CNT-PTFE的浪费。

在模具200的第一腔体CV1中填充有第一材料310和第二材料320的状态下，可以通过模具200的开口OP向第一材料310和第二材料320施加压力，从而同时压缩第一材料310和第二材料320。此时，也可以向第一材料310和第二材料320施加热。

通过压力和热，第一材料310和第二材料320可以熔融并固化，从而转换为异质复合物500(参照图11)。异质复合物500可以与第一腔体CV1一样具有空心型圆柱的形状。

参照图11至图13，异质复合物500可以包括第一压缩结构体510和第二压缩结构体520。

第一压缩结构体510可以通过压缩第一材料310来形成，且第二压缩结构体520可以通过压缩与第一材料310不同的第二材料320来形成。第二压缩结构体520可以与第一压缩结构体510紧贴地布置。

第一压缩结构体510的至少一部分与第二压缩结构体520的至少一部分可以以在以中心轴Cx为基准具有恒定半径R的圆形的界面530彼此接触的状态布置在界面530的两侧。这里，界面530可以与上述的材料310、320的界面330对应。

界面530可以包括平行于中心轴Cx的平行面和倾斜于中心轴Cx形成的倾斜面中的至少一者。图12示出了仅由平行面构成界面530。

异质复合物500可以包括混合层和单独层。混合层是包括第一压缩结构体510的一部分和第二压缩结构体520的一部分的层，且单独层表示仅包括第一压缩结构体510的一部分或第二压缩结构体520的一部分的层。异质复合物500可以包括混合层和单独层中的至少一个，尤其可以包括至少一个混合层。图12示出了仅由第一压缩结构体510构成的单独层以及包括第一压缩结构体510和第二压缩结构体520的混合层构成异质复合物500。然而，这仅仅是示例性的，混合层和单独层可以不同地组合以构成异质复合物500。

图13示出了由混合层和单独层以各种形态组合的异质复合物。(a)和(b)示出了异质复合物构成为包括一个单独层和一个混合层，且(c)示出了异质复合物构成为仅包括一个混合层。可以根据最终生产的半导体制造装备的部件的形态，不同地确定第一压缩结构体510和第二压缩结构体520的布置形态。

以上说明了以空心型圆柱的形态制造的异质复合物500，但如图15所示，也可以以圆柱的形态制造异质复合物501。异质复合物501可以包括第一压缩结构体510和第二压缩结构体520，且异质复合物501可以被制造为不包括空心的圆柱的形态。为此，如图4所示，模具201可以不包括空心，并且第一腔体CV1可以提供圆柱的空间。

再次说明图11至图13，可以加工图11至图13所示的异质复合物500，以生成半导体制造装备的部件。特别地，半导体制造装备的部件可以构成为包括第一压缩结构体510和第二压缩结构体520中的至少一者。

图16是用于说明加工异质复合物以生成半导体制造装备的部件的视图，且图17是沿着图16所示的半导体制造装备的部件的C-C'线截取的剖视图，且图18是用于说明由多种材料形成半导体制造装备的部件的视图。

参照图16和图17，可以加工异质复合物500以形成半导体制造装备的部件600。

可以通过切削和研磨异质复合物500来生成半导体制造装备的部件600。图16和图17示出了半导体制造装备的部件600生成为仅包括第一压缩结构体510。即，第二压缩结构体520全部被切削去除。用于生成第一压缩结构体510的第一材料310的单价可能较高，而由于利用相对廉价的第二材料320，因此可以整体减少生产半导体制造装备的部件600所需的费用。

此外，尽管图16和图17示出了半导体制造装备的部件600生成为仅包括第一压缩结构体510，但是如图18所示，半导体制造装备的部件601可以生成为包括第一压缩结构体510和第二压缩结构体520两者。

在这种情况下，半导体制造装备的部件可以包括第一部分和第二部分。第一部分可以具有第一物性，且第二部分可以具有与第一物性不同的第二物性。例如，第一部分和第二部分可以具有不同的电导率。更具体地，第一部分可以包括碳纳米管-聚四氟乙烯(CNT-PTFE；Carbon Nanotube-polytetrafluoroethylene)，且第二部分可以包括聚四氟乙烯(PTFE；polytetrafluoroethylene)。

第二部分可以与第一部分直接接触。这里，第一部分可以表示由第一压缩结构体510构成的部分，且第二部分可以表示由第二压缩结构体520构成的部分。具体地，第一部分的至少一部分和第二部分的至少一部分可以以在以中心轴Dx为基准具有恒定半径R的圆形界面540彼此接触的状态布置在界面540的两侧。这里，界面540可以平行于或倾斜于中心轴Dx形成。

在本发明中，半导体制造装备的部件600、601可以与基板(未示出)相邻地布置。当在半导体制造装备的部件600、601中产生静电时，可能对基板产生不好的影响。如图16和图17所示，当半导体制造装备的部件600构成为仅包括电导率相对高的第一压缩结构体510时，可以防止静电的产生。此外，如图18所示，在使第一压缩结构体510包括在半导体制造装备的部件601的与基板相邻的内侧、且使第二压缩结构体520包括在远离基板的外侧的情况下，可以防止静电的产生，同时可以节省半导体制造装备的部件601的制作费用。

