一种改善鳍式器件衬底图形不平坦对光刻聚焦影响的方法
阅读说明：本技术 一种改善鳍式器件衬底图形不平坦对光刻聚焦影响的方法 (Method for improving influence of uneven pattern of fin type device substrate on photoetching focusing ) 是由 彭翔 于 2020-12-17 设计创作，主要内容包括：一种改善鳍式器件衬底图形不平坦对光刻聚焦影响的方法,包括用硬掩膜层填平分布有密集和孤立的FIN鳍式器件衬底；根据工艺要求确定在硬掩膜层上依次形成抗反射层的厚度范围和光刻胶的厚度,选取抗反射层的厚度范围中的N个厚度值(T-1、T-2、…T-N)；使用软件模拟出光刻胶和抗反射层在193纳米曝光波长下反射率最低时的最佳抗反射层厚度T-i；根据T-i值使用软件反推出反射率最大时对应的紫外光波长,使用这个波长紫外光代替可见光对鳍式衬底进行平坦度的侦测。因此,本发明避免了衬底FIN信息的反射所造成平坦度测量误侦测,消除了失焦影响；且根据光刻胶和抗反射层的平整度信息,获得了光刻最佳聚焦点,改善了光刻图形形貌和线宽差异,提高了器件的合格率。(A method for improving influence of uneven patterns of a FIN device substrate on photoetching focusing comprises the steps of filling and leveling a dense and isolated FIN device substrate by using a hard mask layer; determining the thickness range of an anti-reflection layer and the thickness of a photoresist which are sequentially formed on the hard mask layer according to the process requirements, and selecting N thickness values (T) in the thickness range of the anti-reflection layer 1 、T 2 、…T N ) (ii) a Software was used to simulate the optimal antireflective layer thickness T for the lowest reflectivity of the photoresist and antireflective layer at 193 nm exposure wavelength i (ii) a According to T i The value is back-derived by software to the corresponding ultraviolet wavelength when the reflectivity is maximum, and the ultraviolet light with the wavelength is used for replacing visible lightAnd detecting the flatness of the fin substrate. Therefore, the method avoids the misdetection of flatness measurement caused by the reflection of the FIN information of the substrate, and eliminates the out-of-focus influence; and according to the flatness information of the photoresist and the anti-reflection layer, the optimal photoetching focus point is obtained, the morphology and the line width difference of the photoetching pattern are improved, and the qualification rate of the device is improved.)
