具体实施方式

以下将对本发明的一种嵌入式存储器的参数测试的分类筛选方法作进一步的详细描述。下面将参照附图对本发明进行更详细的描述，其中表示了本发明的优选实施例，应该理解本领域技术人员可以修改在此描述的本发明而仍然实现本发明的有利效果。因此，下列描述应当被理解为对于本领域技术人员的广泛知道，而并不作为对本发明的限制。

为了清楚，不描述实际实施例的全部特征。在下列描述中，不详细描述公知的功能和结构，因为它们会使本发明由于不必要的细节而混乱。应当认为在任何实际实施例的开发中，必须做出大量实施细节以实现开发者的特定目标，例如按照有关系统或有关商业的限制，由一个实施例改变为另一个实施例。另外，应当认为这种开发工作可能是复杂和耗费时间的，但是对于本领域技术人员来说仅仅是常规工作。

为使本发明的目的、特征更明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施方式作进一步的说明。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比率，仅用以方便、明晰地辅助说明本发明实施例的目的。

图1为本实施例提供的一种嵌入式存储器的参数测试的分类筛选方法的流程图。如图1所示，本实施例提供一种嵌入式存储器的参数测试的分类筛选方法，包括以下步骤：

步骤S10：设定存储器的电参数的修调档位的筛选手段；

步骤S20：执行晶圆测试，以得到电参数的实测修调档位；

步骤S30：将所述电参数的实测修调档位记录到log文档中；以及

步骤S40：对所述log文档中的记录的电参数的实测修调档位进行分析，并绘制测试晶圆图谱。

以下结合图1对本发明提出的嵌入式存储器的参数测试的分类筛选方法进行详细说明。

首先执行步骤S10，设定存储器的电参数的修调档位的筛选手段。

在本实施例中，所述嵌入式存储器为嵌入式闪存，所述电参数包括写入、读出和擦除相关的参数，例如是电压和电流，具体例如是写入电压、擦除电压、读出电压、写入电流和擦除电流等，即对eflash的写入、读出和擦除相关的参数进行修正。对每个所述参数根据设计规格设定了多个设计档位，例如是设定了16个设计档位，其中，部分的设计档位为安全档位，部分的设计档位为不安全档位。本实施例通过存储器的电参数的修调档位来进行测试项目的分类，替代了现有技术中仅通过电压参数值与设计规格比较，或者电流参数值与设计规格比较来进行测试项目的分类，有利于避免可靠性有关的漏宰风险的发生。

接着执行步骤S20，执行晶圆测试，以得到电参数的实测修调档位。具体的，执行晶圆测试，以得到修调写入电压值和其对应的实测修调档位，修调擦除电压值和其对应的实测修调档位，修调读出电压值和其对应的实测修调档位，修调写入电流值和其对应的实测修调档位，修调擦除电流值和其对应的实测修调档位。

所述晶圆包括阵列排布的多个芯片，在执行所述晶圆的测试过程中，对所述芯片沿蛇形依次进行测试，或者按行、列进行测试，在其他实施例中，还可以根据实际需求从内向外沿或从外向内以螺纹顺序依次对所述芯片进行测试。

在本实施例中，所述电参数的数据个数最多为16个，在计算机中载入一组写入电压、擦除电压、读出电压、写入电流或擦除电流等的数据，通常为16个，位于计算器的16个档位中；并通过在该档位下的值时烧断存储器中相应的保险丝，来不断调整到合适的电压或电流(该过程称为trimming，即修正)，在此过程中需要用到精确测试单元(precisionmeasure unit，PMU)来测量，接着采用相应的计算机语言编写相关程序，从16个测得的值中选取最接近目标值的测得的值作为最终结果，即确定最接近目标值的档位范围，例如：从16个档位中选择了5个档位作为合适的档位范围，比如档位1到档位5，也就是说，16个档位中档位1到档位5为安全档位，6-16为不安全档位。

接着执行步骤S30，将所述电参数的实测修调档位记录到log文档中，以便于后续录入系统做判断和分析。

具体的，将所述修调写入电压值和其对应的实测修调档位，修调擦除电压值和其对应的实测修调档位，修调读出电压值和其对应的实测修调档位，修调写入电流值和其对应的实测修调档位，修调擦除电流值和其对应的实测修调档位记录到log文档中。

接着执行步骤S40，对所述log文档中的记录的电参数的实测修调档位进行分析，并绘制测试晶圆图谱。

具体的，本步骤在对所述log文档中的记录的电参数的实测修调档位进行分析时，若电参数的实测修调档位存在异常的芯片，则将该芯片剔除(例如该芯片的实测修调档位于不安全档位即6-16中)，同时绘制出第一测试晶圆图谱；根据九宫格的墨迹轨迹，若一个合格的芯片相邻的多个芯片存在电参数的实测修调档位异常，那么该合格的芯片也被剔除，同时绘制出第二测试晶圆图谱；若电参数的实测修调档异常的芯片失效率超过某一个预设标准，则需要判断该芯片在晶圆的处置，同时绘制出第三测试晶圆图谱。

本实施例通过log文档记录的每个晶圆的电参数的实测修调档位，不仅可以将修调档位异常的芯片剔除，还可以提供可靠性风险预警机制。

之后，根据分析结果修改所述测试晶圆图谱。具体的，将所述第一测试晶圆图谱、第二测试晶圆图谱和第三测试晶圆图谱合并以及修改，从而获得最终的测试晶圆图谱。该测试晶圆图谱包括了第一测试晶圆图谱、第二测试晶圆图谱和第三测试晶圆图谱中的合成图，使得三个测试晶圆图谱的被剔除的芯片均包含在内，从而有效提高了芯片的可靠性指标。

综上所述，本发明提供的一种嵌入式存储器的参数测试的分类筛选方法，包括以下步骤：设定存储器的电参数的修调档位的筛选手段；执行晶圆测试，以得到实测的电参数的实测修调档位；将所述电参数的实测修调档位记录到log文档中；以及对所述log文档中的记录的电参数的实测修调档位进行分析，并绘制测试晶圆图谱。本发明通过log文档记录的每个晶圆的电参数的实测修调档位，不仅可以将修调档位异常的芯片剔除，提供了可靠性风险预警机制，还有效提高了芯片的可靠性指标。

此外，需要说明的是，除非特别说明或者指出，否则说明书中的术语“第一”、“第二”的描述仅仅用于区分说明书中的各个组件、元素、步骤等，而不是用于表示各个组件、元素、步骤之间的逻辑关系或者顺序关系等。

可以理解的是，虽然本发明已以较佳实施例披露如上，然而上述实施例并非用以限定本发明。对于任何熟悉本领域的技术人员而言，在不脱离本发明技术方案范围情况下，都可利用上述揭示的技术内容对本发明技术方案作出许多可能的变动和修饰，或修改为等同变化的等效实施例。因此，凡是未脱离本发明技术方案的内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所做的任何简单修改、等同变化及修饰，均仍属于本发明技术方案保护的范围内。