图19和图20是用于说明由多个辅助框架形成第二腔体的视图，且图21是用于说明在图19所示的模具中注入了第二材料的视图，且图22是示出通过图21所示的模具生成的异质复合物的视图。

参照图19，框架700可以包括多个辅助框架710、720、730，所述多个辅助框架710、720、730具有以框架700的中心轴Bx为基准具有不同半径R1、R2、R3的边界侧面741、742、743。

可以利用具有不同半径的辅助框架710、720、730来形成第二腔体CV2。

参照图19和图20，界面331、332、333可以形成为与边界侧面741、742、743对应的形状。

可以在第一辅助框架710插入到模具200中的状态下注入第一材料310，从而形成第一界面331。接着，去除第一辅助框架710并且在第二辅助框架720插入到模具200中的状态下注入第一材料310，从而形成第二界面332。接着，去除第二辅助框架720并且在第三辅助框架730插入到模具200中的状态下注入第一材料310，从而形成第三界面333。

图19和图20示出了通过三个辅助框架710、720、730形成界面331、332、333的情况，但是这仅仅是示例性的，可以通过两个辅助框架形成界面，或者可以通过四个以上的辅助框架形成界面。

参照图21，第一材料310的第一部分和第二材料320的第一部分可以以由多个辅助框架710、720、730中的第一辅助框架710的边界侧面741形成的第一界面331为基准布置在两侧，且第一材料310的第二部分和第二材料320的第二部分可以以由多个辅助框架710、720、730中的第二辅助框架720的边界侧面742形成的第二界面332为基准布置在两侧。此外，第一材料310的第三部分和第二材料320的第三部分可以以由多个辅助框架710、720、730中的第三辅助框架730的边界侧面743形成的第三界面333为基准布置在两侧。

由于利用具有不同半径的辅助框架710、720、730来形成第二腔体CV2，因此可以布置与半导体制造装备的部件的精细的形状对应的第一材料310和第二材料320，并且可以防止具有高单价的材料的浪费。

参照图22，可以生成包括第一压缩结构体510和第二压缩结构体520的异质复合物502。

可以通过压缩和加热注入到图21的模具200中的第一材料310和第二材料320来形成异质复合物502。

异质复合物502可以包括具有不同半径的多个子界面531、532、533。第一压缩结构体510的第一部分与第二压缩结构体520的第一部分可以以在多个子界面531、532、533中的第一子界面531彼此接触的状态布置在第一子界面531的两侧，且第一压缩结构体510的第二部分与第二压缩结构体520的第二部分可以以在多个子界面531、532、533中的第二子界面532彼此接触的状态布置在第二子界面532的两侧。此外，第一压缩结构体510的第三部分与第二压缩结构体520的第三部分可以以在多个子界面531、532、533中的第三子界面533彼此接触的状态布置在第三子界面533的两侧。

可以加工异质复合物502以形成半导体制造装备的部件。由于第一压缩结构体510和第二压缩结构体520以精细的结构布置，因此可以整体减少生产半导体制造装备的部件所需的费用。

图23是用于说明由包括倾斜面的框架形成第二腔体的视图，且图24是示出通过图23所示的模具生成的异质复合物的视图。

参照图23，框架800可以包括形成界面的边界侧面840。

边界侧面840可以包括平行于框架200的中心轴Bx的平行面PL和倾斜于框架200的中心轴Bx形成的倾斜面SL中的至少一者。图23示出了边界侧面840形成为包括平行面PL和倾斜面SL。

由于利用具有倾斜面SL的框架800来形成第二腔体CV2，因此可以进行与异质复合物的精细的形状对应的第一材料310和第二材料320的布置，并且可以防止具有高单价的材料的浪费。

参照图24，可以生成包括第一压缩结构体510和第二压缩结构体520的异质复合物503。

可以通过压缩和加热注入到图23的模具200中的第一材料310和第二材料320来形成异质复合物503。

异质复合物503可以包括以中心轴Cx为基准具有恒定半径的圆形界面530、550。界面530、550可以包括平行于中心轴Cx的平行面530和倾斜于中心轴Cx形成的倾斜面550中的至少一者。

第一压缩结构体510的至少一部分和第二压缩结构体520的至少一部分可以以在界面530、550彼此接触的状态布置在界面530、550的两侧。

可以加工异质复合物503以生成半导体制造装备的部件。由于第一压缩结构体510和第二压缩结构体520以精细的结构布置，因此可以整体减少生产半导体制造装备的部件所需的费用。

以上参照附图对本发明的实施例进行了说明，但本发明所属技术领域的普通技术人员应当理解，本发明在不改变其技术思想或必要特征的情况下，能够以其他具体形态实施。因此，应当理解为以上描述的实施例在所有方面都是示例性的，而不是限制性的。