技术领域
本发明涉及半导体集成电路工艺技术领域，特别是涉及一种改善鳍式器件(鳍式场效应晶体管器件Fin Field-Effect Transistor，FinFET)衬底图形不平坦对光刻聚焦影响的方法。
背景技术
在集成电路(IC)制造过程中，光刻工艺是较为常用的工艺流程。请参阅图1，图1所示为现有技术中平板晶体管(Planar MOS)光刻聚焦系统的反射示意图。如图1所示，该传统的平板晶体管从上到下因此至少包括衬底层(Silicon substrate)、覆盖有硬腌膜(Hardmask)的图形化层(pattern layer)、抗反射层(BARC)和光刻胶(Resist)。
本领域技术人员清楚，对传统的平板晶体管(Planar MOS)执行曝光工艺之前，通常都需要进行晶圆衬底曝光区域平坦度的测量(leveling)。光刻机在做平坦度的测量过程中是采用可见光(波长600纳米～1050纳米)照射曝光区域，这种光可以穿过光刻胶(Resist)和抗反射层(BARC)以及一些可透光的中间层，将衬底上的高低不平的图形化层情况反射反馈到光刻聚焦系统(如图1所示)；然后，光刻机针对每一个曝光区域的平坦度进行聚焦补正以达到一一对应的最佳曝光焦点。
若在同一个曝光区域中所测量结果为高低不平点的值，则取高低不平点的平均值作为焦点，这样只要这层光刻焦深(Depth of focus简称DOF)工艺窗口足够就能够弥补高低不平带来的失焦(defocus)。
随着集成电路(IC)技术的发展，图形线宽(CD)越来越小，晶体管也由平板器件转化到鳍式场效应晶体管。请参阅图2，图2所示为鳍式场效应晶体管器件光刻聚焦系统的反射示意图。如图2所示，鳍式场效应晶体管器件最大特征是一根根平行的鳍(FIN)立在衬底(Silicon substrate)上，其高度约有100纳米。
在这些FIN上覆盖硬掩膜层(hard mask)填平，然后涂上抗反射层和光刻胶进行光刻工艺，光刻机在做平坦度的测量leveling时，会将FIN高度的信息反馈回去，由于一个曝光区域内不同位置FIN的分布不一样，有的地方密集分布，有的地方孤立分布，这样导致平坦度的测量leveling误侦测，即会将密集和孤立FIN的信息反馈回去进行补正，带来不必要的失焦(如图2所示)。再加上，由于鳍式场效应晶体管器件由于图形线宽的缩小，其相应的光刻焦深工艺窗口也变小，如果不能弥补这种失焦，就会直接导致图形形貌和线宽差异以及最终器件良率的不合格。
发明内容
本发明的目的在于克服上述鳍式场效应晶体管器件平坦度的测量误侦测带来的问题，提供一种改善鳍式场效应晶体管器件衬底图形不平坦对光刻聚焦影响的方法，其通过使用短波长紫外光代替可见光，并模拟出在一定厚度的光刻胶和抗反射层对应的最强反射率紫外光波长来做平坦度的测量leveling，旨在克服上述鳍式场效应晶体管器件平坦度的测量leveling误侦测带来的问题。
为实现上述目的，本发明的技术方案如下：
一种改善鳍式场效应晶体管器件衬底图形不平坦对光刻聚焦影响的方法，其包括如下步骤：
步骤S1：提供一鳍式场效应晶体管器件衬底，所述鳍式场效应晶体管器件衬底上的不同位置分布有FIN(鳍结构)密集区域和FIN孤立区域，并采用硬掩膜层覆盖填平所述FIN密集区域和FIN孤立区域；
步骤S2：根据工艺要求，确定在所述硬掩膜层上依次形成抗反射层的厚度范围和光刻胶的厚度，选取所述抗反射层的厚度范围中的N个厚度值(T1、T2、…TN)，根据所述抗反射层的N个厚度值(T1、T2、…TN)分别搭配所述光刻胶层的厚度、所述抗反射层与所述光刻胶层在193纳米波长紫外光下的折射率、以及所述硬掩膜层材料的介电系数，仿真模拟出所述抗反射层的厚度与反射率关系曲线图；
步骤S3：根据所述抗反射层的厚度与反射率关系曲线图，选择所述抗反射层厚度范围内反射率最低点对应的抗反射层厚度为最佳抗反射层厚度Ti；
步骤S4：确定位于紫外光波长范围中的M个紫外光波长值(L1、L2、…LM)，其中，所述M个紫外光波长值(L1、L2、…LM)介于200nm～400nm之间；
步骤S5：根据所述M个紫外光波长值(L1、L2、…LM)，以及所述抗反射材料最佳厚度Ti，仿真模拟反推出反射率最大时对应的紫外光波长值Lj，所述紫外光波长值Lj介于200nm～400nm之间；
步骤S6：使用上述仿真模拟出的紫外光波长值Lj对所述鳍式场效应晶体管器件衬底进行光刻曝光前曝光区域平坦度的侦测。
进一步地，所述抗反射层的厚度范围为大于等于A纳米，小于等于B纳米；将所述抗反射层的厚度范围分成N个等份，每一个所述等份的值为X＝(B-A)/N纳米，得到N个所述抗反射层的厚度值(A、A+X、A+2X、…A+NX)；其中，B＝A+NX。
进一步地，所述紫外光波长值的范围为大于等于C纳米，小于等于D纳米；将所述紫外光波长值范围分成M个等份，每一个所述等份的值为Y＝(C-D)/M纳米，得到M个所述紫外光波长值(C、C+X、C+2X、…C+MY)；其中，D＝C+MY。
进一步地，所述紫外光波长值范围为248纳米～400纳米。
进一步地，所述仿真模拟利用软件完成，所述软件包括S-litho软件。
从上述技术方案可以看出，本发明提供的一种改善鳍式场效应晶体管器件衬底图形不平坦对光刻聚焦影响的方法，相较于光刻机传统方法使用可见光对衬底平坦度做leveling侦测，其利用紫外光在硬掩膜层的吸收率比可见光高，避免了反射衬底FIN的信息造成leveling误侦测引起不必要的失焦影响；另外，由于选取的紫外光Lj在光刻胶和抗反射层反射率最大能够形成干涉增强效应，能够更真实的反馈光刻胶和抗反射层的平整度信息，得到真实的光刻最佳聚焦点，从而改善了光刻图形形貌和线宽差异，提高了器件的合格率。
附图说明
图1所示为现有技术中平板晶体管(Planar MOS)光刻聚焦系统的反射示意图
图2所示为鳍式场效应晶体管器件光刻聚焦系统的反射示意图
图3所示为本发明改善鳍式场效应晶体管器件衬底图形不平坦对光刻聚焦影响的方法一较佳实施例的流程示意图
图4所示为本发明实施例中在不同波长紫外光下的反射率与抗反射层厚度的曲线示意图，其中，w1为193纳米紫外光，w2～w5为波长200纳米～400纳米范围内的紫外光
图5所示为本发明实施例中硬掩膜材料在不同波长光下的吸光曲线图，其中λ为光的波长，k为硬掩膜材料的介电常数
图6所示为本发明实施例中光刻机使用紫外光在鳍式场效应晶体管器件衬底上做leveling的发射结果示意图
具体实施方式
下面结合附图3-6，对本发明的具体实施方式作进一步的详细说明。
在本发明的实施例中，在对鳍式场效应晶体管器件衬底光刻在曝光之前都需要进行晶圆衬底曝光区域平坦度的测量(leveling)，为能够更真实的反馈光刻胶和抗反射层的平整度信息，得到真实的光刻最佳聚焦点，以改善光刻图形形貌、线宽差异和器件良率。本发明提供的一种改善鳍式场效应晶体管器件衬底图形不平坦对光刻聚焦影响的方法，包括：提供一种鳍式场效应晶体管器件衬底，其上分布有密集和孤立的FIN并用硬掩膜层填平，然后进行光刻工艺；使用S-litho软件模拟出光刻胶和抗反射层在193纳米曝光波长下的最佳厚度Ti，然后根据Ti值使用相同软件反推出反射率最大时对应的介于200nm～400nm之间的紫外光波长Lj，使用这个波长的紫外光代替可见光对这种鳍式衬底进行leveling侦测，其优点在于短波长的紫外光在硬掩膜层的吸收率比可见光高，不会反射衬底FIN分布不均匀的信息造成leveling误侦测引起不必要的失焦影响；并且紫外光Lj在光刻胶和抗反射层反射率最大时能形成干涉增强效应，能够更真实的反馈光刻胶和抗反射层的平整度信息，得到真实的光刻最佳聚焦点。
请参阅图3，图3所示为本发明改善鳍式场效应晶体管器件衬底图形不平坦对光刻聚焦影响的方法一较佳实施例的流程示意图。如图3所示，该改善鳍式场效应晶体管器件衬底图形不平坦对光刻聚焦影响的方法具体包括如下步骤：
步骤S1：提供一鳍式场效应晶体管器件衬底，所述鳍式场效应晶体管器件衬底上的不同位置分布有FIN(鳍结构)密集区域和FIN孤立区域，并采用硬掩膜层覆盖填平所述FIN密集区域和FIN孤立区域；
步骤S2：根据工艺要求，确定在所述硬掩膜层上依次形成抗反射层的厚度范围和光刻胶的厚度，选取所述抗反射层的厚度范围中的N个厚度值(T1、T2、…TN)，根据所述抗反射层的N个厚度值(T1、T2、…TN)分别搭配所述光刻胶层的厚度、所述抗反射层与所述光刻胶层在193纳米波长紫外光下的折射率、以及所述硬掩膜层材料的介电系数，仿真模拟出所述抗反射层的厚度与反射率关系曲线图。
在本发明的一个较佳的实施例中，根据光刻工艺要求，已知衬底不同膜层的厚度以及各层(包括光刻胶和抗反射层)在193纳米波长紫外光下的折射率(n)&硬掩膜材料的介电系数(k)。例如，所述抗反射层的厚度范围为大于等于A纳米，小于等于B纳米；将所述抗反射层的厚度范围分成N个等份，每一个所述等份的值为X＝(B-A)/N纳米，得到N个所述抗反射层的厚度值(A、A+X、A+2X、…A+NX)；其中，B＝A+NX。
步骤S3：根据所述抗反射层的厚度与反射率关系曲线图，选择所述抗反射层厚度范围内反射率最低点对应的抗反射层厚度为最佳抗反射层厚度Ti。
请参阅图4，图4所示为本发明实施例中在不同波长紫外光下的反射率与抗反射层厚度的曲线示意图，其中，w1为193纳米紫外光，w2～w5为波长200纳米～400纳米范围内的紫外光。
如图4所示，根据光刻工艺要求，已知衬底不同膜层的厚度以及各层(包括光刻胶和抗反射层)在193纳米波长紫外光下的折射率(n)&介电系数(k)，使用S-litho软件模拟出不同抗反射层厚度与反射率关系曲线图，然后，选择反射率最低点对应的厚度为最佳抗反射层厚度Ti。
如图4所示，使用S-litho软件模拟出抗反射层厚度(Bare Thickness)与反射率(Reflectivity)关系曲线图，然后，选择反射率最低点对应的厚度为最佳厚度。波长w1{193纳米}对应反射最低点厚度即为Ti，图中波长w1{193纳米}对应反射最低点厚度为Ti为0.08微米。
在本发明的实施例中，采用波长较短(通常选择的范围是200纳米～400纳米)的紫外光(UV)代替可见光对鳍式场效应晶体管器件衬底进行leveling侦测，由于紫外光波长短能量更大相比可见光更易被材料吸收，这样，透过光刻胶和抗反射层的紫外光大部分被覆盖的硬掩膜层吸收(如图5所示)，不会反射衬底FIN的高度信息(如图6所示)。
具体地，需执行步骤S4：确定位于紫外光波长范围中的M个紫外光波长值(L1、L2、…LM)，其中，所述M个紫外光波长值(L1、L2、…LM)介于200nm～400nm之间。其中，考虑到光刻胶曝光敏感度，特别注意模拟出的紫外光(UV)光波长需要大于193纳米，并尽量远离该193纳米波长，一般大于248纳米对193纳米光刻胶不会造成影响。因此，所述M个紫外光波长值(L1、L2、…LM)应大于193纳米，通常选择在200纳米～400纳米之间；较佳地，所述紫外光波长值范围为248纳米～400纳米。
在本发明的一个较佳实施例中，所述紫外光波长值的范围为大于等于C纳米，小于等于D纳米；将所述紫外光波长值范围分成M个等份，每一个所述等份的值为Y＝(C-D)/M纳米，得到M个所述抗反射层的厚度(C、C+X、C+2X、…C+MY)；其中，D＝C+MY。
接下来，步骤S5：根据所述M个紫外光波长值(L1、L2、…LM)，以及所述抗反射材料最佳厚度Ti，仿真模拟反推出反射率最大时对应的紫外光波长值Lj，所述紫外光波长值Lj介于200nm～400nm之间。
步骤S6：使用上述仿真模拟出的紫外光波长值Lj对所述鳍式场效应晶体管器件衬底进行光刻曝光前曝光区域平坦度的侦测。
请参阅图5和图6，图5所示为本发明实施例中硬掩膜层材料在不同波长光下的吸光曲线图，其中，λ为光的波长单位为nm，k为硬掩膜材料的介电常数，图5中的纵坐标为硬掩膜层材料的光吸收率(Absorption of hardmask)；图6所示为本发明实施例中光刻机使用紫外光在鳍式场效应晶体管器件衬底上做leveling的发射结果示意图。如图5所示，由于紫外光波长短能量更大相比可见光更易被材料吸收，这样，透过光刻胶和抗反射层的紫外光大部分被覆盖的硬掩膜层吸收，不会反射衬底FIN的高度信息(如图6所示)。
也就是说，使用上述模拟出的一定波长紫外光(ASML在1970型号及以上更先进机型的光刻机上配有波长225纳米～400纳米UV光源)对鳍式器件衬底进行leveling侦测，该紫外光能够在光刻胶和抗反射层形成干涉增强效应，能够更真实的反馈光刻胶和抗反射层的平整度信息，可以最大限度消除衬底上FIN的高度以及分布的密集孤立程度造成的影响，得到真实的光刻最佳聚焦点。
以上所述的仅为本发明的优选实施例，所述实施例并非用以限制本发明的专利保护范围，因此凡是运用本发明的说明书及附图内容所作的等同结构变化，同理均应包含在本发明的保护范围内。
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